JP6817587B2

JP6817587B2 - 車載検知システム

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Publication number: JP6817587B2
Application number: JP2019022644A
Authority: JP
Inventors: 山岡　邦吏; 邦吏山岡
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2018-07-19
Filing date: 2019-02-12
Publication date: 2021-01-20
Anticipated expiration: 2039-02-12
Also published as: JP2020021450A

Description

本開示は、システムオンチップを備えた車載検知システムに関する。

自動運転等の様々なアプリケーションの実現を目的として、カメラ等により検知した情報を処理するためのシステムオンチップ（ＳｏＣ）を備えた車載検知システムの開発が進められている。

従来の車載検知システムにおいては、ＳｏＣのワークエリアとして機能するメモリとして、高速アクセス可能なＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）が実装されてきた。また、ＤＲＡＭは揮発性メモリであることから、ＳｏＣで実行されるプログラム等を格納するために、従来の車載検知システムにおいては、ＤＲＡＭに加えて、ＤＲＡＭと同じメモリ容量を持つＲＯＭ（Read Only Memory）も実装する必要があった（特許文献１）。

特許４７３９８７０号公報

しかしながら、今後の自動運転の実現に向けたカメラ用センサー（撮像センサー）の高精度化、大容量化に加えて、車両におけるアプリケーションのさらなる増加に伴って、従来の車載検知システムにおいては、ＤＲＡＭ及びＲＯＭを合わせたメモリ容量が増大してしまう。メモリ容量、つまり、実装基板に占めるＤＲＡＭ及びＲＯＭの面積比率が増大すると、基板面積を増加させなければならなくなるので、システムの車両への搭載自由度が制約されるという問題が生じる。

また、従来の車載検知システムにおいては、電源投入時にＲＯＭからＤＲＡＭへデータ転送を行う必要がある。このため、システム規模が大きくなってメモリ容量が増大すると、システムがスタンバイ状態になるまでに要する時間が長くなる。すなわち、システムの起動から車両を発進させるまでに要する時間が長くなるという実用上の問題も生じる。

本開示は、以上に述べた課題を解決するものであって、車両搭載センサーの高精度化、大容量化や車両におけるアプリケーションの増加に対してメモリ容量の増大を抑制できる車載検知システムを提供することを目的とする。

前記の目的を達成するために、本開示に係る車載検知システムの一の態様は、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対してデータの読出し及び書込みを行うシステムオンチップと、システムオンチップに、不揮発性メモリの周囲温度、不揮発性メモリの書換頻度、又は車外の様子を撮影した撮像情報を検知情報として出力する検知部とを備え、システムオンチップは、検知部の出力に応じて不揮発性メモリへ供給する複数の制御信号のうちのクロック信号以外の所定の制御信号を変化させることにより、不揮発性メモリの書込時間を変化させると共に、不揮発性メモリへ供給するクロック信号の周期を書込時間の最大値よりも長く設定することによって、不揮発性メモリへ供給するクロック信号の周期を一定に保持する。

また、本開示に係る車載検知システムの他の態様は、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対してデータの読出し及び書込みを行うシステムオンチップと、システムオンチップに、不揮発性メモリの周囲温度、不揮発性メモリの書換頻度、又は車外の様子を撮影した撮像情報を検知情報として出力する検知部とを備え、システムオンチップは、検知部の出力に応じて不揮発性メモリへ供給する複数の制御信号のうちのクロック信号以外の所定の制御信号を変化させることにより、不揮発性メモリの書込時間を変化させると共に、不揮発性メモリの書込時間の変化に合わせて、不揮発性メモリへ供給するクロック信号の１周期内で書込みが終了するようにクロック信号の周期を変化させる。

本開示に係る車載検知システムによると、検知部の出力に応じてシステムオンチップは不揮発性メモリの制御信号を変化させる。このため、厳しい車載環境においても不揮発性メモリの性能を向上させることができる。例えば、高温下ではリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリを使用するのであれば、不揮発性メモリの周囲温度が例えば５０℃以上になった場合に、不揮発性メモリの書込時間が長くなるように制御信号を変化させることによって、不揮発性メモリのリテンション性能を維持することができる。

以上のように、本開示に係る車載検知システムによると、不揮発性メモリの性能向上を実現できるので、不揮発性メモリに記憶されるデータの少なくとも一部については、ワークエリアとして機能するＤＲＡＭ等のＲＡＭを別途設けることなく、システムオンチップから不揮発性メモリに対してデータの読出し及び書込みを直接行うことができる。従って、メモリ容量やメモリデバイス数の増大、つまり基板面積の増大を抑制できるため、システムの車両への搭載自由度を確保することができる。また、システムを低消費電力化できるため、筐体サイズの縮小や部品の最適化も可能となるので、コスト削減を図ることもできる。

また、本開示に係る車載検知システムによると、不揮発性メモリの性能向上により、使用メモリを不揮発性メモリのみとする構成や、ワークエリアとして機能するＤＲＡＭ等の容量を小さくした構成を採用できる。このため、電源遮断時に不揮発性メモリによりデータ保持できるだけではなく、電源投入時における不揮発性メモリからＤＲＡＭ等へのデータ転送を不要にしたり、当該データ転送に要する時間を短縮することができる。従って、システムを高速でスタンバイ状態にすることが可能となる。

