DE1000534B - Flaechengleichrichter bzw. -transistor - Google Patents

Flaechengleichrichter bzw. -transistor

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DE1000534B
DE1000534B DES42833A DES0042833A DE1000534B DE 1000534 B DE1000534 B DE 1000534B DE S42833 A DES42833 A DE S42833A DE S0042833 A DES0042833 A DE S0042833A DE 1000534 B DE1000534 B DE 1000534B
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DE
Germany
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rectifier
heat dissipation
transistor according
transistor
insulating material
Prior art date
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Application number
DES42833A
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English (en)
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Hans Nagorsen
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Priority to FR1119805D priority patent/FR1119805A/fr
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Priority to DES43586A priority patent/DE1017291B/de
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DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung einer Flächengleichrichter- bzw. -transistoranordnung auf der Basis eines Halbleiters vom Charakter des Germaniums oder Siliciums. Flächengleichrichter bzw. -transistoren dieser Art vertragen an sich gewohnlich eine relativ hohe spezifische elektrische Belastung, und es besteht dann das wichtige Problem, die an dem Gleichrichter entwickelte Verlustwärme in wirksamer Weise abzuführen, entweder damit der Flächengleichrichter bzw. -transistor keinen solchen Schaden erleiden kann, der zu seiner Unbrauchbarkeit führt oder eine solche Temperaturbeanspruchung erfährt, daß er vorübergehend unwirksam wird. Im allgemeinen wird es notwendig sein, daß das Flächengleichrichter- bzw. -transistorelement durch eine Halteeinrichtang getragen ist. Eine solche Halteeinrichtung wird dann vorzugsweise unmittelbar für die Abführung der Wärme ausgenutzt. In vielen Fällen ist es jedoch erwünscht, daß entweder das Flächentransistorelement unmittelbar oder zumindest über seinen Halter gegen die übrige Anordnung bzw. das Gerät elektrisch isoliert wird. In diesem Falle entsteht also an der Übergangsstelle, wo das Isoliermaterial eingefügt ist, ein Temperatursprung.
Durch die Erfindung läßt sich die nachteilige Wirkung dieses Temperatursprunges für die Wärmeabfuhr in beachtlichem Maße herabsetzen. Erfindungsgemäß wird die Halteeinrichtung des Flächengleichrichters bzw. -transistors bzw. die zur Wärmeabführung zwischen ihm und einem Träger benutzte Wärmeleitbrücke, die sich über eine Isolierschicht an den im Zuge der Wärmeabführung nachfolgenden Körper anlegt, mit einer größeren Fläche für die Berührung mit diesem Körper ausgestattet, als sie durch die geometrische Grundform für dessen Oberflächenform \Orgegeben wäre. Hat z. B. ein solcher Körper die Form einer Pyramide oder eines Quaders oder eines Prismas, so wird erfindungsgemäß die Berührungsfläche, mit welcher sich der Halter über eine elektrische Isoliermaterialschicht gegen den im Zuge der Wärmeabfuhr folgenden Körper anlegt, gegenüber der durch die geometrische Grundform des Körpers vorgegebenen Oberflächenausdehnung vergrößert. Das kann z. B. erfolgen, indem er an dieser Stelle mit entsprechenden Vertiefungen versehen ist, die eine Passung mit entsprechenden Erhöhungen an dem anderen Körper eingehen, so daß also die Oberflächenformen der Körper ineinander eingreifen. Hierfür kann auch an dem einen Körper eine innere Mantelfläche eines Hohlraumes einer äußeren Mantelfläche an den anderen Körper an der Übergangsstelle zugeordnet sein, wie z. B. ein Konus einem Hohlkonius. Es ist auch möglich, dieses gegenseitige Eingreifen derart zu gestalten, daß an dem einen Körper Formen Flächengleichrichter bzw. -transistor
Anmelder: Siemens-Schuckertwerke,
Aktiengesellschaft, Berlin und Erlangen, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Hans Nagorsen, Berlin-Siemensstadt,
ist als Erfinder genannt worden
gebildet sind, die nach Art der Zinken eines Kammes mit entsprechenden Gegenzinken an dem anderen Teil ineinandergreifen. Eine solche Anordnung hat dien Vorzug, daß sich als Isolierschicht zwischen den beiden Körpern ein zunächst ebenes Gebilde einlegen läßt, beispielsweise eine Folie, etwa aus Triacetat od. dgl. Es steht auch nichts im Wege, gegebenenfalls allein oder zusätzlich an dien Berührungsflächen als Isoliermittel einen geeigneten Stoff zu benutzen, der sich in einer entsprechenden, den elektrischen Anforderungen genügenden dünnen Schicht durch einen Spritzprozeß, Gießprozeß od. dgl. aufbringen oder genetisch z. B. durch einen chemischen oder elektrischem Behandlungsprozeß erzeugen läßt. Hierfür eignen sich insbesondere Stoffe, die gleichzeitig eine relativ gute Wärmeleitfähigkeit haben. Das sind solche keramischen Charakters, wie insbesondere auch Quarz.
