DE1017291B - Flaechengleichrichter bzw. Transistor - Google Patents

Flaechengleichrichter bzw. Transistor

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DE1017291B
DE1017291B DES43586A DES0043586A DE1017291B DE 1017291 B DE1017291 B DE 1017291B DE S43586 A DES43586 A DE S43586A DE S0043586 A DES0043586 A DE S0043586A DE 1017291 B DE1017291 B DE 1017291B
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DE
Germany
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rectifier
transistor according
holding
influence
transistor
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DES43586A
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English (en)
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Hans Nagorsen
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Siemens AG
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Siemens AG
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Priority to FR1119805D priority patent/FR1119805A/fr
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Description

DEUTSCHES
Durch dieHauptpatentanmeldung S 42833 VIII c/21g ist ein neuartiger Aufbau für Flächengleichrichter bzw. Transistoren vorgeschlagen worden, bei welchem die Halteeinrichtung des Gleichrichter- bzw. Transistorelements bzw. die zur Wärmeabführung zwischen diesem Element und einem Träger benutzte Wärmeleitbrücke, die sich über eine Isolierschicht an den im Zuge der Wärmeabführung nachfolgenden Körper legt, mit einer größeren Fläche für die Berührung mit diesem Körper ausgestattet ist, als sie durch die geometrische Grundform für die Oberflächenform des Körpers vorgegeben wäre. Nach der Hauptpatentanmeldung ist für die gegenseitige Berührungsfläche der beiden aneinanderliegenden Körper unter anderem auch eine Fläche von kammartigem Querschnitt vorgeschlagen worden. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird vorzugsweise die kammartige Gestaltung der Oberfläche beider Körper derart gewählt, daß die vergrößerte Oberflächenform des bzw. der Halter, zwischen denen das Flächengleichrichter- bzw. Transistorelement eingespannt ist, gleichzeitig für die das Gleichrichterelement einspannenden Haltekörper eine Führung bildet, an welcher jene nach dem Zusammenspannen festgelegt werden. Auf diese Weise findet eine doppelte Ausnutzung der Oberflächenform statt, über welche die beiden Körper, welche das Gleichrichterelement bzw. Transistorelement halten bzw. ein-. spannen, und deren Träger aneinander- bzw. einander gegenüberliegen. Sie bildet zunächst einen großen Wärmeübergangsquerschnitt für die Wärmeableitung und übernimmt gleichzeitig die mechanische Funktion der Bildung seiner Führung bei der Montage der Anordnung. Natürlich wird im Sinne der Hauptpatentanmeldung beibehalten, daß zwischen den beiden einander zugewandten Oberflächenformen des Haltekörpers bzw. der Haltekörper und des diesen tragenden bzw. ihm in der Wärmeableitung nachfolgenden Körpers eine entsprechende Isolierschicht benutzt wird, damit eine elektrische Isolation der beiden das Gleichrichterelement haltenden Körper gewährleistet ist und diese Körper unmittelbar als Träger bzw. Anschlußstücke für die elektrischen Zuleitungen bzw. Ableitungen von dem Gleichrichter- bzw. Transistorelement ausgenutzt werden können. Für eine gute Wärmeableitung ist es außerdem wichtig, daß eine möglichst gute gegenseitige Anlage der Körper aneinander an der Wärmeübergangsstelle stattfindet. Im Sinne dieser Zielsetzung liegt es auch, daß die isolierende Zwischenschicht sich möglichst gut den Oberflächenformen der beiden Körper anpaßt, zwischen welchen die Wärme übertragen werden soll. Es wird daher vorzugsweise in Verbindung mit der Erfindung eine isolierende Zwischenlage aus einem solchen Werkstoff benutzt, bei welchem unter dem Flächengleichrichter bzw. Transistor
Zusatz zur Patentanmeldung S 42833 VHIc/21 g
(Auslegescarift 1 000 534)
Anmelder:
Siemens-Sctmckertwerke
Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Hans Nagorsen, Berlin-Siemensstadt,
ist als Erfinder genannt worden