本開示によれば、車両搭載センサーの高精度化、大容量化や車両におけるアプリケーションの増加に対してメモリ容量の増大を抑制できる車載検知システムを提供することができる。すなわち、システムの車両への搭載自由度が確保され且つスタンバイまでの待ち時間が短い車載検知システムを実現することができる。

図１は、実施形態に係る車載検知システムのブロック図である。図２は、比較例に係る車載検知システムのブロック図である。図３は、実施例１に係る車載検知システムのブロック図である。図４は、実施例１に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの周囲温度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図５は、実施例１に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの周囲温度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図６は、実施例１に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの周囲温度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図７は、実施例１に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの周囲温度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図８は、実施例２に係る車載検知システムのブロック図である。図９は、実施例２に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの書換頻度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図１０は、実施例２に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの書換頻度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図１１は、実施例２に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの書換頻度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図１２は、実施例２に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの書換頻度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図１３は、変形例１に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの構成図である。図１４は、変形例１に係る車載検知システムにおける不揮発性メモリの周囲温度と制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図１５は、変形例２に係る車載検知システムのブロック図である。図１６は、変形例３に係る車載検知システムのブロック図である。

以下、本開示の実施形態に係る車載検知システムについて、図面を参照しながら説明する。

図１は、本実施形態に係る車載検知システムのブロック図である。図１に示すように、車載検知システム１００は、不揮発性メモリ１０１と、不揮発性メモリ１０１に対してデータの読出し及び書込みを行うシステムオンチップ（ＳｏＣ）１０２と、ＳｏＣ１０２に検知情報を出力する検知部１０３とを備え、ＳｏＣ１０２は、検知部１０３の出力に応じて不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させる。

不揮発性メモリ１０１としては、ランダムアクセス可能な不揮発性メモリを用いてもよく、例えば、抵抗変化型メモリ（Resistance RAM）、強誘電体メモリ（Ferroelectric RAM）、磁気抵抗型メモリ（Magnetic RAM）、相変化メモリ（Phase Change Memory)等を用いてもよい。

ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１に記憶されているプログラムに従って動作するプロセッサを主なハードウェア構成として備えている。プロセッサは、プログラムを実行することによって機能を実現することができれば、その種類は問わないが、例えば半導体集積回路（ＩＣ）又はＬＳＩ（large scale integration）を含む一つ又は複数の電子回路により構成されていてもよい。複数の電子回路は、一つのチップに集積されていてもよいし、複数のチップに設けられていてもよい。複数のチップは一つの装置に集約されていてもよいし、複数の装置に備えられていてもよい。

検知部１０３は、不揮発性メモリ１０１の性能や動作等に関連する情報、例えば、不揮発性メモリ１０１の周囲温度や書換頻度等を検知する。

車載検知システム１００は、例えば車外の様子を撮影するためのカメラ用センサー（撮像センサー）等のセンサー１０４をさらに備えている。センサー１０４により取得された情報はＳｏＣ１０２に出力され、ＳｏＣ１０２は、センサー１０４からの出力情報を、例えば不揮発性メモリ１０１から読み出したプログラムを用いて処理する。

また、車載検知システム１００は、車両に搭載された複数の制御ユニットを相互に接続する通信ネットワークであるＣＡＮ（Controller Area Network）２００に接続されていてもよい。ＣＡＮ２００は、例えばバスを介して、車両に搭載される複数の制御ユニット、各種車載センサ、スイッチ装置等を相互に接続するものであり、これによって、制御ユニット間でデータの共有が図られる。ここで、車載検知システム１００は、ＳｏＣ１０２とＣＡＮ２００との間で通信を行うためのＣＡＮマイコン１０５と、ＣＡＮマイコン１０５用のメモリであるＥＥＰＲＯＭ１０６とをさらに備えていてもよい。

また、車載検知システム１００は、不揮発性メモリ１０１、ＳｏＣ１０２、検知部１０３、ＣＡＮマイコン１０５及びＥＥＰＲＯＭ１０６にそれぞれ所定の電圧を供給するための電源回路１０７をさらに備えていてもよい。電源回路１０７には、外部電源３００から電力が供給されてもよい。

以上に説明した本実施形態によると、検知部１０３の出力に応じてＳｏＣ１０２は不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させる。このため、厳しい車載環境においても不揮発性メモリ１０１の性能を向上させることができる。例えば、高温下ではリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を使用するのであれば、不揮発性メモリ１０１の周囲温度が例えば５０℃以上になった場合に、不揮発性メモリ１０１の書込時間が長くなるように制御信号を変化させることによって、不揮発性メモリ１０１のリテンション性能の変動を補償することができる。

このように本実施形態によると、不揮発性メモリ１０１の性能向上を図れるので、ワークエリアとして機能するＤＲＡＭ等を別途設けることなく、ＳｏＣ１０２から不揮発性メモリ１０１に対して直接データの読出し及び書込みを行うことができる。従って、メモリ容量やメモリデバイス数の増大、つまり基板面積の増大を抑制できるため、システムの車両への搭載自由度を確保することができる。また、システムを低消費電力化できるため、筐体サイズの縮小や部品の最適化も可能となるので、コスト削減を図ることもできる。

