CN110738750B - 车载探测系统及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种车载探测系统及其控制方法。车载探测系统(100)具备非易失性存储器(101)、针对非易失性存储器(101)进行数据的读出和写入的控制器(SoC)(102)以及向SoC(102)输出探测信息的探测部(103)。SoC(102)根据探测部(103)的输出来改变非易失性存储器(101)的控制信号。

Description

车载探测系统及其控制方法
技术领域
本公开涉及一种具备片上系统的车载探测系统。
背景技术
以实现自动驾驶等各种应用为目的，正在开发一种具备用于对由摄像机等探测出的信息进行处理的片上系统(SoC：System on Chip)的车载探测系统。
在以往的车载探测系统中，安装有能够高速存取的DRAM(Dynamic Random AccessMemory：动态随机存取存储器)来作为发挥SoC的工作区的功能的存储器。另外，由于DRAM为易失性存储器，因此为了保存SoC中执行的程序等，在以往的车载探测系统中，除了安装DRAM以外，还需要安装具有与DRAM相同的存储器容量的ROM(Read Only Memory：只读存储器)(专利文献1)。
专利文献1：日本特开2007-72627号公报
发明内容
本公开的目的在于提供一种能够针对车辆搭载传感器的高精度化、大容量化或车辆中的应用的增加而抑制存储器容量的增大的车载探测系统。
为了达成上述的目的，本公开所涉及的车载探测系统的一个方式具备非易失性存储器和控制器，还具备向所述控制器输出探测信息的探测部。所述控制器针对所述非易失性存储器进行数据的读出和写入。所述控制器根据所述探测部的输出来改变所述非易失性存储器的控制信号，由此改变所述车载探测系统中的所述非易失性存储器的数据的最小写入单位的写入时间。并且，通过将所述非易失性存储器的时钟周期设定为比所述写入时间的最大值长，来将所述非易失性存储器的时钟周期保持为固定。
另外，本公开所涉及的车载探测系统的其它方式具备非易失性存储器和控制器，还具备向所述控制器输出探测信息的探测部。所述控制器针对所述非易失性存储器进行数据的读出和写入。所述控制器根据所述探测部的输出来改变所述非易失性存储器的控制信号，由此改变所述车载探测系统中的所述非易失性存储器的数据的最小写入单位的写入时间。并且，配合所述非易失性存储器的写入时间的变化地改变所述非易失性存储器的时钟周期。
根据本公开所涉及的车载探测系统，片上系统根据探测部的输出来改变非易失性存储器的控制信号。因此，在恶劣的车载环境中也能够提高非易失性存储器的性能。例如，如果使用在高温下数据保持(retention)性能发生劣化的类型的非易失性存储器，则在非易失性存储器的周围温度例如为50℃以上的情况下，改变控制信号使得非易失性存储器的写入时间变长，由此能够维持非易失性存储器的数据保持性能。
如以上那样，根据本公开所涉及的车载探测系统，由于能够实现非易失性存储器的性能提高，因此关于非易失性存储器中存储的数据的至少一部分，无需另外设置作为工作区发挥功能的DRAM等RAM，而能够从片上系统对非易失性存储器直接进行数据的读出和写入。因而，能够抑制存储器容量、存储器设备数量的增大、也就是说基板面积的增大，因此能够确保向车辆搭载系统的自由度。另外，由于能够使系统低耗电化，因此还能够缩小壳体尺寸、使部件优化，因此还能够削减成本。
另外，根据本公开所涉及的车载探测系统，由于非易失性存储器的性能提高，从而能够采用将使用存储器设为只有非易失性存储器的结构、减少作为工作区发挥功能的DRAM等的容量的结构。因此，不仅能够在电源切断时由非易失性存储器保持数据，还能够在电源接通时不需要从非易失性存储器向DRAM等传送数据、或者缩短数据传送所需要的时间。因而，能够高速地使系统成为待机状态。
根据本公开，能够提供一种能够针对车辆搭载传感器的高精度化、大容量化或车辆中的应用的增加而抑制存储器容量的增大的车载探测系统。即，能够实现确保向车辆搭载系统的自由度且直到待机为止的等待时间短的车载探测系统。
附图说明
图1是实施方式所涉及的车载探测系统的框图。
图2是比较例所涉及的车载探测系统的框图。
图3是实施例1所涉及的车载探测系统的框图。
图4是示出实施例1所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的周围温度与控制信号的关系的时序图的一例。
图5是示出实施例1所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的周围温度与控制信号的关系的时序图的一例。
图6是示出实施例1所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的周围温度与控制信号的关系的时序图的一例。
图7是示出实施例1所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的周围温度与控制信号的关系的时序图的一例。
图8是实施例2所涉及的车载探测系统的框图。
