FR1163048A - Diffusion différentielle d'impuretés dans les semi-conducteurs - Google Patents
Diffusion différentielle d'impuretés dans les semi-conducteursInfo
- Publication number
- FR1163048A FR1163048A FR1163048DA FR1163048A FR 1163048 A FR1163048 A FR 1163048A FR 1163048D A FR1163048D A FR 1163048DA FR 1163048 A FR1163048 A FR 1163048A
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- semiconductors
- impurities
- differential diffusion
- diffusion
- differential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/228—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB25344/55A GB807995A (en) | 1955-09-02 | 1955-09-02 | Improvements in or relating to the production of semiconductor bodies |
GB2983/56A GB807797A (en) | 1955-09-02 | 1956-01-30 | Improvements in or relating to p-n junction transistors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR1163048A true FR1163048A (fr) | 1958-09-22 |
Family
ID=26237905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1163048D Expired FR1163048A (fr) | 1955-09-02 | 1956-09-03 | Diffusion différentielle d'impuretés dans les semi-conducteurs |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3029170A (fr) |
FR (1) | FR1163048A (fr) |
GB (2) | GB807995A (fr) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1104072B (de) * | 1959-05-12 | 1961-04-06 | Siemens Ag | Legierungstransistor mit einem scheibenfoermigen einkristallinen Halbleiterkoerper aus Silizium und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1105524B (de) * | 1958-08-07 | 1961-04-27 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors,mit einer auflegierten Elektrode |
DE1116829B (de) * | 1960-06-08 | 1961-11-09 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
DE1121224B (de) * | 1959-12-14 | 1962-01-04 | Philips Nv | Transistor mit dicht nebeneinander einlegierten Emitter- und Basiselektroden und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE1153460B (de) * | 1959-01-28 | 1963-08-29 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellung und Kontaktieren einer Halbleiteranordnung |
DE1155541B (de) * | 1960-08-30 | 1963-10-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer gleichrichtenden Elektrode aus einem Akzeptor- oder Donatoreigenschaften besitzenden Metall in einen in einer zentrierenden Legierungsform gehalterten Halbleiterkristall |
DE1168567B (de) * | 1960-01-30 | 1964-04-23 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen eines Transistors, insbesondere fuer Schaltzwecke |
DE1170081B (de) * | 1962-03-24 | 1964-05-14 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
DE1178148B (de) * | 1961-06-20 | 1964-09-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Vorbereitung von elektrischen Halbleiteranordnungen mit einlegierten Elekt-troden fuer das Anbringen von elektrischen An-schlussleitern an diesen Elektroden |
DE1182354B (de) * | 1958-09-02 | 1964-11-26 | Texas Instruments Inc | Transistor |
DE1185296B (de) * | 1961-07-08 | 1965-01-14 | Telefunken Patent | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen |
DE1206091B (de) * | 1962-10-30 | 1965-12-02 | Telefunken Patent | Hochfrequenz-Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1218619B (de) * | 1961-04-27 | 1966-06-08 | Nat Res Dev | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung |
DE1221362B (de) * | 1962-01-12 | 1966-07-21 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
DE1232264B (de) * | 1961-02-20 | 1967-01-12 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
DE1233495B (de) * | 1960-02-24 | 1967-02-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Verfahren zum Herstellen von Tunneldioden |
DE1258983B (de) * | 1961-12-05 | 1968-01-18 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit epitaktischer Schicht und mindestens einem pn-UEbergang |
DE1271841B (de) * | 1964-07-14 | 1968-07-04 | Itt Ind Ges Mit Beschraenkter | Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenid-Transistors |
DE1292257B (de) * | 1960-08-30 | 1969-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer Elektrode unter Bildung eines pn-UEbergangs in einem halbleitenden Germaniumkristall fuer ein Halbleiterbauelement |