Einfluß des Zusammendrückens bzw. gegebenenfalls einer gleichzeitigen zusätzlichen Wärmeanwendung ein Fließen des Werkstoffes stattfindet, so daß also die erwünschte gute gegenseitige Anpassung der Oberflächenformen erreicht wird. Für die Zwecke dieser Isolierschichten eignen sich daher insbesondere plastisch verformbare Kunststoffolien mit einem gewissen Fließvermögen, die vorteilhafterweise geeignete mineralische Füllstoffe aufweisen, um auf diese Weise das Wärmeleitvermögen dieser Zwischenschichten zu erhöhen. Es eignen sich also hierfür besonders elastomere Stoffe. Weiterhin eignen sich auch z. B. Polytetrafluorethylen, Polyäthylen und Polyisobutylen. Weiterhin sind geeignet vulkanisierbare Stoffe wie natürlicher oder künstlicher Kautschuk. Durch eine schwache Vulkanisation kann eventuell ein vorhandenes zu starkes Fließvermögen dieser Stoffe verringert werden. Weiterhin sind weich eingestellte Polymerisate von Acrylsäure oder Methacrylsäure geeignet.
Es liegt weiterhin im Sinne einer guten und sicheren Halterung des Gleichrichter- bzw. Transistorelements zwischen den Haltekörpern und eines guten elektrischen Wärmeüberganges, daß unter dem Einfluß der thermischen Dehnung der einzelnen Teile keine Lockerung des Sitzes des Elements in bzw. zwischen seinen Halteeinrichtungen entstehen kann. Zur Erreichung dieses Effektes wird ein besonderer Aufbau der Anordnung an derjenigen Stelle vorgeschlagen, wo sich die Dehnung des Halters und die Wärmeausdehnung des Elements bemerkbar machen. Wird als
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Träger für die Halteglieder, zwischen welchen das Gleichrichter- bzw. Transistorelement eingespannt ist, beispielsweise ein Körper aus Kupfer benutzt, wobei dieser einen Steg bildet, welcher parallel zur Einspannstelle des Gleichrichter- oder Transistorelements liegt, welches z. B. ein Germaniumkörper sein möge, der mit Elektroden aus Indium versehen ist, so wird zweckmäßig ein solcher Aufbau gewählt, daß die Länge der durch das Indium gebildeten Strecke sich zur Länge der durch das Germanium gebildeten Strecke etwa wie 4 : 1 verhält. Auf diese Weise wird erreicht, daß die Dehnungen des Kupfers und die Dehnungen am Gleichrichterelement gleich sind, daß praktisch stets die gleiche sichere Einspannung des Gleichrichterelements trotz der Erwärmung der An-Ordnung und der an den einzelnen Elementen auftretenden Dehnung gewährleistet bleibt.
Damit keine unzulässige Beanspruchung des zwischen den Haltern befindlichen Gleichrichterelements eintritt, kann es auch zweckmäßig sein, mindestens den einen der Haltekörper mit einem Teil zu versehen, der entweder unmittelbar den Charakter eines Kraftspeichers hat oder über einen solchen gegen den übrigen Teil des Halters abgestützt ist. Hierbei kann es noch weiter zweckmäßig sein, den Kraftspeicher in seiner Wirkung noch einstellbar zu machen, so daß er also eine bestimmte Grundvorspannung hat.
Ein Ausführungsbeispiel für die Anwendung der Erfindung veranschaulichen die Figuren der Zeichnung. In diesen bezeichnet 1 eine Grundplatte. Sie ist an ihrem oberen Teil derart mit Rillen versehen, daß sich eine kammartig gestaltete Oberfläche ergibt, wie es aus der Fig. 2 zu entnehmen ist, die einen Seitenriß zur Fig. 1 darstellt. Auf dieser Oberfläche sind als Haltekörper für das Gleichrichterelement 7 Körper 2 bzw. 3 aufgesetzt, die an ihrer dem Teil 1 gegenüberliegenden Fläche eine genau gleiche Oberfläche aufweisen, welche vorzugsweise durch ein gegenseitiges Einschleifen der Körper 2 und 3 und des Körpers 1 verbessert sein kann. Zwischen die kammartigen Teile von 1 sowie 2 und 3 ist eine Folie aus Isoliermaterial 4 eingelegt, die hinsichtlich des geeigneten Werkstoffes oben bereits näher erläutert worden ist. Der Haltekörper 2 ist hohl ausgestaltet. In einer Bohrung 5 als Führung ist ein Hohlkörper 6 verstellbar, der eine Becherform aufweist und an seinem linken Ende außen mit einem ringförmigen Ansatz 6 a versehen ist. Dieser Ansatz 6 a wirkt mit einem erweiterten Teil der Bohrung 5 für die Bildung einer Wegbegrenzung zusammen, wenn der Körper 6 nach rechts unter der Wirkung der Druckfeder 8 verstellt wird. Diese Feder stützt sich einmal an der inneren Bodenfläche des Körpers 6 ab und andererseits an der linken Fläche eines Schraubenkörpers 9, der in das linke Ende des Körpers 2 eingeschraubt ist. Das Gleichrichter- bzw. Transistorelement 7, welches zwischen den beiden Haltern 3 und 2 bzw. dem an den letzteren geführten Körper 6 eingesetzt und gehalten ist, ist beispielsweise ein Germaniumkörper 7 b, der mit entsprechenden Elektroden Ta bzw. Tc aus Indium zur Bildung eines Gleichrichters oder Transistors versehen ist. Zum Festspannen der Körper 2 bzw. 3 an den Grundplattenkörper 1 dienen Schrauben 10, die mittels Hülsen 11 und Isolierscheiben 12 gegen den Trägerkörper 1 in dessen Bohrungen elektrisch isoliert sind. Mit 13 bzw. 14 sind Anschlußschrauben an den Haltekörpern 2 bzw. 3 bezeichnet.

