AT237751B - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes 
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Halbleiterbauelementen dienen können. 



   So ist z. B. ein Verfahren zur Reinigung und bzw. oder Abtragung von Halbleitermaterial, vorzugsweise von Halbleiteroberflächen von Germanium oder Silizium, durch Ätzen bekannt geworden, welches darin besteht, dass durch Einwirkung von zersetzbare oder lösbare Reaktionsprodukte erzeugenden Gasen geätzt wird. Zu diesem Zweck werden Chlor bzw. Halogenwasserstoff, wie z. B. Chlorwasserstoff, genannt. Es ist bei diesem Verfahren eine Erwärmung des Halbleiterkörpers vorgesehen, wobei eine Erwärmung auf einige 100  C als ausreichend betrachtet wird. Als Beispiel werden Temperaturen von 200 bis   4000 C   genannt. 



   Dieses Verfahren hat verschiedene Nachteile. So lassen sich z. B. mit seiner Hilfe nur reine Halbleiterkörper behandeln, nicht aber Halbleiterkörper, die mit metallenen Elektroden versehen sind. In diesem
Falle kann nämlich die metallene Elektrode durch die Erwärmung wieder aufgeschmolzen und damit geschädigt werden. Als weiterer Nachteil des bekannten Verfahrens ist die Verwendung der sehr aggressiven Mittel Chlor und Chlorwasserstoff zu nennen. 



   Weiter ist ein Verfahren zum Anbringen von elektrischen Kontakten an Halbleiterkristallen durch Anschmelzen und bzw. oder Anlegieren einer Substanz bekannt geworden, bei dem während des Anbringens oder vor und während des Anbringens der Substanz die Halbleiteroberfläche und die zu kontaktierende Substanz der Einwirkung eines gasförmigen Ätzmittels ausgesetzt werden. Durch dieses Verfahren soll jede Möglichkeit der Berührung der geätzten Halbleiteroberfläche mit der freien Atmosphäre zwischen dem Ätzen und der Kontaktierung ausgeschlossen werden. Es wird also insbesondere die Bildung von Oxydhäuten, welche den Kontaktierungsvorgang stören könnten, verhindert. Das gasförmige Ätzmittel kann durch Verdampfen einer flüssigen Lösung eines Ätzmittels erzeugt werden, z. B. auch durch Verdampfen einer flüssigen Lösung, welche aus Salpetersäure und Flusssäure besteht.

   Diesem Verfahren liegt also eine andere Aufgabe als dem Erfindungsgegenstand zu Grunde. 



   Es sind weiter Ätzverfahren bekannt geworden, bei denen insbesondere eine als CP-Ätzlösung bekannte Behandlungsflüssigkeit verwendet wird, welche im wesentlichen aus Salpetersäure und Flusssäure zusammengesetzt ist. Der Halbleiterkörper wird bei diesen Ätzverfahren entweder in die Behandlungsflüssigkeit eingetaucht oder es wird ein Strahl der Behandlungsflüssigkeit auf die Oberfläche geleitet und durch einen nachfolgenden Wasserstrahl wieder entfernt. Bei Halbleiterbauelementen, welche bereits metallische Kontaktelektroden besitzen, die z. B. durch Einlegieren oder durch Anlöten angebracht sein können, ergibt sich bei diesem bekannten Ätzverfahren der Nachteil, dass in der Ätzflüssigkeit Metallionen auf die Halbleiteroberfläche wandern können. 



   Die Erfindung überwindet die bei diesem Ätzverfahren auftretenden Schwierigkeiten. Sie bezieht sich demzufolge auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes mit einem einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium, an den metallische Kontaktelektroden angebracht werden und dessen Oberfläche unter Verwendung der Dämpfe einer aus Salpetersäure und Flusssäure zusammengesetzten Behandlungsflüssigkeit gereinigt wird. Erfindungsgemäss wird nach dem Anbringen der Kontaktelektrode der Halbleiterkörper ohne weitere Zwischenbehandlung einige Minuten bis zu mehreren Stunden der Einwirkung der Dämpfe ausgesetzt, und der Halbleiterkörper wird dabei auf eine Temperatur erwärmt, welche höher als die Temperatur der mit ihm in Berührung kommenden Dämpfe, aber nicht höher als   1000 C   ist.

   Durch die Erwärmung des Halbleiterkörpers wird die Kondensation von Wasser an der Halbleiteroberfläche verhindert, während die Salpetersäure und Flusssäure in der gewünschten Weise wirken können. 

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Claims (1)

1. :PATENTANSPRUCH : Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes mit einem einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium, an dem metallische Kontaktelektroden angebracht werden, und dessen Oberfläche unter Verwendung der Dämpfe einer aus Salpetersäure und Flusssäure zusammengesetzten Behandlungsflüssigkeit gereinigt wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Anbringen der Kontaktelektroden der Halbleiterkörper ohne weitere Zwischenbehandlung einige Minuten bis zu mehreren Stunden der Einwirkung der Dämpfe ausgesetzt wird, und dass der Halbleiterkörper dabei auf eine Temperatur erwärmt wird, welche höher als die Temperatur der mit ihm in Berührung kommenden Dämpfe, aber nicht höher als 100 C ist.