图9是示出实施例2所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的重写频率与控制信号的关系的时序图的一例。
图10是示出实施例2所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的重写频率与控制信号的关系的时序图的一例。
图11是示出实施例2所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的重写频率与控制信号的关系的时序图的一例。
图12是示出实施例2所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的重写频率与控制信号的关系的时序图的一例。
图13是变形例1所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的结构图。
图14是示出变形例1所涉及的车载探测系统中的非易失性存储器的周围温度与控制信号的关系的时序图的一例。
图15是变形例2所涉及的车载探测系统的框图。
图16是变形例3所涉及的车载探测系统的框图。
具体实施方式
在说明本公开的实施方式之前，简单地说明以往的系统中的问题点。除了面向今后实现自动驾驶的摄像机用传感器(摄像传感器)的高精度化、大容量化以外，随着车辆中的应用的进一步增加，导致在以往的车载探测系统中将DRAM和ROM合起来的存储器容量增大。当存储器容量、也就是说DRAM和ROM占据安装基板的面积比率增大时，必须使基板面积增加，因此产生向车辆搭载系统的自由度受到限制的问题。
另外，在以往的车载探测系统中，在电源接通时需要从ROM向DRAM传送数据。因此，当系统规模变大而存储器容量增大时，直到系统成为待机状态为止所需要的时间变长。即，也产生从系统启动起直到使车辆起步为止所需要的时间变长这样的在实际使用上的问题。
下面，参照附图说明本公开的实施方式所涉及的车载探测系统。
图1是本实施方式所涉及的车载探测系统的框图。如图1所示，车载探测系统100具备：非易失性存储器101；片上系统(SoC)102，其是控制器，针对非易失性存储器101进行数据的读出和写入；以及探测部103，其向SoC 102输出探测信息，其中，SoC 102根据探测部103的输出来改变非易失性存储器101的控制信号。
作为非易失性存储器101，可以使用能够随机存取的非易失性存储器，例如可以使用阻变式存储器(Resistance RAM)、强电介质存储器(Ferroelectric RAM)、磁阻式存储器(Magnetic RAM)、相变存储器(Phase Change Memory)等。
SoC 102具备按照非易失性存储器101中存储的程序进行动作的微处理器或、微控制器作为主要的硬件结构。微处理器只要能够通过执行程序来实现功能即可，不限制其种类，例如可以由包括半导体集成电路(IC)或LSI(large scale integration：大规模集成电路)的一个或多个电子电路构成。多个电子电路可以被集成于一个芯片，也可以设置于多个芯片。多个芯片可以集成于一个装置，也可以设置于多个装置。或者，只要能够在控制器中实现与非易失性存储器101中存储的程序同等的功能即可，并不需要一定在非易失性存储器101中存储程序。
探测部103对与非易失性存储器101的性能、动作等相关联的信息、例如非易失性存储器101的周围温度、重写频率等进行探测。
车载探测系统100例如还具备用于拍摄车外的情形的摄像机用传感器(摄像传感器)等传感器104。由传感器104获取到的信息被输出到SoC 102，SoC 102使用例如从非易失性存储器101读出的程序对来自传感器104的输出信息进行处理。
另外，车载探测系统100可以连接于将搭载于车辆的多个控制单元相互连接的通信网络即CAN(Controller Area Network：控制器局域网)200。CAN 200例如经由总线将搭载于车辆的多个控制单元、各种车载传感器、开关装置等相互连接，由此控制单元之间能够实现数据的共享。在此，车载探测系统100也可以还具备用于在SoC 102与CAN 200之间进行通信的CAN微控制器(CAN Micro Controller)105、作为CAN微控制器105用的存储器的EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory：电可擦可编程只读存储器)106。
另外，车载探测系统100也可以还具备用于向非易失性存储器101、SoC 102、探测部103、CAN微控制器105以及EEPROM 106分别供给规定的电压的电源电路107。也可以从外部电源300向电源电路107供给电力。
根据以上说明的本实施方式，SoC 102根据探测部103的输出来改变非易失性存储器101的控制信号。因此，在恶劣的车载环境中也能够提高非易失性存储器101的性能。例如，如果使用在高温下数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101，则在非易失性存储器101的周围温度例如为50℃以上的情况下，改变控制信号使得非易失性存储器101的写入时间变长，由此能够对非易失性存储器101的数据保持性能的变动进行补偿。