Einige beispielsweise Anordnungen für die Anwendung der Erfindung Veranschaulichen die Figuren der Zeichnung.
In den Fig. 1 und 2, welche zwei einander entsprechende Risse zeigen und wobei Fig. 1 eine Schnittdarstellung gemäß der Linie I-I der Fig. 2 ist, bezeichnet 1 das Flächentransistorelement mit dem Halbleiterkörper ia und den drei Eelektroden I6, ic und id. Gegen die beiden Elektroden I6 und ic legen sich die beiden Körper 2 und 3, welche einerseits für die Halterung des Transistorelementes 1 dienen und gleichzeitig auch für die Wärmeabfuhr von diesem. An diesen beiden Teilen 2 und 3 sind unmittelbar die weiteren elektrischen Anschlüsse 4 und 5 der beiden Elektroden I6 und ic vorgesehen. Der dritte Anschluß
des Elementes, nämlich derjenige der Basiselektrode id, ist mit 6 bezeichnet. Die Teile 2 und 3 wirken über kammartig gestaltete Übergangsflächen zusammen mit dem Körper 7, wobei an diesen Übergangsflächen eine Isoliermaterialfolie 8 eingefügt ist, die der Einfachheit halber nur durch einen stärkeren Linienzug angedeutet ist. An dem Körper 7 sind noch mit Gewinde versehene Bohrungen 9 und 10 vorgesehen, durch welche sich das Aggregat an irgendeinem anderen Körper mechanisch und für die weitere Wärmeabfuhr befestigen läßt. Zum Schutz der gesamten Anordnung ist noch eine Kappe 11 vorgesehen, die mit entsprechenden isolierenden Durchführungen 12 bis 14 versehen ist, z. B. aus Glas, und die an ihrem unteren Rande über ein geeignetes Dichtungsmittel 15 mit dem Körper 7 verbunden ist, während sie gegenüber den Haltern 2 und 3 unmittelbar durch die Isoliermaterialfolie 8 elektrisch isoliert ist. Zum gegenseitigen Zusammenspannen der drei Körper 2 bzw. 3 und 7 sind zwei Schraubverbindungen vorgesehen in Form der Schrauben 16, die in entsprechende Gewindelöcher 17 an dem Körper 7 eingeschraubt sind. Hierbei müssen die Schrauben 16 über entsprechende Isoliermaterialzwischenlagen 18 gegen die Körper 2 bzw. 3 elektrisch isoliert sein. Aus dieser Darstellung ist zu erkennen, daß durch diese Anordnung gemäß der Erfindung ein guter Wärmeübergang zwischen den beiden Körpern 2 und 3, welche die Wärme von dem Transistorelement 1 übernehmen, an den Körper 7 trotz der zwischen dem Körper 7 und den beiden anderen Körpern 2 und 3 benutzten elektrischen Isolation erreicht ist.
Die Fig. 3 und 4 zeigen zwei weitere Ausführungsbeispiele einer Anordnung gemäß der Erfindung in teilweiser Darstellung. In diesem Falle sind die Körper 2' und 3' jeweils mit einer konischen Aussparung 2/ versehen. Der dem Körper 7 nach Fig. 1 entsprechende Körper 19-20 dieser Anordnung ist von der Übergangsstelle zu den Körper 2' bzw. 3' konusartig gestaltet, wobei an dieser Übergangsstelle wieder eine entsprechende Isolation 8' benutzt ist. An Stelle des Körpers 7 nach Fig. 1 sind in diesem Falle zwei Körper 19 vorgesehen, von denen nur der eine dargestellt ist. Dieser ist an einer Grundplatte 20 durch eine Schraubverbindung 21 befestigt.
