DE1055131B - Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleitern nach der Pulverschmelz-Methode - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleitern nach der Pulverschmelz-Methode

Info

Publication number
DE1055131B
DE1055131B DEI7142A DEI0007142A DE1055131B DE 1055131 B DE1055131 B DE 1055131B DE I7142 A DEI7142 A DE I7142A DE I0007142 A DEI0007142 A DE I0007142A DE 1055131 B DE1055131 B DE 1055131B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor material
semiconductor
powdered
layers
massive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI7142A
Other languages
English (en)
Inventor
Lloyd Philip Hunter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US283222A external-priority patent/US2897105A/en
Application filed by IBM Deutschland GmbH filed Critical IBM Deutschland GmbH
Publication of DE1055131B publication Critical patent/DE1055131B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
kl. 21g 11/02
INTERNAT. KL. H Ol 1
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT lj)55131
I7142VIIIc/21g
ANMELDETAG: 18.APRIL19S3
J ,
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UND AUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT: 16. APRIL 1959
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleiterkristallen durch Zusammenschmelzen einer dünnen Schicht eines gepulverten Halbleitermaterials eines Leitungstyps mit einem massiven Halbleiterkörper entgegengesetzten Leitungstvps im Vakuum bzw. neutraler oder reduzierender Atmosphäre, bei dem die Oberseite des gepulverten Halbleitermaterials der Einrichtung eines Wärmestrahlers ausgesetzt wird, daß dieses die Schmelztemperatur erreicht, nicht aber der massive Halbleiterkörper.
Die bisher bekanntgewordenen Verfahren zur Bildung von pn-Schichten in Halbleitern haben gewisse Nachteile. Bei dem bekannten Diffusionsverfahren bringt man eine Menge p- oder n-Störatome in physikalischen Kontakt mit den gegenüberliegenden Seiten einer dünnen Scheibe aus n- bzw. p-Halbleitermaterial von bestimmtem spezifischem Widerstand. Die Masse wird dann so hoch erhitzt, daß die Störatome in das Innere der dünnen Scheibe hineindiffundieren. Die Erhitzung wird abgebrochen, kurz bevor die Mittelschicht der Scheibe die Eigenschaften eines Störstellenhalbleiters angenommen hat. Ein grundsätzlicher Nachteil dieser Diffusionsmethode besteht in der mangelnden Steuerung des spezifischen Widerstandes der durch die Verunreinigung zu konvertierenden Bereiche. Ein weiterer Nachteil dieses Verfahrens liegt in den verhältnismäßig breiten Grenzen oder Schichten zwischen den Bereichen mit verschiedenem Leitfähigkeitstyp.
Ein weiteres bekanntes Herstellungsverfahren ist das sogenannte »Ziehverfahren«. Beim Ziehverfahren wird zunächst das eine Ende eines gezüchteten Kristalls mit einer Schmelze aus demselben Halbleitermaterial in Berührung gebracht. In der Ziehvorrichtung wird außerdem ein bestimmtes Wännegefälle aufrechterhalten, so daß an der Kontaktfläche die Schmelzpunkttemperatur herrscht. Im weiteren Verlauf muß der Zuchtkristall langsam zurückgezogen werden, damit der Meniskus beim Aufsteigen aus der Schmelze erstarrt. Dieses Verfahren, das in erster Linie bei der Züchtung von Einkristallen Anwendung findet, läßt sich auch zur Erzeugung von pn-Schichten durch stufenweise Änderung des Leitfähigkeitstyps der Schmelze nach der Zurückziehung des gezüchteten Kristalls benutzen. Dieses Verfahren ist von Teal u. a. in der Zeitschrift Phys. Rev. Bd. 81, S. 637, vom 15. Februar 1951 näher beschrieben. Es hat aber ebenfalls einige Nachteile, die darin bestehen, daß
1. zur erfolgreichen Schichtenerzeugung der mechanische Stabilitätsgrad der Schmelze sehr hoch sein muß, da sonst die geringste, auf die verhältnismäßig große Masse der Schmelze übertragene
Verfahren zur Herstellung
von pn-Schichten in Halbleitern
nach der Pulverschmelz-Methode
Anmelder:
IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen
Gesellschaft m. b. H.r Sindelfingen (Württ), Tübinger Allee 49
Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika vom 19. April 1952
Lloyd Philip Hunter, Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.), ist als Erfinder genannt worden
Schwingung zur
Schichten führt,
Erzeugung unvollkommener
2. es in der Regel sehr schwierig ist, während des Verfahrens das erforderliche Wärmegefälle aufrechtzuerhalten; das Schmelzniveau ändert sich und macht eine Positionsverschkbung des Wärmegradienten notwendig.
