DE2426113B2 - Thyristor-halbleiteranordnung - Google Patents

Thyristor-halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE2426113B2
DE2426113B2 DE19742426113 DE2426113A DE2426113B2 DE 2426113 B2 DE2426113 B2 DE 2426113B2 DE 19742426113 DE19742426113 DE 19742426113 DE 2426113 A DE2426113 A DE 2426113A DE 2426113 B2 DE2426113 B2 DE 2426113B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control electrode
ring
semiconductor
semiconductor wafer
semiconductor arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19742426113
Other languages
English (en)
Other versions
DE2426113A1 (de
Inventor
Dan Västeraas Sundström (Schweden)
Original Assignee
Asea AB, Västeraas (Schweden)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asea AB, Västeraas (Schweden) filed Critical Asea AB, Västeraas (Schweden)
Publication of DE2426113A1 publication Critical patent/DE2426113A1/de
Publication of DE2426113B2 publication Critical patent/DE2426113B2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Thyristor-Halbleitern-Ordnung der im Oberbegriff des Anspruches 1 genannten Art. Eine solche Anordnung ist im wesentlichen bekannt aus der DT-OS 16 14 630.
In Halbleiteranordnungen ist die Halbleiterscheibe gewöhnlich in einer Dose hermetisch eingeschlossen. Die Halbleiterscheibe besteht normalerweise aus Silizium mit einer eventuell vorhandenen Stützplatte aus Molybdän oder einem anderen Material mit etwa gleichem Wärmeausdehnungskoeffizienten wie die Siliziumscheibe. Bekannte Dosen für diesen Zweck bestehen aus einem Boden und einem Deckel aus metallischem Material, wobei jedes dieser beiden Teile in elektrischem Kontakt mit der ihm zugewandten Seite der Halbleiterscheibe steht. Ferner gehören zu der Dose zwei in Stromrichtung der Halbleiteranordnung hintereinander angeordnete Ringe aus keramischem Material.
Bei einer bekannten Halbleiteranordnung sind die Ringe mit zwei Flanschen aus metallischem Material miteinander verbunden.
Dabei ist jeder Flansch an den einen der Ringe aus keramischem Material befestigt, und außerdem sind die Flansche direkt miteinander verounden. Wenn die Halbleiteranordnung ein Thyristor ist, so kann die Steuerelektrode in Form eines Drahtes an den Metallflanschen und dem Punkt auf der Silizium-Scheibe angebracht werden, wo sie den Kontakt mit der Scheibe herstellen soll. Die Flansche dienen dabei als äußerer Anschluß für die Steuerlektrode.
Bei der aus der DT-OS 16 14 630 bekannten Halbleiteranordnung wird auf solche Flansche zur Verbindung der beiden Ringe verzichtet. Die beiden Ringe sind über metallisiert Flächen in erster Linie unmittelbar miteinander verbunden. In der Verbindungsebene sind die beiden Ringe jedoch mit peripher außen liegenden Ausnehmungen versehen, in weiche ein kreisförmiger Stromleiter für die Steuerelektrode eingelegt und festgelötet wird. Dieser ringförmige Stromleiter ist mit einer radial nach innen ragenden Nase versehen, die durch ein«: öffnung in den miteinander verbundenen Ringen hindurchragt und den Kontakt zur Steuerelektrode herstellt.
Zur Herstellung des Koniaktes zwischen der Steuerelektrode und der Halbleiterscheibe sind im wesentlichen zwei prinzipiell verschiedene Ausführungen bekannt. Nach der einen Ausführung wird die Steuerelektrode an der Halbleiterscheibe durch Löten, Legieren oder Schweißen befestigt. Nach der anderen Ausführung (wie z. B. in der DT-OS 16 14 630) wird die Steuerelektrode durch eine Federkraft gegen die Halbleiterscheibe gepreßt, wobei die Halbleiterscheibe normalerweise eine im voraus präparierte Kontaktflächeh^t.
