DE1102287B - Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern von Halbleiter-anordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer n-leitenden Zone in einem Erhitzungs-prozess - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern von Halbleiter-anordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer n-leitenden Zone in einem Erhitzungs-prozess

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DE1102287B DEI15763A DEI0015763A DE1102287B DE 1102287 B DE1102287 B DE 1102287B DE I15763 A DEI15763 A DE I15763A DE I0015763 A DEI0015763 A DE I0015763A DE 1102287 B DE1102287 B DE 1102287B
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Description

DEUTSCHES
In der elektrischen Schaltungstechnik werden heute vielfach elektrische Halbleiter als Kristalldioden oder Transistoren verwendet und bereits auf verschiedenen Anwendungsgebieten zur Gleichrichtung und zur Verstärkung sowie in der Impulstechnik den bisher benutzten Elektronenröhren vorgezogen. Der Umfang und die Vielseitigkeit ihrer Anwendung gewinnen ständig an Bedeutung. Die meisten bekannten und vor allem in der Technik benutzten Halbleiter sind »Störstellenhalbleiter«, die durch irgendeine Störung im Gitterbau, wie Fehlen von Bestandteilen, Abweichen von der stöchiometrischen Zusammensetzung, Einbau von Fremdatomen, leitfähig werden. Bei Halbleitern vom Typ des Siliziums und des Germaniums eignen sich zum Einbau in das Gitter solche Fremdatome, die im Periodischen System unseren vierwertigen Atomen Silizium bzw. Germanium benachbart sind, die also fünf oder drei Valenzelektronen haben, wie das im Periodischen System rechts vom Germanium stehende Arsen oder das links davon stehende Gallium. Das in das Kristallgitter eingebaute Arsenatom besitzt dann aber ein überschüssiges Elektron, da vier seiner Elektronen zur Valenzbindung ausreichen. Man spricht in einem solchen Falle von einem Überschuß-Halbleiter oder einem n-Typ-Halbletter, da hier die negative Ladung, d. h. dieses überschüssige Elektron im Gitter wie ein Leitungselektron im Metall wandern kann. Beim Einbau eines Gallium-Atoms in das Gitter des vierwertigen Germaniums hingegen fehlt ein Elektron, um die Valenzbindung einzugehen. In diesem Falle kann durch thermische Anregung ein Elektron von einem normalen Gitterbaustein angelagert werden. Der Gitterbaustein, der sein Elektron abgegeben hat, kann dieses von einem anderen ersetzt bekommen usf. Auf diese Weise wird ebenfalls eine Leitfähigkeit ermöglicht, die man im Gegensatz zur Uberschußleitung beim n-Typ-Halbleiter als Defektleitung, Löcherleitung, Mangelleitung oder Leitung durch Löcher bezeichnet. Sie ist gleichbedeutend mit der Wanderung einer positiven Ladung. Man nennt einen solchen Halbleiter einen p-Typ-Halbleiter. Germanium und Silizium, beides Elemente der IV. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente, werden also durch Zusatz eines Elementes der V. Gruppe, etwa Arsen oder Phosphor, zu einem Überschußleiter (η-Typ), durch Zusatz eines Elementes der III. Gruppe, etwa Gallium oder Bor, zu einem Defektleiter (P-Typ).
