DE1949731A1 - Halbleiterelement mit kombinierten Loet-Druckkontakten - Google Patents

Halbleiterelement mit kombinierten Loet-Druckkontakten

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Description

BROWN, BOVERl & ClE. AKTIENGESELLSCHAFT 1Θ BsD
MANNHEIM BROWN BOVERI
Mp.-Nr. 651/69 Mannheim, den 11. Sept. 1969
Pat/Mr/Bu. ■
"Halbleiterelement mit kombinierten Löt-Druckkontakben"
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterelement mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper, einer Zwischenscheibe und einem Anschlußkörper, wobei diese Teile miteinander durch Lötschichten verbunden sind.
Ein bekanntes Problem bei Halbleiterelementen großer Leistung ist die Herstellung eines elektrischen Kontaktes mit gutem elektrischen Leitvermögen, guter Wärmeleitfähigkeit und guter mechanischer Festigkeit. Auf die Halbleitertablette - in der Regel Silizium - wird eine Trägerelektrode aus Molybdän- oder Wolfram aufgelötetf deren thermischer Ausdehnungskoeffizient angenähert dem des Silizium entspricht. Zur Kühlung der Anordnung wird die Halbleitertablette mit der Trägerelektrode auf einen Anschlußkörper, z.B. ein Kupferklotz, befestigt. Die Trägerelektrode muß mit dem Kühlkörper ebenfalls relativ großflächig verbunden sein, damit ein guter-Wärmeübergang und ein.geringer elektrischer Widerstand der Übergangsstelle!gewährleistet ist. Die Lötschicht stellt dabei·eine kritische Stelle dar. Sie muß großen Wechsellastbeanspruchungen standhalten. Des weiteren bereitet die vollständige und gleichmäßige Benetzung der Fläche mit dem Lot bei großem Tablettendurchmesser Schwierigkeiten. Beim Auftreten von Überströmen kann es, besonders mit der Verwendung von Weiohlot (Bleilot, Zinnlot), zu einem Aufschmelzen der Lötsohicht kommen. Dadurch steigt der thermische Widerstand der Lötschicht
Tormvi-io
Put 4 <wa. aooe/EA)
- 2 - 551/69
sprunghaft an, es tritt eine thermische Rückkopplung ein, die zur Zerstörung der Tablette führt. Der Kontakt zwischen der' Trägerelektrode und dem Anschlußkörper kann als Druck- oder lötkontakt ausgeführt sein. Bei der Ausführung ,als Druckkontakt sind zusätzliche Einspannmittel notwendig.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen v elektrischen und thermischen Kontakt zu schaffen, d'er so-, wohl die Vorteile einer Druck- wie einer Lötverbindung in sich vereinigt.
Zur Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung von einem Halbleiterelement mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper mit mindestens einer Trägerelektrode, einer Zwischen scheibe und einem Anschlußkörper aus, wobei zumindest der Anschlußkörper, die Zwischenscheibe und die auf diese folgende Trägerelektrode oder der Halbleiterkörper durch Lotschichten miteinander verbunden sind. Die Erfindung besteht darin, daß zwischen dem Halbleiterkörper und dem Anschlußkörper unter Aussparung der zentrisch angeordneten Zwischenscheibe deren, kontaktierbare Oberfläche kleiner als die der' Zwischenscheibe zugewandte Oberfläche des Halbleiterkörpers ist, eine nach Erstarren der Lotschichten dentorusartig Raum zwischen Halbleiterkörper und Anschlußkörper pressend ausfüllende Druckscheibe angeordnet ist.
Die Erfindung vereinigt in sich die Vorteile eines Druck- und eines Lötkontaktes. Durch die sehr viel kleinere Lötfläche zwischen Trägerelektrode, Zwischenscheibe und Anschlußkörper ist die Viechs ellas tb eanspruchung dieser Lötschichten geringer. Pur die mechanische Festigkeit genügt eine Lötfläche von einem Viertel der normalerweise, dafür benutzten Oberfläche. Die Strom- und Wärmeleistung dagegen geschieht in der Hauptsache über die Druckkontaktierung. Bei kleinen Elementen ist es ausreichend, die Druckkraft
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Pol Λ F f («80. 5000/EA) '
- 3 - . 651/69
allein durch entsprechend enge Toleranzen der Druckscheibe wie die Dicke der lötschichten festzulegen. Halbleiterelemente größerer leistung nach der Erfindung können zusätzlich mit Einspannmitteln versehen \ferden.
Vorteilhafterweise kann die Zwischenscheibe auf einen kleinen Sockel des Anschlußkörpers aufgelötet werden. Die Dicke der Druckscheibe beträgt dann zusätzlich die Dicke des Sockels. Zur genaueren Einhaltung der Toleranzen sollte das Material der Druckscheibe einen geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen als dasjenige des Anschlußkörpers. Zur Beherrschung der auftretenden höhen Zugkräfte in den lötschichten auf der Zwischensoheibe wird vorteilhafterweise ein Hartlot, .z.B, ein Kupfer-Silber-Lot, verwendet.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung wird in der Besehreibung auf zv/ei Ausführungsbeispiele Bezug· genommen, die in den Zeichnungen dargestellt sind.
In Fig. 1 sind auf einen nach bekannten Verfahren diffundierten und mit einer Randansohrägung versehenen Halbleiterkörper 1 zwei Trägerelektroden 2,3, die bevorzugt aus Molybdän bestehen, mittels eines niedrigschmelzenden Blei-Silber-Lotes 4,5 aufgelötet. An die untere Molybdänscheibe 3 ist mittels eines hochschmelzenden Kupf er-'Sirber-Hartlotes 6 eine Zwischenseheibe 7 aus Kupfer oder einem geeigneten Material gelötet, deren Durchmesser erheblieh kleiner als derjenige der Molybdänseheibe 3 ist. Diese Anordnung ist mit der Zwischenscheibe mittels einer weiteren Hartlotschicht 8 mit einem Sockel 9 eines, Anschlußkörpers verbunden, der ebenfalls bevorzugt aus Kupfer besteht. Zwischen·der Molybdänscheibe 3 und dem Anschlußkörper 9
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iil 4 I' I «iiiü. !iQiKl/EA)
651/69
ist eine ringförmige Druckscheibe 11 gelegt. Diese Druckscheibe besteht vorzugsweise aus einem Material, welches einen geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist als das Material des AnschlußkörperSi Bei entsprechend engen Toleranzen und Lotschichtdicken kann als Material der Druckscheibe auch Kupfer verwendet werden.
Zum Herstellen des erfindungsgemäßen Löt-Druckkontaktes wird zuerst der Anschlußkörper 10 in eine Halterung, gelegt. Auf diesen folgt- die ringförmige Druckscheibe 11, auf den Sockel 9 das Hartlotplättchen'8. Auf das Lotplättchen schließt sich die Zwischenscheibe 7 an, das Hartlotplättchen 6, die untere Molybdänscheibe 3» die Weiehlotschicht 5, die ;; Siliziumscheibe 1, eine zweite Weichlotschicht 4 und die obere· Molybdänscheibe 2.
Die Dicke und der Wärmetausdehnungskoeffizient der Druckscheibe sind so gewählt., daß beim Erstarren! des Hartlotes dessen Abklingkurve von ca* ?80° bis zu 15O0C zur Druckgebung ausgenützt wirdί daß also der Spalt zwischen dem Anschlußkörper und der unteren Molybdäris.eheibe von der. Druckscheibe pressend ausgefüllt ist. Es* entsteht so zwi- ■ sehen der Molybdänscheibe, der Druckscheibe und dem Anschlußkörper eine Druc'k-Lö.tverbindung, wobei die Druckkraft von der Zugfestigkeit der Hartlotschichten bestimmt wird. Natürlich ist es möglich, die Druckplatte einseitig auf den Anschlußkörper zu löten und so nur einen Druckkontakt zwischen Druckscheibe und Molybdänscheibe herzustellen.
In Piß. 2 ist ein Ausführungsbeispiel dargestellt, bei welchem-der Druckkontakt direkt zwischen einer Siliziumscheibe 12, einer ringförmigen Druckscheibe 13 und-einem
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Pal 4 F 1 (OCO. SOOO/HA)
- 5 - · " 651/69
Anschlußkörper H besteht. Auch hier kann die Druckscheibe einseitig auf den Anschlußkörper gelötet sein, so daß nur zwischen der Siliziumsoheibe und der Druckscheibe ein Druckkontakt herrscht.
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I'm 4 F I (888. 6000/ΕΛ) . .

