DE1221362B - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

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DE1221362B
DE1221362B DEN22597A DEN0022597A DE1221362B DE 1221362 B DE1221362 B DE 1221362B DE N22597 A DEN22597 A DE N22597A DE N0022597 A DEN0022597 A DE N0022597A DE 1221362 B DE1221362 B DE 1221362B
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Julian Robert Anthony Beale
Andrew Francis Beer
Pound Hill
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1221362
Aktenzeichen: N 22597 VIII c/21 g
Anmeldetag: 12. Januar 1963
Auslegetag: 21. Juli 1966
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem während einer Legierungsbehandlung zum Erzeugen einer rekristallisierten Legierungszone des einen Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper aus einer Legierungsschmelze eine Diffusion von Aktivatoren zum Erzeugen einer Diffusionszone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps erfolgt.
Dieses Herstellungsverfahren ist in verschiedenen Ausführungsformen bekannt und wird insbesondere zur Herstellung von Transistoren angewandt. Es hat sich jedoch gezeigt, daß die bekannten Ausführungsformen dieses Herstellungsverfahrens Schwierigkeiten bereiten, wenn die Stärke der diffundierten Zone, welche als Basiszone dient, äußerst gering, z. B. kleiner als 1 μ, sein muß, während gleichzeitig der Basiswiderstand minimal sein soll, um einen großen Frequenzbereich, z. B. bis zu 1000 MHz oder mehr, zu bestreichen. Es zeigte sich, daß diese Schwierigkeiten insbesondere auftreten, wenn zur Bildung einer homogenen Legierungsschmelze eine gewisse Zeitdauer benötigt wird, z. B. zum gleichmäßigen Lösen einer später zugesetzten Verunreinigung, z. B. Aluminium.
Die Erfindung bezweckt, ein einfaches verbessertes Verfahren zu schaffen, durch welches die bekannten Legierungsdiffusionsbehandlungen zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, z. B. Transistoren mit einem größeren Frequenzbereich, geeignet gemacht werden können.
Bei einem Verfahren der eingangs genannten Art wird gemäß der Erfindung nach einer thermischen Vorbehandlung bei einer niedrigen Temperatur zum Erzeugen einer homogenen Legierungsschmelze eine Erhitzung auf eine so hohe Temperatur durchgeführt, daß die Legierungsschmelzfront schneller in den Körper eindringt als die Diffusionsfront und sich beide Fronten praktisch verbinden, und schließlich die Temperatur so weit erniedrigt, daß die Diffusion nahezu aufhört und die Stärke der Diffusionszone nahe der Stelle der größten Eindringtiefe der Legierungsfront praktisch durch die Abkühlungsperiode bedingt wird.
An der Stelle, wo eine Legierungsschmelzfront im Halbleiterkörper vorhanden ist und die Temperatur erhöht wird, wird eine größere Menge des Körpers gelöst, so daß die Legierungsfront tiefer in den Körper eindringt. Die Geschwindigkeit, mit der die Eindringtiefe der Legierungsfront zunimmt, hängt von der Temperaturzunahme ab. Wenn eine Diffusionsfront in den Körper anfangs bis zu einer größeren Tiefe eingedrungen ist als die Legierungsfront, Verfahren zum Herstellen einer
Halbleiteranordnung
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Julian Robert Anthony Beale, Reigate, Surrey;
Andrew Francis Beer,
Pound Hill, Crawley, Sussex (Großbritannien)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 12. Januar 1962 (1223)
*
erfolgt somit eine Erhitzung auf eine so hohe Temperatur, daß die Legierungsfront schneller eindringt als die Diffusionsfront. In der Praxis wird jedoch, unabhängig davon, wieviel schneller die Legierungsfront eindringt als die Diffusionsfront, der Legierungsfront stets eine sehr dünne Diffusionszone vorangehen. Wenn der Zustand erreicht wird, in dem die Diffusionsfront schneller fortschreitet als es allein der Diffusionskoeffizient der betreffenden Verunreinigung bedingen würde, und zwar mit der Geschwindigkeit der Legierungsfront, wird angenommen, daß die Legierungsfront sich mit der Diffusionsfront zusammenfügt.
Die Behandlung auf niedrigerer Temperatur zum Bilden einer homogenen Schmelze wird oft teilweise mit konstanter Temperatur durchgeführt. Die Be-
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handlung auf niedrigerer Temperatur und die Behandlung auf höherer Temperatur können in gewissen Fällen vorteilhaft auch mit einer mit der Zeit zunehmenden Temperatur durchgeführt werden.
