DE102019119547B4

DE102019119547B4 - Fahrzeuginternes Erfassungssystem und zugehöriges Steuerverfahren

Info

Publication number: DE102019119547B4
Application number: DE102019119547.0A
Authority: DE
Inventors: Kunisato Yamaoka
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: PANASONIC AUTOMOTIVE SYSTEMS CO., LTD., YOKOHA, JP
Priority date: 2018-07-19
Filing date: 2019-07-18
Publication date: 2020-12-10
Anticipated expiration: 2039-07-19
Also published as: DE102019119547B8; US11516042B2; US20200028707A1; CN110738750B; DE102019119547A1; CN110738750A

Abstract

Fahrzeuginternes Erfassungssystem, umfassend:einen nichtflüchtigen Speicher enthaltend ein einziges Speicherarray;eine Steuervorrichtung; undeinen Detektor, der Erfassungsinformationen an die Steuervorrichtung ausgibt,wobei die Steuervorrichtung Daten aus dem Speicherarray des nichtflüchtigen Speichers liest und in dasselbe schreibt, unddie Steuervorrichtung eine Schreibzeit einer Daten-Minimumschreibeinheit des nichtflüchtigen Speichers in dem fahrzeuginternen Erfassungssystem ändert, indem sie ein Steuersignal des Speicherarrays des nichtflüchtigen Speichers entsprechend den vom Detektor ausgegebenen Erfassungsinformationen ändert, und einen Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers konstant hält, indem sie den Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers auf eine Zeitspanne länger als ein Maximalwert der Schreibzeit setzt.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein fahrzeuginternes (in-vehicle) Erfassungssystem, das ein System-on-Chip (Ein-Chip-System) enthält.
STAND DER TECHNIK
Das fahrzeuginterne Erfassungssystem mit einem System-on-Chip (SoC), das die von einer Kamera erfassten Informationen verarbeitet, wird derzeit entwickelt, um verschiedene Anwendungen wie beispielsweise das automatische Fahren zu implementieren.
In einem herkömmlichen fahrzeuginternen Erfassungssystem ist ein dynamischer Hochgeschwindigkeits-Schreib-Lese-Speicher (DRAM) als Speicher montiert, der als ein Arbeitsspeicher des SoC dient. Da der DRAM ein flüchtiger Speicher ist, ist es im herkömmlichen fahrzeuginternen Erfassungssystem notwendig, zusätzlich zum DRAM einen Nur-Lese-Speicher (ROM) mit der gleichen Speicherkapazität wie der DRAM zu montieren, um ein vom SoC ausgeführtes Programm zu speichern (siehe PTL 1).
PTL 2 offenbart ein Datenverarbeitungssystem mit einem ersten Speicher, einem zweiten Speicher, einem Temperatursensor und einer Steuerung. Der Temperatursensor ist so konfiguriert, dass er eine Temperatur im Datenverarbeitungssystem erfasst und ein Temperatursignal erzeugt. Die Steuerung ist konfiguriert, um zu steuern, ob der erste Speicher aktiviert oder deaktiviert ist und ob der zweite Speicher aktiviert oder deaktiviert ist, basierend auf dem Temperatursignal und basierend auf einer ersten Temperaturschwelle, die dem ersten Speicher zugeordnet ist, und einer zweiten Temperaturschwelle, die dem zweiten Speicher zugeordnet ist.
PTL 3 offenbart Verfahren zum Abbilden von Speicherbereichen auf Prozesse basierend auf thermischen Daten von Speicherbereichen. Eine Speichersteuerung kann eine Speicherzuweisungsanforderung empfangen. Die Speicherzuweisungsanforderung kann eine logische Speicheradresse enthalten. Das Verfahren kann ferner das Abbilden der logischen Speicheradresse auf eine Adresse in einem Speicherbereich des Speichersystems basierend auf thermischen Daten für Speicherbereiche des Speichersystems umfassen.
Zitatliste
Patentliteratur

PTL 1: Ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. JP 2007-72627 A
PTL 2: U.S. Patent Nr. 9 786 336 B2
PTL 3: U.S. Patent Nr. 9 767 012 B2

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, ein fahrzeuginternes Erfassungssystem zu schaffen, das eine Erhöhung der Speicherkapazität bei hoher Genauigkeit und großer Leistungsfähigkeit eines fahrzeuginternen Sensors oder einer anspruchsvolleren Anwendung in einem Fahrzeug verhindern kann.
Um die obengenannte Aufgabe zu lösen, weist ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung einen nichtflüchtigen Speicher, eine Steuervorrichtung und einen Detektor auf, der Erfassungsinformationen an die Steuervorrichtung ausgibt. Die Steuervorrichtung liest aus dem und schreibt Daten in den nichtflüchtigen Speicher.
Die Steuervorrichtung ändert eine Schreibzeit einer Daten-Minimumschreibeinheit des nichtflüchtigen Speichers im fahrzeuginternen Erfassungssystem, indem sie ein Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers entsprechend der Ausgabe des Detektors ändert. Die Steuervorrichtung hält einen Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers konstant, indem sie den Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers auf eine Zeit länger als ein Maximalwert der Schreibzeit einstellt.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist ein fahrzeuginternes Erfassungssystem einen nichtflüchtigen Speicher, eine Steuervorrichtung und einen Detektor auf, der Erfassungsinformationen an die Steuervorrichtung ausgibt. Die Steuervorrichtung liest aus dem und schreibt Daten in den nichtflüchtigen Speicher. Die Steuervorrichtung ändert eine Schreibzeit einer Daten-Minimumschreibeinheit des nichtflüchtigen Speichers im fahrzeuginternen Erfassungssystem, indem sie ein Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers entsprechend der Ausgabe des Detektors ändert. Die Steuervorrichtung ändert einen Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers entsprechend der Änderung der Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers.
Im fahrzeuginternen Erfassungssystem der vorliegenden Offenbarung ändert das System-on-Chip das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers entsprechend der Ausgabe des Detektors. Aus diesem Grund kann die Leistung des nichtflüchtigen Speichers auch in einer schwierigen fahrzeuginternen Umgebung verbessert werden. So wird beispielsweise bei der Verwendung des nichtflüchtigen Speichers eines Typs, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Temperatur beeinträchtigt ist, wenn eine Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers größer oder gleich 50°C wird, das Steuersignal so geändert, dass die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers verlängert wird, wodurch die Retentionsleistung des nichtflüchtigen Speichers aufrechterhalten werden kann.
Wie oben beschrieben worden ist, wird im fahrzeuginternen Erfassungssystem der vorliegenden Offenbarung die Leistungsfähigkeit des nichtflüchtigen Speichers verbessert, so dass das System-on-Chip mindestens einen Teil der im nichtflüchtigen Speicher gespeicherten Daten direkt aus dem nichtflüchtigen Speicher lesen und in denselben schreiben kann, ohne einen RAM bereitzustellen, wie beispielsweise einen DRAM, der als Arbeitsbereich dient. Somit wird eine Erhöhung einer Speicherkapazität oder einer Anzahl von Speichervorrichtungen, d.h. eine Erhöhung einer Substratfläche, verhindert, so dass der Freiheitsgrad der Montage des Systems am Fahrzeug sichergestellt werden kann. Es wird ein niedriger Stromverbrauch des Systems erreicht, wobei eine Verkleinerung einer Gehäusegröße oder eine Optimierung einer Komponente durchgeführt wird, so dass die Kosten reduziert werden können.
