DE2004768C3 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE2004768C3
DE2004768C3 DE19702004768 DE2004768A DE2004768C3 DE 2004768 C3 DE2004768 C3 DE 2004768C3 DE 19702004768 DE19702004768 DE 19702004768 DE 2004768 A DE2004768 A DE 2004768A DE 2004768 C3 DE2004768 C3 DE 2004768C3
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DE
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conductors
conductor
block
crystal
semiconductor
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DE19702004768
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DE2004768B2 (de
DE2004768A1 (de
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Edward 2000 Harksheide Uden
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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Publication of DE2004768B2 publication Critical patent/DE2004768B2/de
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Halbleiterbauelement mit einem eine integrierte Schaltung enthaltenden Halbleiterkristall, der auf einem Leiter eines aus Metallstreifen gebildeten ersten Leitersatzes befestigt ist, wobei dieser Leiter auf seiner dem Halbleiterkristall abgewandten Seite mit einem Block aus wärmeleitendem Material versehen ist, bei dem die Leiter des ersten Leitersatzes mit den Leitern eines zweiten Leitersatzes verbunden sind, und bei dem der Halbleiterkristall, der erste Leitersatz, Teilstücke der Leiter des zweiten Leitersatzes und der Block aus wärmeleitendem Material mit zwei übereinanderliegenden isolierenden Kunststoffhüllen versehen sind, aus denen Teilstücke der Leiter des zweiten Leitersatzes herausragen, v'cbei ferner der Halbleiterkristall mit den übrigen leitern des ersten Leitersatzes mit Drähten verbunden ist, der Halbleiterkristall, nur Teilstücke der Leiter des ersten Leitersatzes und der Block aus wärmeleitendem Material so in die erste Kunststoffhülle aufgenommen sind, daß eine Außenseite des Blockes an einer Außenseite der Kunststoffhülle liegt, und die aus der ersten Kunststoffhülle herausragenden Enden der Leiter des ersten Leitersatzes an den einwärts gerichteten Enden des zweiten Leitersatzes befestigt sind, nach Patent 19 37 664, dadurch gekennzeichnet, daß in Abweichung von dem Hauptpatent der Block (29) aus wärmeleitendem Material de.n den Kristall (8) tragenden Leiter (27) eng benachbart, jedoch nicht an ihm befestigt, angeordnet ist.
    Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem eine integrierte Schaltung enthaltenden Halbleiterkristall, der auf einem Leiter eines aus Metallstreifen gebildeten ersten Leitersatzes befestigt ist, wobei dieser Leiter auf seiner dem Halbleiterkristall abgewandten Seite mit einem Block aus wärmeleitendem Material versehen ist, bei dem die Leiter des ersten Leitersatzes mit den Leitern eines zweiten Leitersatzes verbunden sind, und bei dem der Halbleiterkristall, der erste Leitersatz, Teilstücke der Leiter des zweiten Leitersatzes und der Block aus wärmeleitendem Material mit zwei übereinanderliegenden isolierenden Kunststoffhüllen versehen sind, aus denen Teilstücke der Leiter des zweiten Leitersatzes herausragen, wobei ferner der Halbleiterkristall mit den übrigen Leitern des ersten Leitersatzes mit Drähten verbunden ist, der Halbleit?rkristall, nur Teilstücke der Leiter des ersten Leitersatzes und der Block aus wärmeleitendem Material so in die erste Kunststoffhülle aufgenommen sind, daß eine Außenseite des Blockes an einer Außenseite der Kunststoffhülle liegt, und die aus der ersten Kunststoffhülle herausragenden Enden der Leiter des ersten Leitersatzes an den einwärts gerichteten Enden des zweiten Leitersatzes befestigt sind, nach Patent 19 37 664.
    Die Wärmeabfuhr des Kristalles, der die integrierte Schaltung enthält, geschieht bisher über den Leiter, an dem der Kristall befestigt ist Um eine große Wärmeabfuhr zu erreichen, ist dieser Leiter breit ausgebildet, wobei er und notwendigerweise dann auch die übrigen Leiter, die normalerweise als sogenanntes ~> Gitter aus einem Metallstreifen gebildet sind, verhältnismäßig dick sein müssen.