Ein dritter Nachteil besteht beim Ziehverfahren darin, daß die Geschwindigkeit der Zurückziehung des
Kristalls sehr sorgfältig gesteuert und angepaßt werden muß, damit sich die ständig wachsende Wärmemenge, die durch den wachsenden Kristall von der Schmelze abgezogen wird, sich ausgleicht.
Die durch die bekannten Herstellungsverfahren ge-
gebenen Schwierigkeiten zu überwinden und ein neues Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleitern zu schaffen, die die aufgezählten Nachteile nicht mehr aufweisen, ist die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe.
Die Erfindung befaßt sich mit der Weiterbildung eines Verfahrens zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleiterkristallen durch Zusammenschmelzen einer dünnen Schicht eines gepulverten Halbleitermaterials eines Leitungstyps mit einem massiven Halbleiter-
körper entgegengesetzten Leitungstyps im Vakuum bzw. neutraler oder reduzierender Atmosphäre, bei dem die Oberseite des gepulverten Halbleitermateri^ der Einwirkung eines Wärmestrahlers derart gesetzt wird, daß dieses die Schmelztemperatui
809 ί
reicht, nicht aber der massive Halbleiterkörper. Für dieses Verfahren besteht die Erfindung darin, daß das gepulverte Halbleitermaterial in dünner Schicht, z. B. etwa 0,8 mm, auf den in einen zylindrischen Graphittiegel eingebrachten massiven Halbleiterkörper in solcher Menge eingefüllt -wird, daß der Graphittiegel gefüllt ist.
Für ein Verfahren zur Herstellung von für elektrische Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter oder Transistoren, bestimmten Halbleiterkristallen, beispielsweise aus Germanium oder Silizium, ist bereits vorgeschlagen worden, daß gepulvertes Halbleitermaterial in nicht oxydierender Umgebung stetig oder intermittierend auf eine vorzugsweise aus einem reinen Block des entsprechenden Halbleiterstoffes bestehende, an der Oberfläche unter Anwendung einer verbrennungslosen Erhitzurigsart so weit erhitzte Unterlage aufgebracht wird, daß es dort in dünner Schicht schmilzt und daß beim Aufbringen weiterer Pulvermengen durch stetiges oder schrittweises Entfernen der ersten Schicht aus der Zone der Schmelztemperatur und gegebenenfalls zusätzlicher definierter Kühlung diese zu erstarren beginnt usw., bis ein Kristall gewünschter Größe erreicht ist.
Das Verfahren nach diesem älteren Vorschlag bezieht sich aber auf ein Verfahren zur .tiegelloscn Pulververschmelzung von Halbleitermaterial, nicht aber auf ein Pulverschrri'elzverfahren unter Verwendung eines Tiegels. Das Auftreten von Spannungen durch das bekannte Schmelzen in Tiegeln mit nachfolgendem Erstarren, ist bei 'der Erfindung infolge der geringen Höhe der Schmelzzone — die Pulverschichthöhe beträgt nur etwa 0,8 mm — praktisch zu vernachlässigen. Gegebenenfalls auftretende Spannungen sind außerdem auch nur auf eine schmale Randzone beschränkt.
Die Erfindung sei an Hand der Zeichnung für ein Ausführungsbeispiel näher erläutert. Die Zeichnung stellt, zum Teil im Schnitt dargestellt, eine Anordnung für die Herstellung von pn-Schichten in Halbleitern nach der Erfindung dar.
Nach der Zeichnung wird ein kleiner, stabförmige!· Halbleiter 10 mit einer Leitfähigkeit vom n- oder p-Typ in einen aus reinem Graphit bestehenden Schmelztiegel 12 gebracht. Dieser Stab kann beispielsweise au« Germanium vom η-Typ bestehen, einen Querschnitt von etwa 1 mm2 aufweisen und so lang sein, daß das obere Ende des Stabes 10 etwa 0,8 mm unter der Oberseite des Tiegels bleibt. Der Tiegel 12 wird dann mit reduziertem Halbleitermaterial 14 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, z. B. Germaniummetallpulver, das die richtige Menge Verunreinigungen vom p-Leittyp enthält, aufgefüllt. Dann wird der Heizstrahler 16 unmittelbar über den Tiegel gebracht. Der Strahler 16 ist ebenfalls aus reinem Graphit, damit weder er noch der Tiegel das Halbleitermaterial unerwünscht verunreinigt. Das bisher beschriebene Gerät ist durch eine Glocke 18, die z. B. aus Quarz bestehen kann, von der Außenluft abgeschlossen, und der Raum innerhalb der Glocke 18 wird bezüglich des Halbleitermaterials gegen Verunreinigungen und Reaktionen geschützt. Dieses kann dadurch erreicht werden, daß der Raum innerhalb der Glocke evakuiert wird oder dadurch, daß dieser Raum eine Füllung mit einem neutralen oder reduzierenden Gas, z. B. gereinigtem Helium bzw. Wasserstoff, erhält.