Nachdem die Temperatur erreicht ist, bei welcher die Diffusion nahezu aufhört, wird die Abkühlgeschwindigkeit zweckmäßig verringert, um nachträgliche Spannungen in und in der Nähe der rekristallisierten Legierungszone zu verringern.
Die zu diffundierende Verunreinigung kann während der Behandlung aus der Umgebung zugeführt oder auch vorher in die Legierung aufgenommen werden. Sie kann auch in Form einer vordiffundierten Schicht in dem Halbleiterkörper vor dem Legierungsvorgang vorgesehen werden. Ein zu legierendes Material kann anfangs schwach mit dem Körper legiert werden, worauf die Behandlung bei niedriger Temperatur zur Bildung einer homogenen Schmelze durchgeführt wird.
Es ist oft vorteilhaft, zunächst ein nicht dotierendes Trägermaterial auf den Halbleiterkörper aufzulegieren und dann durch eine Schmelzbehandlung einen Aktivator darin gleichmäßig zu lösen.
Die Erfindung eignet sich insbesondere zur Verwendung z. B. bei p-leitendem Germanium oder n-leitendem Silicium; das Trägermaterial kann aus Wismut, Blei oder Zinn bestehen. Im allgemeinen wird Zinn nicht bei einem Germaniumkörper benutzt, da es zum Einlegieren bis zu einer zu großen Tiefe neigt, während Wismut nicht bei einem Siliciumkörper verwendet wird, da es sich nicht hinreichend mit diesem legiert. Bei Germanium kann vorteilhaft als Diffusionsverunreinigung Antimon und/oder Arsen und als Akzeptormaterial vorzugsweise Aluminium benutzt werden.
Bei Silicium ist das Diffusionsakzeptormaterial vorzugsweise Bor und das Donatormaterial vorzugsweise Arsen.
Es wird zweckmäßig gleichzeitig eine zweite rekristallisierte Zone des anderen Leitfähigkeitstyps angebracht, die eine Ohmsche Verbindung mit der Diffusionszone herstellt. Zu diesem Zweck kann in einem Zwischenstadium der Herstellung zunächst eine einheitliche Legierungselektrode hergestellt werden, die darauf in zwei Teile geteilt wird, von denen ein Teil zur Bildung der Legierungszone des einen Leitfähigkeitstyps und der andere zur Bildung der Legierungszone des anderen Leitfähigkeitstyps bestimmt ist.
Nach dem Anbringen der rekristallisierten Legierungszone des einen Leitfähigkeitstyps und der Diffusionszone wird die Oberfläche der Diffusionszone seitlich von der rekristallisierten Legierungszone des einen Leitfähigkeitstyps vorzugsweise durch Ätzen verringert. Dabei kann auch durch Ätzen das Gebiet des Überganges zwischen der rekristallisierten Legierungszone des einen Leitfähigkeitstyps und der Diffusionszone verringert werden.
Es sei noch erwähnt, daß bereits ein Verfahren zur Herstellung von Legierungsdiffusionstransistoren bekannt war, bei dem nach der Diffusionsbehandlung eine kurze Nacherhitzung auf eine Temperatur höher als die Diffusionstemperatur stattfindet. Die aufgeschmolzene Menge des Elektrodenmaterials wird dabei nicht geändert. Während dieser Nacherhitzung wird das durch Streudiffusion der überwiegend segregierenden Verunreinigung teilweise kompensierte Gebiet der diffundierten Zone gelöst. Die ursprünglich diffundierte Zone wird jedoch nur teilweise gelöst, so daß dieses Verfahren zur Lösung der obengenannten, der vorliegenden Anmeldung zugrunde liegenden Aufgabenstellung nicht geeignet ist.
Ein Ausführungsbeispiel des Verfahrens nach der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
F i g. 1, 2 und 4 Querschnitte einer Halbleiteranordnung in verschiedenden Stufen des Verfahrens zur Herstellung eines Transistors und
Fig. 3 und 4 graphische Darstellungen zur weiteren Erläuterung dieses Verfahrens.
Die Querschnitte sind in den F i g. 1, 2 und 4 deutlichkeitshalber nicht schraffiert.
