DE1062823B - Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps

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DE1062823B
DE1062823B DET13871A DET0013871A DE1062823B DE 1062823 B DE1062823 B DE 1062823B DE T13871 A DET13871 A DE T13871A DE T0013871 A DET0013871 A DE T0013871A DE 1062823 B DE1062823 B DE 1062823B
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DET13871A
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Wolfgang Schaefer
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Telefunken AG
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Telefunken AG
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    • C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
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    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions

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Description

11*/^
f1
C 309 3 t/04
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND KL. 21^""11/02
# INTERNAT. KL. HOIl
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT 1062 823
T 13871 Vm«/21g
ANMELDETAG: 13.JULI1957
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UND AUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT:
6.AUGUST 1959
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps, bei dem das Legierungsmaterial auf eine metallische Trägerplatte aufgebracht fet und über eine vorgegebene Fläche gut benetzt und gleichmäßig tief einlegiert.
Es sind bereits mehrere Verfahren bekannt, nach denen eine gute und gleichmäßige Benetzung erzielt wird und dabei das Legierungsmaterial gleichmäßig und mit möglichst geringer Tiefe in den Kristall, der den Basiskörper bildet, einlegierf wird. Zur Erzeugung einer guten Benetzung erhitzt man das Legierungsmaterial im allgemeinen auf mindestens 500 bis 600° C, weil erst dann eine einwandfreie Benetzung gewährleistet wird. Bei dieser Temperatur löst aber das I.egierungsmaterial bereits eine erhebliche Menge des Halbleitermaterials, aus dem der Basiskörper besteht, und dringt tiefer und meist auch ungleichmäßig in den Basiskörper ein. Um die Löslichkeit des Basismaterials im Legierungsmaterial herabzudrücken, ist es bereits bekannt, dem Legierungsmaterial vorher Halbleitermaterial! zuzusetzen. In vielen Fällen., insbesondere beim Beispiel des Indiums als Legierungsmaterial und des Germaniums als Halbleitermaterial, ist es aber so, daß das Legierungsmaterial am eutektischen Punkt nur verhältnismäßig wenig Halbleitermaterial löst und daß die Löslichkeit des Halbleitermaterials mit wachsender Temperatur stark zunimmt. Wird also dem Legierungsmaterial das Halbleitermaterial dadurch zugegeben, daß es in bestimmtem prozentualem Anteil in eine Legierungsmaterialschmelze gegeben wird, die später zu Barren, Blechen, Bändern und Pillen weiterverarbeitet wird, so scheidet sich beim Erstarren der .Schmelze auf Grund ihrer relativ großen Wärmekapazität und der damit verbundenen langsamen Abkühlung das beigegebene Halbleitermaterial in Form von relativ großen Kristalliten wieder aus.
Die Legierungsmaterialbarren und die daraus gefertigten Pillen enthalten Halbleitermaterial somit nur in sehr ungleichmäßiger Verteilung, was zu großen Streuungen im Benetzungsbeginn und damit in der Eindringtiefe beim Legierungsprozeß führt. Wird eine Legierungspille, die nach diesem bereits bekannten Verfahren hergestellt worden ist, auf einen Halbleiterkörper aufgebracht und wieder auf die Legierungstemperatur erwärmt, so löst sich außerdem bereits wesentlich unterhalb der Temperatur, bei der das Legierungsmaterial mit Halbleitermaterial gesättigt wurde, Halbleitermaterial vom Halbleiterkörper auf, dafür lösen sich aber die eingeschlossenen Kristallite beim Erreichen der vorher eingestellten Sättigungstemperatur nicht wieder voll-ständig auf. Die Menge des Halbleitermaterials, die sich aus dem Halbleiterkörper löst, verhält sich zu der Menge, die Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps
Anmelder:
Telefunken G. m. b. H.f Berlin NW 87, Sickingenstr. 71
Wolfgang Schäfer, Ulm/Donau, ist als Erfinder genannt worden
sich aus den Kristalliten wieder löst, wie die benetzte Oberfläche des Halbleiterkörpers zur gesamten Ober-
fläche der Kristallite. Das Ziel, die Löslichkeit herabzudrücken, wird also nur unvollkommen erreicht.
