AT204604B - Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Speerschichtsystems sowie halbleitendes Sperrschichtsystem - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Speerschichtsystems sowie halbleitendes Sperrschichtsystem

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AT204604B
AT204604B AT522757A AT522757A AT204604B AT 204604 B AT204604 B AT 204604B AT 522757 A AT522757 A AT 522757A AT 522757 A AT522757 A AT 522757A AT 204604 B AT204604 B AT 204604B
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1155541B (de) * 1960-08-30 1963-10-10 Siemens Ag Verfahren zum Einlegieren einer gleichrichtenden Elektrode aus einem Akzeptor- oder Donatoreigenschaften besitzenden Metall in einen in einer zentrierenden Legierungsform gehalterten Halbleiterkristall
DE1192325B (de) * 1960-12-29 1965-05-06 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung eines Drifttransistors
DE1221362B (de) * 1962-01-12 1966-07-21 Philips Nv Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1232269B (de) * 1963-08-23 1967-01-12 Telefunken Patent Diffusions-Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit Emitter-, Basis- und Kollektorzone
DE1270694B (de) * 1963-03-29 1968-06-20 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1284520B (de) * 1964-09-24 1968-12-05 Ibm Deutschland Verfahren zum Herstellen von Galliumarsenid-Planartransistoren
DE1297758B (de) * 1964-10-12 1969-06-19 Matsushita Electronics Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE1639546B1 (de) * 1960-10-22 1969-12-11 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergaengen und einem Halbleiterkoerper aus Silizium

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1155541B (de) * 1960-08-30 1963-10-10 Siemens Ag Verfahren zum Einlegieren einer gleichrichtenden Elektrode aus einem Akzeptor- oder Donatoreigenschaften besitzenden Metall in einen in einer zentrierenden Legierungsform gehalterten Halbleiterkristall
DE1639546B1 (de) * 1960-10-22 1969-12-11 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergaengen und einem Halbleiterkoerper aus Silizium
DE1192325B (de) * 1960-12-29 1965-05-06 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung eines Drifttransistors
DE1221362B (de) * 1962-01-12 1966-07-21 Philips Nv Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1270694B (de) * 1963-03-29 1968-06-20 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1297235B (de) * 1963-03-29 1969-06-12 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1232269B (de) * 1963-08-23 1967-01-12 Telefunken Patent Diffusions-Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit Emitter-, Basis- und Kollektorzone
DE1284520B (de) * 1964-09-24 1968-12-05 Ibm Deutschland Verfahren zum Herstellen von Galliumarsenid-Planartransistoren
DE1297758B (de) * 1964-10-12 1969-06-19 Matsushita Electronics Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen

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