また、本実施形態によると、不揮発性メモリ１０１の性能を向上させることができるので、ＳｏＣ１０２が使用するメモリを不揮発性メモリ１０１のみとする構成を採用できる。言い換えると、ＳｏＣ１０２のワークエリアとして機能するＤＲＡＭ等を設けなくてもよい。このため、電源遮断時に不揮発性メモリ１０１によりデータ保持できるだけではなく、電源投入時における不揮発性メモリ１０１からＤＲＡＭ等へのデータ転送を不要にできるので、システムを高速でスタンバイ状態にすることが可能となる。

尚、本実施形態において、不揮発性メモリ１０１の周囲温度が例えば５０℃以上になった場合に、不揮発性メモリ１０１の書込時間が長くなるように制御信号を変化させると、車載検知システム１００から外部機器への応答が遅くなることがある。そこで、車載検知システム１００は、例えば不揮発性メモリ１０１の書込時間が長くなるように制御していることを、ＣＡＮ経由で外部機器に知らせる信号を出力するようにしてもよい。

図２は、比較例に係る車載検知システムのブロック図である。図２に示すように、車載検知システム１５０は、フラッシュメモリ等のＲＯＭ１５１と、ＳｏＣ１５２と、高速アクセス可能なＤＲＡＭ等のＲＡＭ１５３とを備えている。ＲＯＭ１５１には、ＳｏＣ１５２で実行されるプログラム等が格納されており、電源投入時にＲＯＭ１５１からＲＡＭ１５３へデータ転送が行われる。このため、ＲＯＭ１５１とＲＡＭ１５３とは同じメモリ容量を持つ。また、システム稼働時にはＳｏＣ１５２はＲＡＭ１５３に対してデータの読出し及び書込みを行う。その他、車載検知システム１５０は、図１に示す車載検知システム１００と同様に、センサー１５４、ＣＡＮマイコン１５５、ＥＥＰＲＯＭ１５６を備えている。また、車載検知システム１５０は、ＲＯＭ１５１、ＳｏＣ１５２、ＲＡＭ１５３、ＣＡＮマイコン１５５及びＥＥＰＲＯＭ１５６にそれぞれ所定の電圧を供給するための電源回路１５７を備えている。

比較例の車載検知システム１５０によると、車両におけるアプリケーションのさらなる増加や搭載センサーの高精度化、大容量化に伴って、ＲＯＭ１５１とＲＡＭ１５３とを合わせたメモリ容量が増大してしまう。すなわち、実装基板に占めるＲＯＭ１５１及びＲＡＭ１５３の面積比率が増大する結果、基板面積を増加させなければならなくなるので、システムの車両への搭載自由度が制約されてしまう。

また、比較例の車載検知システム１５０によると、電源投入時にＲＯＭ１５１からＲＡＭ１５３へデータ転送を行う必要がある。このため、システム規模が大きくなってメモリ容量が増大すると、システムがスタンバイ状態になるまでに要する時間が長くなる。すなわち、システムの起動から車両を発進させるまでに要する時間が長くなるという実用上の問題が生じる。

（実施例１）
図３は、実施例１に係る車載検知システムのブロック図である。尚、図３において、図１に示す車載検知システム１００と同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図３に示す実施例１の車載検知システム１００Ａは、検知部１０３として、不揮発性メモリ１０１のリテンション性能に影響を及ぼす不揮発性メモリ１０１の周囲温度を検知する温度検知回路１０３Ａを備えている。温度検知回路１０３Ａは、不揮発性メモリ１０１の内部又は近傍に配置されてもよい。実施例１では、ＳｏＣ１０２は、温度検知回路１０３Ａの出力に応じて不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させるため、不揮発性メモリ１０１の周囲温度がリテンション性能に及ぼす影響度合いに応じて、不揮発性メモリ１０１の書込時間を調整できる。従って、不揮発性メモリ１０１の周囲温度に起因するリテンション性能の変動を補償することができるので、厳しい車載環境においても不揮発性メモリ１０１の性能を向上させることができる。

図４は、実施例１の車載検知システム１００Ａにおける不揮発性メモリ１０１の周囲温度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図４において、「ＴＥＭＰ」は温度検知回路１０３Ａの出力（不揮発性メモリ１０１の周囲温度）、「ＣＫ」はクロック信号、「／ＷＥ」は書込信号、「アドレス」はアドレス信号、「データ」はデータ信号、「書込」は不揮発性メモリ１０１の書込時間をそれぞれ表す（図５〜図７においても同じ）。尚、本例では、高温下でリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としている。