Im fahrzeuginternen Erfassungssystem der vorliegenden Offenbarung kann die Verbesserung der Leistungsfähigkeit des nichtflüchtigen Speichers eine Konfiguration annehmen, bei der nur der nichtflüchtige Speicher als zu verwendender Speicher verwendet wird, oder eine Konfiguration, bei der die Kapazität des DRAM, der als Arbeitsspeicher dient, verringert wird. Aus diesem Grund kann der nichtflüchtige Speicher die Daten während einer Stromabschaltung speichern, wobei die Notwendigkeit der Datenübertragung vom nichtflüchtigen Speicher zum DRAM beim Einschalten entfallen kann und die für die Datenübertragung erforderliche Zeit verkürzt werden kann. Somit kann das System mit hoher Geschwindigkeit in einen Standby-Modus versetzt werden.
Die vorliegende Offenbarung kann das fahrzeuginterne Erfassungssystem bereitstellen, das die Erhöhung der Speicherkapazität bei hoher Genauigkeit und großer Leistungsfähigkeit des fahrzeuginternen Sensors oder bei anspruchsvollerer Anwendung in einem Fahrzeug verhindern kann. Das heißt, es kann das fahrzeuginterne Erfassungssystem konstruiert werden, bei dem der Freiheitsgrad der Montage des Systems am Fahrzeug sichergestellt werden kann, während eine Wartezeit bis zum Stand-by-Zustand verkürzt werden kann.
Figurenliste

1 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einer beispielhaften Ausführungsform zeigt.
2 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem anhand eines Vergleichsbeispiels zeigt.
3 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einem ersten Beispiel zeigt.
4 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für einen Zusammenhang zwischen einer Umgebungstemperatur eines nichtflüchtigen Speichers und einem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem des ersten Beispiels zeigt.
5 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers und dem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem des ersten Beispiels zeigt.
6 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers und dem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem des ersten Beispiels zeigt.
7 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers und dem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem des ersten Beispiels zeigt.
8 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einem zweiten Beispiel zeigt.
9 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers und dem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem des zweiten Beispiels zeigt.
10 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers und dem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem des zweiten Beispiels zeigt.
11 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers und dem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem des zweiten Beispiels zeigt.
12 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers und dem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem des zweiten Beispiels zeigt.
13 ist ein Blockdiagramm, das einen nichtflüchtigen Speicher in einem fahrzeuginternen Erfassungssystem gemäß einer ersten Modifikation zeigt.
14 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers und dem Steuersignal im fahrzeuginternen Erfassungssystem der ersten Modifikation zeigt.
15 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einer zweiten Modifikation zeigt.
16 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einer dritten Modifikation zeigt.

BESCHREIBUNG EINER AUSFÜHRUNGSFORM
Es wird kurz ein Problem beschrieben, das mit dem herkömmlichen System verbunden ist, bevor eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben wird. Im herkömmlichen fahrzeuginternen Erfassungssystem nimmt die Speicherkapazität einer Kombination aus DRAM und ROM mit einer anspruchsvolleren Anwendung in einem Fahrzeug zu, zusätzlich zu der hohen Genauigkeit und Leistungsfähigkeit eines Sensors (Abbildungssensor) für eine Kamera, was auf zukünftiges automatisches Fahren abzielt. Wenn eine Speicherkapazität, d.h. ein Flächenverhältnis von DRAM und ROM zu einem Montagesubstrat, zunimmt, ist es notwendig, eine Substratfläche zu vergrößern, was zu dem Problem führt, dass ein Freiheitsgrad für die Montage des Systems an einem Fahrzeug eingeschränkt ist.
Bei dem herkömmlichen fahrzeuginternen Erfassungssystem ist es notwendig, beim Einschalten Daten vom ROM zum DRAM zu übertragen. Aus diesem Grund verlängert wsich die Zeit, die das System für den Übergang in den Standby-Zustand benötigt, wenn eine Speicherkapazität mit zunehmender Systemgröße zunimmt. Das heißt, es wird auch ein praktisches Problem erzeugt, indem die Zeitspanne verlängert wird, die bis zur Abfahrt des Fahrzeugs nach dem Start des Systems notwendig ist.
Ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden anhand der Zeichnungen beschrieben.
1 ist ein Blockdiagramm, das das fahrzeuginterne Erfassungssystem der beispielhaften Ausführungsform zeigt. Wie in 1 gezeigt, weist das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100 einen nichtflüchtigen Speicher 101, ein System-on-Chip (SoC) 102, das eine Steuervorrichtung ist und Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher 101 liest und in denselben schreibt, und einen Detektor 103 auf, der Erfassungsinformationen an das SoC 102 ausgibt. Das SoC 102 ändert ein Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe des Detektors 103.
Ein nichtflüchtiger Schreib-Lese-Speicher kann als nichtflüchtiger Speicher 101 verwendet werden. Beispielsweise können ein Widerstands-RAM, ein ferroelektrischer RAM, ein magnetischer RAM und ein Phasenwechselspeicher als nichtflüchtiger Speicher 101 verwendet werden.
Das SoC 102 weist als eine Haupt-Hardwarekonfiguration einen Mikroprozessor oder einen Microcontroller auf, der gemäß einem im nichtflüchtigen Speicher 101 gespeicherten Programm arbeitet. Jeder Mikroprozessor kann verwendet werden, solange der Prozessor eine Funktion durch Ausführen eines Programms implementiert. So kann beispielsweise der Mikroprozessor mit einer oder mehreren elektronischen Schaltungen aufgebaut sein, einschließlich einer integrierten Halbleiterschaltung (engl. „Integrated Circuit“, IC) oder einer Großintegration (engl. „Large Scale Integration“, LSI). Die mehreren elektronischen Schaltungen können auf einem Chip integriert sein oder auf mehreren Chips bereitgestellt werden. Die mehreren Chips können in einer Vorrichtung integriert sein oder in mehreren Vorrichtungen enthalten sein. Alternativ ist das Programm nicht unbedingt im nichtflüchtigen Speicher 101 gespeichert, solange eine Funktion, die dem im nichtflüchtigen Speicher 101 gespeicherten Programm entspricht, in der Steuervorrichtung implementiert werden kann.
Der Detektor 103 erfasst Informationen, wie beispielsweise eine Umgebungstemperatur und eine Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101, die mit der Leistungsfähigkeit, der Funktion oder dergleichen des nichtflüchtigen Speichers 101 verbunden sind.