DE1298191B (de) * | 1962-06-06 | 1969-06-26 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkoerpers aus Siliziumkarbid |
DE1639578B1 (de) * | 1963-12-06 | 1969-09-04 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen ohne stoerenden Thyristoreffekt |
DE1639568B1 (de) * | 1963-12-07 | 1969-10-23 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Schaltdiode mit einem Halbleiterkoerper mit vier Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp |
DE1639546B1 (de) * | 1960-10-22 | 1969-12-11 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergaengen und einem Halbleiterkoerper aus Silizium |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL263771A (fr) * | 1960-04-26 | |||
US3152026A (en) * | 1960-10-20 | 1964-10-06 | Philips Corp | Method of manufaccturing semi-conductor devices of the wide-gap electrode type |
DE1192325B (de) * | 1960-12-29 | 1965-05-06 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung eines Drifttransistors |
US3220895A (en) * | 1961-08-25 | 1965-11-30 | Raytheon Co | Fabrication of barrier material devices |
US3307088A (en) * | 1962-03-13 | 1967-02-28 | Fujikawa Kyoichi | Silver-lead alloy contacts containing dopants for semiconductors |
US3309244A (en) * | 1963-03-22 | 1967-03-14 | Motorola Inc | Alloy-diffused method for producing semiconductor devices |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL82014C (fr) * | 1949-11-30 | |||
NL178893B (nl) * | 1952-11-14 | Brevitex Ets Exploit | Bandweefgetouw met een inslagnaald voor verschillende inslagdraden. | |
US2784121A (en) * | 1952-11-20 | 1957-03-05 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductor bodies for translating devices |
FR1103544A (fr) * | 1953-05-25 | 1955-11-03 | Rca Corp | Dispositifs semi-conducteurs, et procédé de fabrication de ceux-ci |
BE531626A (fr) * | 1953-09-04 | |||
BE532474A (fr) * | 1953-10-13 | |||
NL96809C (fr) * | 1954-07-21 | |||
US2883313A (en) * | 1954-08-16 | 1959-04-21 | Rca Corp | Semiconductor devices |
NL103256C (fr) * | 1954-10-29 | |||
NL207910A (fr) * | 1955-06-20 |
-
1955
- 1955-09-02 GB GB25344/55A patent/GB807995A/en not_active Expired
-
1956
- 1956-01-30 GB GB2983/56A patent/GB807797A/en not_active Expired
- 1956-08-30 US US607200A patent/US3029170A/en not_active Expired - Lifetime
- 1956-09-03 FR FR1163048D patent/FR1163048A/fr not_active Expired
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1105524B (de) * | 1958-08-07 | 1961-04-27 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors,mit einer auflegierten Elektrode |
DE1182354B (de) * | 1958-09-02 | 1964-11-26 | Texas Instruments Inc | Transistor |
DE1153460B (de) * | 1959-01-28 | 1963-08-29 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellung und Kontaktieren einer Halbleiteranordnung |
DE1104072B (de) * | 1959-05-12 | 1961-04-06 | Siemens Ag | Legierungstransistor mit einem scheibenfoermigen einkristallinen Halbleiterkoerper aus Silizium und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1121224B (de) * | 1959-12-14 | 1962-01-04 | Philips Nv | Transistor mit dicht nebeneinander einlegierten Emitter- und Basiselektroden und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE1168567B (de) * | 1960-01-30 | 1964-04-23 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen eines Transistors, insbesondere fuer Schaltzwecke |
DE1233495B (de) * | 1960-02-24 | 1967-02-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Verfahren zum Herstellen von Tunneldioden |
DE1116829B (de) * | 1960-06-08 | 1961-11-09 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
DE1292257B (de) * | 1960-08-30 | 1969-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer Elektrode unter Bildung eines pn-UEbergangs in einem halbleitenden Germaniumkristall fuer ein Halbleiterbauelement |
DE1155541B (de) * | 1960-08-30 | 1963-10-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer gleichrichtenden Elektrode aus einem Akzeptor- oder Donatoreigenschaften besitzenden Metall in einen in einer zentrierenden Legierungsform gehalterten Halbleiterkristall |