図４に示すように、クロック信号ＣＫの周期は周囲温度ＴＥＭＰに関係なく一定に保持されている。また、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。本例では、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰに応じた書込時間情報をアドレス信号に付与する。具体的には、図４に示すように、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃よりも低い場合には、通常の書込時間（書込時間１：例えば１マイクロ秒）で書込を行うことをアドレス信号に設定し、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃以上の場合には、通常よりも長い書込時間（書込時間２：例えば１００マイクロ秒）で書込を行うことをアドレス信号に設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の周囲温度に起因するリテンション性能の変動を補償する。尚、本例では、ＳｏＣ１０２がクロック信号ＣＫの周期を「書込時間２」（つまり書込時間の最大値）よりも長く設定することにより、クロック信号ＣＫの周期は周囲温度ＴＥＭＰに関係なく一定に保持されている。

尚、以上の説明においては、「書込時間１」は、例えば１マイクロ秒であり、「書込時間２」は、例えば１００マイクロ秒であるので、両者には１００倍の違いがあるが、図４のタイミング図では、説明を分かりやすくするために、「書込時間２」の幅を実際よりも小さく表現している。このような表現は、以下に説明する他のタイミング図においても同様である。

図５は、実施例１の車載検知システム１００Ａにおける不揮発性メモリ１０１の周囲温度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の他の一例である。本例でも、高温下でリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としている。

図５に示すように、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。また、本例でも、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰに応じた書込時間情報をアドレス信号に付与しておく。具体的には、図５に示すように、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃よりも低い場合には、通常の書込時間（書込時間１）で書込を行うことをアドレス信号に設定し、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃以上の場合には、通常よりも長い書込時間（書込時間２）で書込を行うことをアドレス信号に設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の周囲温度に起因するリテンション性能の変動を補償する。尚、本例では、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃以上の場合には、書込終了（書込時間２の経過）後にクロック信号ＣＫをｈｉｇｈに立上げることにより、言い換えると、書込終了まではクロック信号ＣＫをｌｏｗのままにしておくことにより、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃よりも低い場合と比べてクロック信号ＣＫの周期を長くしている。

図６は、実施例１の車載検知システム１００Ａにおける不揮発性メモリ１０１の周囲温度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の他の一例である。本例でも、高温下でリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としている。

図６に示すように、クロック信号ＣＫの周期は周囲温度ＴＥＭＰに関係なく一定に保持されている。また、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。本例では、ＳｏＣ１０２は、書込信号／ＷＥがｈｉｇｈに立上がるタイミングで不揮発性メモリ１０１への書込を終了する。具体的には、ＳｏＣ１０２は、図６に示すように、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃よりも低い場合には、書込信号／ＷＥを通常のタイミングでｈｉｇｈに立上げることにより、通常の書込時間（書込時間１）を設定する。一方、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃以上の場合には、ＳｏＣ１０２は、書込信号／ＷＥを通常よりも遅いタイミングでｈｉｇｈに立上げることにより、通常よりも長い書込時間（書込時間２）を設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の周囲温度に起因するリテンション性能の変動を補償する。尚、本例では、ＳｏＣ１０２がクロック信号ＣＫの周期を「書込時間２」（つまり書込時間の最大値）よりも長く設定することにより、クロック信号ＣＫの周期は周囲温度ＴＥＭＰに関係なく一定に保持されている。

図７は、実施例１の車載検知システム１００Ａにおける不揮発性メモリ１０１の周囲温度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の他の一例である。本例でも、高温下でリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としている。

図７に示すように、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。また、本例でも、ＳｏＣ１０２は、書込信号／ＷＥがｈｉｇｈに立上がるタイミングで不揮発性メモリ１０１への書込を終了する。具体的には、図７に示すように、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃よりも低い場合には、書込信号／ＷＥを通常のタイミングでｈｉｇｈに立上げることにより、通常の書込時間（書込時間１）を設定する。一方、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃以上の場合には、書込信号／ＷＥを通常よりも遅いタイミングでｈｉｇｈに立上げることにより、通常よりも長い書込時間（書込時間２）を設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の周囲温度に起因するリテンション性能の変動を補償する。尚、本例では、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃以上の場合には、書込終了（書込時間２の経過）後にクロック信号ＣＫをｈｉｇｈに立上げることにより、言い換えると、書込終了まではクロック信号ＣＫをｌｏｗのままにしておくことにより、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃よりも低い場合と比べてクロック信号ＣＫの周期を長くしている。

尚、実施例１において、不揮発性メモリ１０１の書込時間を変化させる周囲温度の閾値は、５０℃であるとして説明したが、特に限定されるものではなく、メモリ特性等に応じて５０℃よりも高く又は低く設定してもよい。また、必要に応じて周囲温度の閾値を多段階に設定してもよい。また、周囲温度の閾値における範囲、すなわち、精度は、例えば±１０％（閾値が５０℃なら、４５℃から５５℃までの範囲）としてもよい。この範囲についてもメモリ特性等に応じて適宜設定可能である。

また、実施例１において、高温下でリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としたが、これに代えて、高温下でリテンション性能が改善するタイプの不揮発性メモリを使用する場合は、ＳｏＣ１０２は、周囲温度が閾値以上になった場合に、通常よりも短い書込時間で書込を行えばよい。