像这样，根据本实施方式，由于能够实现非易失性存储器101的性能提高，因此无需另外设置作为工作区发挥功能的DRAM等，能够从SoC 102对非易失性存储器101直接进行数据的读出和写入。因而，能够抑制存储器容量、存储器设备数量的增大、也就是说基板面积的增大，因此能够确保向车辆搭载系统的自由度。另外，由于能够使系统低耗电化，因此还能够缩小壳体尺寸、使部件优化，因此还能够削减成本。
另外，根据本实施方式，由于能够提高非易失性存储器101的性能，因此能够采用将SoC 102使用的存储器设为只有非易失性存储器101的结构。换言之，也可以不设置作为SoC 102的工作区发挥功能的DRAM等。因此，由于不仅能够在电源切断时由非易失性存储器101保持数据，还能够在电源接通时不需要从非易失性存储器101向DRAM等传送数据，因此能够高速地使系统成为待机状态。
此外，在本实施方式中，当在非易失性存储器101的周围温度例如为50℃以上的情况下改变控制信号使得非易失性存储器101的写入时间变长时，存在从车载探测系统100向外部设备的响应变慢的情形。因此，也可以使得车载探测系统100输出例如将控制为非易失性存储器101的写入时间变长的情形经由CAN通知给外部设备的信号。
图2是比较例所涉及的车载探测系统的框图。如图2所示，车载探测系统150具备快闪存储器等ROM 151、SoC 152以及能够高速存取的DRAM等RAM 153。在ROM 151中保存有SoC152中执行的程序等，在电源接通时从ROM 151向RAM 153传送数据。因此，ROM 151与RAM153具有相同的存储器容量。另外，在系统运行时，SoC 152针对RAM 153进行数据的读出和写入。除此之外，车载探测系统150与图1所示的车载探测系统100同样地具备传感器154、CAN微控制器155、EEPROM 156。另外，车载探测系统150具备用于向ROM 151、SoC 152、RAM153、CAN微控制器155以及EEPROM 156分别供给规定的电压的电源电路157。
根据比较例的车载探测系统150，随着车辆中的应用的进一步增加、搭载传感器的高精度化、大容量化，导致ROM 151与RAM 153合起来的存储器容量增大。即，ROM 151和RAM153占据安装基板的面积比率增大，其结果，必须使基板面积增加，因此导致向车辆搭载系统的自由度受到限制。
另外，根据比较例的车载探测系统150，在电源接通时，需要从ROM 151向RAM 153传送数据。因此，当系统规模变大而存储器容量增大时，直到系统成为待机状态为止所需要的时间变长。即，产生从系统启动起直到使车辆起步为止所需要的时间变长这样的在实际使用上的问题。
(实施例1)
图3是实施例1所涉及的车载探测系统的框图。此外，在图3中，对与图1所示的车载探测系统100相同的结构要素标注相同的标记，并省略重复的说明。
图3所示的实施例1的车载探测系统100A具备温度探测电路103A来作为探测部103，该温度探测电路103A探测对非易失性存储器101的数据保持性能带来影响的非易失性存储器101的周围温度。温度探测电路103A可以配置在非易失性存储器101的内部或附近。在实施例1中，SoC 102根据温度探测电路103A的输出来改变非易失性存储器101的控制信号。因此，能够根据非易失性存储器101的周围温度对数据保持性能带来的影响的程度，来调整非易失性存储器101的写入时间。因而，能够对由于非易失性存储器101的周围温度引起的数据保持性能的变动进行补偿，因此在恶劣的车载环境中也能够提高非易失性存储器101的性能。
图4是示出实施例1的车载探测系统100A中的非易失性存储器101的周围温度与SoC 102的控制信号的关系的时序图的一例。在图4中，“TEMP”表示温度探测电路103A的输出(非易失性存储器101的周围温度)，“CK”表示时钟信号，“/WE”表示写入信号，“地址”表示地址信号，“数据”表示数据信号，“写入”表示车载探测系统100A中的数据的最小写入单位的非易失性存储器101的写入时间(在图5～图7中也相同)。此外，在本例中，将在高温下数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101作为对象。
如果是NAND型快闪存储器，则车载探测系统100A中的数据的写入单位为包括数据和管理区域的页(page)，例如为(512+16)字节，如果是NOR型快闪存储器，则为1个字节或1个字。
如图4所示，时钟信号CK的周期与周围温度TEMP无关，被保持为固定。另外，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。在本例中，SoC 102将与周围温度TEMP相应的写入时间信息附加于地址信号。具体地说，如图4所示，SoC 102在周围温度TEMP低于50℃的情况下，将以通常的写入时间(写入时间1：例如1微秒)进行写入设定给地址信号，在周围温度TEMP为50℃以上的情况下，将以比通常的时间长的写入时间(写入时间2：例如100微秒)进行写入设定给地址信号。由此，SoC 102对由于非易失性存储器101的周围温度引起的数据保持性能的变动进行补偿。此外，在本例中，通过SoC 102将时钟信号CK的周期设定为比“写入时间2”(也就是说，写入时间的最大值)长，由此时钟信号CK的周期与周围温度TEMP无关地被保持为固定。