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 zeigt eine Abwandlung einer Anordnung nach Fig. 3, wobei in diesem Falle statt einer konischen Übergangsstelle eine zylindrische Übergangsstelle zwischen den Haltern, wie z. B. 2" und dem Körper 19", benutzt ist. Die Isoliermaterialeinlage ist wieder mit 8" bezeichnet.

Claims (5)

  1. PA TE N TA N S P R 0 C H E:
    ι. Flächengleichrichter bzw.-transistor, dadurch gekennzeichnet, daß seine Halteeinrichtung bzw. die zur Wärmeabführung zwischen ihm und einem Träger benutzte Wärmeleitbrücke, die sich über eine Isolierschicht an den im Zuge der Wärmeabführung nachfolgenden Körper anlegt, mit einer größeren Fläche für die Berührung mit diesem Körper ausgestattet ist, als sie durch die geometrische Grundform für dessen Oberflächenform vorgegeben wäre.
  2. 2. Flächengleichrichter bzw. -transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halter bzw. die Wärmeleitbrücke und der im Zuge der Wärmeabführung nachfolgende Körper mit ihren Oberflächen kammartig ineinandergreifen.
  3. 3. Flächengleichrichter bzw. -transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Berührungsflächen der beiden Körper eine Isoliermaterialschicht in Form einer Folie eingelegt ist.
  4. 4. Flächengleichrichter bzw. -transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Oberflächenformen mit guter Passung ineinandergreifen und auf sie bzw. mindestens eine derselben eine entsprechende Isoliermaterialschicht durch einen Spritz-, Gieß- oder Zerstäubungsprozeß aufgebracht oder an einer oder beiden einander gegenüberliegenden Flächen der Körper eine entsprechende Isolierschicht erzeugt ist, z. B. durch elektrische Oxydation od. dgl.
  5. 5. Flächengleichrichter bzw. -transistor nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergangsquerschnitt zwischen dem Halter, welcher mit dem Gleichrichterelement in Kontakt ist, und dem im Zuge der Wärmeabfuhr folgenden Körper dadurch gebildet wird, daß einer der beiden Körper derart mit einem Hohlraum versehen ist, daß der andere Körper in diesen mit einer entsprechenden Passung eingeführt werden kann und sich über die Isoliermaterialschicht gegen diesen anderen legt.
    In Betracht gezogene Druckschriften: Proc. IRE, Bd. 42, 1954, H. 8, S. 1247 bis 1250.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    © 609 740/336 12.56
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US404086A US2933662A (en) 1954-01-14 1954-01-14 Semiconductor rectifier device
GB539/55A GB777985A (en) 1954-01-14 1955-01-07 Improvements in or relating to semi-conductor rectifying devices
FR1119805D FR1119805A (fr) 1954-01-14 1955-01-13 Appareil redresseur à semi-conducteur
DES42833A DE1000534B (de) 1954-01-14 1955-02-26 Flaechengleichrichter bzw. -transistor
DES43586A DE1017291B (de) 1954-01-14 1955-04-20 Flaechengleichrichter bzw. Transistor
US529304A US2780759A (en) 1954-01-14 1955-08-18 Semiconductor rectifier device
CH342660D CH342660A (de) 1954-01-14 1956-02-17 Halbleitereinrichtung mit mindestens einem flächenhaften p-n-Übergang
GB6089/56A GB803295A (en) 1954-01-14 1956-02-27 Improvements in or relating to p-n junction rectifier or p-n junction transistor assemblies

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US404086A US2933662A (en) 1954-01-14 1954-01-14 Semiconductor rectifier device
DES42833A DE1000534B (de) 1954-01-14 1955-02-26 Flaechengleichrichter bzw. -transistor
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NL (3) NL193055A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2363194A1 (fr) * 1976-08-28 1978-03-24 Semikron Gleichrichterbau Dispositif semi-conducteur a evacuation bilaterale de chaleur