Der Heizstrahler 16 ist von der Stromquelle 20 gespeist, und die Temperatur der Oberfläche der Schmelze und des Tiegels 12 wird auf den Schmelzpunkt des Germaniumpulvers erwärmt, d. h. auf etwa 946° C. Da die Wärme nur von oben einwirkt, entsteht im Material und auch im Schmelztiegel ein steiles Wärmegefälle. Es ist daher möglich, die Temperatur auf Schmelzpunkttemperatur des Halbleitermaterials im ganzen Pulver und an der Oberfläche des n-Typ-Germaniumstabes 10 zu halten, während der andere Teil des Stabes 10 unter der Schmelzpunkttemperatur des Halbleitermaterials gehalten wird. Nachdem das Pulver 14 vollständig geschmolzen ist,
ίο muß die Temperatur langsam erniedrigt werden, bis sich die Kristallstruktur des anfänglichen Germaniumstabes 10 durch den neuen p-Typ-Bereich, der aus dem Pulver 14 gebildet worden ist, erstreckt und die ganze Masse ein einziger Kristall ist. Während dieses Abkühlungsvorganges kann die Temperatur anfangs ziemlich schnell, nämlich um 10° C pro Minute, herabgesetzt werden, bis eine Temperatur von 550° C erreicht ist. Auf dieser Temperatur muß dann die Masse etwa 16 Stunden lang gehalten werden, bevor sie weiter erniedrigt werden darf.
"""Werden weitere Schichten gebraucht, d. h. soll z. B. ein npn- oder ein pnp-Block hergestellt werden, so kann das beschriebene Verfahren mit dem Pulver vom gewünschten Leitfähigkeitstyp wiederholt werden, das an die entsprechende Oberfläche gebracht wird und dessen Leitfähigkeitstyp dem des Körpers entgegengesetzt ist; darauf wird das Schmelz- und Erstarrungs- oder Abkühl verfahren wiederholt; natürlich läßt sich dieser Prozeß so oft wiederholen, wie es gewünscht wird, um so nicht nur einen Halbleiterdioden- oder -triodenkörper, sondern auch Körper für Tetroden, Pentoden usw. zu erzeugen.
Während in. dem angeführten.Beispiel ein Stab aus Germanium vom η-Typ und Pulver aus Germanium vom p-Typ verwendet worden sind, kann im Bedarfsfalle auch der Stab aus Germanium vom p-Typ und das Pulver aus Germanium vom η-Typ sein. Das Verfahren ist auch nicht auf ein bestimmtes Halbleitermaterial beschränkt, obwohl stets nur ein Halbleiter verwendet werden darf. Es ist ohne weiteres möglich, z. B. Silizium an Stelle von Germanium zu benutzen und darin pn-Schichten in der gleichen Weise herzustellen, obwohl wegen des höheren Schmelzpunktes des Siliziums dann höhere Temperaturen erforderlich sind.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleiterkristallen durch Zusammenschmelzen einer dünnen Schicht eines gepulverten Halbleitermaterials eines Leitungstyps mit einem massiven Halbleiterkörper entgegengesetzten Leitungstyps im Vakuum bzw. neutraler oder reduzierender Atmosphäre, bei dem die Oberseite des gepulverten Halbleitermaterials der Einwirkung eines Wärmestrahlers derart ausgesetzt wird, daß dieses die Schmelztemperatur erreicht, nicht aber der massive Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß das gepulverte Halbleitermaterial in dünner Schicht, z. B. etwa 0,8 mm, auf den in einen zylindrischen Graphittiegel eingebrachten massiven Halbleiterkörper in solcher Menge eingefüllt wird, daß der Graphittiegel gefüllt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der massive Halbleiterkörper (10) und das gepulverte Halbleitermaterial (14) in einen, Graphittiegel (12) gebracht werden, der von einer Quarzglocke (18) umschlossen wird und der von oben durch einen elektrischen Heizstrahler (16) erhitzt wird.
5 6
In Betracht gezogene Druckschriften: Shong: »Mod. P'hys. Laboradory Practice«, New
»Das Elektron«, Bd. 5 (1951/52), S. 434/435; York 1938, S. 529 (Fig. 29) Buch,
am 30.8. 1951 bekanntgemachte Unterlagen der
deutschen Patentanmeldung W 4642 VIII c/21 g 11/02; In Betracht gezogene ältere Patente:
schweizerische Patentschrift Nr. 247 861; 5 Deutsches Patent Nr. 968 581.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809790/406 4.5»
DEI7142A 1952-04-19 1953-04-18 Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleitern nach der Pulverschmelz-Methode Pending DE1055131B (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US283222A US2897105A (en) 1952-04-19 1952-04-19 Formation of p-n junctions
US783010A US3014819A (en) 1952-04-19 1958-12-26 Formation of p-n junctions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1055131B true DE1055131B (de) 1959-04-16