Um eine vorgegebene Fläche gleichmäßig und gut zu benetzen, ist es bereits bekannt, das Legierungsmateria:! zunächst auf ein Trägerplättohen aufzu-
schmelzen, das z. B. aus Nickel besteht, und dann erstarren zu lassen. Beim Aufschmelzen bildet das Legierungsmaterial auf seiner freien Oberfläche vermöge der Oberflächenspannung eine konvexe Oberfläche. Mit dieser konvexen Oberfläche wird es nach dem Er-
starren auf den Basiskörper aufgelegt und wieder auf die Legierungstemperatur erhitzt, wobei es beim Schmelzen zunächst, von einem mittleren Punkt beginnend, den Halbleiterkörper benetzt und sich entsprechend der vorgegebenen Form des Trägerplätt-
chens über den Halbleiterkörper ausbreitet.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, daß zunächst das Legierungsmaterial auf ein Trägerplättchen aufgeschmolzen und in Kontakt stehend mit dem gleichen Halbleitermaterial, aus dem der Basiskörper besteht,
auf eine erhöhte Temperatur, bei der später noch keine Benetzung erfolgen soll, vorzugsweise etwa 450 bis 5000C, gebracht und gehalten wird, bis es sich bei dieser Temperatur mit dem Halbleitermaterial gesättigt hat, wobei es vermöge der Oberflächen-
spannung eine konvexe Oberfläche bildet, daß dann das Legierungsmaterial auf dem Trägerplättchen möglichst schnell, mindestens innerhalb einer Minute, auf eine Temperatur unterhalb der eutektischen Temperatur für das Halbleitermaterial und das
Legierungsmaterial abgekühlt wird und daß schließlich das erstarrte Legierungsmaterial mit der gewölbten Oberfläche auf den Basishalbleite aufgelegt und auf die Legierungstemperattir/ wird, wobei der Temperaturbereich von 1
halb derjenigen Temperatur, die beim Schmelzen auf dem Trägerplättohen angewendet wurde, bis zur endgültigen Legierungstemperatur möglichst schnell durchlaufen wird. Vorzugsweise läßt man die Temperatur den 'gesamten Bereich von der Raumtemperatur bis zur endgültigen Legierungstemperatur schnell durchlaufen, weil auch in der reduzierenden Atmosphäre des Ofens meist noch Spuren von Sauerstoff, der Oxydbiidung verursacht, oder andere Verunreinigungen vorhanden sind.
Die Erfindung ist also im wesentlichen die Kombination zweier bekannter Verfahren, hat aber das besondere Merkmal, daß nach dem Aufschmelzen das Legierungsmaterial auf dem Trägerplättchen sefar schnell abgekühlt werden soll, wodurch noch ein besonderer Effekt erzielt wird. Bei diesem söhneilen Abkühlen scheidet sich das Halbleitermaterial im Legierungsmaterial, das über die eutektische Menge hinaus gelöst war, wieder aus. Das schnelle Abkühlen bewirkt aber, daß sich sehr viel kleine Kristalle in feinster Verteilung im Legierungsmaterial bilden. Solche Kristalle wachsen, wie die Beobachtung gezeigt hat, auch aus der konvexen Oberfläche des Legierungsmateriails heraus. Zunächst einmal bewirken diese Kristalle, daß das ausgeschiedene Halbleitermaterial mit sehr großer Oberfläche mit dem Legierungsmaterial in Kontakt steht, daß also beim Auflegen auf einen Basiskörper und nachfolgendem Erwärmen sehr viel