また、実施例１において、「書込時間１」が１マイクロ秒であり、「書込時間２」が１００マイクロ秒である場合を例示したが、「書込時間１」及び「書込時間２」は特に限定されるものではなく、メモリ特性等に応じて適宜設定可能である。例えば、使用する不揮発性メモリ１０１が抵抗変化型メモリであれば、前述のように、「書込時間１」を１マイクロ秒、「書込時間２」を１００マイクロ秒とし、使用する不揮発性メモリ１０１が磁気抵抗型メモリであれば、「書込時間１」を例えば１０ナノ秒〜１００ナノ秒程度とし、「書込時間２」を１００マイクロ秒としてもよい。このような「書込時間１」及び「書込時間２」についての説明は、下記の実施例２においても同様である。

（実施例２）
図８は、実施例２に係る車載検知システムのブロック図である。尚、図８において、図１に示す車載検知システム１００と同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図８に示す実施例２の車載検知システム１００Ｂは、検知部１０３として、不揮発性メモリ１０１のリテンション性能に影響を及ぼす不揮発性メモリ１０１の書換頻度（単位時間当たりの書換回数）を検知する書換頻度検知回路１０３Ｂを備えている。書換頻度検知回路１０３Ｂは、不揮発性メモリ１０１の内部又は近傍に配置されてもよい。実施例２では、ＳｏＣ１０２は、書換頻度検知回路１０３Ｂの出力に応じて不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させるため、不揮発性メモリ１０１の書換頻度がリテンション性能に及ぼす影響度合いに応じて、不揮発性メモリ１０１の書込時間を調整できる。従って、不揮発性メモリ１０１の書換頻度に起因するリテンション性能の変動を補償することができるので、厳しい車載環境においても不揮発性メモリ１０１の性能を向上させることができる。

図９は、実施例２の車載検知システム１００Ｂにおける不揮発性メモリ１０１の書換頻度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図９において、「ＤＥＴ」は書換頻度検知回路１０３Ｂの出力（不揮発性メモリ１０１の書換頻度（単位時間当たりの書換回数））、「ＣＫ」はクロック信号、「／ＷＥ」は書込信号、「アドレス」はアドレス信号、「データ」はデータ信号、「書込」は不揮発性メモリ１０１の書込時間をそれぞれ表す（図１０〜図１２においても同じ）。尚、本例では、書換頻度が多くなるとリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としている。

図９に示すように、クロック信号ＣＫの周期は書換頻度ＤＥＴに関係なく一定に保持されている。また、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。本例では、ＳｏＣ１０２は、書換頻度ＤＥＴに応じた書込時間情報をアドレス信号に付与する。具体的には、図９に示すように、ＳｏＣ１０２は、書換頻度ＤＥＴ（単位時間当たりの書換回数）が１０００回よりも少ない場合には、通常の書込時間（書込時間１）で書込を行うことをアドレス信号に設定し、書換頻度ＤＥＴが１０００回以上の場合には、通常よりも長い書込時間（書込時間２）で書込を行うことをアドレス信号に設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の書換頻度に起因するリテンション性能の変動を補償する。尚、本例では、ＳｏＣ１０２がクロック信号ＣＫの周期を「書込時間２」（つまり書込時間の最大値）よりも長く設定することにより、クロック信号ＣＫの周期は周囲温度ＴＥＭＰに関係なく一定に保持されている。

図１０は、実施例２の車載検知システム１００Ｂにおける不揮発性メモリ１０１の書換頻度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の他の一例である。本例でも、書換頻度が多くなるとリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としている。

図１０に示すように、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。また、本例でも、ＳｏＣ１０２は、書換頻度ＤＥＴに応じた書込時間情報をアドレス信号に付与しておく。具体的には、ＳｏＣ１０２は、書換頻度ＤＥＴ（単位時間当たりの書換回数）が１０００回よりも少ない場合には、通常の書込時間（書込時間１）で書込を行うことをアドレス信号に設定し、書換頻度ＤＥＴが１０００回以上の場合には、通常よりも長い書込時間（書込時間２）で書込を行うことをアドレス信号に設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の書換頻度に起因するリテンション性能の変動を補償する。尚、本例では、書換頻度ＤＥＴが１０００回以上の場合には、ＳｏＣ１０２は、書込終了（書込時間２の経過）後にクロック信号ＣＫをｈｉｇｈに立上げることにより、言い換えると、書込終了まではクロック信号ＣＫをｌｏｗのままにしておくことにより、書換頻度ＤＥＴが１０００回よりも少ない場合と比べてクロック信号ＣＫの周期を長くしている。

図１１は、実施例２の車載検知システム１００Ｂにおける不揮発性メモリ１０１の書換頻度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の他の一例である。本例でも、書換頻度が多くなるとリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としている。

図１１に示すように、クロック信号ＣＫの周期は書換頻度ＤＥＴに関係なく一定に保持されている。また、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。本例では、ＳｏＣ１０２は、書込信号／ＷＥがｈｉｇｈに立上がるタイミングで不揮発性メモリ１０１への書込を終了する。具体的には、図１１に示すように、ＳｏＣ１０２は、書換頻度ＤＥＴ（単位時間当たりの書換回数）が１０００回よりも少ない場合には、書込信号／ＷＥを通常のタイミングでｈｉｇｈに立上げることにより、通常の書込時間（書込時間１）を設定する。一方、ＳｏＣ１０２は、書換頻度ＤＥＴが１０００回以上の場合には、書込信号／ＷＥを通常よりも遅いタイミングでｈｉｇｈに立上げることにより、通常よりも長い書込時間（書込時間２）を設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の書換頻度に起因するリテンション性能の変動を補償する。尚、本例では、ＳｏＣ１０２がクロック信号ＣＫの周期を「書込時間２」（つまり書込時間の最大値）よりも長く設定することにより、クロック信号ＣＫの周期は周囲温度ＴＥＭＰに関係なく一定に保持されている。

