DE1137091B - Material fuer Schenkel von Thermo- bzw. Peltierelementen - Google Patents
Material fuer Schenkel von Thermo- bzw. PeltierelementenInfo
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
Landscapes
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
W28402Vfflc/21b
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 27. SEPTEMBER 1962
Die Erfindung bezieht sich auf das Material fur Schenkel von Thermoelementen bzw. Peltierelementen,
insbesondere auf Schenkel aus einem halbleitenden Material, die aus Germanium und Tellur
aufgebaut sind.
Germaniumtellurid hat sich als ein gutes thermoelektrisches Material im Temperaturbereich von
700 bis 975° K erwiesen.
Jedoch ist man bei der Herstellung von Körpern aus Germaniumtellurid mit genügender mechanischer
Festigkeit auf Schwierigkeiten gestoßen. Bei der Herstellung und beim Betrieb thermoelektrischer
Geräte sollen die Germaniumtelluridkörper beim Schneiden, beim Löten, bei der Wärmebehandlung,
bei der Montage und anderen Verfahren nicht brechen oder splittern. Schenkel, die aus stöchiometrischem
Germaniumtellurid nach der Bridgman-Technik hergestellt wurden, sind oft bei der normalen
Abkühlung auf Raumtemperatur nach dem Kristallwachsen gerissen.
Die Erfindung betrifft Material für mindestens einen Schenkel von Thermoelementen bzw. Peltierelementen,
bestehend aus einem Halbleitermaterial, das aus Germanium und Tellur aufgebaut ist. Gemäß
der Erfindung wird als Halbleitermaterial die Germanium-Tellur-Legierung Ge5o,i5Te49l85 in feinkristalliner
Struktur verwendet, in der die Kennzahlen das Atomverhältnis festlegen. Diese Germanium-Tellur-Legierung
der Zusammensetzung Ge5045Te49,85 besteht im wesentlichen aus den zwei
Phasen 1,5 Atomprozent Germanium und 98,5 Atomprozent Germaniumtellurid der Zusammensetzung
Ge49139Te5O1Oi. Der Vorteil des neuen Materials
gegenüber der Verbindung GeTe liegt in einer um etwa 30% höheren elektrischen Leitfähigkeit bei
etwa gleicher Thermokraft im Temperaturbereich zwischen 440 und 600° C.
Weitere nicht selbstverständliche Gegenstände der Erfindung werden im folgenden näher beschrieben.
Zum besseren Verständnis ■ des Wesens und der Gegenstände dieser Erfindung wird auf die nachstehende
Beschreibung und die Zeichnung verwiesen.
In der Figur ist ein vervollständigtes Phasendiagramm für das System Germanium—Tellur bei
atmosphärischem Druck dargestellt; die vorliegende Erfindung bezieht sich teilweise darauf. Dieses
Phasendiagramm wurde von den Erfindern geschaffen und ist ein ausführliches Diagramm des
Systems, wie es aus weitreichenden Untersuchungen hervorging. Es beseitigt Irrtümer, die sich: in dem
Diagramm von Klemm und Frischmuth befinden (Zeitschrift für Anorganische Chemie, 218,
Material für Schenkel von Thermo- bzw. Peltierelementen
Anmelder:
Westinghouse Electric Corporation, East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. P. Ohrt, Patentanwalt, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika vom 10. September 1959 (Nr. 839 167)
William Tiller, James McHugh und Robert Moss,
Pittsburgh, Pa. (V. St. Α.), sind als Erfinder genannt worden
S. 249 bis 251 [1934]). Aus der Figur ersieht man, daß bei der Legierung 50,15 Atomprozent Germanium
und 49,85 Atomprozent Tellur eine eutektische Phasengrenze existiert. Ein thermoelektrisches Material
aus einer Germanium-Tellur-Legierung mit der Mischung Ge501I5Te491S5 zeigt gute mechanische
Eigenschaften, da entdeckt wurde, daß die eutektische Zusammenstellung aus zwei Phasen besteht
(aus etwa 1,5 Atomprozent Germanium und aus dem Rest mit der Zusammensetzung Ge49139Te501Oi)
und daß die'Dimensionen der Phasenteilchen sehr klein sind, beispielsweise 1 bis 10 Mikron. Es ist
leicht einzusehen, daß das obengenannte eutektische Material die besten mechanischen Eigenschaften
ergibt. Jedoch ergeben auch kleine Abweichungen nach beiden Seiten dieser eutektischen Mischung,
beispielsweise nach der germaniumreicheren Seite, beispielsweise um 1 bis 2 Atomprozent Germanium,
noch gute mechanische Eigenschaften, vorausgesetzt, daß die Abstände zwischen den Teilchen noch sehr
klein sind.
Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Germanium-Tellur-Legierung mit der
Formel Ge501I5Te49185, das aus den zwei Phasen
1,5 Atomprozent Germanium und 98,5 Atomprozent Ge49139Te5O1Oi besteht, ist das folgende: Vorbestimmte
Mengen von feingemahlenem Germanium und Tellur werden gemischt, so daß die eutektische
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Mischung entsteht (50,15 Atomprozent Germanium
und 49,85 Atomprozent Tellur). Die Mischung wird in ein Gefäß aus Quarz oder aus einem anderen
inerten Material gebracht, das mit der Germanium-Tellur-Schmelze nicht reagiert. Das Gefäß wird
dann evakuiert und bei einem Vakuum von etwa 10~4 mm Hg abgeschmolzen. Das Gefäß wird in
einen senkrechten Röhrenofen gebracht und auf eine Temperatur über 722° C erhitzt, bevorzugt auf eine
Temperatur von etwa 800° C; bei dieser Temperatur schmilzt die gesamte Mischung.
Das Gefäß wird gerüttelt, um vollständige Mischung während des Schmelzens zu erreichen.