Claims (4)

  1. - 6 -■.. 651/69 ■ - ■ ■ Patentansprüche
    (T) Halbleiterelement mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper mit mindestens einer Trägerelektrode, einer Zwischenscheibe und einem Anschlußkörper, wobei zumindest der Anschlußkörper, die Zwischenschei- Λ be und die auf diese folgende Trägerelekfercfde oder
    der Halbleiterkörper durch Lotschichten miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Halbleiterkörper (.1,12) und dem Anschlußkörper (1-0,14) unter Aussparung der zentrisch angeordneten Zwischenscheibe (7,15), deren kontaktierbare Oberfläche kleiner als die der Zwischenscheibe zugewandte Oberfläche des Halbleiterkörpers ist, eine nä^h Erstarren der Lotschichten (6,8) dentorusartig Raum zwischen Halbleiterkörper und Anschlußkörper pressend ausfüllende Druckscheibe angeordnet ist.
  2. 2. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenscheibe- (7,15) auf einen Sockel (9,16) des Anschlußkörpers aufgelötet ist.
  3. 3. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Druckscheibe einen geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dasjenige des Anschlußkörpers aufweist. . -
  4. 4. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch' gekennzeichnet, daß.die. Lotschichten (6,8) aus einem Hartlot, z.B. Kupfer-Silber-Lot bestehen.
    • ■'•',ijiilvLi^'i-l· viii ι
    m> f '■!■ι ■■ ' I·1
    Put 4 P I (800, 6000/EA) , f · ' t '. ■ , ,λ · ■ H
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2334427A1 (de) * 1972-07-10 1974-01-31 Amdahl Corp Baugruppe fuer ein lsi-plaettchen und herstellungsverfahren
EP0989611A2 (de) * 1998-09-22 2000-03-29 Asea Brown Boveri AG Kurzschlussfestes IGBT modul

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2334427A1 (de) * 1972-07-10 1974-01-31 Amdahl Corp Baugruppe fuer ein lsi-plaettchen und herstellungsverfahren
EP0989611A2 (de) * 1998-09-22 2000-03-29 Asea Brown Boveri AG Kurzschlussfestes IGBT modul
EP0989611A3 (de) * 1998-09-22 2000-08-02 ABB Semiconductors AG Kurzschlussfestes IGBT modul
US6426561B1 (en) 1998-09-22 2002-07-30 Abb Schweiz Holding Ag Short-circuit-resistant IGBT module

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