Aus der US-PS 34 37 887 ist es bei Halbieiterelementen bereits bekannt, zur Kontaktherstellung Scheiben mit vorstehenden Kontaktteilen zu verwenden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Thyristor-Halbleiteranordriung der eingangs genannten Ausführungsart zu entwickein, bei der durch eine gegenüber den bekannten Konstruktionen vereinfachte Konstruktion ein sehr wirksamer und sicherer Kontakt zwischen der Steuerelektrode und der Halbleiterscheibe hergestellt wird.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird eine Thyristor-Halbleiteranordnung der im Oberbegriff d<;s Anspruches 1 genannten Art vorgeschlagen, weiche die im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 genannten Merkmale aufweist. Dabei können der Metallring und die Steuerelektrode aus einem einzigen, vorzugsweise aus einem Blech ausgestanzten Teil bestehen. Man erhält dadurch eine sehr robuste Halbleiteranordnung, und die bei den bekannten Ausführungen vorhandenen Schwierigkeiten mit inwendigen Verlaschungen und besonderen Konstruktionsteilen zur Erzeugung des Federdrukkes fallen fort.
Für die Verbindung der beiden Isolierringe sind keine besonderen Flansche erforderlich, die Verbindungsflächen der beiden Isolierringe bedürfen keiner besonderen Formgebung oder Bearbeitung und die Verbindung zwischen den beiden Isolierringen und dem Metallring erfolgt durch praktisch ein und denselben Arbeitsvorgang.
Anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele der Erfindung soll diese näher erläutert werden. Es zeigt
F i g. 1 bis 4 verschiedene Bauteile einer Halbleiteranordnung vor dem Zusammenbau,
F i g. 5 eine aus den Teilen der F i g. 1 —4 zusammengebaute Halbleiteranordnung,
F i g. 6 und 7 verschiedene Bauteile einer anderen Ausführungsform vor dem Zusammenbau,
F i g. 8 die aus den Teilen nach F i g. 6 und 7 zusammengebaute Halbleiteranordnung.
Sämtliche Figuren, außer F i g. 3, zeigen Querschnitte der betreffenden Bauteile oder Anordnungen, Fig.3 zeigt den Metallring gemäß F i g. 2 von oben.
F i g. 1 zeigt teils den Deckel der Dose, der aus einer zentralen, relativ dicken Scheibe 1 aus Kupfer und einem an dieser befestigten relativ dünnen Ring 2 aus einem Metall, wie Kupfer, Eisen, Eisen-Nickel-Legierung oder Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung, besteht, und teils den der Dose am nächsten liegenden Ring 3 aus einem isolierenden Material, wie keramisches Material, z. B. Prozeüan. Die Scheibe I und der R.ing 2 sind durch Hartlöten mit beispielsweise Silberlot miteinander verbunden, und der Ring 2 sowie der Ring 3 sind miteinander durch Hartlöten und beispielsweise Silber-
lot oder durch Kleben z.B. mit einem Äthyxylinharz verbunden. Die Scheibe 1 hat eine diametral verlaufende Nut 4, um, wie es später erklärt wird, das Anbringen der Steuerelektrode mit ihrem Kontaktteil zu ermöglichen.
Die Fig. 2 und 3 zeigen den M^tallring 6, der zwischen den zur Dose gehörenden Ringen aus Isoliermaterial angeordnet wird und an dem die Steuerelektrode 7 angeordnet ist. Die Steuerelektrode hat ein senkrecht aus der Ringebene heraustretendes Kontaktteil 8, welches den Kontakt mit der Halbleiterscheibe der Halbleiteranordnung herstellt. Der Ring 6 ist ferner mit einem radial herausragenden Teil 9 für den elektrischen Anschluß an die Steuerelektrode versehen.
In dem dargestellten Beispiel bestehen die Elemente 6 bis 9 aus einem einzigen homogenen Teil, welches aus einem Blech des gewünschten Materials ausgestanzt wird, wobei das Kontaktteil 8 vorzugsweise nach dem Stanzen durch Kaltfließen des Mateiials herausgepreßt wird. Es ist von Vorieif, wenn wenigstens die Teile 6 und 7 aus einem einzigen, von Anfang an zusammenhängenden Blechstück bestehen. Die Teile 8 und 9 können eventuell nachträglich an den Teilen 7 bzw. 6 befestigt werden, beispielsweise durch Löten oder Schweißen. Ein geeignetes Material für die Teile 7 bis 9 ist Phosphorbronze, Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung.
Fig.4 zeigt teils den Boden der Dose, der aus einer zentral liegenden, relativ dicken Scheibe 10 aus Kupfer und einem an dieser befestigten relativ dünnen Ring !Il aus demselben Material wie der Ring 2 besteht, und teils den dem Boden am nächsten liegenden Ring 12, der aus demselben Material wie der Ring 3 besteht. Die Teile !10 und 11 sind in der gleichen Weise miteinander befestigt wie die Teile 1 und 2, und die Teile 11 und 12 in der gleichen Weise wie die Teile 2 und 3. Auf der Scheibe 110 liegt eine runde Siliziumscheibe 13, die weder durch Lötung noch auf andere Weise mit der Scheibe 10 verbunden ist.
