DE1268114B - Verfahren zur Herstellung eines n-p-n dotierten Halbleitereinkristalls - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines n-p-n dotierten HalbleitereinkristallsInfo
- Publication number
- DE1268114B DE1268114B DEP1268A DE1268114A DE1268114B DE 1268114 B DE1268114 B DE 1268114B DE P1268 A DEP1268 A DE P1268A DE 1268114 A DE1268114 A DE 1268114A DE 1268114 B DE1268114 B DE 1268114B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- base
- phosphorus
- crystal
- added
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/074—Horizontal melt solidification
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/107—Melt
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
BOIj
Deutsche Kl.: 12 g-17/18
Nummer: 1268 114
Aktenzeichen: P 12 68 114.0-43
Anmeldetag: 25. Mi 1958
Auslegetag: 16. Mai 1968
Es ist bereits ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristalls bekannt, bei dem ein Keimkristall
in die Schmelze eines Halbleitermaterials eingeführt und danach aus der Schmelze in solcher Weise herausgezogen
wird, daß geschmolzenes Material mitgeführt wird, das durch die folgende Abkühlung erstarrt.
Wird eine Schmelze aus Halbleitermaterial eines bestimmten Leitfähigkeitstyps verwendet und
ihr während des Ziehvorganges ein solches Material zugesetzt, welches den Leitfähigkeitstyp der Schmelze
ändert, so entstehen in dem herausgezogenen Kristall getrennte Zonen von unterschiedlichem Leitfähigkeitstyp.
Beim Herausziehen können der Keim und der an diesem anhaftende Kristall um ihre Längsachse gedreht
werden.
Es sind auch bereits Halbleiterbauelemente, insbesondere Kristalldioden oder Transistoren bekannt,
die im wesentlichen aus Germaniumkristall vom p-Leitungstyp bestehen, auf dem wenigstens eine
Elektrode mit Gleichrichtungseigenschaften durch Schmelzen aufgebracht ist, wobei die Elektrode aus
Indium mit einem Gehalt an einem oder mehreren Donatoren gebildet wird, der so klein ist, daß die
Härte der Elektrode unterhalb einer Vickers-Härte von 4 liegt und der andererseits so groß ist, daß die
Akzeptoreigenschaften des Indiums durch die Donatoreigenschaften der Donatoren überkompensiert
sind.
Es hat sich jedoch gezeigt, daß die Basisschicht bei gezogenen Halbleiterkristallen mit doppeltem Zusatz
in der Nähe der Kollektorgegend eine abgestufte Verteilung der Verunreinigung aufweist, was auf die zeitliche
Verzögerung zurückzuführen ist, die beim Einmischen der Basisverunreinigung in die Schmelze auftritt.
Dadurch wird die Frequenzempfindlichkeit durch das eingebaute Driftfeld verstärkt.
Die in größerer Menge zugesetzte Antimon- und Arsenverunreinigung des Emitterbereiches kann während
des Ziehens dieses Emitterbereiches in das Basisgebiet diffundieren, wodurch die kompensierte Basisverunreinigung
in der Nähe des Emittergebietes abnimmt und ein Verzögerungsfeld von eingestreuten
Fehlstellenträgern bildet.
Wegen dieses Verzögerungsfeldes ist die Alpha-Grenzfrequenz geringer als erwartet.
Wegen der Diffusion des Antimons wird auch die Wirksamkeit des Emitters gering, und die Gesamtverunreinigungen
nehmen im Basisgebiet ab, so daß der Basiswiderstand höher wird. Phosphor hat einen
geringeren Diffusionskoeffizienten als Antimon.
Verfahren zur Herstellung eines n-p-n dotierten
Halbleitereinkristalls
Halbleitereinkristalls
Anmelder:
Sony Kabushikikaisha, Tokio
Vertreter:
Dr. F. Zumstein, Dr. E. Assmann
und Dr. R. Koenigsberger, Patentanwälte,
8000 München 2, Bräuhausstr. 4
Als Erfinder benannt:
Tetsuo Tsukamoto, Tokio
Tetsuo Tsukamoto, Tokio
Beanspruchte Priorität:
Japan vom 26. Juli 1957 (18 466)
Wenn Phosphor als Emitterverunreinigung verwendet wird, dann wird die Diffusion der Emitterverunreinigung
geringer und die Auswirkungen des Verzögerungsfeldes kleiner.