mehr Halbleitermaterial durch Wiederauflösen der Kristallenen in Lösung geht als durch Auflösen von Basismaterial. Obwohl das Legierungsmaterial beim Überschreiten der eutektischen Temperatur wieder schmilzt, zeigt aber das aufgelegte Legierangsmaterial den überraschenden Effekt, daß es trotz starker Erwärmung den Basiskörper überhaupt nicht benetzt, bis eine Temperatur erreicht wird, die dicht tinterhalb derjenigen liegt, bei der im ersten Wärmeprozeß das Legierungsmiaterial mit dem Halbleitermaterial gesättigt wurde. Versuche haben ergeben, daß beispielsweise beim Indium und Germanium ein so vorbereitetes Legierungsmaterial bis auf etwa 450° C erhitzt werden kann, wobei es nach dem Abkühlen nicht haftet und leicht abgehoben werden kann, ohne auf dem Halbleiterkörper eine erkennbare Benetzungsspur zu hinterlassen, wenn es vorher bei 500° C mit Germanium gesättigt wurde, obwohl Indium bzw. Indium-Germanium-Eutektikum bereits bei etwa 150° C schmilzt. Das schnelle Durchlaufen von der ersten Benetzung kurz unterhalb der Temperatur des ersten Wärmeprozesses bis zur endgültigen Legierungstemperatur bewirkt, daß sich das Legierungsmaterial beim Schmelzen schnell bis zuir endgültigen· vorgesehenen Begrenztmg auf dem Basiskörper ausbreitet. Beim Benetzen von der Mitte zum Ende werden dabei etwaiges Oxyd oder andere Verunreinigungen beseitigt, und da die Benetzung über die vorgegebene Fläche ja schnell erfolgt, löst sich das Basismaterial auch gleichmäßig auf, d. h., die entstehende Legierungsfront ist praktisch eben. Würde die Benetzung zunächst in der Mitte erfolgen und sich dann langsam nach außen ausbreiten, so würde sich das Legierungsmaterial schon in der Mitte in den Basiskörper einfressen und sich mit Halbleitermaterial sättigen, während die Randzone noch unverändert bleibt. Es würde also eine Kalottenform der Legierungsfronit entstehen, die gerade vermieden werden soll. Auch hat sich gezeigt, daß beim Abkühlen'"äie Rekristallisationszone mit gleichmäßiger jjjfS^Mehtdicke wieder anwächst, was für bestimmte Ansformen Bedeutung hat.
Bevorzugte Auisführungsforiaen werden noch einmal an Hand der Figuren erläutert.
In Fig. 1 ist auf ein Trägei plättchen 1 das Legierungsmaterial 2 aufgeschmolzei und bei einer vorgegebenen höheren Temperatur nit Halbleitermaterial gesättigt. Danach ist es sehr Schnell abgekühlt worden. Beim Aufschmelzen hat !es die konvexe Oberfläche gebildet, aus der nach <|lem Erstarren kleinste Kristallite 3 herausgewachsen Isind.
ίο In Fig. 2 ist das Trägerplätjxhen 1 mit dem Legierungsmaterial 2 gemäß Fig. 1 auf ein Basisplättchen 4 aufgelegt und auf eine Temperatur erwärmt, die noch unterhalb derjenigen ist, die| beim ersten Wärmeprozeß angewendet wurde. In jdiesem Zustand ist das
Legierungsmaterial 2 bereits! flüssig. Bei dieser Temperatur haben sich die Kristallite 3 zum Teil bereits wieder aufgelöst. Die noch nicht wieder aufgelösten Kristallite verhindern pne Benetzung des Legierungsmaterials 2 auf der | Oberfläche des HaIbleiterplättchens 4.