Das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100 weist ferner einen Sensor 104 auf, wie beispielsweise einen Kamerasensor (Abbildungssensor), der ein Bild eines Zustands außerhalb eines Fahrzeugs aufnimmt. Die vom Sensor 104 erfassten Informationen werden an das SoC 102 ausgegeben, und das SoC 102 verarbeitet die vom Sensor 104 ausgegebenen Informationen, beispielsweise unter Verwendung eines Programms, das aus dem nichtflüchtigen Speicher 101 gelesen wird.
Das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100 kann mit einem Controller Area Network (CAN) 200 verbunden sein, das ein Kommunikationsnetz ist, das mehrere an einem Fahrzeug montierte Steuereinheiten miteinander verbindet. So verbindet beispielsweise das CAN 200 die mehreren am Fahrzeug montierten Steuereinheiten, verschiedene fahrzeuginterne Sensoren, eine Schaltvorrichtung miteinander über einen Bus, wodurch Daten zwischen den mehreren Steuereinheiten ausgetauscht werden. Das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100 kann ferner einen CAN-Microcontroller 105 aufweisen, der die Kommunikation zwischen dem SoC 102 und dem CAN 200 durchführt, und einen elektrisch löschbaren, programmierbaren Nur-Lese-Speicher (EEPROM) 106, der ein Speicher für den CAN-Microcontroller 105 ist.
Das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100 kann ferner eine Stromquellenschaltung 107 aufweisen, die eine vorgegebene Spannung jeweils dem nichtflüchtigen Speicher 101, dem SoC 102, dem Detektor 103, dem CAN-Microcontroller 105 und dem EEPROM 106 zuführt. Eine externe Stromquelle 300 kann die Stromquellenschaltung 107 mit Strom versorgen.
In der beispielhaften Ausführungsform ändert das SoC 102 das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe des Detektors 103. Aus diesem Grund kann die Leistung des nichtflüchtigen Speichers 101 auch in einer schwierigen fahrzeuginternen Umgebung verbessert werden. So wird beispielsweise bei der Verwendung eines nichtflüchtigen Speichers 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Temperatur beeinträchtigt wird, wenn die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 größer oder gleich 50°C wird, das Steuersignal so geändert, dass eine Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 verlängert wird, was eine Kompensation einer Schwankung der Retentionsleistung des nichtflüchtigen Speichers 101 ermöglicht.
Wie oben beschrieben worden ist, wird in der beispielhaften Ausführungsform die Leistung des nichtflüchtigen Speichers 101 verbessert, so dass das SoC 102 die Daten direkt aus dem nichtflüchtigen Speicher 101 lesen und in denselben schreiben kann, ohne den DRAM bereitzustellen, der als Arbeitsbereich dient. Somit wird eine Erhöhung einer Speicherkapazität oder einer Anzahl von Speichervorrichtungen, d.h. eine Erhöhung einer Substratfläche, verhindert, so dass der Freiheitsgrad der Montage des Systems am Fahrzeug sichergestellt werden kann. Es wird ein niedriger Stromverbrauch des Systems erreicht, wobei eine Verkleinerung einer Gehäusegröße oder eine Optimierung einer Komponente durchgeführt wird, so dass die Kosten reduziert werden können.
In der beispielhaften Ausführungsform wird die Leistung des nichtflüchtigen Speichers 101 verbessert, so dass im SoC 102 auch nur der nichtflüchtige Speicher 101 verwendet werden kann. Mit anderen Worten, der DRAM, der als Arbeitsbereich des SoC 102 dient, muss nicht bereitgestellt werden. Aus diesem Grund kann nicht nur der nichtflüchtige Speicher 101 die Daten während der Stromabschaltung beibehalten, sondern es kann auch die Notwendigkeit der Datenübertragung vom nichtflüchtigen Speicher 101 zum DRAM beim Einschalten eliminiert werden, so dass das System mit hoher Geschwindigkeit in einen Standby-Zustand versetzt werden kann.
In der beispielhaften Ausführungsform, beispielsweise für die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 größer oder gleich 50°C, wird bei einer Änderung des Steuersignals derart, dass die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 verlängert wird, manchmal eine Reaktion des fahrzeuginternen Erfassungssystems 100 an eine externe Vorrichtung verzögert. So kann das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100 ein Signal ausgeben, das die externe Vorrichtung informiert, dass beispielsweise die Steuerung so durchgeführt wird, dass die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 durch das CAN verlängert wird.
2 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einem Vergleichsbeispiel zeigt. Wie in 2 gezeigt, weist das fahrzeuginterne Erfassungssystem 150 einen ROM 151, wie beispielsweise einen Flash-Speicher, ein SoC 152 und einen RAM 153 auf, wie beispielsweise einen Hochgeschwindigkeits-DRAM. Ein vom SoC 152 und dergleichen ausgeführtes Programm wird im ROM 151 gespeichert, und die Daten werden beim Einschalten vom ROM 151 zu dem RAM 153 übertragen. Aus diesem Grund haben ROM 151 und RAM 153 die gleiche Speicherkapazität. Während des Betriebs des Systems liest das SoC 152 die Daten aus RAM 153 und schreibt diese in denselben. Ähnlich wie das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100 in 1 weist das fahrzeuginterne Erfassungssystem 150 den Sensor 154, den CAN-Microcontroller 155 und das EEPROM 156 auf. Das fahrzeuginterne Erfassungssystem 150 weist auch die Stromquellenschaltung 157 auf, die eine vorgegebene Spannung an ROM 151, SoC 152, RAM 153, CAN-Microcontroller 155 und EEPROM 156 liefert.
Im fahrzeuginternen Erfassungssystem 150 des Vergleichsbeispiels nimmt die Speicherkapazität einer Kombination aus ROM 151 und RAM 153 mit einer weiter anspruchsvollerenAnwendung im Fahrzeug oder der hohen Genauigkeit und der großen Leistungsfähigkeit des Fahrzeugsensors zu. Durch die Erhöhung des Flächenverhältnisses von ROM 151 und RAM 153 zu einem Montagesubstrat ist es notwendig, eine Substratfläche zu vergrößern, was den Freiheitsgrad der Montage des Systems am Fahrzeug einschränkt.
Im fahrzeuginternen Erfassungssystem 150 des Vergleichsbeispiels ist es notwendig, nach dem Einschalten die Daten vom ROM 151 in den RAM 153 zu übertragen. Aus diesem Grund verlängert sich die Zeitspanne, die das System benötigt, um in den Standby-Modus überzugehen, wenn die Speicherkapazität mit zunehmender Systemgröße zunimmt. Das heißt, es besteht ein praktisches Problem darin, dass die bis zur Abfahrt des Fahrzeugs nach dem Start des Systems erforderliche Zeit verlängert wird.
(Erstes Beispiel)
3 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einem ersten Beispiel zeigt. In 3 sind die gleichen Komponenten wie beim dem fahrzeuginternen Erfassungssystem 100 in 1 mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, wobei eine überdeckende Beschreibung weggelassen wird.