図１２は、実施例２の車載検知システム１００Ｂにおける不揮発性メモリ１０１の書換頻度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の他の一例である。本例でも、書換頻度が多くなるとリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象している。

図１２に示すように、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。また、本例でも、ＳｏＣ１０２は、書込信号／ＷＥがｈｉｇｈに立上がるタイミングで不揮発性メモリ１０１への書込を終了する。具体的には、図１２に示すように、ＳｏＣ１０２は、書換頻度ＤＥＴ（単位時間当たりの書換回数）が１０００回よりも少ない場合には、書込信号／ＷＥを通常のタイミングでｈｉｇｈに立上げることにより、通常の書込時間（書込時間１）を設定する。一方、ＳｏＣ１０２は、書換頻度ＤＥＴが１０００回以上の場合には、書込信号／ＷＥを通常よりも遅いタイミングでｈｉｇｈに立上げることにより、通常よりも長い書込時間（書込時間２）を設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の書換頻度に起因するリテンション性能の変動を補償する。尚、本例では、書換頻度ＤＥＴが１０００回以上の場合には、ＳｏＣ１０２は、書込終了（書込時間２の経過）後にクロック信号ＣＫをｈｉｇｈに立上げることにより、言い換えると、書込終了まではクロック信号ＣＫをｌｏｗのままにしておくことにより、書換頻度ＤＥＴが１０００回よりも少ない場合と比べてクロック信号ＣＫの周期を長くしている。

尚、実施例２において、不揮発性メモリ１０１の書込時間を変化させる書換頻度の閾値は、１０００回であるとして説明したが、特に限定されるものではなく、メモリ特性等に応じて１０００回よりも多く（但し１０００万回程度まで）又は少なく（但し１００回程度まで）設定してもよい。つまり、不揮発性メモリ１０１の種類に応じて書換頻度の閾値は１００回程度から１０００万回程度までの幅を持つので、メモリ特性等に適宜設定すればよい。また、必要に応じて書換頻度の閾値を多段階に設定してもよい。また、書換頻度の閾値における範囲、すなわち、精度は、例えば±１０％（閾値が１０００回なら、９００回から１１００回までの範囲）としてもよい。この範囲についてもメモリ特性等に応じて適宜設定可能である。

また、実施例２において、書換頻度が多くなるとリテンション性能が劣化するタイプの不揮発性メモリ１０１を対象としたが、これに代えて、書換頻度が多くなるとリテンション性能が改善するタイプの不揮発性メモリを使用する場合は、ＳｏＣ１０２は、書換頻度が閾値以上になった場合に、通常よりも短い書込時間で書込を行えばよい。

また、実施例１、２では不揮発性メモリの周囲温度や書換頻度に応じて、不揮発性メモリの制御信号を変化させたが、これに代えて、不揮発性メモリの性能や動作等に関連するその他の情報を検知して、当該検知情報に応じて不揮発性メモリの制御信号を変化させてもよい。

（変形例１）
前述の実施例１、２では、ＳｏＣ１０２が、検知部１０３（温度検知回路１０３Ａや書換頻度検知回路１０３Ｂ）の出力に応じて不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させることにより、不揮発性メモリ１０１の書込時間を変化させた。

それに対して、変形例１では、不揮発性メモリ１０１は複数のメモリアレイを有しており、ＳｏＣ１０２は、検知部１０３の出力に応じて不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させることにより、不揮発性メモリ１０１の書込対象メモリアレイを変える。

図１３は、変形例１の不揮発性メモリ１０１の構成の一例を示す模式図である。図１３に示すように、変形例１の不揮発性メモリ１０１は、高温下でのリテンション性能が通常のメモリアレイ１０１ａ（メモリアレイ１）と、高温下でのリテンション性能が優れたメモリアレイ１０１ｂ（メモリアレイ２）とを有している。

以下、変形例１に係る車載検知システムが、不揮発性メモリ１０１を除き、図３に示す実施例１に係る車載検知システムと同様の構成を有している場合について説明する。

変形例１によると、ＳｏＣ１０２は、温度検知回路１０３Ａの出力に応じて不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させることによって、不揮発性メモリ１０１の周囲温度に応じて、不揮発性メモリ１０１の書込対象メモリアレイを変えることができる。従って、不揮発性メモリ１０１の周囲温度に起因するリテンション性能の変動を補償することができるので、厳しい車載環境においても不揮発性メモリ１０１の性能を向上させることができる。