Eine p-leitende einkristalline Germaniumplatte mit einem spezifischen Widerstand von 3 Ohm ■ cm und Abmessungen von 150 μ · 2 mm · 1,5 mm wird in eine Legierform aus Graphit mit Öffnungen für das Legierungsmaterial an 20 Stellen gebracht, die in der Längsrichtung der Platte in nahezu gleichen Abständen voneinander vorgesehen sind.
Eine Wismutkugel mit einem Durchmesser von etwa 175 μ, die 0,5 Gewichtsprozent Arsen enthält, wird in jeder Öffnung untergebracht, und das Ganze wird in Wasserstoff auf 600° C während etwa 3 Minuten erhitzt. Infolge der Erhitzung werden die Kügelchen auf gleiche Weise mit der Platte legiert und derart an diese geheftet, daß ihre Stelle auf der Platte fixiert ist. Das Arsen wird dem Wismut zur Förderung der Benetzung der Plattenoberfläche durch das Material des Kügelchens zugesetzt. Während der Erhitzung vergrößert sich der Durchmesser der Kugel, d. h. bis auf etwa 230 μ.
Die Spitze jedes unlegierten Elektrodenkügelchens wird nun derart abgeschliffen, daß die Kügelchen um etwa 60 μ über die Umgebungsfläche der Platte hervorragen, und jede vorstehende Elektrodenkugel wird diametral in zwei Teile geteilt, z. B. mittels eines dünnen Rasiermessers, das einen schmalen Einschnitt bis nahezu an die Plattenoberfläche hervorruft. Jeder Einschnitt wird durch Sandstrahlen bis in die Platte vertieft.
Die F i g. 1 zeigt einen Teil der Platte mit einem der Elektrodenkügelchen in dieser Herstellungsstufe.
An der Platte 1 sind Teile 2 und 3 des Kügelchens schwach legiert, die durch einen Einschnitt 4 voneinander getrennt sind, der bis etwa 10 μ in die Platte eindringt. Der Einschnitt 4 hat eine Breite von etwa 12 μ an der Oberfläche der Platte 1. Infolge des Sandstrahlern werden die Teile 2 und 3 auch etwas abgeschliffen. Die frei gelassene Oberfläche der Platte 1 wird dabei weggeschliffen bis zu einer Tiefe etwa gleich der Eindringtiefe des Einschnittes in der Platte 1. Dieses zusätzliche Abschleifen ist für die Erfindung unwesentlich und daher nicht in den Figuren angedeutet. Das Legierungsgebiet ist nicht tief, und die dünne rekristallisierte Zone unterhalb der Teile 2 und 3 ist nicht angegeben
Sehr fein verteiltes, sehr reines Aluminiumoxydpolierpulver wird in Wasserstoff während einer Stunde auf 1000° C vorerhitzt und in Form eines Kitts geknetet, der nach Mischung mit einer Flüssigkeit aus 9 Volumenteilen Aceton und 1 Volumenteil Silicon über die Platte 1 ausgegossen wird, um die Einschnitte 4 auszufüllen.
Die Platte 1 wird dann in ein Siliciumoxydschiffchen gemeinsam mit einem kleineren Siliciumoxydschiffchen mit einem Durchmesser von 1 cm und
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einer Höhe von 5 mm, mit einem Pulver aus Zinn ratur von 750° C sind erforderlich, damit das AIu-
und 15 Gewichtsprozent Arsen und 15 Gewichtspro- minium sich gut in flüssiger Form mit der flüssigen
zent Antimon gebracht. Wismut-Arsen-Antimon-Legierung vermischt und