Claims (8)

Patent ans PK üciiE:
1. Flächengleichrichter bzw. Transistor, bei welchem die Halteeinrichtung bzw. zur Wärmeabfuhr zwischen ihm und einem Träger benutzte Wärmeleitbrücke, die sich über eine Isolierschicht an den im Zuge der Wärmeabführung nachfolgenden Körper anlegt, mit einer größeren Fläche für die Berührung mit diesem Körper ausgestattet ist, als sie durch die geometrische Grundform für dessen Oberflächenform vorgegeben wäre, nach Patentanmeldung S 42833 VIIIc/21g, dadurch gekennzeichnet, daß die vergrößerte Oberflächenform gleichzeitig für die das Gleichrichterelement einspannenden Haltekörper eine Führung bildet, an welcher jene nach dem Zusammenspannen festgelegt werden.
2. Flächengleichrichter bzw. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Zwischenlage zwischen den Oberflächenformen der Haltekörper aus einem Stoff mit Fließvermögen unter dem Einfluß des Einspanndruckes oder/und eines zusätzlichen Wärmeeinflusses besteht.
3. Flächengleichrichter bzw. Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Isolierstoff ein elastisches Polymerisat, vorzugsweise mit mineralischen Füllstoffen für die Verbesserung des Wärmeleitvermögens benutzt ist.
4. Flächengleichrichter bzw. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein natürlicher oder künstlicher Kautschuk benutzt ist mit schwacher Vulkanisation.
5. Flächengleichrichter bzw. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Folie aus Polyäthylen benutzt wird.
6. Flächengleichrichier bzw. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Folie aus Polytetrafluoräthylen mit mineralischen Füllstoffen benutzt ist.
7. Flächengleichrichter bzw. Transistor nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Haltekörper sich über ein als Kraftspeicher ausgebildetes oder unter dem Einfluß eines Kraftspeichers stehendes Halteglied gegen das Gleichrichterelement legt.
8. Flächengleichrichter bzw. Transistor nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Gleichrichterelement die Dicke des Grundkörpers des Gleichrichters und die Dicke seiner Elektroden in einem solchen Längenverhältnis unter Berücksichtigung ihrer Wärmedehnungszahlen stehen, daß diese Wärmedehnung praktisch derjenigen entspricht, welche an der zu dieser Haltestrecke parallel liegenden Strecke zwischen den Haltekörpern an deren Träger unter dem Einfluß der betriebsmäßig auftretenden Wärme der Anordnung entsteht.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 303 833.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 709 700/343 10.57
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FR1119805D FR1119805A (fr) 1954-01-14 1955-01-13 Appareil redresseur à semi-conducteur
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DES43586A DE1017291B (de) 1954-01-14 1955-04-20 Flaechengleichrichter bzw. Transistor
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CH342660D CH342660A (de) 1954-01-14 1956-02-17 Halbleitereinrichtung mit mindestens einem flächenhaften p-n-Übergang
GB6089/56A GB803295A (en) 1954-01-14 1956-02-27 Improvements in or relating to p-n junction rectifier or p-n junction transistor assemblies