EP0042693A2 (de) * 1980-06-21 1981-12-30 LUCAS INDUSTRIES public limited company Baugruppe mit Leistungshalbleitern und Verfahren zur Herstellung derselben
DE3141643A1 (de) * 1980-10-30 1982-08-19 Cableform Ltd., Romiley, Stockport, Cheshire Mit einem kuehlkoerper ausgestatteter hochleistungs-halbleiteraufbau und verfahren zu seiner herstellung

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE538791A (de) * 1951-06-08 1900-01-01
GB806596A (en) * 1955-04-01 1958-12-31 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to semi-conductor devices
NL207356A (de) * 1955-05-23
US2889498A (en) * 1955-11-08 1959-06-02 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier assembly
DE1206528B (de) * 1956-07-11 1965-12-09 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung aus n-Germanium
US2994017A (en) * 1956-09-07 1961-07-25 Int Rectifier Corp Air-cooled rectifier assembly
DE1192322C2 (de) * 1956-09-24 1966-01-13 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1087706B (de) * 1956-09-24 1960-08-25 Siemens Ag Flaechengleichrichteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
GB859849A (en) * 1957-04-03 1961-01-25 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
DE1087707B (de) * 1957-04-18 1960-08-25 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Flaechengleichrichter- bzw. Flaechentransistoranordnung und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
DE1088619B (de) * 1957-04-18 1960-09-08 Siemens Ag Flaechengleichrichter- bzw. Flaechentransistoranordnung und Verfahren und Einrichtung zu ihrer Herstellung
DE1062823B (de) * 1957-07-13 1959-08-06 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps
US3007088A (en) * 1957-09-26 1961-10-31 Int Rectifier Corp Rectifier and means for mounting the same
NL231561A (de) * 1957-12-20
US3064178A (en) * 1958-05-19 1962-11-13 Union Carbide Corp Inert-gas arc rectifier
DE1098618B (de) * 1958-07-25 1961-02-02 Telefunken Gmbh Gehaeuse fuer Halbleiteranordnungen kleinster Abmessungen
US2983853A (en) * 1958-10-01 1961-05-09 Raytheon Co Semiconductor assembly structures
US2994121A (en) * 1958-11-21 1961-08-01 Shockley William Method of making a semiconductive switching array
US3025436A (en) * 1959-08-19 1962-03-13 Itt High current rectifier
DE1109794B (de) * 1959-08-22 1961-06-29 Elektronik M B H Verfahren zum Einbau eines Flaechengleichrichterelements in ein luftdicht verschlossenes Gehaeuse
DE1211293B (de) * 1960-05-11 1966-02-24 Ass Elect Ind Halbleiteranordnung mit einem in einen Hohlleiter eingesetzten Halbleiterelement
DE1185728B (de) * 1960-05-18 1965-01-21 Siemens Ag Halbleiteranordnung, insbesondere Flaechengleichrichter oder -transistor mit einem einkristallinen Halbleiterelement
US3068382A (en) * 1960-05-23 1962-12-11 Westinghouse Electric Corp Hermetically sealed semiconductor devices
US3010057A (en) * 1960-09-06 1961-11-21 Westinghouse Electric Corp Semiconductor device
DE1191044B (de) * 1960-12-03 1965-04-15 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Silizium-Flaechengleichrichter, -Transistoren oder Halbleiterstromtore
US3217379A (en) * 1960-12-09 1965-11-16 Texas Instruments Inc Method for forming pn junctions in indium antimonide with special application to infrared detection
US3144501A (en) * 1961-01-19 1964-08-11 Int Rectifier Corp Seal for semiconductor rectifier
NL275010A (de) * 1961-03-28 1900-01-01
NL135880C (de) * 1961-07-12 1900-01-01
DE1277445B (de) * 1961-08-26 1968-09-12 Siemens Ag Isolierter, gasdichter, koaxial zu einem Anschlussbolzen liegender Steuerelektroden-anschluss fuer Halbleiterbauelemente
DE1213924B (de) * 1961-08-30 1966-04-07 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem in einem Gehaeuse gasdicht eingeschlossenen Halbleiterelement
US3218524A (en) * 1961-10-12 1965-11-16 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices
BE624012A (de) * 1961-10-27
CH397058A (de) * 1962-01-10 1965-08-15 Bbc Brown Boveri & Cie Anordnung für das Anschliessen der Steuerelektrode bei einem steuerbaren Halbleiter-Gleichrichter
DE1248808B (de) * 1962-03-23 1900-01-01
GB1004020A (en) * 1964-04-24 1965-09-08 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the mounting of electrical components
US3413532A (en) * 1965-02-08 1968-11-26 Westinghouse Electric Corp Compression bonded semiconductor device
NL136731C (de) * 1965-06-23
US3581163A (en) * 1968-04-09 1971-05-25 Gen Electric High-current semiconductor rectifier assemblies
SE350874B (de) * 1970-03-05 1972-11-06 Asea Ab
DE2603813C2 (de) * 1976-02-02 1982-11-18 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Spannvorrichtung für ein thermisch und elektrisch druckkontaktiertes Halbleiterbauelement in Scheibenzellenbauweise
US4161747A (en) * 1978-02-24 1979-07-17 Nasa Shock isolator for operating a diode laser on a closed-cycle refrigerator
US4333101A (en) * 1979-07-19 1982-06-01 Flight Systems, Inc. Semiconductor heat sink mounting assembly
JP6464362B2 (ja) * 2017-02-14 2019-02-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 スクリーン印刷装置及びスクリーン印刷方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2468051A (en) * 1949-04-26 escoffery
DE303833C (de) *
US1751360A (en) * 1924-09-22 1930-03-18 Ruben Rectifier Corp Electric-current rectifier
US1799854A (en) * 1926-10-20 1931-04-07 Levy Lucien Current rectifier
US1728537A (en) * 1927-08-25 1929-09-17 Union Switch & Signal Co Electrical rectifier
US1905703A (en) * 1929-12-12 1933-04-25 Gen Electric Contact rectifier
US2383735A (en) * 1943-04-02 1945-08-28 William A Ray Rectifier
US2441603A (en) * 1943-07-28 1948-05-18 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating materials and method of making them
NL149164B (nl) * 1948-12-29 Made Labor Sa Werkwijze ter bereiding van een zout van 5-hydroxytryptofan.
US2662997A (en) * 1951-11-23 1953-12-15 Bell Telephone Labor Inc Mounting for semiconductors
BE525428A (de) * 1952-12-30
BE527420A (de) * 1953-03-20
US2790089A (en) * 1953-03-23 1957-04-23 Nat Aircraft Corp Three-element semi-conductor device
US2734154A (en) * 1953-07-27 1956-02-07 Semiconductor devices
US2781480A (en) * 1953-07-31 1957-02-12 Rca Corp Semiconductor rectifiers
US2720617A (en) * 1953-11-02 1955-10-11 Raytheon Mfg Co Transistor packages
US2861230A (en) * 1953-11-24 1958-11-18 Gen Electric Calorized point contact electrode for semiconductor devices
US2725505A (en) * 1953-11-30 1955-11-29 Rca Corp Semiconductor power devices
US2796563A (en) * 1955-06-10 1957-06-18 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2363194A1 (fr) * 1976-08-28 1978-03-24 Semikron Gleichrichterbau Dispositif semi-conducteur a evacuation bilaterale de chaleur
EP0042693A2 (de) * 1980-06-21 1981-12-30 LUCAS INDUSTRIES public limited company Baugruppe mit Leistungshalbleitern und Verfahren zur Herstellung derselben
EP0042693A3 (en) * 1980-06-21 1982-06-09 Lucas Industries Public Limited Company Semi-conductor power device assembly and method of manufacture thereof
DE3141643A1 (de) * 1980-10-30 1982-08-19 Cableform Ltd., Romiley, Stockport, Cheshire Mit einem kuehlkoerper ausgestatteter hochleistungs-halbleiteraufbau und verfahren zu seiner herstellung

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Publication number Publication date
NL204333A (de) 1900-01-01
DE1017291B (de) 1957-10-10
US2933662A (en) 1960-04-19
CH342660A (de) 1959-11-30
US2780759A (en) 1957-02-05
GB803295A (en) 1958-10-22
GB777985A (en) 1957-07-03
BE534817A (de) 1900-01-01
NL193055A (de) 1900-01-01
NL96864C (de) 1900-01-01
FR1119805A (fr) 1956-06-26

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