Wenn eine Metallspitze als Elektrode mit dem Halbleiter in Berührung gebracht wird, gibt es entsprechend den Leitfähigkeiten durch Elektronen bzw. Defektelektronen auch zwei Arten von Gleichrichtung. Hierbei sind vor allem Silizium-Kristalldioden und Germanium-Kristalldioden bekanntgeworden. Der
Verfahren zur Herstellung
von scharfen pn-übergangen
in Halbleiterkörpern von Halbleiteranordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer
η-leitenden Zone in einem Erhitzungsprozeß
Anmelder:
IBM Deutschland
Internationale Büro-Maschinen
Gesellschaft m.b.H.,
Sindelfingen (Württ.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 19. April 1952
Lloyd Philip Hunter, Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.), ist als Erfinder genannt worden
Transistor besteht in seiner ursprünglichen und zur Zeit noch am gebräuchlichsten Ausführungsform aus dem Halbleiterkristall, insbesondere Germanium, der auf einer Metall-Grundplatte, der Basiselektrode, festgelötet ist, und aus zwei Metallspitzen, die federnd die Kristalloberfläche als Elektroden berühren. Neben diesem Spitzen- oder Nadeltransistor steht in neuerer Zeit noch der Schichttransistor zur Verfügung. Dieser besteht aus einem Germanium-Einkristall, der durch entsprechende Zusätze einen Elektronenüberschuß aufweist (n-Typleiter). In den n-Typ-Kristall ist eine dünne Schicht eingebaut, die einen Löcherüberschuß hat, also ein p-Typleiter ist. Die Steuerfähigkeit und die Leistungsverstärkung des Sehichttransistors kommt durch die gleichrichtende Wirkung an den Grenzflächen zwischen den n- und p-Bereichen zustande. Der Schichttransistor hat gegenüber dem Transistor mit Kontaktspitze den Vorteil der höheren Belastbarkeit, der größeren Stabilität und des robusteren Aufbaues (vgl. Shockley, Sparks, Teal, »p-n-Junction Transistors«, Phys. Rev. [83], Nr. 1 vom 1.7.1951, S. 151 bis 162).
Die bisher bekanntgewordenen Verfahren zur Bildung von pn-Schichten in Halbleitern haben gewisse
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3 4
Nachteile. Bei dem bekannten Diffusionsverfahren Halbleiterzone mit der kleineren Oberfläche an der
bringt man eine Menge p- oder n-Störatome in physi- Oberfläche schmilzt.
kalischen Kontakt mit den gegenüberliegenden Seiten Es ist an sich bereits bekannt, Schichttransistoren einer dünnen Scheibe aus n- bzw. -p-Halbleitermaterial durch Zusammenschmelzen oder Zusammensintern von von bestimmtem spezifischen Widerstand. Die Masse 5 Halbleiterschichten herzustellen. Bei einem bekannten wird dann so hoch erhitzt, daß die Störatome in das Verfahren zur Bildung einer künstlichen Korngrenze Innere der dünnen Scheibe hineindiffundieren. Die in einem Halbleiterkörper hat man zwei Halbleiter-Erhitzung wird abgebrochen, kurz bevor die Mittel- körper mit zusammenpassenden Flächen so behandelt, schicht der Scheibe die Eigenschaften eines Stör- daß mindestens eine der zusammenpassenden Flächen Stellenhalbleiters angenommen hat. Ein grundsätz- io eine Beschichtung aus einem sich mit dem Halbleiterlicher Nachteil dieser Diffusionsmethode besteht in material legierenden Stoff erhält. Die beiden HaIbder mangelnden Steuerung des spezifischen Wider- leiterkörper werden danach bei dem bekannten Verstandes der durch Störstoffe zu beeinflussenden Be- fahren mit den zusammenpassenden Flächen gegenreiche. Ein weiterer Nachteil dieses Verfahrens liegt einandergepreßt und unter Aufrechterhaltung des in den verhältnismäßig breiten Grenzen oder Schich- 15 Preßdrucks auf Sintertemperatur erhitzt. Ein Zuten zwischen den Bereichen mit verschiedenem Leit- sammenpressen verschieden großer, sich gegenüberfähigkeitstypus. stehender Halbleiteroberflächen ist hierbei aber nicht
Ein weiteres bekanntes Herstellungsverfahren ist vorgesehen. Dies gestattet aber erst eine Einregelung das sogenannte »Ziehverfahren«. Beim Ziehverfahren der Schmelzpunkte bei der Vereinigung der zu verwird zunächst das eine Ende eines gezüchteten Kri- 20 bindenden Halbleiterkörper.
stalls mit einer Schmelze aus demselben Haltleiter- Die Erfindung sei an Hand der in den Zeichnungen
material in Berührung gebrächt. In der Ziehvorrich- schematisch dargestellten Ausführungsbeispiele näher
tung wird außerdem ein bestimmtes Wärmegefälle erläutert. Aus der Beschreibung ergeben sich weitere
aufrechterhalten, so daß an der Kontaktfläche die Merkmale der Erfindung.