Das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100A des ersten Beispiels in 3 weist eine Temperaturerfassungsschaltung 103A auf, die die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 als Detektor 103 erfasst, wobei die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 die Retentionsleistung des nichtflüchtigen Speichers 101 beeinflusst. Die Temperaturerfassungsschaltung 103A kann innerhalb oder in der Nähe des nichtflüchtigen Speichers 101 angeordnet sein. Im ersten Beispiel ändert das SoC 102 das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe der Temperaturerfassungsschaltung 103A. Aus diesem Grund kann die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend einem Einflussgrad der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 auf die Retentionsleistung eingestellt werden. Somit wird die durch die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 verursachte Schwankung der Retentionsleistung kompensiert, so dass die Leistungsfähigkeit des nichtflüchtigen Speichers 101 sogar in der schwierigen Fahrzeugumgebung verbessert werden kann.
4 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für einen Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal vom SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100A des ersten Beispiels zeigt. In 4 repräsentiert „TEMP“ die Ausgabe (die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101) der Temperaturerfassungsschaltung 103A, „CK“ repräsentiert ein Taktsignal, „/WE“ repräsentiert ein Schreibsignal, „Adresse“ repräsentiert ein Adresssignal, „Daten“ repräsentiert ein Datensignal und „Schreiben“ repräsentiert die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 der Minimumschreibeeinheit der Daten im Fahrzeugerfassungssystem 100A (das gleiche gilt für die 5 bis 7). Das Beispiel zielt auf einen nichtflüchtigen Speicher 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Temperatur beeinträchtigt ist.
Die Datenschreibeinheit im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100A ist eine Seite, die Daten und einem Verwaltungsbereich enthält, z.B. 512 + 16 Bytes für einen Flash-Speicher vom Typ NAND und 1 Byte oder 1 Wort für einen Flash-Speicher vom Typ NOR.
Wie in 4 gezeigt, wird ein Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Umgebungstemperatur TEMP konstant gehalten. Wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel (High-Pegel) ansteigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In dem Beispiel wendet das SoC 102 Schreibzeitinformationen, die der Umgebungstemperatur TEMP entsprechen, auf das Adresssignal an. Genauer, wie in 4 gezeigt, setzt das SoC 102 das Adresssignal so, dass das Schreiben für die normale Schreibzeit (Schreibzeit 1: z.B. 1 Mikrosekunde) erfolgt, wenn die Umgebungstemperatur TEMP kleiner als 50°C ist, und das SoC 102 setzt das Adresssignal so, dass das Schreiben für die Schreibzeit (Schreibzeit 2: z.B. 100 Mikrosekunden) länger als die normale Schreibzeit erfolgt, wenn die Umgebungstemperatur TEMP größer oder gleich 50°C ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden. In dem Beispiel legt das SoC 102 den Zyklus des Taktsignals CK auf die Zeit länger als die „Schreibzeit 2“ (d.h. den Maximalwert der Schreibzeit) fest, wobei der Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Umgebungstemperatur TEMP konstant gehalten wird.
In der obigen Beschreibung ist beispielsweise „Schreibzeit 1“ gleich 1 Mikrosekunde und „Schreibzeit 2“ gleich 100 Mikrosekunden, so dass „Schreibzeit 1“ und „Schreibzeit 2“ um das 100-fache voneinander abweichen. In dem Zeitablaufdiagramm der 4 wird jedoch aus Gründen der Übersichtlichkeit eine Breite der „Schreibzeit 2“ kleiner als die tatsächliche Breite angegeben. Dies gilt auch für andere, im Folgenden beschriebene Zeitablaufdiagramme.
5 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein weiteres Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal vom SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100A des ersten Beispiels darstellt. Das Beispiel zielt auch auf einen nichtflüchtigen Speicher 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Temperatur beeinträchtigt wird.
Wie in 5 gezeigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel ansteigt, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In dem Beispiel wendet das SoC 102 ebenfalls Schreibzeitinformationen, die der Umgebungstemperatur TEMP entsprechen, auf das Adresssignal an. Genauer, wie in 5 gezeigt, setzt das SoC 102 das Adresssignal so, dass das Schreiben für die normale Schreibzeit (Schreibzeit 1) erfolgt, wenn die Umgebungstemperatur TEMP kleiner als 50°C ist, und das SoC 102 setzt das Adresssignal so, dass das Schreiben für die Schreibzeit (Schreibzeit 2) länger als die normale Schreibzeit erfolgt, wenn die Umgebungstemperatur TEMP größer oder gleich 50°C ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden. Wenn in dem Beispiel die Umgebungstemperatur TEMP größer oder gleich 50°C ist, setzt das SoC 102 das Taktsignal CK nach Beendigung des Schreibvorgangs (Schreibzeit 2 verstrichen) auf H-Pegel, d.h. das SoC 102 hält das Taktsignal CK bis zum Ende des Schreibvorgangs auf L-Pegel (Low-Pegel), wodurch der Zyklus des Taktsignals CK verlängert werden kann, verglichen mit dem Fall, in dem die Umgebungstemperatur TEMP kleiner als 50°C ist.
6 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein weiteres Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal vom SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100A des ersten Beispiels zeigt. Das Beispiel zielt auch auf einen nichtflüchtigen Speicher 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Temperatur beeinträchtigt wird.
Wie in 6 gezeigt, wird ein Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Umgebungstemperatur TEMP konstant gehalten. Wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel ansteigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In dem Beispiel beendet das SoC 102 das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 mit dem Zeitpunkt des Anstiegs des Schreibsignals /WE auf H-Pegel. Insbesondere, wie in 6 gezeigt, wenn die Umgebungstemperatur TEMP weniger als 50°C beträgt, setzt das SoC 102 das Schreibsignal /WE zum normalem Zeitpunkt auf H-Pegel, um die normale Schreibzeit (Schreibzeit 1) einzustellen. Wenn andererseits die Umgebungstemperatur TEMP größer oder gleich 50 °C ist, setzt das SoC 102 das Schreibsignal /WE zu einem späteren Zeitpunkt als den normalen Zeitpunkt auf H-Pegel, um die Schreibzeit (Schreibzeit 2) einzustellen, die länger als die normale Schreibzeit ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden. In dem Beispiel setzt das SoC 102 den Zyklus des Taktsignals CK auf die Zeitspanne länger als die „Schreibzeit 2“ (d.h. den Maximalwert der Schreibzeit), wobei der Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Umgebungstemperatur TEMP konstant gehalten wird.
7 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein weiteres Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal vom SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100A des ersten Beispiels zeigt. Das Beispiel zielt ebenfalls auf einen nichtflüchtigen Speicher 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Temperatur beeinträchtigt wird.
Wie in 7 gezeigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel ansteigt, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In dem Beispiel beendet das SoC 102 ebenfalls das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 zum Zeitpunkt des Anstiegs des Schreibsignals /WE auf H-Pegel. Genauer, wie in 7 gezeigt ist, setzt das SoC 102 das Schreibsignal /WE zum normalen Zeitpunkt auf H-Pegel, wenn die Umgebungstemperatur TEMP kleiner als 50°C ist, um die normale Schreibzeit (Schreibzeit 1) einzustellen. Wenn andererseits die Umgebungstemperatur TEMP größer oder gleich 50°C ist, setzt das SoC 102 das Schreibsignal /WE zu einem Zeitpunkt später als den normalen Zeitpunkt auf H-Pegel, um die Schreibzeit (Schreibzeit 2) einzustellen, die länger als die normale Schreibzeit ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden. Wenn in dem Beispiel die Umgebungstemperatur TEMP größer oder gleich 50°C ist, setzt das SoC 102 das Taktsignal CK nach Beendigung des Schreibvorgangs (Schreibzeit 2 verstrichen) auf H-Pegel, d.h. das SoC 102 hält das Taktsignal CK bis zum Ende des Schreibvorgangs auf L-Pegel, wodurch der Zyklus des Taktsignals CK im Vergleich zu dem Fall, in dem die Umgebungstemperatur TEMP kleiner als 50°C ist, verlängert werden kann.