DE1639546B1 (de) * | 1960-10-22 | 1969-12-11 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergaengen und einem Halbleiterkoerper aus Silizium |
DE1232264B (de) * | 1961-02-20 | 1967-01-12 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
DE1218619B (de) * | 1961-04-27 | 1966-06-08 | Nat Res Dev | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung |
DE1178148B (de) * | 1961-06-20 | 1964-09-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Vorbereitung von elektrischen Halbleiteranordnungen mit einlegierten Elekt-troden fuer das Anbringen von elektrischen An-schlussleitern an diesen Elektroden |
DE1185296B (de) * | 1961-07-08 | 1965-01-14 | Telefunken Patent | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen |
DE1258983B (de) * | 1961-12-05 | 1968-01-18 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit epitaktischer Schicht und mindestens einem pn-UEbergang |
DE1221362B (de) * | 1962-01-12 | 1966-07-21 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
DE1170081B (de) * | 1962-03-24 | 1964-05-14 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
DE1298191B (de) * | 1962-06-06 | 1969-06-26 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkoerpers aus Siliziumkarbid |
DE1206091B (de) * | 1962-10-30 | 1965-12-02 | Telefunken Patent | Hochfrequenz-Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1206091C2 (de) * | 1962-10-30 | 1973-04-05 | Telefunken Patent | Hochfrequenz-Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1639578B1 (de) * | 1963-12-06 | 1969-09-04 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen ohne stoerenden Thyristoreffekt |
DE1639568B1 (de) * | 1963-12-07 | 1969-10-23 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Schaltdiode mit einem Halbleiterkoerper mit vier Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp |
DE1271841B (de) * | 1964-07-14 | 1968-07-04 | Itt Ind Ges Mit Beschraenkter | Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenid-Transistors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB807797A (en) | 1959-01-21 |
US3029170A (en) | 1962-04-10 |
GB807995A (en) | 1959-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR1163048A (fr) | Diffusion différentielle d'impuretés dans les semi-conducteurs | |
FR1175953A (fr) | Amélioration dans la construction de dispositifs semi-conducteurs | |
FR1165142A (fr) | Cellule d'absorption | |
BE550001A (fr) | Semiconducteurs au silicium et procedes pour leur fabrication | |
FR1221249A (fr) | Perfectionnements à la détection des défauts d'homogénéité dans les fluides enmouvement | |
FR1235687A (fr) | Film empêchant la diffusion d'impuretés dans un dépôt de silicium | |
FR1146632A (fr) | Perfectionnement à l'hydrofugation des matériaux poreux | |
FR1225563A (fr) | Jonctions fondues dans le carbure de silicium | |
FR1130959A (fr) | Perfectionnements à l'hydroreformation de naphtes | |
CH349793A (fr) | Cellule d'électrolyse pour hautes températures | |
FR1186455A (fr) | Perfectionnements à la préparation du polystyrène | |
FR1162591A (fr) | Perfectionnements apportés à l'assemblage de tuyaux thermoplastiques | |
FR1119283A (fr) | Perfectionnements à la fabrication des sucettes | |
FR1132611A (fr) | Perfectionnement à la préparation des organo-halogénosilanes | |
FR1162028A (fr) | Perfectionnements à la préparation de l'acrylonitrile | |
FR1160200A (fr) | Perfectionnements à la préparation de l'acrylonitrile | |
FR1118569A (fr) | Perfectionnements à la fabrication des pignons | |
FR1168262A (fr) | Perfectionnements apportés à la production d'alcools supérieurs | |
FR1119253A (fr) | Utilisation des transistors dans les postes et installations téléphoniques | |
FR1133680A (fr) | Perfectionnements à l'amendement du sol | |
FR1152237A (fr) | Fabrication d'alcoyles métalliques | |
FR1192118A (fr) | Perfectionnements dans la construction des pianos droits et pianos obtenus | |
FR1190963A (fr) | Perfectionnements à l'élimination de l'électricité statique dans les tuyaux | |
FR1186704A (fr) | Perfectionnements à la préparation de l'acrylonitrile | |
FR1126521A (fr) | Perfectionnement à l'extraction de gaz dissous dans des liquides |