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NL (3) NL96864C (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1185728B (de) * 1960-05-18 1965-01-21 Siemens Ag Halbleiteranordnung, insbesondere Flaechengleichrichter oder -transistor mit einem einkristallinen Halbleiterelement
DE1211293B (de) * 1960-05-11 1966-02-24 Ass Elect Ind Halbleiteranordnung mit einem in einen Hohlleiter eingesetzten Halbleiterelement
DE1277445B (de) * 1961-08-26 1968-09-12 Siemens Ag Isolierter, gasdichter, koaxial zu einem Anschlussbolzen liegender Steuerelektroden-anschluss fuer Halbleiterbauelemente
DE1279198B (de) * 1961-03-28 1968-10-03 Siemens Ag Halbleiteranordnung
FR2363194A1 (fr) * 1976-08-28 1978-03-24 Semikron Gleichrichterbau Dispositif semi-conducteur a evacuation bilaterale de chaleur

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL86185C (de) * 1951-06-08 1900-01-01
GB806596A (en) * 1955-04-01 1958-12-31 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to semi-conductor devices
NL207356A (de) * 1955-05-23
US2889498A (en) * 1955-11-08 1959-06-02 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier assembly
DE1206528B (de) * 1956-07-11 1965-12-09 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung aus n-Germanium
US2994017A (en) * 1956-09-07 1961-07-25 Int Rectifier Corp Air-cooled rectifier assembly
DE1192322C2 (de) * 1956-09-24 1966-01-13 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1087706B (de) * 1956-09-24 1960-08-25 Siemens Ag Flaechengleichrichteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
GB859849A (en) * 1957-04-03 1961-01-25 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
DE1088619B (de) * 1957-04-18 1960-09-08 Siemens Ag Flaechengleichrichter- bzw. Flaechentransistoranordnung und Verfahren und Einrichtung zu ihrer Herstellung
DE1087707B (de) * 1957-04-18 1960-08-25 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Flaechengleichrichter- bzw. Flaechentransistoranordnung und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
DE1062823B (de) * 1957-07-13 1959-08-06 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps
US3007088A (en) * 1957-09-26 1961-10-31 Int Rectifier Corp Rectifier and means for mounting the same
NL107152C (de) * 1957-12-20
US3064178A (en) * 1958-05-19 1962-11-13 Union Carbide Corp Inert-gas arc rectifier
DE1098618B (de) * 1958-07-25 1961-02-02 Telefunken Gmbh Gehaeuse fuer Halbleiteranordnungen kleinster Abmessungen
US2983853A (en) * 1958-10-01 1961-05-09 Raytheon Co Semiconductor assembly structures
US2994121A (en) * 1958-11-21 1961-08-01 Shockley William Method of making a semiconductive switching array
US3025436A (en) * 1959-08-19 1962-03-13 Itt High current rectifier
DE1109794B (de) * 1959-08-22 1961-06-29 Elektronik M B H Verfahren zum Einbau eines Flaechengleichrichterelements in ein luftdicht verschlossenes Gehaeuse
US3068382A (en) * 1960-05-23 1962-12-11 Westinghouse Electric Corp Hermetically sealed semiconductor devices
US3010057A (en) * 1960-09-06 1961-11-21 Westinghouse Electric Corp Semiconductor device
DE1191044B (de) * 1960-12-03 1965-04-15 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Silizium-Flaechengleichrichter, -Transistoren oder Halbleiterstromtore
US3217379A (en) * 1960-12-09 1965-11-16 Texas Instruments Inc Method for forming pn junctions in indium antimonide with special application to infrared detection
US3144501A (en) * 1961-01-19 1964-08-11 Int Rectifier Corp Seal for semiconductor rectifier
BE620067A (de) * 1961-07-12 1900-01-01
DE1213924B (de) * 1961-08-30 1966-04-07 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem in einem Gehaeuse gasdicht eingeschlossenen Halbleiterelement
US3218524A (en) * 1961-10-12 1965-11-16 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices
BE624012A (de) * 1961-10-27
CH397058A (de) * 1962-01-10 1965-08-15 Bbc Brown Boveri & Cie Anordnung für das Anschliessen der Steuerelektrode bei einem steuerbaren Halbleiter-Gleichrichter
DE1248808B (de) * 1962-03-23 1900-01-01
GB1004020A (en) * 1964-04-24 1965-09-08 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the mounting of electrical components
US3413532A (en) * 1965-02-08 1968-11-26 Westinghouse Electric Corp Compression bonded semiconductor device
NL136731C (de) * 1965-06-23
US3581163A (en) * 1968-04-09 1971-05-25 Gen Electric High-current semiconductor rectifier assemblies
SE350874B (de) * 1970-03-05 1972-11-06 Asea Ab
DE2603813C2 (de) * 1976-02-02 1982-11-18 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Spannvorrichtung für ein thermisch und elektrisch druckkontaktiertes Halbleiterbauelement in Scheibenzellenbauweise
US4161747A (en) * 1978-02-24 1979-07-17 Nasa Shock isolator for operating a diode laser on a closed-cycle refrigerator
US4333101A (en) * 1979-07-19 1982-06-01 Flight Systems, Inc. Semiconductor heat sink mounting assembly
DE3169519D1 (en) * 1980-06-21 1985-05-02 Lucas Ind Plc Semi-conductor power device assembly and method of manufacture thereof
US4538171A (en) * 1980-10-30 1985-08-27 Cableform Limited High power semiconductor heat sink assembly
JP6464362B2 (ja) * 2017-02-14 2019-02-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 スクリーン印刷装置及びスクリーン印刷方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE303833C (de) *