Family

ID=26961923

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI15763A Pending DE1102287B (de) 1952-04-19 1953-04-18 Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern von Halbleiter-anordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer n-leitenden Zone in einem Erhitzungs-prozess
DEI7142A Pending DE1055131B (de) 1952-04-19 1953-04-18 Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleitern nach der Pulverschmelz-Methode

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI15763A Pending DE1102287B (de) 1952-04-19 1953-04-18 Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern von Halbleiter-anordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer n-leitenden Zone in einem Erhitzungs-prozess

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3014819A (de)
DE (2) DE1102287B (de)
FR (1) FR1122216A (de)
GB (1) GB727447A (de)
NL (2) NL177655B (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2994627A (en) * 1957-05-08 1961-08-01 Gen Motors Corp Manufacture of semiconductor devices
DE1095401B (de) * 1958-04-16 1960-12-22 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdstoffen in einen Halbleiterkoerper zur Herstellung einer elektrischen Halbleiteranordnung
NL274847A (de) * 1961-02-16
DE1163972B (de) * 1961-05-18 1964-02-27 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem pn-UEbergang
NL279651A (de) * 1961-07-14
US3188252A (en) * 1961-11-20 1965-06-08 Trw Semiconductors Inc Method of producing a broad area fused junction in a semiconductor body
NL300210A (de) * 1962-11-14
DE2019251A1 (de) * 1970-04-21 1971-11-04 Siemens Ag Verfahren zum Eindiffundieren oder Einlegieren eines Fremdstoffes in einen Halbleiterkoerper

