AT204604B - Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Speerschichtsystems sowie halbleitendes Sperrschichtsystem - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Speerschichtsystems sowie halbleitendes SperrschichtsystemInfo
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- AT204604B AT204604B AT522757A AT522757A AT204604B AT 204604 B AT204604 B AT 204604B AT 522757 A AT522757 A AT 522757A AT 522757 A AT522757 A AT 522757A AT 204604 B AT204604 B AT 204604B
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB204604T | 1956-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT204604B true AT204604B (de) | 1959-08-10 |
Family
ID=32118215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT522757A AT204604B (de) | 1956-08-10 | 1957-08-07 | Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Speerschichtsystems sowie halbleitendes Sperrschichtsystem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT204604B (de) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1155541B (de) * | 1960-08-30 | 1963-10-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer gleichrichtenden Elektrode aus einem Akzeptor- oder Donatoreigenschaften besitzenden Metall in einen in einer zentrierenden Legierungsform gehalterten Halbleiterkristall |
| DE1192325B (de) * | 1960-12-29 | 1965-05-06 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung eines Drifttransistors |
| DE1221362B (de) * | 1962-01-12 | 1966-07-21 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
| DE1232269B (de) * | 1963-08-23 | 1967-01-12 | Telefunken Patent | Diffusions-Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit Emitter-, Basis- und Kollektorzone |
| DE1270694B (de) * | 1963-03-29 | 1968-06-20 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
| DE1284520B (de) * | 1964-09-24 | 1968-12-05 | Ibm Deutschland | Verfahren zum Herstellen von Galliumarsenid-Planartransistoren |
| DE1297758B (de) * | 1964-10-12 | 1969-06-19 | Matsushita Electronics Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
| DE1639546B1 (de) * | 1960-10-22 | 1969-12-11 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergaengen und einem Halbleiterkoerper aus Silizium |
-
1957
- 1957-08-07 AT AT522757A patent/AT204604B/de active
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1155541B (de) * | 1960-08-30 | 1963-10-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer gleichrichtenden Elektrode aus einem Akzeptor- oder Donatoreigenschaften besitzenden Metall in einen in einer zentrierenden Legierungsform gehalterten Halbleiterkristall |
| DE1639546B1 (de) * | 1960-10-22 | 1969-12-11 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergaengen und einem Halbleiterkoerper aus Silizium |
| DE1192325B (de) * | 1960-12-29 | 1965-05-06 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung eines Drifttransistors |
| DE1221362B (de) * | 1962-01-12 | 1966-07-21 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
| DE1270694B (de) * | 1963-03-29 | 1968-06-20 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
| DE1297235B (de) * | 1963-03-29 | 1969-06-12 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
| DE1232269B (de) * | 1963-08-23 | 1967-01-12 | Telefunken Patent | Diffusions-Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit Emitter-, Basis- und Kollektorzone |
| DE1284520B (de) * | 1964-09-24 | 1968-12-05 | Ibm Deutschland | Verfahren zum Herstellen von Galliumarsenid-Planartransistoren |
| DE1297758B (de) * | 1964-10-12 | 1969-06-19 | Matsushita Electronics Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
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