DE1163972B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem pn-UEbergang - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem pn-UEbergang

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DE1163972B
DE1163972B DEA37623A DEA0037623A DE1163972B DE 1163972 B DE1163972 B DE 1163972B DE A37623 A DEA37623 A DE A37623A DE A0037623 A DEA0037623 A DE A0037623A DE 1163972 B DE1163972 B DE 1163972B
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crystals
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Charles Ehrensperger
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BBC Brown Boveri France SA
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BBC Brown Boveri France SA
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
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Description

  • Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem pn-übergang Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelemente, welche aus einer Kombination von p- und n-Halbleiterkristallen bestehen.
  • Nach dem Stand der Technik wird ein Halbleiterbauelement aus einem einzigen reinen Kristall hergestellt, in welchem Zonen verschiedenen Leitungstyps dadurch erzeugt werden, daß man geeignete Fremdstoffe als Zusätze in den Kristall hineinbringt. Die Verfahren zum Herstellen eines reinen Kristalls erfordern einen erheblichen Aufwand an physikalischen und chemischen Maßnahmen. Die Genauigkeit muß sehr groß sein, um ein richtiges Arbeiten des Bauelements zu gewährleisten.
  • Zum Vereinfachen der Verfahren ist bereits bekanntgeworden, zwei oder mehrere Halbleiterkristallstücke von verschiedenen Leitungstypen so zusammenzusetzen, daß diese aneinanderkristallisieren. Dieses Zusammensetzen erfolgt durch Diffusion, indem die Kristalle bis dicht unterhalb des Schmelzpunktes erhitzt werden. Man hat auch ein solches Zusammensetzen durch Erhitzen in einem Vakuum durchgeführt. Diese Einrichtungen haben den Nachteil, daß zum Erwärmen besondere Apparate notwendig sind, die die Herstellung erschweren. Es stellt sich daher die Aufgabe, eine solche Vereinigung zweier verschiedener Kristalle möglichst ohne Erwärmen durchzuführen.
  • Die Erfindung bezieht sich somit auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem pn-Übergang. Erfindungsgemäß wird dieses Verfahren so durchgeführt, daß die Teile des Halbleiterkörpers verschiedenen Leitungstyps als Einkristalle getrennt hergestellt werden und daß die Kontaktflächen der Teile so eben geschliffen werden, daß beim Zusammenfügen die atomaren Bin, dungskräfte die Teile zusammenhalten. Bei dieser Methode ist es nicht erforderlich, die Kristalle in besonderen Einrichtungen zu erhitzen, und es ist möglich, die Kristalle auch so zusammenzufügen. Sie müssen nur derart fein geschliffen werden, daß die atomaren Bindungskräfte zur Wirkung kommen können.
  • Um jede Verunreinigung der Einzelkristalle mit Material einer anderen Komponente zu vermeiden, ist es zweckmäßig, das Herstellen der einzelnen verschieden dotierten Kristalle an verschiedenen Orten vorzunehmen.
  • Um beim Schleifen der Kontaktflächen eine Änderung der Dotierung zu vermeiden, wird dieses mit Abfallmaterial des gleichen Leitungstyps vorgenommen. Es ist ferner zweckmäßig, um Verunreinigungen durch unerwünschte Gase zu vermeiden und das Zusammenfügen der Einzelkristalle im Hochvakuum vorzunehmen.
  • Der Vorteil des Verfahrens ist, daß die einzelnen Kristalle wegen ihrer geringen Größe leichter hergestellt werden können als bei den bekannten Verfahren mit einem größeren Einkristall.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem pn-übergang, dadurch gekennzeichnet, daß die Teile des Halbleiterkörpers verschiedenen Leitungstyps als verschiedene Einkristalle hergestellt werden und daß die Kontaktflächen der Teile so eben geschliffen werden, daß beim Zusammenfügen die atomaren Bindungskräfte die Teile zusammenhalten.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Vermeidung der gegenseitigen Verunreinigung das Herstellen der einzelnen Kristalle an verschiedenen Orten mit verschiedenen Vorrichtungen und Werkzeugen vorgenommen wird.
  3. 3. Verfahren -nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für das Schleifen der Kontaktflächen jedes Teilkristalls Materialabfälle der gleichen Art von dotierten Kristallen verwendet werden.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilkristalle im Hochvakuum zusammengefügt werden. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1102 287, S 32505 VIII c/21 g (bekanntgemacht am 12. 1. l956); USA.-Patentschrift Nr. 2 743 201; französische Patentschrift Nr. 1208 837.
DEA37623A 1961-05-18 1961-06-09 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem pn-UEbergang Pending DE1163972B (de)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2743201A (en) * 1952-04-29 1956-04-24 Hughes Aircraft Co Monatomic semiconductor devices
FR1208837A (fr) * 1957-11-25 1960-02-25 British Thomson Houston Co Ltd Dispositif semi-conducteur
DE1102287B (de) * 1952-04-19 1961-03-16 Ibm Deutschland Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern von Halbleiter-anordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer n-leitenden Zone in einem Erhitzungs-prozess

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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