DE1185296B

DE1185296B - Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen

Info

Publication number: DE1185296B
Application number: DET20406A
Authority: DE
Inventors: Gerhard Grust; Reinhold Kaiser
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1961-07-08
Filing date: 1961-07-08
Publication date: 1965-01-14

Description

Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit legierten Elektroden, bestehend aus einem Ofen mit durchlaufendem Förderband.
Es hat sich herausgestellt, daß diese Legierungstechnik vor allem bei der Herstellung von Hochfrequenztransi#storen verbessert werden kann, wenn gemäß der Erfindung bei einem Durchlaufofen Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe das Legierungsgut erst im Innern des Ofens auf das Förderband aufgesetzt oder vor dem Verlassen des Ofens von dem Förderband abgenommen wird.
Dies bedeutet, daß das Legierungsgut, welches aus dem Halbleiterkörper und dem einzulegierenden Legierungsmaterial besteht, nicht auf dem Förderband in den Durchlaufofen eingeführt bzw. aus diesem herausgenommen wird, sondern erst im Innern des Ofens auf das Förderband aufgesetzt wird. Soll das Legierungsgut auch bei Beendigung des Legierungsprozesses den Durchlaufofen nicht mit Bandgeschwindigkeit verlassen, so wird das Legierungsgut ebenfalls bereits vor dem Ende des Durchlaufofens vom Band genommen und mit einer Geschwindigkeit, die größer oder kleiner als die Geschwindigkeit des Förderbandes ist, aus dem Durchlaufofen herausgeführt. Ob die Geschwindigkeit, mit der das Legierungsgut in den Durchlaufofen gebracht oder aus ihm herausgenommen wird, größer oder kleiner als die Geschwindigkeit des Förderbandes sein soll, hängt vom jeweils zu durchfahrenden Temperaturzyklus ab.
Es ist bereits ein Verfahren bekannt, bei dem das Legierungsgut schnell aufgeheizt wird. Die Anpassung an einen solchen Temperaturzyklus erfolgte jedoch bisher durch entsprechende Wahl der Ofenkonstruktion und der Temperaturzone.
Manche Temperaturzyklen erfordern, daß die Temperatur im Innern des Durchlaufofens in mehrere Temperaturzonen unterteilt ist. Bei einem bekannten Verfahren unterscheidet man zwischen Aufheizzone, Legierungszone und Abkühlzone im Durchlaufofen. Das Einbringen bzw. das Herausnehmen des Legierungsgutes erfolgt im allgemeinen automatisch.
Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Der eigentliche Durchlaufofen besteht gemäß der Zeichnung aus einem Quarzrohr 1, welches von den Heizspulen 2, 3 und 4 umgeben ist. Durch die Heizspule 2 wird die für die Aufheizzone erforderliche Temperatur erzeugt. Die Heizspule 3 erwärmt den mittleren Teil des Quarzrohres auf die erforderliche Legierungstemperatur, während die Heizspule 4 einen Bereich niederer Temperatur im Quarzrohr erzeugt, der als Abkühlzone bezeichnet wird. Wie aus der Schnittdarstellung der Zeichnung weiter hervorgeht, ist noch eine Ofenisolierung 5 vorgesehen, die das Quarzrohr konzentrisch umgibt.
Das Legierungsgut 6, welches aus einem Halbleiterkörper und dem Legierungsmaterial besteht, wird mit Hilfe des Förderbandes 7 und der Rollen 8 durch den Durchlaufofen befördert. Das Förderband wird jedoch vom Legierungsgut nur im mittleren Teil des Durchlaufofen-, in Anspruch genommen, während das Legierungsgut in den Durchlaufofen unabhängig von der Geschwindigkeit des Förderbandes durch eine automatische Einführvorrichtung 9 eingebracht wird.

Claims

Patentansprüche: 1. Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit legierten Elektroden, bestehend aus einem Ofen mit durchlaufendem Förderband, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe das Legierungsgut erst im Innern des Ofens auf das Förderband aufgesetzt oder vor dem Verlassen des Ofens von dem Förderband abgenommen wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbringen und/oder Herausnehmen des Legierungsgutes aus dem Durchlaufofen automatisch erfolgt. 3. Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen unter Verwendung einer Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Durchlaufofen mehrere Temperaturzonen vorhanden sind. 4. Verfahren nach Ansprach 3, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Durchlaufofen eine Aufheizzone, eine Legierungszone und eine Abkühlzone aufrechterhalten werden. In Betracht gezogene Druckschriften: Französische Patentschriften Nr. 1109 535, 1163 048; belgische Patentschrift Nr. 561486; L. P. Hunter, »Handbook of Semiconductor Electronics«, 1956, Kap. 7, S. 19.