此外，在以上的说明中，“写入时间1”例如为1微秒，“写入时间2”例如为100微秒，因此两者相差100倍，但是在图4的时序图中，为了易于理解说明，将“写入时间2”的宽度表现得比实际小。这样的表现在下面说明的其它时序图中也是同样的。
图5是示出实施例1的车载探测系统100A中的非易失性存储器101的周围温度与SoC 102的控制信号的关系的时序图的另外一例。在本例中，也是将在高温下数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101作为对象。
如图5所示，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。另外，在本例中，也是SoC 102将与周围温度TEMP相应的写入时间信息附加于地址信号。具体地说，如图5所示，SoC 102在周围温度TEMP低于50℃的情况下，将以通常的写入时间(写入时间1)进行写入设定给地址信号，在周围温度TEMP为50℃以上的情况下，将以比通常的时间长的写入时间(写入时间2)进行写入设定给地址信号。由此，SoC 102对由于非易失性存储器101的周围温度引起的数据保持性能的变动进行补偿。此外，在本例中，在周围温度TEMP为50℃以上的情况下，SoC 102通过在写入结束(写入时间2经过)后使时钟信号CK上升为高水平，换言之，通过在写入结束之前将时钟信号CK保持为低水平(low)的状态，由此与周围温度TEMP低于50℃的情况相比，使时钟信号CK的周期变长。
图6是示出实施例1的车载探测系统100A中的非易失性存储器101的周围温度与SoC 102的控制信号的关系的时序图的另外一例。在本例中，也是将在高温下数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101作为对象。
如图6所示，时钟信号CK的周期与周围温度TEMP无关，被保持为固定。另外，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。在本例中，SoC 102在写入信号/WE上升为高水平的定时结束向非易失性存储器101的写入。具体地说，如图6所示，在周围温度TEMP低于50℃的情况下，SoC 102通过使写入信号/WE在通常的定时上升为高水平，来设定通常的写入时间(写入时间1)。另一方面，在周围温度TEMP为50℃以上的情况下，SoC 102通过使写入信号/WE在比通常的定时晚的定时上升为高水平，来设定比通常的写入时间长的写入时间(写入时间2)。由此，SoC 102对由于非易失性存储器101的周围温度而引起的数据保持性能的变动进行补偿。此外，在本例中，通过SoC 102将时钟信号CK的周期设定为比“写入时间2”(也就是说，写入时间的最大值)长，由此时钟信号CK的周期与周围温度TEMP无关地被保持为固定。
图7是示出实施例1的车载探测系统100A中的非易失性存储器101的周围温度与SoC 102的控制信号的关系的时序图的另外一例。在本例中，也是将在高温下数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101作为对象。
如图7所示，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。另外，在本例中，也是SoC 102在写入信号/WE上升为高水平的定时结束向非易失性存储器101的写入。具体地说，如图7所示，在周围温度TEMP低于50℃的情况下，SoC 102通过使写入信号/WE在通常的定时上升为高水平，来设定通常的写入时间(写入时间1)。另一方面，在周围温度TEMP为50℃以上的情况下，SoC 102通过使写入信号/WE在比通常的定时晚的定时上升为高水平，来设定比通常的写入时间长的写入时间(写入时间2)。由此，SoC 102对由于非易失性存储器101的周围温度引起的数据保持性能的变动进行补偿。此外，在本例中，在周围温度TEMP为50℃以上的情况下，SoC 102通过在写入结束(写入时间2经过)后使时钟信号CK上升为高水平，换言之，通过在写入结束之前将时钟信号CK保持为低水平的状态，由此与周围温度TEMP低于50℃的情况相比，使时钟信号CK的周期变长。
此外，在实施例1中，设为用于改变非易失性存储器101的写入时间的周围温度的阈值为50℃进行了说明，但是没有特别限定，也可以根据存储器特性等设定为比50℃高或低。另外，也可以根据需要将周围温度的阈值设定为多个等级。另外，周围温度的阈值的范围、即精度例如可以设为±10％(如果阈值为50℃，则为45℃到55℃的范围)。关于该范围，也能够根据存储器特性等适当地设定。
另外，在实施例1中，将在高温下数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101设为对象，但是取而代之地，在使用在高温下数据保持性能得到改善的类型的非易失性存储器的情况下，SoC 102在周围温度为阈值以上时以比通常的写入时间短的写入时间进行写入即可。