Fig. 3 zeigt den Zustand, <£ler sich einstellt, wenn gerade eine Temperatur erreicht ist, die kucz unterhalb derjenigen liegt, die beijm ersten Wärmeprozeß angewendet wurde. Jetzt habejn sich falle alle Kristai-
Ute wieder aufgelöst, das Ljjgierungsmaterial 2 hat sich sehr schnell über dieFläc|he5 auf dem Halbleiterplättchen 4 avisgebreitet, nachdem es das Halbleiterplättchen an einem mittleren j Punkt benetzt hat. Das Legierungsmaterial 2 ist jetzt! jedoch durch Auflösung
der Kristallite mit Halbleitermaterial gesättigt und dringt daher nicht weiter in; den Halbleiterkörper 4 ein. Die Legierangsfront 5 !"bildet sich in den ursprünglichen oberen Atomla^en des Halbleiterplättchens 4. j
Erst wenn höhere Temperaturen angewendet werden, stellt sich der Zustand e|in, der in Fig. 4 gezeigt ist. Dann löst sich an der Legierungsfront 5 das Halbleitermaterial des Plättchen)? 4 im Legierungsmaterial 2 auf, und die Legierungsfront 5 wandert gleich-
mäßig in das Basisplättchen [4 hinein und behält ihre ebene Form bei. j
Gemäß einer bevorzugten! Ausführungsform wird das Trägerplättchen aus dem gleichen Halbleitermaterial, aus dem der Basiskörpe;" besteht, genommen. Dafür ist in Fig. 5 ein Beispiel gezeigt. Dann ist die Durchführung des Verfährers besonders einfach, weil beim ersten Wärmeprozeß |iicht zusätzlich Halbleitermaterial zugeführt werden muß. Außerdem kann eine besonders gleichmäßige JRekristallisationszone er-
zeugt werden, weil sich bei I der Rekristallisation das Halbleitermaterial am Trägerplättchen 1 in gleicher Menge 6 wie am Basrskörj >er 4 als rekristallisierte Zone 7 ausscheidet. Dadurch bildet sich die Rekristallisationszone und deren Unebenheiten am Basiekörper nur halb so groß aus wie in dem Fall, wo das Trägerplättchen aus einem passiven Material besteht und sich das gesamte im Legierungsmaterial 2 gelöste Halbleitermaterial am Bas isplättchen 4 ausscheidet. Außerdem wird dann erreicht, daß sich keine unerwünschten Fremdatome am hochempfindlichen pnr Übergang spurenweise ehÜagern können, die von einem fremden passiven Tirägerplättchenmaterial in Lösung gehen könnten. Eih weiterer Vorteil dieses Verfalirens liegt darin, daßl nach erfolgter Benetzung und Wiederauflösung der Kristallite bei weiterer Erwärmung die Auflösung des Halbleiterkörpers und das Eindringen der Legierungsfront nur halb so stark erfolgt, weil ja gleichzeitig vom Trägerplättchen Material in gleicher Menge aufgelöst wird. Dadurch
läßt sich die Legierungstie|fe auf kleinere Werte und
doppelt so genau einregeln. Zur Herstellung einer Kristallode kann das Trägerplättchen dann nach dem Erstarren des Legierungsmaterials abgetragen werden, wenn es als Zuführungskontakt nicht geeignet ist, indem es z.B. einfach abgeschnitten wird oder indem die Anordnung noch einmal kurz über die eutektische Temperatur, bei der die rekristallisierte Zone am pn-übergang noch unverändert bleibt, erwärmt und dabei das Trägerplättchen abgehoben wird.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wird das am Trägerplättchen befestigte Legierungsnmterial auf den Basiskörper aufgelegt und durch einen Ofen gefahren, dessenTemperatur etwa 50 bis 100° C höher liegt als die anzuwendende Legierungstemperatur. Dadurch entsteht ein großer Temperaturgradient in der Anordnung, und diese wird dabei besonders schnell aufgeheizt. Zweckmäßig wird die Temperatur des in den Ofen eingefahrenen Materials durch ein Thermoelement kontrolliert. Beim Erreichen der Legierungstemperatur wird duroh entsprechende Mittel veranlaßt, daß dais Material aus dem Ofen wieder herausgefahren wird und abkühlt.