Das Ganze wird auf 660° C während 10 Minuten darin löst. Diese Legierung enthält noch einen Gein Wasserstoff erhitzt und dann abgekühlt. Beim An- 5 halt an Germanium an den Teilen, wo das Aluminium fang dieser Erhitzung erhärtet der Kitt und begrenzt angebracht ist. Während dieser Perioden, welche geeine weitere Ausdehnung der Legierungsgebiete; meinsam wie eine einzige Erhitzungsperiode auf ebenso werden die Teile 2 und 3 voneinander ge- niedriger Temperatur betrachtet werden können, trennt gehalten. Während der Erhitzung dringt die nimmt der Abstand zwischen der Legierungsfront Legierungsfront bis zu einer Tiefe von etwa 2 μ ein, io und der naheliegenden Diffusionsfront zu. Da dieser und es wird .gleichzeitig eine Diffusionsschicht mit Abstand maßgebend für die Basisstärke des Traneiner Stärke von etwa 2 μ unter der Stelle gebildet, sistors ist, hätte die Basis eine Minimalbreite, die wo die Legierungsfront am tiefsten eingedrungen ist. durch die Zeit bestimmt wird, welche zum Herstellen Der als Gußform wirksame Kitt ist hinreichend porös, einer homogenen Schmelze erforderlich ist, wenn um Arsen und Antimon nach den Schmelzzonen 15 keine anderen Vorkehrungen getroffen werden,
durchzulassen, die während der Erhitzung erzeugt Die Periode der Erhitzung auf niedrigere Tempewerden, so daß η-leitende rekristallisierte Zonen beim ratur geht einer Periode einer schnellen Temperatur-Abkühlen gebildet werden und außerdem eine Diffu- zunähme (750 bis 800° C) voran, während der die sion der Donatoren Arsen und Antimon aus den Legierungsfront schneller in den Körper eindringt als Schmelzzonen in das Germanium erfolgt. 20 die Diffusionsfront, mit der sie dann nahezu zusam-
Die F i g. 2 zeigt das Ganze nach dem zuletzt ge- menfällt. Wie vorstehend bemerkt, decken sich die
nannten Vorgang. zwei Fronten nicht vollkommen, aber sie sind nur
Die Platte 1 hat eine η-leitende Diffusionszone 5 sehr wenig voneinander getrennt. Die Temperatur
mit Antimon und Arsen und rekristallisierte n-lei- wird darauf verringert, bis die Diffusion aufhört. Für
tende Zonen 6 und 7, auch mit Antimon und Arsen, 25 praktische Zwecke sind dies etwa 700° C für Arsen,
mit zugehörenden erstarrten Zonen 8 und 9, die im Der Diffusionskoeffizient für Arsen in Germanium
wesentlichen aus Wismut bestehen und kleine Mengen beträgt etwa 4· 1O-11 cm2/sec bei 800° C, 1,2·
Antimon, Arsen und Germanium enthalten. Die Kitt- 10"11 cm2/sec bei 750° C und 2,0· 10~12 cm2/sec bei
form 10 ist auch dargestellt. Es wird einleuchten, daß 690° C. Die Basisstärke wird durch die Zeit der
auch eine Diffusion aus der Oberfläche der Platte 1 30 Abkühlung von 800 auf 700° C bedingt, und je
stattgefunden hat, so daß die Diffusionszone 5 sich schneller diese Temperatur erzielbar ist, um so
durchgehend über die Oberfläche der Platte 1 unter- kleiner ist die Basisstärke. Wenn eine Basisstärke von
halb der rekristallisierten Zone 6 und 7 längs der mehr als die minimal erzielbare durch langsamere
Oberfläche der Einschnitte 4 erstreckt. Abkühlung verlangt wird, kann die langsamere Ab-
Die Kittform 15 wird darauf entfernt. Dies läßt 35 kühlung geregelt werden, wobei eine hohe Reprodu-
sich bequem von Hand durchführen, da der Kitt nach zierbarkeit der Basisstärke bei verschiedenen Anord-
dem Sintern spröde geworden ist. nungen erzielt wird.
Ein aluminiumhaltiger Brei aus Aluminium und Es ist ersichtlich, daß die Platte und der Ereinem leicht verdampfbaren Bindemittel wird auf hitzungsofen eine thermische Trägheit haben, so daß einen der getrennten Teile jedes ursprünglichen 40 die Temperaturänderungen nicht schroff stattfinden Ansatzes angebracht, und die Kittform wird wieder können. Der thermische Zyklus der F i g. 3 ist gewisauf die vorstehend beschriebene Weise angebracht. sermaßen idealisiert, um die geltenden Grundsätze
Das Ganze wird langsam erhitzt in der Weise, daß besser hervorzuheben.
