DE10211690A1 - Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Abstract
Description
Claims (9)
ein Halbleitersubstrat (50) eines ersten Leitfähigkeitstyps;
Trenches (51), die von der Oberfläche des Halbleitersubstrats aus ausgehoben sind;
einen Gate-Isolierfilm (59) mit gleichförmiger Dicke in jedem Trench, wobei der Gate- Isolierfilm jeweils auf den Innenseitenwänden des Trenches gebildet ist;
einen ersten elektrischen Leiter (52) auf der Innenseite des Gate-Isolierfilms;
eine Gate-Elektrode (53), die mit dem ersten elektrischen Leiter elektrisch verbunden ist;
einen zweiten elektrischen Leiter (63), der auf der Innenseite des ersten elektrischen Leiters unter Zwischenlage eines Zwischenschichtisolierfilms (65) angeordnet ist;
eine Basiszone (62) des ersten Leitfähigkeitstyps im Bodenabschnitt des Trenches;
eine Source-Zone (61) eines zweiten Leitfähigkeitstyps in der Basiszone, wobei die Source-Zone mit dem zweiten elektrischen Leiter elektrisch verbunden ist;
eine Source-Elektrode (54), die mit der Source-Zone elektrisch verbunden ist;
eine Driftzone (60) des zweiten Leitfähigkeitstyps außerhalb des Trenches;
eine Drain-Zone (58) des zweiten Leitfähigkeitstyps außerhalb des Trenches; und
eine Drain-Elektrode (55), die mit der Drain-Zone elektrisch verbunden ist.
Bilden einer Driftzone (60) eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf einem Halbleitersub strat (50) eines ersten Leitfähigkeitstyps;
selektives Entfernen eines Teils der Driftzone und eines Teils des Halbleitersubstrats, um dadurch Trenches (51) zu bilden;
Bilden eines Gate-Isolierfilms (59) mit gleichförmiger Dicke jeweils auf den Innensei tenwänden und der Bodenfläche jedes Trenches;
Bilden eines ersten elektrischen Leiters (72) auf dem Gate-Isolierfilm;
Bilden eines Oxidfilms (67) auf dem ersten elektrischen Leiter;
selektives Entfernen des einer aktiven Zone entsprechenden Bereichs des Oxidfilms, um dadurch den ersten elektrischen Leiter in dem der aktiven Zone entsprechenden Bereich freizulegen;
Zurückätzen des ersten elektrischen Leiters in dem der aktiven Zone entsprechenden Bereich derart, daß der erste elektrische Leiter auf den Seitenwänden des jeweiligen Trenches verbleibt;
Bilden einer Basiszone (62) des ersten Leitfähigkeitstyps und einer Source-Zone (61) des zweiten Leitfähigkeitstyps im Bodenabschnitt des jeweiligen Trenches;
Bilden eines ersten Zwischenschichtisolierfilms (65) in dem jeweiligen Trench;
Entfernen des Bodenabschnitts des ersten Zwischenschichtisolierfilms in dem der akti ven Zone entsprechenden Bereich und des Abschnitts des Gate-Isolierfilms (59) unterhalb des entfernten Bodenabschnitts des ersten Zwischenschichtisolierfilms, um dadurch die Source- Zone (61) freizulegen; und
Bilden eines zweiten elektrischen Leiters (63) in dem jeweiligen Trench, wobei der zweite elektrische Leiter mit der Source-Zone (61) elektrisch verbunden ist.
Bilden einer Drain-Zone (58) des zweiten Leitfähigkeitstyps im Oberflächenabschnitt der Driftzone (60);
Bilden eines zweiten Zwischenschichtisolierfilms (66) auf der Oberfläche des Halblei tersubstrats (50);
Bilden von Kontaktlöchern, die den ersten Zwischenschichtisolierfilm und den zweiten Zwischenschichtisolierfilm durchsetzen;
Bilden einer Gate-Elektrode (53), die mit dem ersten elektrischen Leiter (72) elektrisch verbunden ist;
Bilden einer Source-Elektrode (54), die mit dem zweiten elektrischen Leiter (63) elek trisch verbunden ist; und
Bilden einer Drain-Elektrode (55), die mit der Drain-Zone (58) elektrisch verbunden ist.
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