另外，在实施例1中，例示了“写入时间1”为1微秒、“写入时间2”为100微秒的情况，但是“写入时间1”和“写入时间2”没有特别限定，能够根据存储器特性等适当地设定。例如，也可以是，如果使用的非易失性存储器101为阻变式存储器，则如上述的那样将“写入时间1”设为1微秒，将“写入时间2”设为100微秒，如果使用的非易失性存储器101为磁阻式存储器，则将“写入时间1”设为例如10纳秒～100纳秒左右，将“写入时间2”设为100微秒。像这样的关于“写入时间1”和“写入时间2”的说明在下述的实施例2中也是同样的。
(实施例2)
图8是实施例2所涉及的车载探测系统的框图。此外，在图8中，对与图1所示的车载探测系统100相同的结构要素标注相同的标记，并省略重复的说明。
图8所示的实施例2的车载探测系统100B具备重写频率探测电路103B来作为探测部103，该重写频率探测电路103B探测对非易失性存储器101的数据保持性能带来影响的非易失性存储器101的重写频率(每单位时间的重写次数)。重写频率探测电路103B可以配置在非易失性存储器101的内部或附近。在实施例2中，SoC 102根据重写频率探测电路103B的输出来改变非易失性存储器101的控制信号，因此能够根据非易失性存储器101的重写频率对数据保持性能带来的影响的程度，来调整非易失性存储器101的写入时间。因而，能够对由于非易失性存储器101的重写频率引起的数据保持性能的变动进行补偿，因此在恶劣的车载环境中也能够提高非易失性存储器101的性能。
图9是示出实施例2的车载探测系统100B中的非易失性存储器101的重写频率与SoC 102的控制信号的关系的时序图的一例。在图9中，“DET”表示重写频率探测电路103B的输出(非易失性存储器101的重写频率(每单位时间的重写次数))，“CK”表示时钟信号，“/WE”表示写入信号，“地址”表示地址信号，“数据”表示数据信号，“写入”表示非易失性存储器101的写入时间(在图10～图12中也相同)。此外，在本例中，将重写频率变多则数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101作为对象。
如图9所示，时钟信号CK的周期与重写频率DET无关，被保持为固定。另外，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。在本例中，SoC 102将与重写频率DET相应的写入时间信息附加于地址信号。具体地说，如图9所示，在重写频率DET(每单位时间的重写次数)少于1000次的情况下，SoC 102将以通常的写入时间(写入时间1)进行写入设定给地址信号，在重写频率DET为1000次以上的情况下，将以比通常的写入时间长的写入时间(写入时间2)进行写入设定给地址信号。由此，SoC 102对由于非易失性存储器101的重写频率引起的数据保持性能的变动进行补偿。此外，在本例中，通过SoC 102将时钟信号CK的周期设定为比“写入时间2”(也就是说，写入时间的最大值)长，由此时钟信号CK的周期与周围温度TEMP无关地被保持为固定。
图10是示出实施例2的车载探测系统100B中的非易失性存储器101的重写频率与SoC 102的控制信号的关系的时序图的另外一例。在本例中，也是将重写频率变多则数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101作为对象。
如图10所示，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。另外，在本例中，也是SoC 102将与重写频率DET相应的写入时间信息附加于地址信号。具体地说，在重写频率DET(每单位时间的重写次数)少于1000次的情况下，SoC 102将以通常的写入时间(写入时间1)进行写入设定给地址信号，在重写频率DET为1000次以上的情况下，将以比通常的写入时间长的写入时间(写入时间2)进行写入设定给地址信号。由此，SoC 102对由于非易失性存储器101的重写频率引起的数据保持性能的变动进行补偿。此外，在本例中，在重写频率DET为1000次以上的情况下，SoC 102通过在写入结束(写入时间2经过)后使时钟信号CK上升为高水平，换言之，通过在写入结束之前将时钟信号CK保持为低水平的状态，由此与重写频率DET少于1000次的情况相比，使时钟信号CK的周期变长。
图11是示出实施例2的车载探测系统100B中的非易失性存储器101的重写频率与SoC 102的控制信号的关系的时序图的另外一例。在本例中，也是将重写频率变多则数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101作为对象。