die Temperatur um etwa 10° C pro Minute zunimmt, Die letzte Abkühlung unterhalb 650 oder 600° C bis etwa 750° C erreicht sind. Diese Temperatur wird 45 wird verhältnismäßig langsam durchgeführt, da bei während etwa 2,5 Minuten beibehalten. Dann wird hoher Abkühlungsgeschwindigkeit das Material Risse die Temperatur schnell mit etwa 60° C pro Minute aufweisen kann. Die Kittform wird darauf entfernt,
auf etwa 800° C erhöht. Das Ganze wird dann un- Die F i g. 4 zeigt einen Teil der Platte entsprechend mittelbar in den Abkühlteil eines Ofens übergeführt, dem der F i g. 1 und 2 in letzterer Stufe. Der AIuwo die Temperatur etwa 200° C beträgt, während 50 miniumbrei wird auf dem linken Teil der zwei geder Ofen gleichzeitig abgeschaltet wird. Nach 2,5 Se- trennten Elektrodenteile angebracht. Der erstarrte künden wird das Ganze wieder nach einem Ofen- Teil 11 besteht im wesentlichen aus Wismut und entgebiet mit einer maximalen Temperatur von 700° C hält Arsen, Antimon, Aluminium und Germanium, verschoben. Die vorerwähnten Temperaturen lassen und der erstarrte Teil 12 besteht im wesentlichen aus sich bequem mittels eines Ofens mit einem Silicium- 55 Wismut und enthält Arsen, Antimon und Germaoxydrohr erzielen, das von einer Heizwicklung für nium. Die zugehörenden rekristallisierten Zonen 13 die Gebiete von 700 und 800° C umgeben wird und und 14 dringen tiefer in die Platte 1 ein als die entdas eine zweite Wicklung auf der Außenseite des sprechenden Zonen 6 und 7 nach der F i g. 1 und beRohres in dem Gebiet besitzt, wo die Temperatur stehen im wesentlichen aus Germanium. Die Zone 13 von 800° C vorherrschen soll. 60 enthält außer Germanium Aluminium, Arsen,
Die Fig. 3 zeigt einen Teil des thermischen Antimon und Wismut, und die Zone 14 enthält außer
Zyklus, dem das Ganze unterworfen wird. Die Zeit- Germanium Arsen, Antimon und Wismut. Wie üb-
skala ist nicht linear. Unterhalb von 650° C wird die lieh sind die Mengen der Aktivatoren Aluminium,
Abkühlung allmählich weniger stark, und unterhalb Arsen und Antimon in den Schmelzen sehr groß im
600° C beträgt die Abkühlgeschwindigkeit 5 bis 65 Vergleich zu den Mengen, welche in den rekristalli-
10° C pro Minute. sierten Zonen vorhanden sein können, so daß die
Die Periode der langsamen Erhitzung auf 750° C Leitfähigkeitsarten der Zonen durch die Segregations-
und die Periode der Aufrechterhaltung der Tempe- koeffizienten der Aktivatoren bedingt werden. Die
etwa 500° C in Wasserstoff angebracht, wobei nach dem Abkühlen das Indium auf einen Nickelstreifen gebracht wird, indem die Oberfläche des Indiumkontaktes mit dem Nickelstreifen verschmolzen wird, der 5 auf einer heißen Platte mit einer Temperatur von etwa 180° C liegt.
Es werden Nickeldrahtverbindungen an den erstarrten Teilen 11 und 12 durch Löten mit Hilfe eines heißen Luftstrahles und unter Verwendung eines
Zone 13 ist p-leitend infolge der vorherrschenden Wirkung des Aluminiums, und die Zone 14 ist n-leitend. Es kann zwar eine kleine Menge Aluminium in dem rechten geschmolzenen Teil eindringen, aber diese Menge ist klein, und deren Effekt wird noch durch die Reaktion mit dem Arsen in der Schmelze verringert, so daß dieser Umstand vernachlässigbar ist.
; Die Diffusionsschicht 5 hat eine größere Stärke an
der Oberfläche der Platte 1, wodurch ein niedriger io Lotes aus einem Eutektikum von Blei und Zinn an-Reihenwiderstand erzielt wird; sie ist aber nahe gebracht.