Im ersten Beispiel beträgt ein Schwellenwert der Umgebungstemperatur, der die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 ändert, 50°C. Alternativ kann der Schwellenwert entsprechend einer Speichercharakteristik höher oder niedriger als 50°C festgelegt werden. Der Schwellenwert der Umgebungstemperatur kann bei Bedarf in mehreren Schritten eingestellt werden. So kann beispielsweise der Schwellenwert der Umgebungstemperatur, nämlich die Genauigkeit, innerhalb von ±10% eingestellt werden (ein Bereich von 45 °C bis 55 °C für den Schwellenwert von 50 °C). Der Bereich kann entsprechend der Speichercharakteristik eingestellt werden.
Das erste Beispiel zielt auf den nichtflüchtigen Speicher 101 des Typs ab, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Temperatur beeinträchtigt wird. Wenn stattdessen ein nichtflüchtiger Speicher eines Typs verwendet wird, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Temperatur verbessert wird, kann das SoC 102 für eine Umgebungstemperatur größer oder gleich dem Schwellenwert das Schreiben mit einer Schreibzeit durchführen, die kürzer als die normale Schreibzeit ist.
Im ersten Beispiel beträgt „Schreibzeit 1“ beispielsweise 1 Mikrosekunde und „Schreibzeit 2“ beträgt 100 Mikrosekunden. „Schreibzeit 1“ und „Schreibzeit 2“ sind jedoch nicht besonders beschränkt, sondern können entsprechend der Speichercharakteristik in geeigneter Weise festgelegt werden. So kann beispielsweise „Schreibzeit 1“ auf 1 Mikrosekunde festgelegt werden, während „Schreibzeit 2“ auf 100 Mikrosekunden festgelegt wird, wenn der nichtflüchtige Speicher 101 ein Widerstands-RAM ist, und „Schreibzeit 1“ auf etwa 10 Nanosekunden bis etwa 100 Nanosekunden, während „Schreibzeit 2“ auf 100 Mikrosekunden festgelegt wird, wenn der nichtflüchtige Speicher 101 ein magnetischer RAM ist. Die Beschreibung von „Schreibzeit 1“ und „Schreibzeit 2“ ist ähnlich wie im folgenden zweiten Beispiel.
(Zweites Beispiel)
8 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einem zweiten Beispiel zeigt. In 8 ist die gleiche Komponente wie im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100 in 1 mit demselben Bezugszeichen bezeichnet, wobei eine überdeckende Beschreibung weggelassen wird.
Das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100B des zweiten Beispiels in 8 weist eine Überschreibfrequenz-Erfassungsschaltung 103B auf, die eine Überschreibfrequenz (Überschreibereignisse pro Zeiteinheit) des nichtflüchtigen Speichers 101 als Detektor 103 erfasst, wobei die Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 die Retentionsleistung des nichtflüchtigen Speichers 101 beeinflusst. Die Überschreibfrequenz-Erfassungsschaltung 103B kann innerhalb oder in der Nähe des nichtflüchtigen Speichers 101 angeordnet sein. Im zweiten Beispiel ändert das SoC 102 das Steuersignal vom nichtflüchtigen Speicher 101 entsprechend der Ausgabe der Überschreibfrequenz-Detektionsschaltung 103B, so dass die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend dem Einflussgrad der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 auf die Retentionsleistung angepasst werden kann. Somit wird die durch die Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 verursachte Schwankung der Retentionsleistung kompensiert, so dass die Leistungsfähigkeit des nichtflüchtigen Speichers 101 auch in der schwierigen Fahrzeugumgebung verbessert werden kann.
9 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für einen Zusammenhang zwischen der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal vom SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100B des zweiten Beispiels zeigt. In 9 repräsentiert „DET“ die Ausgabe (die Überschreibfrequenz (Überschreibereignisse pro Zeiteinheit) des nichtflüchtigen Speichers 101) der Überschreibfrequenz-Erfassungsschaltung 103B, „CK“ repräsentiert das Taktsignal, „/WE“ repräsentiert das Schreibsignal, „Adresse“ repräsentiert das Adresssignal, „Daten“ repräsentiert das Datensignal und „Schreiben“ repräsentiert die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 (das gleiche gilt für die 10 bis 12). Das Beispiel zielt auf einen nichtflüchtigen Speicher 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung beeinträchtigt wird, wenn die Überschreibfrequenz steigt.
Wie in 9 gezeigt, wird der Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Schreibfrequenz DET konstant gehalten. Wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel ansteigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In dem Beispiel wendet das SoC 102 Schreibzeitinformationen, die der Überschreibfrequenz DET entsprechen, auf das Adresssignal an. Genauer, wie in 9 gezeigt, setzt das SoC 102 das Adresssignal so, dass das Schreiben für die normale Schreibzeit (Schreibzeit 1) durchgeführt wird, wenn die Überschreibfrequenz DET (Überschreibereignisse pro Zeiteinheit) kleiner als 1000 ist, und das SoC 102 setzt das Adresssignal so, dass das Schreiben für die Schreibzeit (Schreibzeit 2) länger als die normale Schreibzeit erfolgt, wenn die Überschreibfrequenz DET größer oder gleich 1000 ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden. In dem Beispiel setzt das SoC 102 den Zyklus des Taktsignals CK auf eine Zeit länger als die „Schreibzeit 2“ (d.h. den Maximalwert der Schreibzeit), wodurch der Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Umgebungstemperatur TEMP konstant gehalten wird.
10 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein weiteres Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal vom SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100B des zweiten Beispiels zeigt. Das Beispiel zielt auf einen nichtflüchtigen Speicher 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung beeinträchtigt wird, wenn die Überschreibfrequenz steigt.
Wie in 10 gezeigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel ansteigt, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In dem Beispiel wendet das SoC 102 ebenfalls Schreibzeitinformationen, die der Überschreibfrequenz DET entsprechen, auf das Adresssignal an. Genauer setzt das SoC 102 das Adresssignal so, dass das Schreiben für die normale Schreibzeit (Schreibzeit 1) durchgeführt wird, wenn die Überschreibfrequenz DET (Überschreibereignisse pro Zeiteinheit) kleiner als 1000 ist, und das SoC 102 setzt das Adresssignal so, dass das Schreiben für die Schreibzeit (Schreibzeit 2) länger als die normale Schreibzeit erfolgt, wenn die Überschreibfrequenz DET größer oder gleich 1000 ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden. Wenn in dem Beispiel die Überschreibfrequenz DET größer oder gleich 1000 ist, setzt das SoC 102 das Taktsignal CK nach dem Ende des Schreibens auf H-Pegel (Schreibzeit 2 verstrichen), d.h. das SoC 102 hält das Taktsignal CK bis zum Ende des Schreibens auf L-Pegel, wodurch der Zyklus des Taktsignals CK im Vergleich zu dem Fall, in dem die Überschreibfrequenz DET kleiner als 1000 ist, verlängert werden kann.