図１４は、変形例１における不揮発性メモリ１０１の周囲温度とＳｏＣ１０２の制御信号との関係を示すタイミング図の一例である。図１４において、「ＴＥＭＰ」は温度検知回路１０３Ａの出力（不揮発性メモリ１０１の周囲温度）、「ＣＫ」はクロック信号、「／ＷＥ」は書込信号、「アドレス」はアドレス信号、「データ」はデータ信号、「書込」は不揮発性メモリ１０１の書込時間をそれぞれ表す。

図１４に示すように、クロック信号ＣＫの周期は周囲温度ＴＥＭＰに関係なく一定に保持されている。また、クロック信号ＣＫがｈｉｇｈに立上がるときに、書込信号／ＷＥと新たなアドレス及びデータを不揮発性メモリ１０１が取り込み始めることにより、不揮発性メモリ１０１への書込が開始される。変形例１では、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰに応じた書込対象メモリアレイ情報をアドレス信号に付与する。具体的には、図１４に示すように、ＳｏＣ１０２は、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃よりも低い場合には、高温下でのリテンション性能が通常のメモリアレイ１に書込を行うことをアドレス信号に設定し、周囲温度ＴＥＭＰが５０℃以上の場合には、高温下でのリテンション性能が優れたメモリアレイ２に書込を行うことをアドレス信号に設定する。これにより、ＳｏＣ１０２は、不揮発性メモリ１０１の周囲温度に起因するリテンション性能の変動を補償する。

以上、変形例１に係る車載検知システムが、図３に示す実施例１に係る車載検知システム１００Ａと同様の構成を有している場合について説明したが、変形例１は、図８に示す実施例２の車載検知システム１００Ｂにも適用可能である。

すなわち、不揮発性メモリ１０１は、書換頻度が高いときのリテンション性能が通常のメモリアレイ（メモリアレイ１）と、書換頻度が高いときのリテンション性能が優れたメモリアレイ（メモリアレイ２）とを有し、ＳｏＣ１０２は、書換頻度検知回路１０３Ｂの出力に応じて不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させることによって、不揮発性メモリ１０１の書換頻度に応じて、不揮発性メモリ１０１の書込対象メモリアレイを変えてもよい。これにより、不揮発性メモリ１０１の書換頻度に起因するリテンション性能の変動を補償することができるので、厳しい車載環境においても不揮発性メモリ１０１の性能を向上させることができる。

この場合の不揮発性メモリ１０１の制御は、例えば、書換頻度が閾値よりも低い場合、書換頻度が高いときのリテンション性能が通常のメモリアレイ１に書込を行うことをアドレス信号に設定し、書換頻度が閾値以上の場合、書換頻度が高いときのリテンション性能が優れたメモリアレイ２に書込を行うことをアドレス信号に設定してもよい。

尚、変形例１において、不揮発性メモリ１０１の書込対象メモリアレイを変える周囲温度や書換頻度の閾値は、特に限定されるものではなく、メモリ特性等に応じて任意に設定でき、また、必要に応じて閾値を多段階に設定してもよい。

また、変形例１では不揮発性メモリ１０１の周囲温度や書換頻度に応じて、不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させたが、これに代えて、不揮発性メモリ１０１の性能や動作等に関連するその他の情報を検知して、当該検知情報に応じて不揮発性メモリの制御信号を変化させてもよい。

（変形例２）
図１５は、変形例２に係る車載検知システムのブロック図である。尚、図１５において、図１に示す車載検知システム１００と同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

前述の実施例１、２では、検知部１０３として、温度検知回路１０３Ａや書換頻度検知回路１０３Ｂを設けて、温度検知回路１０３Ａや書換頻度検知回路１０３Ｂの出力に応じてＳｏＣ１０２は不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させた。

それに対して、図１５に示す変形例２の車載検知システム１００Ｃでは、例えば車外の様子を撮影するためのカメラ用センサー（撮像センサー）等のセンサー１０４Ｃを用い、当該センサー１０４Ｃの出力に応じてＳｏＣ１０２は不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させる。すなわち、変形例２では、図１に示す車載検知システム１００の検知部１０３がセンサー１０４Ｃで構成されている。

センサー１０４Ｃが撮像センサーであれば、例えば、撮像情報の重要度に応じて不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させることにより、不揮発性メモリ１０１の書込時間や書込対象メモリアレイを変化させてもよい。

尚、変形例２は、センサー１０４Ｃが撮像センサー以外のセンサーである場合にも適用可能である。

また、実施例１の温度検知回路１０３Ａや実施例２の書換頻度検知回路１０３Ｂ等の検知部１０３と、変形例２のセンサー１０４Ｃとを併用して、これらの出力の組み合わせに応じてＳｏＣ１０２は不揮発性メモリ１０１の制御信号を変化させてもよい。

（変形例３）
図１６は、変形例３に係る車載検知システムのブロック図である。尚、図１６において、図１に示す車載検知システム１００と同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図１に示す車載検知システム１００では、検知部１０３は検知した情報をＳｏＣ１０２に直接出力した。

それに対して、図１６に示す変形例３の車載検知システム１００Ｄでは、検知部１０３Ｄで検知された情報は、ＣＡＮ（Controller Area Network）２００Ｄ及びＣＡＮマイコン１０５を経由してＳｏＣ１０２に出力される。

