DE303833C - - Google Patents

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DE303833C
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched

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Description

Den Gegenstand der Erfindung bildet eine Einrichtung zum Empfang elektrischer Schwingungen, bei der eine aus einem wellenempfindlichen Material bestehende Kontaktstelle zur ■ 5 Umformung der hochfrequenten Schwingungen in Gleichstrom benutzt wird. Bei den bisher üblichen derartigen, Einrichtungen hat es sich herausgestellt, daß die wellenempfindlichen Kontaktstellen sehr bald an Wirksamkeit verlieren, da,· wie Versuche ergeben haben, das als Gegenelektrode' verwendete Material, wie z. B. Kupfer, Stahl, Bronze oder Aluminium, an den Berührungsstellen leicht einer Oxydation unterworfen ist. Der Ersatz des Gegenelektrogenmaterials durch schwer oxydierbare Metalle, wie z. B. Gold und Platin, haben
. den. Übelstand nicht beseitigen können, weil diese« Metalle durch den erforderlichen Druck an der Berührungsstelle leicht deformiert werden und dadurch leicht eine Änderung des Flächen- und Druckverhältnisses an der wellenempfindlichen Kontaktstelle verursacht wird. Durch vorliegende Erfindung werden diese' Nachteile vermieden, und zwar besteht die Erfindung darin, daß als Gegenelektrode ein schwer deformierbares und nicht oxydierendes Metall, wie z. B. Wolfram, Tantal oderMolybdän "verwendet (wird. Die Erfindung ist in der Zeichnung in einer beispielsweisen Ausführungsform' schematisch dargestellt. An dem Sockel 1 ist der Elektrodenhalter 2 mit der aus Silizium bzw. Karborund bestehenden Elektrode 3 befestigt, während von dem Elektrodenträger 4 die in Form einer Feder hergestellte Gegenelektrode 5 mit der Kappe 6 getragen wird. 3^ Die gesamte Einrichtung wird durch die Schutzkappe 7 überdeckt und mittels der Kontaktstöpsel 8 in den Stromkreis eingeschaltet. Die Gegenelektrode 5 besteht aus einem schwer deformierbaren und nicht oxydierenden Metall, wie z. B. Wolfram, Tantal, Molybdän o. dgl. Silizium- und Karborunddetektoren, deren Gegenelektrode aus Tantal, Wolfram, Molybdän o. dgl. besteht, besitzen nicht nur eine sehr hohe Empfindlichkeit, sondern auch eine fast unbegrenzte Lebensdauer.

Claims (1)

  1. Patent-Anspruch:
    Wellenempfindliche Kontaktstelle, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Elektrode aus Silizium oder dessen Verbindungen " . besteht, während als Gegenelektrode ein schwer deformierbares und nicht oxydierendes Metall, wie z. B. Wolfram, Tantal, Molybdän o. dgl. benutzt wird.
    Hierzu i Blatt Zeichnungen.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1017291B (de) * 1954-01-14 1957-10-10 Siemens Ag Flaechengleichrichter bzw. Transistor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1017291B (de) * 1954-01-14 1957-10-10 Siemens Ag Flaechengleichrichter bzw. Transistor

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