den rekristallisierten Zonen 13 und 14 im Bereich Die auf diese Weise fertiggestellten Körper werden
der Zonen 15 und 16 sehr dünn, in diesem Falle darauf elektrolytisch in einem Natriumhydroxydetwa 5/8 μ. Aus der linken Legierungsfront diffun- oder Kaliumhydroxydbad dadurch geätzt, daß ein dieren Aluminium, Arsen und Antimon und aus der 15 hoher Strom von einigen τη Amp der Elektrode 12 zurechten Legierungsfront Arsen und Antimon. Der geführt wird. Der Boden des Einschnittes 4 wird wäh-Diffusionskoeffizient von Aluminium ist verhältnis- rend des Ätzvorganges durch einen Lack in dem Einmäßig niedrig, so daß die ganze Schicht 5 mit den schnitt 4 abgeschirmt, der Lack nach der Ätzung geTeilen 15 und 16 η-leitend ist. Die Diffusion erfolgt löst. Das Ätzen wird fortgesetzt, bis ein großer Teil annähernd aus und längs der Oberfläche der Platte 1 20 des Materials unterhalb der Zonenil und 12 ent- und bei dem Einschnitt 4. fernt ist, was durch die gestrichelten Linien 28 und
Die Fig. 5 zeigt in beliebigem Maßstab die Art 29 in der Fig. 4 angedeutete ist; der Emitter-Basisder Diffusion der Aktivatoren aus einer Schmelzfront
in das naheliegende feste Germanium. Zur Vereinfachung werden nur Aluminium und Arsen betrach- 25
tet. In der Fig. 5 ist die Konzentration (cone) gegen
den Abstand (x) in der Platte 1 aufgetragen. Die horizontalen Linien 17 und 18 deuten die Konzentrationen von Aluminium und Arsen in der rekristallisierten Zone 13, und die vertikale Linie 19 deutet die 30 20 Ohm erreicht werden, so daß der Transistor sich größte Eindringtiefe der Legierungsfront an. In dieser zur Verwendung bei Frequenzen von mehr als Figur wird auch der Effekt eines etwaigen Aktivators 1000 MHz eignet.
in der Platte vernachlässigt. Es ist nicht notwendig, eine Periode konstanter
Die geringe Diffusion zu Beginn der Abkühlung Temperatur von 750° C nach der F i g. 2 aufrechtzuwird vernachlässigt. Die Neuverteilung der Alu- 35 erhalten, sofern nur eine hinreichend lange Zeit zur miniiumkonzentration infolge der Diffusion während Bildung einer homogenen Schmelze zur Verfügung
steht und sofern die darauf erfolgende Zunahme der Temperatur sich hinreichend schnell vollzieht, um die Legierungsfront praktisch mit der naheliegenden
Punkt 22 erreicht ist. Die wahrnehmbare Diffusion 40 Diffusionsfront zusammenfallen zu lassen. Das Ervon Arsen hat eine Tiefe entsprechend dem Punkt hitzen von 680 auf 800° C läßt sich daher mit einer
nahezu konstanten Geschwindigkeit von etwa 50° C pro Minute durchführen. Ferner muß der Einschnitt^ in die Platte 1 hinreichend groß sein, um die beiden
sion stärker, was durch die gestrichelten Linien 24 45 geschmolzenen Zonen voneinander zu trennen. Je und 25 angedeutet ist, und die Breite der Basis ist höher die maximale Erhitzungetemperatur ist, um so somit größer und wird durch" den horizontalen Ab- tiefer muß der Einschnitt 4 sein, stand zwischen den Punkten 26 und 27 bedingt. Die Elektrodenpaare brauchen nicht durch Auf-
DIe Diffüsionsschicht 5 enthält die Donatoren schmelzen einer größeren Elektrode und durch nach-Äntimon und Arsen. Es wird jedoch eine kleinere 50 trägliches Schneiden der letzteren in zwei Teile her-Menge Arsen im Teil 15 der Schicht 5 vorhanden gestellt zu werden. Die Elektroden können auch gesein, da eine gewisse Reaktion zwischen dem Arsen trennt in einem kleinen Abstand voneinander auf- und dem Aluminium in dem linken Schmelzteil legiert werden, wobei sich eine Kittform erübrigen auftritt. kann. Wenn die Platte aus Silicium besteht, werden
Wismut ist sowohl in den rekristallisierten Zonen 55 die Elektroden im allgemeinen getrennt auflegiert. 13 und 14 als auch in der Diffusionsschicht 5 vor- Das Aluminium oder ein anderer passender Akzeptor handen. Die Mengen Wismut in den Zonen 13 und kann nicht nur in Form eines Breies, sondern auch
Übergang wird dabei verkleinert, und die Emitter-Basis-Kapazität wird verringert.
Die geätzten Körper werden darauf gewaschen und getrocknet und gesondert auf bekannte Weise mit einer Hülle versehen.
Bei einem auf diese Weise hergestellten Transistor kann ein Basiswiderstand von nicht mehr als etwa
der Abkühlung ist durch die Kurve 20 und die des Arsens durch die Kurve 21 angedeutet. Das Aluminium herrscht vor, bis eine Tiefe entsprechend dem
123, so daß die Breite der Basis durch den horizontalen Abstand zwischen den Punkten 22 und 23 bedingt wird. Bei langsamerer Abkühlung ist die Diffu-
14 und in der Schicht 5 sind gering, da Wismut keine große Löslichkeit in Germanium aufweist.