11 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein weiteres Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal vom SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100B des zweiten Beispiels darstellt. Das Beispiel zielt auf einen nichtflüchtigen Speicher 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung beeinträchtigt wird, wenn die Überschreibfrequenz steigt.
Wie in 11 gezeigt, wird der Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Überschreibfrequenz DET konstant gehalten. Wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel ansteigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In dem Beispiel beendet das SoC 102 das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 zu dem Zeitpunkt des Anstiegs des Schreibsignals /WE auf H-Pegel. Wie in 11 gezeigt, setzt das SoC 102 das Schreibsignal /WE zu einem normalen Zeitpunkt auf H-Pegel, um die normale Schreibzeit (Schreibzeit 1) einzustellen, wenn die Überschreibfrequenz DET (Überschreibereignisse pro Zeiteinheit) kleiner als 1000 ist. Andererseits, wenn die Überschreibfrequenz DET größer oder gleich 1000 ist, setzt das SoC 102 das Schreibsignal /WE zu einem Zeitpunkt später als den normalen Zeitpunkt auf H-Pegel, um die Schreibzeit (Schreibzeit 2) einzustellen, die länger als die normale Schreibzeit ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden. In dem Beispiel setzt das SoC 102 den Zyklus des Taktsignals CK auf die Zeitspanne länger als die „Schreibzeit 2“ (d.h. den Maximalwert der Schreibzeit), wodurch der Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Umgebungstemperatur TEMP konstant gehalten wird.
12 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein weiteres Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal vom SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100B des zweiten Beispiels zeigt. Das Beispiel der 12 zielt auf einen nichtflüchtigen Speicher 101 eines Typs, bei dem die Retentionsleistung beeinträchtigt wird, wenn die Überschreibfrequenz steigt.
Wie in 12 gezeigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel ansteigt, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In dem Beispiel beendet das SoC 102 ebenfalls das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 zu dem Zeitpunkt des Anstiegs des Schreibsignals /WE auf H-Pegel. Wie in 12 gezeigt, setzt das SoC 102 das Schreibsignal /WE zu einem normalen Zeitpunkt auf H-Pegel, um die normale Schreibzeit (Schreibzeit 1) einzustellen, wenn die Überschreibfrequenz DET (Überschreibereignisse pro Zeiteinheit) kleiner als 1000 ist. Wenn andererseits die Überschreibfrequenz DET größer oder gleich 1000 ist, setzt das SoC 102 das Schreibsignal /WE zu einem Zeitpunkt später als der normale Zeitpunkt auf H-Pegel, um die Schreibzeit (Schreibzeit 2) einzustellen, die länger als die normale Schreibzeit ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden. Wenn in dem Beispiel die Überschreibfrequenz DET größer oder gleich 1000 ist, setzt das SoC 102 das Taktsignal CK nach dem Ende des Schreibens auf H-Pegel (Schreibzeit 2 verstrichen), d.h. das SoC 102 hält das Taktsignal CK bis zum Ende des Schreibens auf L-Pegel, wodurch der Zyklus des Taktsignals CK im Vergleich zu dem Fall, in dem die Überschreibfrequenz DET kleiner als 1000 ist, verlängert werden kann.
Im zweiten Beispiel ist der Schwellenwert der Überschreibfrequenz, die die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 ändert, gleich 1000. Alternativ kann der Schwellenwert je nach Speichercharakteristik größer als 1000 (doch bis zu etwa 10 Millionen) oder kleiner als 1000 (doch bis zu etwa 100) eingestellt werden. Das heißt, der Schwellenwert der Überschreibfrequenz hat eine Weite von etwa 100 bis etwa 10 Millionen entsprechend einer Art des nichtflüchtigem Speichers 101, so dass der Schwellenwert entsprechend der Speichercharakteristik in geeigneter Weise eingestellt werden kann. Der Schwellenwert der Überschreibfrequenz kann bei Bedarf mehrstufig angepasst werden. So kann beispielsweise der Schwellenwert der Überschreibfrequenz, nämlich die Genauigkeit, innerhalb von ±10% eingestellt werden (ein Bereich von 900 bis 1100 für den Schwellenwert 1000). Der Bereich kann in geeigneter Weise entsprechend der Speichercharakteristik eingestellt werden.
Das zweite Beispiel zielt auf den nichtflüchtigen Speicher 101 des Typs ab, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Überschreibfrequenz beeinträchtigt wird. Wenn stattdessen ein nichtflüchtiger Speicher eines Typs verwendet wird, bei dem die Retentionsleistung bei hoher Überschreibfrequenz verbessert wird, kann das SoC 102 für eine Überschreibfrequenz größer oder gleich dem Schwellenwert das Schreiben für die Schreibzeit durchführen, die kürzer als die normale Schreibzeit ist.
Im ersten und im zweiten Beispiel wird das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers entsprechend der Umgebungstemperatur oder der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers geändert. Alternativ wird eine weitere Information über die Leistung oder die Funktion des nichtflüchtigen Speichers erfasst, und das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers kann entsprechend der erfassten Information geändert werden.
(Erste Modifikation)
Im ersten und im zweiten Beispiel ändert das SoC 102 die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101 durch Ändern des Steuersignals des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe des Detektors 103 (Temperatur-Erfassungsschaltung 103A oder Überschreibfrequenz-Erfassungsschaltung 103B).
Andererseits weist der nichtflüchtige Speicher 101 in einer ersten Modifikation mehrere Speicheranordnungen auf, und das SoC 102 ändert eine Schreibziel-Speicheranordnung des nichtflüchtigen Speichers 101 durch Ändern des Steuersignals des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe des Detektors 103.
13 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel für eine Konfiguration des nichtflüchtigen Speichers 101 der ersten Modifikation zeigt. Wie in 13 gezeigt ist, weist der nichtflüchtige Speicher 101 der ersten Modifikation die Speicheranordnung 101a (Speicheranordnung 1) mit der normalen Retentionsleistung bei hoher Temperatur und die Speicheranordnung 101b (Speicheranordnung 2) mit der ausgezeichneten Retentionsleistung bei hoher Temperatur auf.
Im Folgenden wird das fahrzeuginterne Erfassungssystem der ersten Modifikation beschrieben, das eine Konfiguration ähnlich derjenigen des fahrzeuginternen Erfassungssystems des ersten Beispiels in 3 aufweist, mit Ausnahme des nichtflüchtigen Speichers 101.