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2468051A (en) * 1949-04-26 escoffery
US1751360A (en) * 1924-09-22 1930-03-18 Ruben Rectifier Corp Electric-current rectifier
US1799854A (en) * 1926-10-20 1931-04-07 Levy Lucien Current rectifier
US1728537A (en) * 1927-08-25 1929-09-17 Union Switch & Signal Co Electrical rectifier
US1905703A (en) * 1929-12-12 1933-04-25 Gen Electric Contact rectifier
US2383735A (en) * 1943-04-02 1945-08-28 William A Ray Rectifier
US2441603A (en) * 1943-07-28 1948-05-18 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating materials and method of making them
NL149164B (nl) * 1948-12-29 Made Labor Sa Werkwijze ter bereiding van een zout van 5-hydroxytryptofan.
US2662997A (en) * 1951-11-23 1953-12-15 Bell Telephone Labor Inc Mounting for semiconductors
BE525428A (de) * 1952-12-30
BE527420A (de) * 1953-03-20
US2790089A (en) * 1953-03-23 1957-04-23 Nat Aircraft Corp Three-element semi-conductor device
US2734154A (en) * 1953-07-27 1956-02-07 Semiconductor devices
US2781480A (en) * 1953-07-31 1957-02-12 Rca Corp Semiconductor rectifiers
US2720617A (en) * 1953-11-02 1955-10-11 Raytheon Mfg Co Transistor packages
US2861230A (en) * 1953-11-24 1958-11-18 Gen Electric Calorized point contact electrode for semiconductor devices
US2725505A (en) * 1953-11-30 1955-11-29 Rca Corp Semiconductor power devices
US2796563A (en) * 1955-06-10 1957-06-18 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE303833C (de) *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1211293B (de) * 1960-05-11 1966-02-24 Ass Elect Ind Halbleiteranordnung mit einem in einen Hohlleiter eingesetzten Halbleiterelement
DE1185728B (de) * 1960-05-18 1965-01-21 Siemens Ag Halbleiteranordnung, insbesondere Flaechengleichrichter oder -transistor mit einem einkristallinen Halbleiterelement
DE1279198B (de) * 1961-03-28 1968-10-03 Siemens Ag Halbleiteranordnung
DE1277445B (de) * 1961-08-26 1968-09-12 Siemens Ag Isolierter, gasdichter, koaxial zu einem Anschlussbolzen liegender Steuerelektroden-anschluss fuer Halbleiterbauelemente
FR2363194A1 (fr) * 1976-08-28 1978-03-24 Semikron Gleichrichterbau Dispositif semi-conducteur a evacuation bilaterale de chaleur

Also Published As

Publication number Publication date
NL193055A (de) 1900-01-01
US2780759A (en) 1957-02-05
BE534817A (de) 1900-01-01
NL96864C (de) 1900-01-01
NL204333A (de) 1900-01-01
GB777985A (en) 1957-07-03
CH342660A (de) 1959-11-30
FR1119805A (fr) 1956-06-26
US2933662A (en) 1960-04-19
GB803295A (en) 1958-10-22
DE1000534B (de) 1957-01-10

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