Die Siliziumscheibe ist vom pnp-Typ und die Halbleiteranordnung für eine Zentrumsteuerung vorgesehen. Die Siliziumscheibe kann auf einer oder beiden Seiten eine Stützplatte aus beispielsweise Molybdän haben. Wenn eine solche Stützplatte auf der Oberseite angeordnet ist, so ist sie mit einem zentralen durchgehenden Loch versehen, durch welches das Kontaktteil 8 der Steuerelektrode den Kontakt mit der Siliziumscheibe herstellen kann.
Die in Fig. 1 bis 4 gezeigten Teile werden durch Hartlötung oder Kleben des Metallringes 6 zuerst mit dem Isolierring 3 und dann mit dem Isolierring 12 zusammengefügt, wodurch man eine Halbleiteranordnung gemäß F i g. 5 erhält. Die Höhe des Kontaktteiles 8 ist größer als die Strecke, um die Jie obere vertikale Fläche des Ringes 12 über deren oberen vertikalen
ίο Fläche der Halbleiterscheibe 13 liegt. Dadurch und aufgrund der Befestigung des Metallringes 6 in den Isolierringen 3 und 12 wird das Kontaktteil 8 infolge der durch die Verformung entstehenden Federkraft wirksam gegen die Halbleiterscheibe 13 gepreßt.
Der Teil der Steuerelektrode 7, der in der Nut 4 liegt, wird vorzugsweise mit Isoliermaterial umgeben, beispielsweise mit einer Plastfolie, wie Polyäthylenglykolterephtalatfolie, um einen Kontakt zwischen der Elektrode und der Kupferscheibe 1 zu verhindern.
in den Fig.6 bis 8 werden dieselben Bezugszeichen verwendet, die für die entsprechenden Teile in den Fig. 1 bis 5 verwendet sind. Die Teile 1, 2 und 3 einerseits und die Teile 10, 11 und 12 andererseits sind miteinander in derselben Weise verbunden, wie es bei den Fig. 1 bis 5 erläutert wurde. Der Metallring 6a zwischen den Isoliermaterialringen hat in der Anordnung gemäß F i g. 6 bis 8 einen größeren Durchmesser als in der zuvor beschriebenen Anordnung. Er bildet daher einen außerhalb des Ringes 3 liegenden Abschnitt 14, der sich über den gesamten Umfang erstreckt. Am Isolierring 12 ist, wie insbesondere F i g. 7 zeigt, ein Ring 15 befestigt, der aus demselben Material wie der Ring 6 bzw. 6a bestehen kann und der einen Abschnitt 16 hat, der sich außerhalb des Ringes 12 um den gesamten Umfang erstreckt. Die Metallringe 6a bzw. 15 sind mit den Isolierringen 3 bzw. 12 in der gleichen Weise befestigt wie der Metallring 6 in der oben beschriebenen Ausführungsform. Die Zusammenfügung der beiden in F i g. 6 und 7 gezeigten Teile zu einer Halbleiteranordnung nach Fig.8 erfolgt durch Kaltpreßschweißung oder eine andere Schweißart oder durch Verlöten der Teile 14 und 16, wobei man eine periphere Schweißfuge bzw. Lötfuge 17 erhält. Durch die Zusammenfügung wird das Kontaktteil 8 mit starkem Federdruck wirksam gegen die Halbleiterscheibe gepreßt.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Thyristor-Halbleiieranordnung, deren Halbleiterscheibe in einer Dose eingeschlossen ist, die s einen Boden und einen Deckel aus metallischem Material hat, welche jeweils in elektrischem Kontakt mit der ihnen zugekehrten Seite der Halbleiterscheibe stehen, und zwei in Stromrichtung der Halbleiteranordnung hintereinander angeordnete Ringe aus ι ο Isoliermaterial, die über einen Metallring miteinander verbunden sind, an welchen die Steuerelektrode angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Steuerelektrode (7) quer durch die Dose erstreckt und an zwei zueinander im wesentlichen diametral gegenüberliegenden Stellen am Me'allring (6) verankert ist, und daß die Steuerelektrode (7) mit einem vorstehenden Kontaktteil (8) von solcher Höhe versehen ist, daß das Kontaktteil (8) allein durch die Verankerung der Steuerelektrode im Metallring gegen die Halbleiterscheibe (13) gedrückt wird.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallring (6) und die Steuerelektrode (7) aus einem einstückigen Stanzteil bestehen.
DE19742426113 1973-06-12 1974-05-29 Thyristor-halbleiteranordnung Withdrawn DE2426113B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE7308216A SE373689B (sv) 1973-06-12 1973-06-12 Halvledaranordning bestaende av en tyristor med styrelektrod, vars halvledarskiva er innesluten i en dosa