    Entsprechend ausgebildete Halbleiterbauelemente waren aus der französischen Patentschrift 15 30 347 und 14 84 389 bekannt. Bei diesen Bauelementen kann der
    κι den Kristall tragende Leiter mit einem besonderen Kühlblock verbunden sein und/oder ein Loch zur Befestigung an einem Kühlkörper aufweisen.
    Die Befestigung des den Kristall tragenden Leiters an einem Kühlblock oder Kühlkörper erfordert einen
    it gesonderten Arbeitsgang bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen der beschriebenen Art Dies ist speziell im Hinblick auf eine Massenfertigung von Nachteil.
    Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe
    JH zugrunde, durch eine abgewandelte Ausgestaltung und Anordnung des Kühlelementes das in der Hauptpatentanmeldung beschriebene Halbleiterbauelement noch zu verbessern.
    Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst
    _>> daß in Abweichung von dem Hauptpatent der Block aus wärmeleitendem Material dem den Kristall tragenden
    Leiter eng benachbart, jedoch nicht an ihm befestigt,
    angeordnet ist
    Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen
    hi insbesondere darin, daß eine höhere mechanische Stabilität des Bauelementes erzielt und eine wesentliche Vereinfachung der Verfahrensschritte im Herstellungsprozeß erreicht wird.
    Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der
    jt Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
    Die Figur zeigt ein gemäß der Erfindirtig verbessertes Halbleiterbauelement in einer Kunststoffhülle 28 mit einem auf einem Leiter 27 angeordneten Kristall 8
    κ: entsprechend der Hauptpatentanmeldung. Das Kühlelement ist jedoch, entgegen der Anordnung nach der Hauptpatentanmeldung, nicht an dem Leiter 27 befestigt, sondern nur eng benachbart zu ihm angeordnet. Das Kühlelement 29 besteht, wie bei dem
    it Bauelement nach der Hauptpatentanmeldung, aus einem Metallstreilen, der sich im wesentlichen parallel zur Ebene des Leiters 27 erstreckt, jedoch einen abgewinkelten Teil 30 aufweist, der einem Teil des Leiters 27 eng benachbart anliegt; der Deutlichkeit
    Vi wegen ist der Abstand zwischen dem Leiter 27 und dem abgewinkelten Teil 30 des Kühlelementes 29 stark vergrößert dargestellt.
    Bei der Herstellung des Bauelementes braucht also das Kühlelement 29 nur lose in die Form für die
    v-, Kunststoffhülle eingelegt zu werden. Das Kühlelement 29 wird vollständig von der Kunststoffhülle 28 umschlossen. Es ist auch möglich, um die Wärmeableitung zu verbessern, Teile des Kühlelernentes aus der Kunststoffhülle herausragen zu lassen.
    so Durch die zwischen dem Leiter 27 und dem abgewinkelten Teil 30 des Kühlelementes 29 eingedrungene dünne Kunststoffschicht wird das Wärmeableitvermögen des Kühlelementes 29 nur unwesentlich beeinträchtigt.
DE19702004768 1968-07-30 1970-01-29 Halbleiterbauelement Expired DE2004768C3 (de)

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DE19702004768 DE2004768C3 (de) 1968-07-30 1970-01-29 Halbleiterbauelement

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NL6810761.A NL157456B (nl) 1968-07-30 1968-07-30 Halfgeleiderinrichting in een isolerende kunststofomhulling.
DE19702004768 DE2004768C3 (de) 1968-07-30 1970-01-29 Halbleiterbauelement

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DE2004768A1 DE2004768A1 (de) 1971-08-12
DE2004768B2 DE2004768B2 (de) 1974-03-07
DE2004768C3 true DE2004768C3 (de) 1979-09-06

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JPS53132975A (en) 1977-04-26 1978-11-20 Toshiba Corp Semiconductor device
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DE2004768B2 (de) 1974-03-07
DE2004768A1 (de) 1971-08-12

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