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps, bei dem das Legierungsmaterial auf eine metallische Trägerplatte aufgebracht ist und über eine vorgegebene Fläche gut benetzt und gleichmäßig tief einlegiert, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst das Legierungsmaterial auf ein Trägerplättchen aufgeschmolzen und in Kontakt stehend mit dem gleichen Halbleitermaterial, aus dem der Basiskörper besteht, auf eine erhöhte Temperatur, bei der später noch keine Benetzung erfolgen soll, vorzugsweise etwa 450 bis 550° C, gebracht und gehalten wird, bis es sich bei dieser Temperatur mit dem Halbleitermaterial gesättigt hat, wobei es vermöge der Oberflächenspannung eine konvexe Oberfläche bildet, daß darm das Legieruiigsmateria! auf dem Trägerplättchen möglichst schnell, mindestens innerhalb einer Minute, auf eine Temperatur unterhalb der eutektische» Temperatur für das Halbleitermaterial und das Legierungsmaterial abgekühlt wird und daß schließlich das erstarrte Legierungsmaterial mit der gewölbten Oberfläche auf den Basishailbleiterkörper aufgelegt und auf die Legierungstemperatur erhitzt wird, wobei der Temperaturbereich von kurz unterhalb derjenigen Temperatur, die beim Schmelzen auf dem Trägerplättchen angewendet wurde, bis zur endgültigen Legierungstemperatur möglidhst schnell durchlaufen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Auflegieren des Legierungsmaterials auf den Basiskörper der gesamte Temperaturbereich von der Raumtemperatur bis zur endgültigen Legierungstemperatur möglichst schnell durchlaufen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerplättchen aus dem gleichen Halbleitermaterial ist wie der Basiskörper.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das auf den Basiskörper aufgelegte Legierungsmaterial durch einen Ofen gefahren wird, dessen Temperatur etwa 50 bis 100° C höher liegt als die anzuwendende Legierungstemperatur, daß die Temperatur des in den Ofen eingefahrenen Materials dabei durch ein Thermoelement kontrolliert wird und daß beim Erreichen der Legierungstemperatur durch entsprechende Mittel veranlaßt wird, daß das Material wieder aus dem Ofen herausgefahren wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Anwendung zur Erzeugung einer kleinen und/oder genau eingeregelten Legierungstiefe.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschriften Nr. 1 110245 (Fig. 11, S. 3), 1119 805 (Fig. 1, S. 3), 1136 797 (Fig. 5, 8, S. 3 und 4), 1 109 535.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909 580/318 7.59
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1189657B (de) * 1962-07-17 1965-03-25 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit legierten Elektroden
DE1219127B (de) * 1959-09-29 1966-06-16 Rca Corp Verfahren zur Herstellung eines legierten PN-UEbergangs in einer Halbleiterscheibe
DE1236082B (de) * 1961-06-08 1967-03-09 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Legierungskontaktes an einer duennen Oberflaechenschicht eines Halbleiterkoerpers

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1109535A (fr) * 1954-07-30 1956-01-30 Csf Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p
FR1110245A (fr) * 1953-10-23 1956-02-09 Philips Nv Système d'électrodes, par exemple diode à cristal ou transisteur
FR1119805A (fr) * 1954-01-14 1956-06-26 Westinghouse Electric Corp Appareil redresseur à semi-conducteur
FR1136797A (fr) * 1954-08-26 1957-05-20 Philips Nv Procédé d'application par fusion d'un contact redresseur sur un corps semi-conducteur

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1110245A (fr) * 1953-10-23 1956-02-09 Philips Nv Système d'électrodes, par exemple diode à cristal ou transisteur
FR1119805A (fr) * 1954-01-14 1956-06-26 Westinghouse Electric Corp Appareil redresseur à semi-conducteur
FR1109535A (fr) * 1954-07-30 1956-01-30 Csf Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p
FR1136797A (fr) * 1954-08-26 1957-05-20 Philips Nv Procédé d'application par fusion d'un contact redresseur sur un corps semi-conducteur

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1219127B (de) * 1959-09-29 1966-06-16 Rca Corp Verfahren zur Herstellung eines legierten PN-UEbergangs in einer Halbleiterscheibe
DE1236082B (de) * 1961-06-08 1967-03-09 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Legierungskontaktes an einer duennen Oberflaechenschicht eines Halbleiterkoerpers
DE1189657B (de) * 1962-07-17 1965-03-25 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit legierten Elektroden

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