Schmelzpunkttemperatur herrscht. Im weiteren Ver- 25 Fig. 1, zum Teil im Schnitt gezeichnet, stellt eine lauf muß der Zuchtkristall langsam zurückgezogen Vorrichtung zur Herstellung von pn-Schichten nach werden, damit der Meniskus beim Aufsteigen aus der dem Verfahren gemäß der Erfindung dar;
Schmelze erstarrt. Dieses Verfahren, das in erster Fig. 2, zum Teil im Querschnitt gezeichnet, zeigt Linie bei der Züchtung von Einkristallen Anwendung eine besonders geeignete Vorrichtung nach der Erfinfindet, läßt sich auch zur Erzeugung von pn-Schichten 30 dung für die Durchführung des an Hand der Fig. 1 durch stufenweise Änderung des Leitfähigkeitstyps schematisch skizzierten Herstellungsverfahrens,
der Schmelze nach der Zurückziehung des gezüchteten Fig. 1 stellt schematisch ein Verfahren zur Bildung Kristalls benutzen (vgl. Teal u.a., Phys.Rev.,Bd.81, von pn-Schichten in Halbleitern dar, die sich beim S. 637 vom 15.11. 1951). Es hat aber ebenfalls einige Erstarren ausdehnen, wie z. B. Germanium. Gleiche Nachteile. Der mechanische Stabilitätsgrad der 35 Teile sind in den Figuren durch gleiche Bezugsziffern Schmelze muß nämlich sehr hoch sein, da sonst die gekennzeichnet oder auch mit entsprechenden Ziffern geringste, auf die verhältnismäßig große Masse der versehen worden. Bei dem Verfahren nach Fig. 1 wird Schmelze übertragene Schwingung zur Erzeugung un- auf beide Körper aus demselben Halbleitermaterial, vollkommener Halbleiterschichten führt. Ferner ist es jedoch von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp, wähin der Regel sehr schwierig, während des Verfahrens 4° rend der Herstellung der pn-Schicht ein Druck ausdas erforderliche Wärmegefälle aufrechtzuerhalten. geübt. Außer Germanium können auch andere HaIb-Das Schmelzniveau ändert sich und macht eine Posi- leiter, die sich beim Erstarren ausdehnen, dem Vertionsverschiebung des Wärmegradienten notwendig. fahren nach Fig. 1 unterworfen werden.
Ein dritter Nachteil besteht beim Ziehverfahren darin, Nach Fig. 1 werden zwei dünne Scheiben 10' und daß die Geschwindigkeit der Zurückziehung des Kri- 45 14' aus Germanium von entgegengesetztem Leitfähigstalls sehr sorgfältig gesteuert und angepaßt werden keitstyp zwischen zwei sich gegenüberliegenden Platmuß, damit sich die ständig wachsende Wärmemenge, ten 22 und 24 in Richtung der Pfeile 26 zusammendie durch den wachsenden Kristall der Schmelze ent- gepreßt. Die Platten 22 und 24 bestehen aus reinem zogen wird, sich ausgleichen kann. Graphit, um eine unerwünschte Verunreinigung oder
Die durch die bekannten Herstellungsverfahren ge- 50 eine Reaktion mit dem Germanium zu verhüten. Die
gebenen Schwierigkeiten zu überwinden und ein neues eine dünne Scheibe 14' weist eine konstante, aber
Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halb- kleinere Schnittfläche als die andere Scheibe 10' auf.