Die Platte wird in 20 Stücke durch Zerschneiden 60 zwischen jedem der nebeneinanderliegenden Paare von Kontakten (11 und 12) z. B. durch Sägen oder Scheuern der Plattenoberfläche und durch Brechen mit der Hand geteilt.
durch Aufdampfen auf einem der Elektrodenteile angebracht werden.
Bei einem Germaniumkörper empfiehlt es sich, mit einer Platte anzufangen, die "aus p-leitendem Geremanium besteht, und bei einem Siliciumkörper empfiehlt sich die Verwendung einer n-leitenden Siliciumplatte, da die üblichen Donatoren schneller
Ein Kollektorkontakt und eine Zuleitung werden 65 in Germanium eindiffundieren als die bekannten
an jedem Stück durch Auflegieren eines Indium- Akzeptoren, während die bekannten Akzeptoren
kügelchens mit einem Durchmesser von 1 mm auf die schneller in Silicium eindiffundieren als die bekann-
Plattel gegenüber der Zone 13 durch Erhitzung auf ten Donatoren.
Wenn ein Verfahren vorstehend beschriebener Art zur Herstellung eines Siliciumtransistors durchgeführt wird, müssen die Temperaturen höher gewählt werden, um die Diffusion in das und das Legieren auf dem Silicium zu sichern. Es können dann zwei 5 Zinnkügelchen als Trägermaterial benutzt werden. Das Diffusionsmaterial kann in diesem Falle Bor oder Phosphor sein, die auch in Form einer vordiffundierten Schicht in der Platte vorgesehen werden können. Es kann Aluminiumbrei auf eine Elektrode im wesentlichen aus Zinn und auch mit Silicium und Bor und/oder Phosphor gestrichen werden, worauf das Ganze in einer arsenhaltigen Atmosphäre erhitzt wird. Das Arsen greift die geschmolzene Zone mit dem Aluminium nicht an, und die rekristallisierte Zone ist nach wie vor p-leitend, während die andere geschmolzene Zone Arsen aufnimmt und n-leitend wird. Die Aufnahme von Arsen zum Erzielen einer homogenen Schmelzzone mit einer hinreichenden Arsenmenge beansprucht gewisse Zeit, aber nicht eine so lange Zeit wie die homogene Zone mit Aluminium in dem vorstehend beschriebenen Beispiel, in dem ein Germaniumkörper verwendet wird; die letzte Erhitzung wird auf gleiche Weise auf eine höhere Temperatur durchgeführt, so daß die Legierungsfront die naheliegende Diffusionsfront überholt.
Es ist weiter nicht notwendig, zwei rekristallisierte Zonen des η-Typs bzw. des p-Typs auf die vorstehend geschilderte Weise anzubringen durch Anwendung zwei gesonderter Kügelchen oder durch Anbringung eines einzigen, später geteilten Kügelchens, da ein Ohmscher Kontakt mit der Diffusionszone auf andere bekannte Weise erhalten werden kann, indem eines der Kügelchen später aufgeschmolzen wird. Im allgemeinen jedoch wird der Kontakt mit der Diffusionszone vorzugsweise nahe an der Emitterzone angebracht, um den Widerstand zwischen der Basiselektrode auf der Diffusionszone und dem pn-übergang an der Emitterelektrode niedrig zu halten.