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2426113A1 DE2426113A1 (de) 1975-01-09
DE2426113B2 true DE2426113B2 (de) 1977-09-22

Family

ID=20317733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742426113 Withdrawn DE2426113B2 (de) 1973-06-12 1974-05-29 Thyristor-halbleiteranordnung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3931635A (de)
DE (1) DE2426113B2 (de)
GB (1) GB1469973A (de)
SE (1) SE373689B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3308389A1 (de) * 1982-03-09 1983-11-17 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Halbleitervorrichtung

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3064121D1 (en) * 1979-07-04 1983-08-18 Westinghouse Brake & Signal Semiconductor contact shim, attachment method and semiconductor device including a contact shim
FR2524202B1 (fr) * 1982-03-23 1985-11-08 Thomson Csf Module preadapte pour diode hyperfrequence, et procede de realisation de la connexion de polarisation de la diode
US4956696A (en) * 1989-08-24 1990-09-11 Sundstrand Corporation Compression loaded semiconductor device
JP3291977B2 (ja) * 1995-05-31 2002-06-17 三菱電機株式会社 圧接型半導体素子及びその製造方法並びに圧接型半導体装置
JP3259599B2 (ja) * 1995-06-20 2002-02-25 三菱電機株式会社 圧接型半導体装置
ITTO980414A1 (it) * 1998-05-15 1999-11-15 Ansaldo Trasporti Spa Dispositivo semiconduttore di potenza.
JP4129082B2 (ja) 1998-07-30 2008-07-30 三菱電機株式会社 圧接型半導体装置及びそのリング状ゲート端子並びに電力応用装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1234326B (de) * 1963-08-03 1967-02-16 Siemens Ag Steuerbarer Gleichrichter mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper und mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps
JPS434818Y1 (de) * 1965-04-24 1968-03-01
US3437887A (en) * 1966-06-03 1969-04-08 Westinghouse Electric Corp Flat package encapsulation of electrical devices
GB1174146A (en) * 1967-08-09 1969-12-10 Ass Elect Ind Improvements in or relating to Semiconductor Devices
US3599057A (en) * 1969-02-03 1971-08-10 Gen Electric Semiconductor device with a resilient lead construction
DE2021158B2 (de) * 1970-04-30 1972-07-13 Licentia Patent Verwaltungs GmbH, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung mit einem scheibenfoermigen gehaeuse und einem in dieses eingespannten halbleiterelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3308389A1 (de) * 1982-03-09 1983-11-17 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Halbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US3931635A (en) 1976-01-06
GB1469973A (en) 1977-04-14
SE7308216L (de) 1974-12-13
DE2426113A1 (de) 1975-01-09
SE373689B (sv) 1975-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0149232B1 (de) Halbleiterbauelement mit einem metallischen Sockel
DE69502108T2 (de) Kugelrasterbuchsegehaüse
DE68910215T2 (de) Automatische Bandmontage-Packung hoher Leistung vom Steckerstift-Typ.
DE69321266T2 (de) Halbleiteranordnung mit Überchipanschlüssen
DE3913221A1 (de) Halbleiteranordnung
DE68926652T2 (de) Halbleiterpackung ohne Montierungsfläche
DE3009295A1 (de) Halbleiterbaustein
DE19709295A1 (de) Halbleiterbaugruppe
DE2014289A1 (de) Scheibenförmiges Halbleiterbauele ment und Verfahren zu seiner Herstellung
DE8816922U1 (de) Gehäuse für eine Halbleiteranordnung
DE4130899C2 (de) Halbleitervorrichtung
DE2812768B2 (de) Elektrisches Bauelement mit Anschlußdrahten zum Einstecken in Bohrungen der Platte einer gedruckten Schaltung
DE1294558B (de) Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zum Herstellen
DE2426113B2 (de) Thyristor-halbleiteranordnung
DE1956501A1 (de) Gehaeuse fuer integrierte Halbleiter-Schaltungen
DE3243689C2 (de)
DE2147607C3 (de) Halbleitereinrichtung
DE1564107A1 (de) Gekapselte Halbleiteranordnung
DE3805489A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2011569A1 (de) Halbleitermontageanordnung
DE1589555B2 (de) Halbleiterbauelement
DE2143027C3 (de) Halterung für ein HF-Halbleiterbauelement
DE2252830C2 (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterelement in einem hermetisch geschlossenen Gehäuse
DE3503709C2 (de)
DE69203635T2 (de) Deckel für elektrische Bauelementenpackung.

Legal Events

Date Code Title Description
BHN Withdrawal