leitern zu schaffen, die die oben dargelegten Nachteile Die Oberfläche der Scheibe 14' stößt an die gegen-
nicht aufweisen, ist die der Erfindung zugrunde überliegende Fläche der größeren Scheibe 10'. Die
liegende Aufgabe. 55 Wahl des Größenverhältnisses der beiden Scheiben
Die Erfindung bezieht sich somit auf ein Verfahren hängt von der erzielbaren Genauigkeit der Steuerung zur Herstellung von scharfen pn-Übergängen in Halb- der Bezugstemperatur ab. Wenn z. B. die Bezugsleiterkörpern von Halbleiteranordnungen durch Zu- temperatur nur auf + 2° C geregelt werden kann, so sammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer ist es wichtig, daß der Unterschied der Schmelztempen-leitenden Zone in einem Erhitzungsprozeß. Erfin- 60 raturen der beiden dünnen Scheiben bei einem kondungsgemäß werden zwei massive Halbleiterzonen stanten, angelegten Druck mindestens 5° C beträgt, gleichen Halbleitermaterials, aber verschiedenen Leit- Dieser Unterschied kann durch Verändern des ausfähigkeitstyps und derart verschieden großer, sich geübten Drucks, des Verhältnisses der Schnittflächen gegenüberstehender Oberflächen zusammengedrückt oder der absoluten Oberflächen oder durch eine komwerden, daß bei gleichzeitiger Erwärmung der Halb- 65 binierte Veränderung dieser Werte erreicht werden, leiterzonen die Halbleiterzone mit der kleineren Ober- da das Erniedrigen des Schmelzpunktes dem ausfläche gegenüber der anderen Halbleiterzone eine geübten Druck unmittelbar proportional ist.
Schmelzpunkterniedrigung erfährt, und sie werden auf Der Heizstrahler 16 besteht ebenfalls aus reinem eine solche Temperatur im Vakuum bzw. in neutraler Graphit. Die Vorrichtung ist von der Glocke 18 um- oder reduzierender Atmosphäre erhitzt, daß nur die 70 schlossen, deren umschlossener Raum evakuiert oder
mit einem neutralen oder reduzierenden Gas gefüllt ist. Der elektrische Heizstrahler 16 ist an die Stromquelle 20 angeschlossen und umfaßt gemäß der schematischen Darstellung die beiden Halbleiterscheiben 10' und 14'. Er kann aber auch die Form einer die Halbleiterscheiben umgebenden kreisförmigen Spule haben.
Da die Unterseite der dünnen Scheibe 14' kleiner als die anstoßende obere Fläche der Scheibe 10' ist, kann durch Zusammendrücken der Scheiben 10' und 14' die Scheibe 14' bei einer Temperatur schmelzen, die unter der liegt, bei der die Scheibe 10' schmilzt. Durch Anlegen eines konstanten Drucks auf die Platten 22 und 24 in Richtung der Pfeile 26 und durch langsames Steigern der Bezugstemperatur des Gerates auf den normalen Schmelzpunkt des Halbleitermaterials wird der Schmelzpunkt der Scheibe 14' erreicht. So verschmilzt die Scheibe 14' mit der unmittelbar angrenzenden Oberfläche der Scheibe 10'. Es werden dadurch die anstoßenden Oberflächen der Scheiben 10' und 14' unter dem Einfluß des stetig ausgeübten Drucks vergrößert. Wird die Temperatur nicht weiter gesteigert, so kommt das System ins Gleichgewicht, und die Materialien erstarren, wenn die Schnittflächen der aneinanderstoßenden Flächen 25' der Scheiben 10' und 14' sich vergrößern, bis die konstante, ausgeübte Druckkraft nicht mehr ausreicht, um das Material bei der von dem Heizstrahler 16 gelieferten Temperatur im geschmolzenen Zustand zu halten. Diese Temperatur liegt unter dem normalen Schmelzpunkt für das Halbleitermaterial.
Wie tief der geschmolzene Bereich in die Scheibe 10' eindringen kann, ist begrenzt, da der Druck schnell von der Scheibe 14' über die Zwischenfläche auf die Scheibe 10' nachläßt. Da die Scheibe 14' eine gleichbleibende Schnittfläche, und zwar die kleinste Fläche in der Gesamtanordnung aufweist, wird ein einheitlicher Druck auf die ganze Scheibe 14' übertragen, die daher durch und durch bei der gleichen Temperatur schmilzt.