如图11所示，时钟信号CK的周期与重写频率DET无关，被保持为固定。另外，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。在本例中，SoC 102在写入信号/WE上升为高水平的定时结束向非易失性存储器101的写入。具体地说，如图11所示，在重写频率DET(每单位时间的重写次数)少于1000次的情况下，SoC 102通过使写入信号/WE在通常的定时上升为高水平，来设定通常的写入时间(写入时间1)。另一方面，在重写频率DET为1000次以上的情况下，SoC 102通过使写入信号/WE在比通常的定时晚的定时上升为高水平，来设定比通常的写入时间长的写入时间(写入时间2)。由此，SoC 102对由于非易失性存储器101的重写频率引起的数据保持性能的变动进行补偿。此外，在本例中，通过SoC 102将时钟信号CK的周期设定为比“写入时间2”(也就是说，写入时间的最大值)长，由此时钟信号CK的周期与周围温度TEMP无关地被保持为固定。
图12是示出实施例2的车载探测系统100B中的非易失性存储器101的重写频率与SoC 102的控制信号的关系的时序图的另外一例。在本例中，也是将重写频率变多则数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101作为对象。
如图12所示，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。另外，在本例中，也是SoC 102在写入信号/WE上升为高水平的定时结束向非易失性存储器101的写入。具体地说，如图12所示，在重写频率DET(每单位时间的重写次数)少于1000次的情况下，SoC 102通过使写入信号/WE在通常的定时上升为高水平，来设定通常的写入时间(写入时间1)。另一方面，在重写频率DET为1000次以上的情况下，SoC 102通过使写入信号/WE在比通常的定时晚的定时上升为高水平，来设定比通常的写入时间长的写入时间(写入时间2)。由此，SoC102对由于非易失性存储器101的重写频率引起的数据保持性能的变动进行补偿。此外，在本例中，在重写频率DET为1000次以上的情况下，SoC 102通过在写入结束(写入时间2经过)后使时钟信号CK上升为高水平，换言之，通过在写入结束之前将时钟信号CK保持为低水平的状态，由此与重写频率DET少于1000次的情况相比，使时钟信号CK的周期变长。
此外，在实施例2中，设为用于改变非易失性存储器101的写入时间的重写频率的阈值为1000次进行了说明，但是没有特别限定，也可以根据存储器特性等设定为比1000次多(但是到1000万次左右为止)或少(但是到100次左右为止)。也就是说，由于重写频率的阈值根据非易失性存储器101的种类而具有100次左右到1000万次左右的幅度，因此根据存储器特性等适当地设定即可。另外，也可以根据需要将重写频率的阈值设定为多个等级。另外，重写频率的阈值的范围、即精度例如可以设为±10％(如果阈值为1000次，则为900次到1100次的范围)。关于该范围，也能够根据存储器特性等适当地设定。
另外，在实施例2中，将重写频率变多则数据保持性能发生劣化的类型的非易失性存储器101设为对象，但是取而代之地，在使用重写频率变多则数据保持性能得到改善的类型的非易失性存储器的情况下，SoC 102在重写频率为阈值以上时以比通常的写入时间短的写入时间进行写入即可。
另外，在实施例1、2中，根据非易失性存储器的周围温度、重写频率来改变非易失性存储器的控制信号，但是取而代之地，也可以探测与非易失性存储器的性能、动作等相关联的其它信息，根据探测信息改变非易失性存储器的控制信号。
(变形例1)
在上述的实施例1、2中，SoC 102根据探测部103(温度探测电路103A、重写频率探测电路103B)的输出来改变非易失性存储器101的控制信号，由此改变非易失性存储器101的写入时间。
与此相对地，在变形例1中，非易失性存储器101具有多个存储器阵列，SoC 102根据探测部103的输出来改变非易失性存储器101的控制信号，由此改变非易失性存储器101的写入对象存储器阵列。
图13是示出变形例1的非易失性存储器101的结构的一例的示意图。如图13所示，变形例1的非易失性存储器101具有在高温下数据保持性能正常的存储器阵列101a(存储器阵列1)和在高温下数据保持性能优异的存储器阵列101b(存储器阵列2)。
下面，说明变形例1所涉及的车载探测系统除了非易失性存储器101以外具有与图3所示的实施例1所涉及的车载探测系统相同的结构的情况。
根据变形例1，SoC 102根据温度探测电路103A的输出来改变非易失性存储器101的控制信号，由此能够根据非易失性存储器101的周围温度选择存储器阵列1和存储器阵列2中的某一个来作为非易失性存储器101的写入对象存储器阵列。因而，能够对由于非易失性存储器101的周围温度引起的数据保持性能的变动进行补偿，因此在恶劣的车载环境中也能够提高非易失性存储器101的性能。
图14是示出变形例1中的非易失性存储器101的周围温度与SoC 102的控制信号的关系的时序图的一例。在图14中，“TEMP”表示温度探测电路103A的输出(非易失性存储器101的周围温度)，“CK”表示时钟信号，“/WE”表示写入信号，“地址”表示地址信号，“数据”表示数据信号，“写入”表示非易失性存储器101的写入时间。