In der ersten Modifikation kann das SoC 102 eine der Speicheranordnungen 1 und 2, die die Schreibziel-Speicheranordnungen des nichtflüchtigen Speichers 101 sind, gemäß der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 auswählen, indem das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe der Temperaturerfassungsschaltung 103A geändert wird. Somit wird die durch die Umgebungstemperatur verursachte Schwankung der Retentionsleistung des nichtflüchtigen Speichers 101 kompensiert, so dass die Leistung des nichtflüchtigen Speichers 101 auch in der schwierigen Fahrzeugumgebung verbessert werden kann.
14 ist ein Zeitablaufdiagramm, das ein Beispiel für den Zusammenhang zwischen der Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 und dem Steuersignal des SoC 102 in der ersten Modifikation zeigt. In 14 repräsentiert „TEMP“ die Ausgabe (die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101) der Temperaturerfassungsschaltung 103A, „CK“ repräsentiert ein Taktsignal, „/WE“ repräsentiert das Schreibsignal, „Adresse“ repräsentiert das Adresssignal, „Daten“ repräsentiert das Datensignal und „Schreiben“ repräsentiert die Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers 101.
Wie in 14 gezeigt ist, wird der Zyklus des Taktsignals CK unabhängig von der Umgebungstemperatur TEMP konstant gehalten. Wenn das Taktsignal CK auf H-Pegel ansteigt, beginnt der nichtflüchtige Speicher 101 mit der Erfassung des Schreibsignals /WE und der neuen Adresse und Daten, wodurch das Schreiben in den nichtflüchtigen Speicher 101 gestartet wird. In der ersten Modifikation wendet das SoC 102 die Schreibziel-Speicheranordnungsinformationen, die der Umgebungstemperatur TEMP entsprechen, auf das Adresssignal an. Genauer, wie in 14 gezeigt, setzt das SoC 102 das Adresssignal so, dass das Schreiben in die Speicheranordnung 1 durchgeführt wird, die bei hoher Temperatur die normale Retentionsleistung aufweist, wenn die Umgebungstemperatur TEMP kleiner als 50 °C ist, und das SoC 102 setzt das Adresssignal so, dass das Schreiben in die Speicheranordnung 2 durchgeführt wird, die bei hoher Temperatur die ausgezeichnete Retentionsleistung aufweist, wenn die Umgebungstemperatur TEMP größer oder gleich 50 °C ist. Somit kompensiert das SoC 102 die Schwankungen der Retentionsleistung, die durch die Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht werden.
Das fahrzeuginterne Erfassungssystem der ersten Modifikation, das eine ähnliche Konfiguration wie das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100A des ersten Beispiels in 3 aufweist, ist oben beschrieben worden. Die erste Modifikation kann auch auf das fahrzeuginterne Erfassungssystem 100B des zweiten Beispiels in 8 angewendet werden.
Das heißt, der nichtflüchtige Speicher 101 weist eine Speicheranordnung (Speicheranordnung 1) mit der normalen Retentionsleistung bei hoher Überschreibfrequenz und eine Speicheranordnung (Speicheranordnung 2) mit der ausgezeichneten Retentionsleistung bei hoher Überschreibfrequenz auf, und das SoC 102 kann die Schreibziel-Speicheranordnung des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 ändern, indem das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe der Überschreibfrequenzerfassungsschaltung 103B geändert wird. Somit wird die Schwankung der Retentionsleistung, die durch die Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 verursacht wird, kompensiert, so dass die Leistung des nichtflüchtigen Speichers 101 auch in der schwierigen Fahrzeugumgebung verbessert werden kann.
Bei der Steuerung des nichtflüchtigen Speichers 101 kann in diesem Fall beispielsweise die Leistung des Schreibens in die Speicheranordnung 1 mit der normalen Retentionsleistung bei hoher Überschreibfrequenz für das Adresssignal eingestellt werden, wenn die Überschreibfrequenz kleiner als der Schwellenwert ist, und die Leistung des Schreibens in die Speicheranordnung 2 mit der ausgezeichneten Retentionsleistung bei hoher Überschreibfrequenz für das Adresssignal eingestellt werden, wenn die Überschreibfrequenz größer als oder gleich dem Schwellenwert ist.
In der ersten Modifikation ist der Schwellenwert der Umgebungstemperatur oder der Überschreibfrequenz, der die Schreibziel-Speicheranordnung des nichtflüchtigen Speichers 101 ändert, nicht besonders beschränkt, kann aber entsprechend der Speichercharakteristik beliebig eingestellt werden, oder kann bei Bedarf mehrstufig eingestellt werden.
In der ersten Modifikation wird das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur oder der Überschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers 101 geändert. Alternativ wird eine weitere Information über die Leistungsfähigkeit oder die Funktion des nichtflüchtigen Speichers 101 erfasst, und das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 kann entsprechend der erfassten Information geändert werden.
(Zweite Modifikation)
15 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einer zweiten Modifikation zeigt. In 15 ist die gleiche Komponente wie im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100 in 1 mit demselben Bezugszeichen bezeichnet, wobei die überdeckende Beschreibung weggelassen wird.
Im ersten und im zweiten Beispiel ist die Temperatur-Erfassungsschaltung 103A oder die Überschreibfrequenz-Erfassungsschaltung 103B als Detektor 103 vorgesehen, und das SoC 102 ändert das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe der Temperatur-Erfassungsschaltung 103A oder der Überschreibfrequenz-Erfassungsschaltung 103B.
Andererseits ändert das SoC 102 im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100C der zweiten Modifikation in 15 unter Verwendung des Sensors 104C, wie beispielsweise eines Kamerasensors (Abbildungssensor), der ein Bild des Zustands außerhalb des Fahrzeugs erfasst, das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend der Ausgabe des Sensors 104C. Das heißt, in der zweiten Modifikation ist der Detektor 103 des fahrzeuginternen Erfassungssystems 100 in 1 mit dem Sensor 104C aufgebaut.
Wenn der Sensor 104C beispielsweise der Abbildungssensor ist, kann die Schreibzeit oder die Schreibziel-Speicheranordnung des nichtflüchtigen Speichers 101 durch Ändern des Steuersignals des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend einer Priorität der Abbildungsinformationen geändert werden.
Die zweite Modifikation kann auch auf den Fall angewendet werden, in dem der Sensor 104C ein anderer Sensor als der Abbildungssensor ist.
Der Detektor 103 der Temperatur-Erfassungsschaltung 103A des ersten Beispiels oder der Überschreibfrequenz-Erfassungsschaltung 103B des zweiten Beispiels und des Sensors 104C der zweiten Modifikation werden gleichzeitig verwendet, und das SoC 102 kann das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers 101 entsprechend einer Kombination der Ausgaben des Detektors 103 und des Sensors 104C ändern.
(Dritte Modifikation)
16 ist ein Blockdiagramm, das ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gemäß einer dritten Modifikation zeigt. In 16 wird die gleiche Komponente wie in fahrzeuginternen Erfassungssystem 100 in 1 mit demselben Bezugszeichen bezeichnet, wobei die überdeckende Beschreibung weggelassen wird.
Im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100 der 1 gibt der Detektor 103 die erfassten Informationen direkt an das SoC 102 aus.