Es können nach diesem Verfahren gleichzeitig zwei oder mehr pn-Schichten hergestellt werden, wenn zwischen je ein Paar großer Scheiben 10' eines Leitfähigkeitstyps eine kleine Scheibe 14' vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp eingelegt werden, so daß aus zwei dünnen Scheiben 10' und einer Scheibe 14' ein pnp-Körper oder ein npn-Körper entsteht, je nachdem, ob die Scheibe 14' vom n- bzw. p-Typ war. Es kann auch eine große Scheibe 10' zwischen zwei kleinere Scheiben 14' von gleicher Größe gelegt werden, um wiederum den höchsten und gleichen Druck an jeder Anstoßfläche zwischen der Scheibe 10' und einer der Scheiben 14' zu erzeugen. Es kann auch zunächst nur eine einzige pn-Schicht gebildet und das angegebene Verfahren dann so oft wiederholt werden, wie man es braucht, indem jedesmal eine weitere Scheibe vom entsprechenden Leitfähigkeitstyp gegen die Scheibe vom anderen Leitfähigkeitstyp gepreßt wird. Diese weitere Scheibe muß jedesmal eine kleinere Oberfläche als die anstoßende Fläche der Scheibe, gegen ßo die sie gedrückt wird, haben. Wenn z. B. eine dritte Germaniumscheibe vom η-Typ gegen die Germaniumscheibe 14' vom p-Typ gedrückt wird, so muß ihre Oberfläche kleiner als die anstoßende Fläche der letzteren sein, es entsteht dann ein npn-Körper.
Es wird angenommen, daß bei diesem Verfahren zum Herstellen von zwei oder mehr pn-Schichten bei sehr langsamem Erstarren nach der Bildung jeder pn-Schicht die pn-Grenzen eine einzige Kristallstruktur aufweisen, während bei dem gleichzeitigen Erzeugen mehrerer pn-Schichten, wie es zuerst beschrieben worden ist, durch Zwischenlegen von drei oder mehreren Scheiben kristallinische Grenzschichten entstehen, die an den. pn-Übergängen auftreten.
In Fig. 2 ist eine Vorrichtung zur Ausübung des Verfahrens nach Fig. 1 in vergrößertem Maßstab dargestellt, so daß die Einzelheiten klarer zu erkennen sind. Die Druckplatte 22 aus Graphit ist an die Glocke 18, die z. B. aus Quarz bestehen kann, angeschmolzen. Die größere Scheibe 10', die wiederum z. B. aus Germanium vom n-Leitfähigkeitstyp sein kann, ist auf die Grundplatte 22 gelegt. Die kleinere Scheibe 14', die somit aus Germanium vom p-Leitfähigkeitstyp sein muß, liegt zwischen der Scheibe 10' und dem zweiten Graphitdruckelement 24. Ein Quarzdruckstab 28 dringt durch die Glocke 18 hindurch und stößt mit seinem unteren Ende gegen das Druckelement 24. Sein anderes Ende wird durch ein entsprechendes Gewicht oder mehrere Gewichte 30 belastet, so daß der gewünschte Druck an den aneinanderstoßenden, sich gegenüberliegenden Flächen der Scheiben 10' und 14' erzeugt wird. Zur Übertragung dieses Drucks muß natürlich eine gleitende Bewegung zwischen der Glocke 18 und der Grundplatte 22 oder dem Stab 28 möglich sein, oder die Glocke 18 muß sich so weit durchbiegen können, daß der gewünschte Druck zwischen den Platten 22 und 24 ausgeübt werden kann. Ein Heiztopf 32 umgibt teilweise den bisher beschriebenen Aufbau und wird durch die von einer nicht dargestellten Stromquelle gespeisten Heizelemente 16' geheizt, die nicht unbedingt aus Graphit zu bestehen brauchen, da sie jetzt außerhalb der Glocke 18 liegen. Der Heiztopf 32 erstreckt sich weit genug über die aneinanderstoßenden Flächen der Scheiben 10' und 14', so daß an ihnen die genau eingestellte, konstante Temperatur aufrechterhalten werden kann. Ein mit öffnungen versehener Deckel 34 für den Heiztopf 32 kann ebenfalls mit zum Aufrechterhalten dieser gewünschten Temperatur dienen.