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH247861A (de) * 1943-05-01 1947-03-31 Standard Telephon & Radio Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben und nach diesem Verfahren hergestellte Gleichrichterscheibe.
DE968581C (de) * 1952-02-24 1958-03-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von fuer Gleichrichter, Richtleiter, Transistoren od. dgl. bestimmten Kristallen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2631356A (en) * 1953-03-17 Method of making p-n junctions
US2708255A (en) * 1949-06-18 1955-05-10 Albert C Nolte Minute metallic bodies
NL82014C (de) * 1949-11-30
US2708646A (en) * 1951-05-09 1955-05-17 Hughes Aircraft Co Methods of making germanium alloy semiconductors
US2859140A (en) * 1951-07-16 1958-11-04 Sylvania Electric Prod Method of introducing impurities into a semi-conductor
GB728244A (en) * 1951-10-19 1955-04-13 Gen Electric Improvements in and relating to germanium photocells

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH247861A (de) * 1943-05-01 1947-03-31 Standard Telephon & Radio Ag Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben und nach diesem Verfahren hergestellte Gleichrichterscheibe.
DE968581C (de) * 1952-02-24 1958-03-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von fuer Gleichrichter, Richtleiter, Transistoren od. dgl. bestimmten Kristallen

Also Published As

Publication number Publication date
NL95545C (de)
DE1102287B (de) 1961-03-16
GB727447A (en) 1955-03-30
NL177655B (nl)
FR1122216A (fr) 1956-09-04
US3014819A (en) 1961-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19861325B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Siliziumstabs unter Steuern des Ziehgeschwindigkeitsverlaufs in einem Heißzonenofen
DE2039172C3 (de) Vorrichtung zur Herstellung epitaktisch auf ein einkristallines Halbleitersubstrat aufgewachsener Schichten aus Halbleitermaterial
DE944209C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern
DE112013006661B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines SIC-Epitaxialwafers
DE2030805A1 (de) Verfahren zur Ausbildung epitaxialer Kristalle oder Plattchen in ausgewählten Bereichen von Substraten
DE2745335A1 (de) Vorrichtung zum ziehen von einkristallinem silizium
DE112010000867B4 (de) Herstellungsverfahren für SiC-Einkristall vom n-Typ, dadurch erhaltener SiC-Einkristall vom n-Typ und dessen Anwendung
DE1223951B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen mit einem oder mehreren PN-UEbergaengen
DE1163981B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit pn-UEbergang und einer epitaktischen Schicht auf dem Halbleiterkoerper
DE1915549B2 (de) Verfahren zum epitaktischen aufwachsen von siliciumcarbidschichten
DE2450930A1 (de) Thermische wanderung metallreicher fluessiger draehte durch halbleitermaterialien
DE1055131B (de) Verfahren zur Herstellung von pn-Schichten in Halbleitern nach der Pulverschmelz-Methode
DE1274347B (de) Einkristall aus GaAs hohen spezifischen Widerstands und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112018002163B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls, Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Silicium-Wafers, Silicium-Einkristall, und epitaktischer Silicium-Wafer
DE1194062C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente, insbesondere von Halbleiterkoerpern mit abgestufter Verunreinigungsverteilung
DE3514294A1 (de) Mit indium dotierte halbisolierende galliumarsenideinkristalle und verfahren zu ihrer herstellung
DE1166938B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE112012004967T5 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Züchtung von Ingots
DE102016124181A1 (de) SiC-Einkristall und Herstellungsverfahren dafür
DE112012006260T5 (de) Verfahren zur Züchtung eines Ingots und Ingot
DE1073109B (de) Verfahren zur Her stellung nicht gleichrichtender ohmscher Metallkontakte an Siliziumkarbidkorpern
DE112011101708T5 (de) Epitaktischer Siliziumwafer und Verfahren zur Herstellung desselben
EP3464688B1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiterscheibe aus einkristallinem silizium und vorrichtung zur herstellung einer halbleiterscheibe aus einkristallinem silizium
DE1161036B (de) Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen
DE2301148A1 (de) Verfahren zur herstellung einkristalliner halbleiterkoerper und halbleiteranordnungen, insbesondere strahlungsdetektoren, die derartige einkristalline halbleiterkoerper enthalten