Andererseits werden im fahrzeuginternen Erfassungssystem 100D der dritten Modifikation in 16 die vom Detektor 103D erfassten Informationen über das Controller Area Network (CAN) 200D und den CAN-Microcontroller 105 an das SoC 102 ausgegeben.
In der dritten Modifikation kann das SoC 102 eine der am CAN 200D angeschlossenen Fahrzeug-Zentraleinheiten (CPUs) sein.
In der dritten Modifikation kann der Sensor 104C der zweiten Modifikation anstelle des Detektors 103D vorgesehen sein.
Die Beschreibung der beispielhaften Ausführungsform (einschließlich jedes Beispiels und jeder Modifikation, was auch im Folgenden gelten soll) dient nur der Veranschaulichung, wobei die beispielhafte Ausführungsform die vorliegende Offenbarung und ihre Anwendung oder Verwendung nicht einschränkt, und wobei verschiedene Modifikationen vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. So kann beispielsweise eine beliebige Kombination der Beispiele und der Modifikationen vorgenommen werden.
In der beispielhaften Ausführungsform ändert das SoC die Schreibzeit oder die Schreibziel-Speicheranordnung des nichtflüchtigen Speichers durch Ändern des Steuersignals des nichtflüchtigen Speichers. Ein Steuerungsziel des nichtflüchtigen Speichers ist jedoch nicht auf die Schreibzeit und die Schreibziel-Speicheranordnung beschränkt.
In der beispielhaften Ausführungsform ist nur der nichtflüchtige Speicher als der im SoC verwendete Speicher vorgesehen. Alternativ kann je nach Anwendung des Fahrzeugs ein DRAM oder dergleichen, der als Arbeitsbereich dient, für wenigstens ein Teil der im nichtflüchtigen Speicher gespeicherten Daten separat vorgesehen sein. Auch in diesem Fall kann die Speicherkapazität des DRAM im Vergleich zu dem herkömmlichen fahrzeuginternen Erfassungssystem, auf dem der ROM und der DRAM mit der gleichen Speicherkapazität montiert sind, verringert werden, so dass der Freiheitsgrad der Montage des Systems am Fahrzeug sichergestellt werden kann. Zusätzlich kann beim Einschalten die Zeitspanne, die für die Datenübertragung vom nichtflüchtigen Speicher zum DRAM erforderlich ist, verkürzt werden.
In der beispielhaften Ausführungsform ist der Sensor vorgesehen. Alternativ kann der Sensor auch nicht vorgesehen sein. So kann beispielsweise das fahrzeuginterne Erfassungssystem eine ECU (Electronic Control Unit = elektronische Steuereinheit) sein, in der eine Temperatur-Erfassungsschaltung als Detektor integriert ist. In diesem Fall kann das fahrzeuginterne Erfassungssystem das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers entsprechend der erfassten Temperatur ändern und die erfasste Temperatur über den CAN an die externe Vorrichtung ausgeben. Folglich wird ein fahrzeuginternes Erfassungssystem gebildet, das die Temperatur an der ECU ausgibt.
INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
Die vorliegende Offenbarung ist anwendbar auf das fahrzeuginterne Erfassungssystem, einschließlich des System-on-Chip.

Claims

Fahrzeuginternes Erfassungssystem, umfassend: einen nichtflüchtigen Speicher enthaltend ein einziges Speicherarray; eine Steuervorrichtung; und einen Detektor, der Erfassungsinformationen an die Steuervorrichtung ausgibt, wobei die Steuervorrichtung Daten aus dem Speicherarray des nichtflüchtigen Speichers liest und in dasselbe schreibt, und die Steuervorrichtung eine Schreibzeit einer Daten-Minimumschreibeinheit des nichtflüchtigen Speichers in dem fahrzeuginternen Erfassungssystem ändert, indem sie ein Steuersignal des Speicherarrays des nichtflüchtigen Speichers entsprechend den vom Detektor ausgegebenen Erfassungsinformationen ändert, und einen Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers konstant hält, indem sie den Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers auf eine Zeitspanne länger als ein Maximalwert der Schreibzeit setzt.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem, umfassend: einen nichtflüchtigen Speicher; eine Steuervorrichtung; und einen Detektor, der Erfassungsinformationen an die Steuervorrichtung ausgibt, wobei die Steuervorrichtung Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher liest und in denselben schreibt, und die Steuervorrichtung eine Schreibzeit einer Daten-Minimumschreibeinheit des nichtflüchtigen Speichers in dem fahrzeuginternen Erfassungssystem ändert, indem sie ein Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers entsprechend den vom Detektor ausgegebenen Erfassungsinformationen ändert, und einen Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers entsprechend der Änderung der Schreibzeit des nichtflüchtigen Speichers ändert.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach Anspruch 2, wobei der nichtflüchtige Speicher mehrere Speicheranordnungen aufweist, und die Steuervorrichtung eine der mehreren Speicheranordnungen, die eine Schreibziel-Speicheranordnung des nichtflüchtigen Speichers sind, auswählt, indem sie das Steuersignal des nichtflüchtigen Speichers ändert.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Detektor eine Erfassungsschaltung ist, die eine Umgebungstemperatur des nichtflüchtigen Speichers erfasst.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Detektor eine Erfassungsschaltung ist, die eine Rückschreibfrequenz des nichtflüchtigen Speichers erfasst.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach Anspruch 4 oder 5, wobei der Detektor innerhalb oder in der Nähe des nichtflüchtigen Speichers angeordnet ist.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Detektor mit einem Sensor aufgebaut ist, der an einem Fahrzeug montiert ist.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach Anspruch 7, wobei der Sensor ein Abbildungssensor ist.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, 7 und 8, ferner umfassend: ein Controller Area Network (CAN), das zwischen dem Detektor und der Steuervorrichtung angeordnet ist.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der nichtflüchtige Speicher ein Schreib-Lese-Speicher ist.
Fahrzeuginternes Erfassungssystem nach Anspruch 10, wobei der nichtflüchtige Speicher ein Widerstands-Nur-Lese-Speicher (RAM), ein ferroelektrischer RAM, ein magnetischer RAM oder ein Phasenwechselspeicher ist.
Verfahren zum Steuern eines fahrzeuginternen Erfassungssystems, das einen nichtflüchtigen Speicher mit einem einzigen Speicherarray enthält, wobei das Verfahren umfasst: Empfangen von Erfassungsinformationen, die dem nichtflüchtigen Speicher zugeordnet sind; Ändern eines Steuersignals des Speicherarrays des nichtflüchtigen Speichers entsprechend den Erfassungsinformationen; Ändern einer Schreibzeit einer Daten-Minimumschreibeinheit des Speicherarrays des nichtflüchtigen Speichers in dem fahrzeuginternen Erfassungssystem und Konstanthalten eines Taktzyklus des nichtflüchtigen Speichers durch Einstellen des Taktzyklus auf eine Zeitspanne, die länger als ein Maximalwert der Schreibzeit ist, unter Verwendung des Steuersignals; und Lesen und Schreiben von Daten aus dem und in den nichtflüchtigen Speicher.