如图14所示，时钟信号CK的周期与周围温度TEMP无关，被保持为固定。另外，在时钟信号CK上升为高水平(high)时，非易失性存储器101开始取入写入信号/WE和新的地址及数据，由此开始向非易失性存储器101写入。在变形例1中，SoC 102将与周围温度TEMP相应的写入对象存储器阵列信息附加于地址信号。具体地说，如图14所示，在周围温度TEMP低于50℃的情况下，SoC 102将对在高温下数据保持性能正常的存储器阵列1进行写入设定给地址信号，在周围温度TEMP为50℃以上的情况下，将对在高温下数据保持性能优异的存储器阵列2进行写入设定给地址信号。由此，SoC 102对由于非易失性存储器101的周围温度引起的数据保持性能的变动进行补偿。
以上说明了变形例1所涉及的车载探测系统具有与图3所示的实施例1所涉及的车载探测系统100A相同的结构的情况，但是变形例1也能够应用于图8所示的实施例2的车载探测系统100B。
即，非易失性存储器101也可以具有在重写频率高时数据保持性能正常的存储器阵列(存储器阵列1)和在重写频率高时数据保持性能优异的存储器阵列(存储器阵列2)，SoC 102根据重写频率探测电路103B的输出来改变非易失性存储器101的控制信号，由此根据非易失性存储器101的重写频率来改变非易失性存储器101的写入对象存储器阵列。由此，能够对由于非易失性存储器101的重写频率而引起的数据保持性能的变动进行补偿，因此在恶劣的车载环境中也能够提高非易失性存储器101的性能。
关于该情况下的非易失性存储器101的控制，例如也可以是，在重写频率低于阈值的情况下，将对在重写频率高时数据保持性能正常的存储器阵列1进行写入设定给地址信号，在重写频率为阈值以上的情况下，将对在重写频率高时数据保持性能优异的存储器阵列2进行写入设定给地址信号。
此外，在变形例1中，用于改变非易失性存储器101的写入对象存储器阵列的周围温度、重写频率的阈值没有特别限定，能够根据存储器特性等任意地设定，并且也可以根据需要将阈值设定为多个等级。
另外，在实施例1中，根据非易失性存储器101的周围温度、重写频率来改变非易失性存储器101的控制信号，但是取而代之地，也可以探测与非易失性存储器101的性能、动作等相关联的其它信息，根据探测信息改变非易失性存储器的控制信号。
(变形例2)
图15是变形例2所涉及的车载探测系统的框图。此外，在图15中，对与图1所示的车载探测系统100相同的结构要素标注相同的标记，并省略重复的说明。
在上述的实施例1、2中，设置温度探测电路103A或重写频率探测电路103B作为探测部103，SoC 102根据温度探测电路103A或重写频率探测电路103B的输出来改变非易失性存储器101的控制信号。
与此相对地，在图15所示的变形例2的车载探测系统100C中，例如使用用于拍摄车外的情形的摄像机用传感器(摄像传感器)等传感器104C，SoC 102根据传感器104C的输出来改变非易失性存储器101的控制信号。即，在变形例2中，图1所示的车载探测系统100的探测部103由传感器104C构成。
如果传感器104C为摄像传感器，则例如也可以根据摄像信息的重要度来改变非易失性存储器101的控制信号，由此改变非易失性存储器101的写入时间、写入对象存储器阵列。
此外，变形例2也能够应用于传感器104C为除摄像传感器以外的传感器的情况。
另外，也可以同时使用实施例1的温度探测电路103A或实施例2的重写频率探测电路103B等探测部103和变形例2的传感器104C，SoC 102根据这些输出的组合来改变非易失性存储器101的控制信号。
(变形例3)
图16是变形例3所涉及的车载探测系统的框图。此外，在图16中，对与图1所示的车载探测系统100相同的结构要素标注相同的标记，并省略重复的说明。
在图1所示的车载探测系统100中，探测部103将探测出的信息直接输出到SoC102。
与此相对地，在图16所示的变形例3的车载探测系统100D中，由探测部103D探测出的信息经由CAN(Controller Area Network：控制器局域网)200D和CAN微控制器105被输出到SoC 102。
此外，在变形例3中，SoC 102也可以是与CAN 200D连接的车辆CPU(CentralProcessing Unit：中央处理单元)之一。
另外，在变形例3中，也可以取代探测部103D而设置变形例2的传感器104C。
以上记述的实施方式(包括各实施例、变形例。下面相同。)的说明在本质上只是例示，并非意图限制本发明及其应用物或其用途，能够在发明的范围内进行各种变更。例如，能够进行实施例、变形例的任意组合。
另外，在以上记述的实施方式中，通过SoC改变非易失性存储器的控制信号，来改变非易失性存储器的写入时间或写入对象存储器阵列，但是非易失性存储器的控制对象不限于这些。
另外，在以上记述的实施方式中，作为SoC所使用的存储器，仅设置有非易失性存储器，但是根据车辆中的应用，也可以关于非易失性存储器中存储的数据的至少一部分，另外设置作为工作区发挥功能的DRAM等。在该情况下，与安装有相同的存储器容量的ROM和DRAM的以往的车载探测系统相比，也能够减小DRAM等的容量，因此能够确保向车辆搭载系统的自由度。另外，能够缩短在电源接通时从非易失性存储器向DRAM等传送数据所需要的时间。