Der Raum innerhalb der Glocke 18 ist beispielsweise evakuiert. Die Scheibe 10' kann eine Schnittfläche von 0,012 cm2 und die Scheibe 14' eine Schnittfläche von 0,006 cm2 aufweisen. Das mit 30 bezeichnete Gewicht von 3 kg erzeugt dann einen Druck von etwa 500 kg/cm2 an den aneinanderstoßenden Flächen der Scheiben 10'und 14'. Bei diesem Druck wird der normale Schmelzpunkt des Germaniums um etwa 5° C von 946 auf 941° C herabgesetzt. Der Unterschied der Schmelzpunkte der Scheiben 10' und 14' beträgt also 2,5° C, da sich ihre Flächen wie 2:1 verhalten. Wenn die Temperatur der Seheiben 10' und 14' auf etwa 941° C erhöht wird, schmilzt die Scheibe 14' und wird dann beim Vergrößern einer Oberfläche fest. Die Scheiben 10' und 14' können ziemlich schnell, z. B. um 10° C in der Minute, bis auf 550° C abgekühlt werden. Auf dieser Temperatur werden sie etwa 16 Stunden gehalten, bevor sie weiter abgekühlt werden.
In Weiterer Ausbildung dieses Verfahrens nach Fig. 1 und 2 können auch zwei Scheiben 10' und 14' von gleichem Querschnitt verwendet werden, von denen jedoch mindestens eine an der Berührungsfläche einen verkleinerten Querschnitt aufweist. Die stärkste Herabsetzung der Schmelztemperatur des Halbleiters tritt also wieder nur in dem Bereich des Materials, der unmittelbar an die andere Scheibe angrenzt, auf.
Gemäß dieser Erfindung sind Verfahren zum Herstellen von pn-Übergängen in Halbleitern beschrieben worden, die die unabhängige Steuerung des spezifischen Widerstandswertes der verschiedenen p- und n-Bereiche des endgültigen Kristalls gestatten, die keine
große mechanische Stabilität benötigen und die keine äußerst genaue Temperaturregelung wie bei der »Zieh«-Methode erfordern.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-Ubergängen in Halbleiterkörpern von Halbleiteranordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer η-leitenden Zone in einem Erhitzungsprozeß, dadurch gekennzeichnet, daß zwei massive Halbleiterzonen (IQ', 14') gleichen Halbleitermaterials, aber verschiedenen Lei£- fähigkeitstyps (p, n) und derart verschieden großer, sich gegenüberstehender Oberflächen zusammengedrückt werden, daß bei gleichzeitiger Er-wärmung der Halbleiterzonen (14') die Halbleiterzone mit der kleineren Oberfläche gegenüber der anderen Halbleiterzone (10') eine Schmelzpunkterniedrigung erfährt und daß sie auf eine solche Temperatur im Vakuum bzw. in neutraler oder redu- m zierender Atmosphäre erhitzt werden, daß nur die Halbleiterzone mit der kleineren Oberfläche an der Oberfläche schmilzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial (10', 14') solche Stoffe verwendet werden, die sich beim Erstarren ausdehnen, z, B. Germanium.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die massiven, insbesondere scheibenförmigen, Halbleiterzonen (10', 14') zwischen Druckplatten (22, 24) aus Graphit eingelegt werden.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch Änderung des Druckes und der Querschnitte der zu verbindenden beiden Halbleiterzonen ein vorbestimmter Differenzbetrag in den Schmelzpunkten (10', 14') eingeregelt wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mehrere hintereinanderliegende pn-Übergänge durch Zusammenpressen entsprechend vieler massiver Halbleiterzonen mit wechselndem Leitfähigkeitstyp und wechselnder Oberflächengröße hergestellt werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentanmeldungen W 4642 VIIIc/21 g (bekanntgemacht am 30. 8. 1951), T5003VIIIc/21g (bekanntgemacht am 6. 11. 1952).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 109 530/420 3.61
DEI15763A 1952-04-19 1953-04-18 Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern von Halbleiter-anordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer n-leitenden Zone in einem Erhitzungs-prozess Pending DE1102287B (de)

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