Das Gefäß wird dann langsam durch den Ofen abgesenkt mit einem Betrag von etwa 6 bis 50 mm
je Stunde, um eine progressive Kristallisation sicherzustellen. Es kann hier bemerkt werden, daß wahrscheinlich
sehr viel größere Beträge für das Durchziehen ohne beträchtliche Beeinflussung der Eigenschaften
angewandt werden könnten. Wenn das Gefäß den Ofen verläßt, kann es auf Zimmertemperatur
abkühlen.
Das beschriebene Verfahren stellt nur eines von verschiedenen Präparationstechniken dar, die man
anwenden kann. Es kann beispielsweise auch die eutektische Mischung zu großen Barren gegossen
werden, oder sie kann durch Pressen und Sintern hergestellt werden.
Die nachfolgenden Beispiele erläutern die Praxis dieser Erfindung und zeigen die physikalische Überlegenheit
des Materials nach dieser Erfindung über einige andere Germanium-Tellur-Verbindungen.
Um eine Probe von 75 g der eutektischen Mischung (50,15 Atomprozent Germanium und 49,85 Atomprozent
Tellur) herzustellen, werden 27,3005 g Germanium und 47,6995 g Tellur in ein Quarzgefäß
mit einem Innendurchmesser von etwa 1 cm eingebracht. Das Gefäß wird evakuiert und bei einem
Vakuum von 10^4mm Quecksilber abgeschmolzen.
Das Gefäß wird dann in die Mitte eines senkrechten 300-mm-Ofens gebracht und auf 800° C erhitzt;
bei dieser Temperatur schmilzt die Mischung. Das Gefäß wird gerüttelt, um eine gute Mischung während
der Heizstufe sicherzustellen. Das Gefäß bleibt etwa in der Mitte des Ofens aufgehängt, der auf
eine Temperatur von 800° C gebracht wird, um mit Sicherheit Schmelzen und Durchmischung zu
erreichen. Der Kolben wird dann durch den Ofen abgesenkt mit einem Betrag von etwa 6 mm je
Stunde. Nach dem völligen Durchlaufen des Ofens werden der Kolben und sein Inhalt auf Zimmertemperatur
abgekühlt.
Das so hergestellte Material ist p-leitend, hat die Formel Ge5O1I5Te49185 und besteht im wesentlichen
aus den zwei Phasen 1,5 Atomprozent Germanium und 98,5 Atomprozent
stöchiometrische Germanium -Tellur -Verbindung GeTe herzustellen. Das so hergestellte Material ist
halbleitend nach dem p-Typ.
Die Materialien nach Beispiel 1 und 2 ergeben vergleichbare thermoelektrische Eigenschaften im
Temperaturbereich von 440 bis 600° C. Die thermoelektrischen Eigenschaften der beiden Materialien
werden in der folgenden Tabelle aufgeführt.
Mischung
Temperatur
0C
0C
440 bis 600
440 bis 600
440 bis 600
ρ (Ohm ■ cm)
5,9 · 10-4 4,6 · 10-4
(Seebeck Koeffizient)
140 137
Das Verfahren nach Beispiel 1 wird mit 72,60 g Germanium und 127,6 g Tellur wiederholt, um die
Der Unterschied dieser beiden Materialien geht aus folgendem Versuch hervor: Die beiden zu vergleichenden
Materialien verbleiben in ihren Quarzgefäßen und werden zwischen etwa 650 und 25° C
einem mehrfachen Erhitzungskreislauf ausgesetzt. Das Material, das nach Beispiel 1 hergestellt ist und
die eutektische Mischung Ge5Q1I5Te491S5 aufweist,
zeigt keine Beeinflussung durch diesen Temperaturkreislauf. Das stöchiometrische GeTe, das nach
Beispiel 2 hergestellt ist, zeigt bei dem Kreislaufversuch bald Splittern.
Ohne weiteres können mehrere Thermoelemente dieser Art in Reihe geschaltet werden, um eine
Thermosäule herzustellen.
Die zu erwärmenden Verbindungsstelle bzw. -stellen des Thermoelementes bzw. der Thermosäule
können in einem Heizraum angeordnet oder einer anderen Wärmequelle ausgesetzt sein, während die
kalt zu haltenden Verbindungsstelle bzw. -stellen durch Wasser oder bewegte Luft od. ä. gekühlt
werden können.
Durch Hintereinanderschaltung einer hinreichenden Anzahl von Thermoelementen innerhalb einer
Thermosäule kann Gleichstrom mit einer Spannung hinreichender Höhe erzeugt werden.
Es besteht auch die Möglichkeit, daß ein Schenkel von Thermo- bzw. Peltierelementen auch nur zu
einem Teil aus dem Material nach dieser Erfindung besteht; der Rest des Schenkels kann sich dann aus
einem oder mehreren Materialien zusammensetzen, die nur der Einschränkung unterworfen sind, daß
sie dem gleichen Leitungstypus angehören.
Die eutektische Germanium-Tellur-Legierung darf kleine Abweichungen aufweisen, die durch etwaige
verschiedene Herstellungsverfahren oder Bedingungen bedingt sind.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Material für mindestens einen Schenkel von Thermoelementen bzw. Peltierelementen, bestehend aus einem Halbleitermaterial, das aus Germanium und Tellur aufgebaut ist, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial die Germanium-Tellur-Legierung Ge501I5Te49185 in feinkristalliner Struktur verwendet wird, in der die Kennzahlen das Atomverhältnis festlegen.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen©209 658/99'9.62
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Family Applications (1)
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1960
- 1960-08-19 DE DEW28402A patent/DE1137091B/de active Pending
- 1960-09-05 CH CH1000760A patent/CH399558A/de unknown
Also Published As
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