尚、変形例３において、ＳｏＣ１０２は、ＣＡＮ２００Ｄに接続された車両ＣＰＵの１つであってもよい。

また、変形例３において、検知部１０３Ｄに代えて、変形例２のセンサー１０４Ｃが設けられていてもよい。

以上に述べた実施形態（各実施例、変形例を含む。以下同じ。）の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物又はその用途を制限することを意図するものではなく、発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、実施例、変形例の任意の組み合わせが可能である。

また、以上に述べた実施形態では、ＳｏＣによって不揮発性メモリの制御信号を変化させることにより、不揮発性メモリの書込時間又は書込対象メモリアレイを変化させたが、不揮発性メモリの制御対象は、これらに限られるものではない。

また、以上に述べた実施形態では、ＳｏＣに用いられるメモリとして不揮発性メモリのみを設けたが、車両におけるアプリケーションによっては、不揮発性メモリに記憶されるデータの少なくとも一部については、ワークエリアとして機能するＤＲＡＭ等を別途設けてもよい。この場合にも、同じメモリ容量のＲＯＭとＤＲＡＭとが実装された従来の車載検知システムと比較して、ＤＲＡＭ等の容量を小さくすることができるので、システムの車両への搭載自由度を確保することができる。また、電源投入時における不揮発性メモリからＤＲＡＭ等へのデータ転送に要する時間を短縮することができる。

また、以上に述べた実施形態では、いずれもセンサーが設けられた構成について説明したが、センサーが設けられない構成であってもよい。例えば、車載検知システムは、検知部として温度検出回路を内蔵したＥＣＵ（Electronic Control Unit ）であってもよい。この場合、車載検知システムは、検出された温度に応じて不揮発性メモリの制御信号を変化させると共に、検出された温度を例えばＣＡＮ経由で外部機器に出力してもよい。このようにすると、ＥＣＵの温度を出力するための車載検知システムが構成される。

本開示は、システムオンチップを備えた車載検知システムとして有用である。

１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ車載検知システム
１０１不揮発性メモリ
１０１ａメモリアレイ１
１０１ｂメモリアレイ２
１０２ＳｏＣ
１０３、１０３Ｄ検知部
１０３Ａ温度検知回路
１０３Ｂ書換頻度検知回路
１０４、１０４Ｃセンサー
１０５ＣＡＮマイコン
１０６ＥＥＰＲＯＭ
１０７電源回路
２００、２００ＤＣＡＮ
３００外部電源

Claims

不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに対してデータの読出し及び書込みを行うシステムオンチップと、
前記システムオンチップに、前記不揮発性メモリの周囲温度、前記不揮発性メモリの書換頻度、又は車外の様子を撮影した撮像情報を検知情報として出力する検知部とを備え、
前記システムオンチップは、前記検知部の出力に応じて前記不揮発性メモリへ供給する複数の制御信号のうちのクロック信号以外の所定の制御信号を変化させることにより、前記不揮発性メモリの書込時間を変化させると共に、前記不揮発性メモリへ供給する前記クロック信号の周期を前記書込時間の最大値よりも長く設定することによって、前記不揮発性メモリへ供給する前記クロック信号の周期を一定に保持する、
車載検知システム。
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに対してデータの読出し及び書込みを行うシステムオンチップと、
前記システムオンチップに、前記不揮発性メモリの周囲温度、前記不揮発性メモリの書換頻度、又は車外の様子を撮影した撮像情報を検知情報として出力する検知部とを備え、
前記システムオンチップは、前記検知部の出力に応じて前記不揮発性メモリへ供給する複数の制御信号のうちのクロック信号以外の所定の制御信号を変化させることにより、前記不揮発性メモリの書込時間を変化させると共に、前記不揮発性メモリの書込時間の変化に合わせて、前記不揮発性メモリへ供給する前記クロック信号の１周期内で書込みが終了するように前記クロック信号の周期を変化させる、
車載検知システム。
請求項１又は２に記載の車載検知システムにおいて、
前記不揮発性メモリは複数のメモリアレイを有し、
前記システムオンチップは、前記不揮発性メモリへ供給する複数の制御信号のうちのクロック信号以外の所定の制御信号を変化させることにより、前記不揮発性メモリの書込対象メモリアレイを変える、
車載検知システム。
請求項１〜３のいずれか１項において、
前記検知部は、前記不揮発性メモリの内部又は近傍に配置されている、
車載検知システム。
車載検知システム。
請求項１〜４のいずれか１項に記載の車載検知システムにおいて、
前記検知部と前記システムオンチップとの間に介在するＣＡＮ（Controller Area Network）をさらに備えている、
車載検知システム。
請求項１〜５のいずれか１項に記載の車載検知システムにおいて、
前記不揮発性メモリは、ランダムアクセス可能なメモリである、
車載検知システム。
請求項６に記載の車載検知システムにおいて、
前記不揮発性メモリは、抵抗変化型メモリ（Resistance RAM）、強誘電体メモリ（Ferroelectric RAM）、磁気抵抗型メモリ（Magnetic RAM）又は相変化メモリ（Phase Change Memory)である、
車載検知システム。