另外，在以上记述的实施方式中，对均设置有传感器的结构进行了说明，但是也可以是不设置传感器的结构。例如，车载探测系统也可以是内置有温度检测电路来作为探测部的ECU(Electronic Control Unit：电子控制单元)。在该情况下，车载探测系统也可以根据检测出的温度来改变非易失性存储器的控制信号，并且将检测出的温度例如经由CAN输出到外部设备。像这样，构成用于输出ECU的温度的车载探测系统。
产业上的可利用性
本公开作为具备片上系统的车载探测系统是有用的。

Claims (15)

1.一种车载探测系统，具备非易失性存储器和控制器，其中，
所述车载探测系统还具备向所述控制器输出所述非易失性存储器的周围温度、所述非易失性存储器的重写频率、或者拍摄车外的情形所得到的摄像信息作为探测信息的探测部，
所述控制器针对所述非易失性存储器进行数据的读出和写入，
所述控制器根据所述探测部的输出来改变向所述非易失性存储器供给的多个控制信号中的除时钟信号以外的规定的控制信号，由此改变所述车载探测系统中的所述非易失性存储器的数据的最小写入单位的写入时间，并且通过将向所述非易失性存储器供给的所述时钟信号的周期设定为比所述写入时间的最大值长，来将向所述非易失性存储器供给的所述时钟信号的周期保持为固定，
所述控制器输出信号，该信号用于将所述车载探测系统中的所述非易失性存储器的数据的最小写入单位的写入时间改变的情形通知给外部设备。
2.根据权利要求1所述的车载探测系统，其特征在于，
所述非易失性存储器具有多个存储器阵列，
所述控制器通过改变向所述非易失性存储器供给的多个控制信号中的除时钟信号以外的规定的控制信号，选择所述多个存储器阵列中的任一个存储器阵列来作为所述非易失性存储器的写入对象存储器阵列。
3.根据权利要求1所述的车载探测系统，其特征在于，
所述探测部配置于所述非易失性存储器的内部或附近。
4.根据权利要求1或2所述的车载探测系统，其特征在于，
还具备存在于所述探测部与所述控制器之间的控制器局域网。
5.根据权利要求1或2所述的车载探测系统，其特征在于，
所述非易失性存储器为能够随机存取的存储器。
6.根据权利要求5所述的车载探测系统，其特征在于，
所述非易失性存储器为阻变式存储器、强电介质存储器、磁阻式存储器或相变存储器。
7.根据权利要求1所述的车载探测系统，
所述控制信号为地址信号。
8.一种车载探测系统，具备非易失性存储器和控制器，其中，
所述车载探测系统还具备向所述控制器输出所述非易失性存储器的周围温度、所述非易失性存储器的重写频率、或者拍摄车外的情形所得到的摄像信息作为探测信息的探测部，
所述控制器针对所述非易失性存储器进行数据的读出和写入，
所述控制器根据所述探测部的输出来改变向所述非易失性存储器供给的多个控制信号中的除时钟信号以外的规定的控制信号，由此改变所述车载探测系统中的所述非易失性存储器的数据的最小写入单位的写入时间，并且配合所述非易失性存储器的写入时间的变化来改变向所述非易失性存储器供给的所述时钟信号的周期，
所述控制器输出信号，该信号用于将所述车载探测系统中的所述非易失性存储器的数据的最小写入单位的写入时间改变的情形通知给外部设备。
9.根据权利要求8所述的车载探测系统，其特征在于，
所述非易失性存储器具有多个存储器阵列，
所述控制器通过改变向所述非易失性存储器供给的多个控制信号中的除时钟信号以外的规定的控制信号，选择所述多个存储器阵列中的任一个存储器阵列来作为所述非易失性存储器的写入对象存储器阵列。
10.根据权利要求8所述的车载探测系统，其特征在于，
所述探测部配置于所述非易失性存储器的内部或附近。
11.根据权利要求8或9所述的车载探测系统，其特征在于，
还具备存在于所述探测部与所述控制器之间的控制器局域网。
12.根据权利要求8或9所述的车载探测系统，其特征在于，
所述非易失性存储器为能够随机存取的存储器。
13.根据权利要求12所述的车载探测系统，其特征在于，
所述非易失性存储器为阻变式存储器、强电介质存储器、磁阻式存储器或相变存储器。
14.根据权利要求8所述的车载探测系统，
所述控制信号为地址信号。
15.一种车载探测系统的控制方法，该车载探测系统具备非易失性存储器，其中，
所述控制方法包括：
接收所述非易失性存储器的周围温度、所述非易失性存储器的重写频率、或者拍摄车外的情形所得到的摄像信息作为与非易失性存储器相关联的探测信息，
根据所述探测信息来改变向所述非易失性存储器供给的多个控制信号中的除时钟信号以外的规定的控制信号，
通过除时钟信号以外的规定的所述控制信号，改变所述车载探测系统中的所述非易失性存储器的数据的最小写入单位的写入时间以及将向所述非易失性存储器供给的所述时钟信号的周期设定为比所述写入时间的最大值长来将该时钟信号的周期保持为固定，
输出信号，该信号用于将所述车载探测系统中的所述非易失性存储器的数据的最小写入单位的写入时间改变的情形通知给外部设备，
针对所述非易失性存储器进行数据的读出和写入。
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