40

Claims (18)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem während einer Legierungsbehandlung zum Erzeugen einer rekristallisierten Legierungszone des einen Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper aus einer Legierungsschmelze eine Diffusion von Aktivatoren zum Erzeugen einer Diffusionszone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps erfolgt, dadurchgekennzeichnet, daß nach einer thermischen Vorbehandlung bei einer niedrigen Temperatur zum Erzeugen einer homogenen Legierungsschmelze eine Erhitzung auf eine so hohe Tempe- ratur durchgeführt wird, daß die Legierungsschmelzfront schneller in den Körper eindringt als die Diffusionsfront und sich beide Fronten praktisch verbinden, und schließlich die Temperatur so weit erniedrigt wird, daß die Diffusion nahezu aufhört und die Stärke der Diffusionszone nahe der Stelle der größten Eindringtiefe der Legierungsfront praktisch durch die Abkühlungsperiode bedingt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung auf niedrigerer Temperatur, teilweise bei nahezu konstanter Temperatur durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung auf niedrigerer Temperatur und die Behandlung auf höherer Temperatur bei einer mit der Zeit zunehmenden Temperatur durchgeführt werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Erreichen der Temperatur, bei welcher die Diffusion nahezu aufhört, die Abkühlungsgeschwindigkeit verringert wird, um Spannungen in und in der Nähe der rekristallisierten Legierungszone zu verringern.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das zu diffundierende Material in Form einer vordiffundierten Schicht im Halbleiterkörper vor dem Legierungsvorgang angebracht wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das zu legierende Material zunächst schwach an den Halbleiterkörper legiert und daß dann die Behandlung auf niedrigere Temperatur zur Bildung einer homogenen Schmelze durchgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägermaterial auf den Körper auflegiert wird und daß ein Aktivator über eine Schmelzbehandlung diesem Material zugesetzt wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus p-leitendem Germanium besteht.
9. Verfahren nach Ansprüchen 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial aus Wismut oder Blei besteht.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus η-leitendem Silicium besteht.
11. Verfahren nach Ansprüchen 7 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial aus Zinn oder Blei besteht.
12. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die eindiffundierende Donatorverunreinigung aus Antimon und/oder Arsen besteht.
13. Verfahren nach Anspruch 8, 9 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Akzeptorverunreinigung aus Aluminium besteht.
14. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die eindiffundierende Akzeptorverunreinigung aus Bor besteht.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite rekristallisierte Zone des anderen Leitfähigkeitstyps angebracht wird, die eine Ohmsche Verbindung mit der Diffusionszone herstellt.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Zwischenstufe der Herstellung eine einheitliche Legierungselektrodenzone angebracht wird, die in zwei Teile geteilt wird, von denen ein Teil als Legierungszone des einen Leitfähigkeitstyps und der andere Teil als Legierungszone des anderen Leitfähigkeitstyps dient.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Anbringen der rekristallisierten Zone des einen Leitfähigkeitstyps und der Diffusionszone die Oberfläche der Diffusionszone neben der re-
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kristallisierten Legierungszone des einen Leitfähigkeitstyps durch Ätzen verkleinert wird.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß durch das Ätzen auch der Übergang zwischen der rekristallisierten Zone des einen Leitfähigkeitstyps und der Diffusionszone verringert wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift S 42219 VIIIc/21g (bekanntgemacht am 30. 8.1956);
deutsche Auslegeschriften Nr. 1 040 697, 090 770, 1 094 371, 1105 524;
östereichische Patentschrift Nr. 204 604; französische Patentschrift Nr. 1163 048.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117259949B (zh) * 2023-11-17 2024-02-06 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司 一种镍基高温合金低温瞬时液相扩散连接方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1163048A (fr) * 1955-09-02 1958-09-22 Gen Electric Co Ltd Diffusion différentielle d'impuretés dans les semi-conducteurs
DE1040697B (de) * 1955-03-30 1958-10-09 Siemens Ag Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern
AT204604B (de) * 1956-08-10 1959-08-10 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Speerschichtsystems sowie halbleitendes Sperrschichtsystem
DE1090770B (de) * 1958-01-16 1960-10-13 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit nahe nebeneinander liegenden aufgeschmolzenen Elektroden
DE1094371B (de) * 1955-07-21 1960-12-08 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode auf einem aus Germanium bestehenden halbleitenden Koerper
DE1105524B (de) * 1958-08-07 1961-04-27 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors,mit einer auflegierten Elektrode

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1040697B (de) * 1955-03-30 1958-10-09 Siemens Ag Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern
DE1094371B (de) * 1955-07-21 1960-12-08 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode auf einem aus Germanium bestehenden halbleitenden Koerper
FR1163048A (fr) * 1955-09-02 1958-09-22 Gen Electric Co Ltd Diffusion différentielle d'impuretés dans les semi-conducteurs
AT204604B (de) * 1956-08-10 1959-08-10 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Speerschichtsystems sowie halbleitendes Sperrschichtsystem
DE1090770B (de) * 1958-01-16 1960-10-13 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit nahe nebeneinander liegenden aufgeschmolzenen Elektroden
DE1105524B (de) * 1958-08-07 1961-04-27 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors,mit einer auflegierten Elektrode

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