Die Erfindung bezweckt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters anzugeben, mit dem man einen
hohen Anteil brauchbarer Transistoren mit kleinen mittleren Breiten und verbesserten elektrischen
Eigenschaften erhält, nämlich eine hohe Emitterwirksamkeit, eine kurze Übergangszeit, eine hohe Grenzfrequenz
von 30 bis 80 MHz und einen hohen elektrischen Wirkungsgrad im Hochfrequenz- oder Radiofrequenzbereich
in der Größenordnung von 400 kHz und mehr.
Demgemäß wird ein n-p-n-dotierter Halbleitereinkristall durch Herausziehen aus einer ^dotierten
Schmelze, durch Umdotieren der Schmelze durch Zusatz von zunächst p-dotierenden und dann n-dotierenden
Substanzen hergestellt, wenn erfindungsgemäß als p-dotierende Substanz Gallium und als n-dotierende
Substanz eine Phosphor-Zinn- oder eine Phosphor-Indiurn-Legierung hinzugefügt wird.
Dadurch können auch Transistoren mit geringem Basiswiderstand und hoher Stromverstärkung erhalten
werden. Zur Verdeutlichung der Erfindung soll dies an Hand von beispielsweisen Ausführungsformen
sowie von in der Zeichnung dargestellten graphischen Darstellungen näher erläutert werden. In
der Zeichnung zeigt
F i g. 1 in einem Diagramm das Verfahren zum Herstellen von Halbleitern gemäß der Erfindung;
F i g. 2 ist eine graphische Darstellung, in der die Beziehung zwischen der Basisbreite und dem Produktionsprozentsatz
von gemäß der Erfindung herge-
809 549/394
Claims (2)
- 3 4stellten Transistoren im Vergleich mit nach üblichen mon in einen Schmelztiegel gegeben, der 65 g Germa-Verfahren erzeugten Transistoren dargestellt ist; nium enthält. Zur Impfung wird ein Germaniumein-F i g. 3 zeigt den »Produktionsprozentsatz« in kristall in das im Schmelztiegel enthaltene Germanium Abhängigkeit vom elektrischen Wirkungsgrad, der eingetaucht, worauf der Impfkristall während des aus den n-p-n-Halbleitereinkristallen hergestellten 5 Tauchens gedreht wird und nach 5 Minuten mit einer Transistoren im Vergleich mit in üblicher Weise her- Geschwindigkeit von 10 Mikron pro Sekunde. Nach gestellten Transistoren; 3 Minuten wird die Temperatur um 2° C pro Minute Fig. 4 zeigt den »Produktionsprozentsatz« bezug- gesenkt. Wenn der Kristall bis zu einem Stück mit Hch des Basiswiderstandes; 17 mm Durchmesser gewachsen ist, wird die Betriebs-Fig. 5 zeigt in einer graphischen Darstellung den io temperatur mit der gleichen Geschwindigkeit erhöht, »Produktionsprozentsatz«, bezogen auf die Strom- mit der sie vorher gesenkt wurde, bis eine Temperaverstärkung von erfindungsgemäßen Transistoren im tür von 21° C erreicht ist. Diese Temperatur wird Vergleich mit üblichen Transistoren, und beibehalten, während die Ziehgeschwindigkeit 0,5 Mi-F i g. 6 zeigt in einer graphischen Darstellung den krön pro Sekunde beträgt. Der zweite Zusatz wird »Produktionsprozentsatz« bezüglich des Eingangs- 15 vorgenommen, wenn der Durchmesser des Kristalls Widerstandes. 32 mm beträgt. Dabei wird eine Germanium-Gallium-In Fig. 1 ist als Ordinate die KonzentrationC Legierung mit 1,4°/o Gallium in einer Menge von der Verunreinigung und als Abszisse die Ziehzeit t 5 mg zur Bildung der Basisschicht zugesetzt. Nach abgetragen. weiteren 5 Sekunden werden als dritter Zusatz (Emit-Bei den üblichen Ziehverfahren für Germanium so terseite) 100 mg einer Phosphor-Zinn-Legierung mit vom n-p-n-Typ wird Antimon oder Arsen als erster 5% Phosphor zugesetzt.Zusatz gegeben, so daß sich ein Kollektorgebiet C Der erhaltene Kristall hat am Umfang eine Basis-(n-Typ) bildet, und Gallium als zweiter Zusatz im breite von 7 Mikron und in der Mitte eine BasisbreiteZeitpunkte, gegeben, so daß sich längs der Kurve α von 10 Mikron. Die Breite der Basis kann auch aufein Gebiet B (p-Typ) ausbildet, worauf im Zeitpunkt 25 etwa 5 Mikron eingestellt werden. Er ist etwa 40 gts ein dritter Zusatz gemacht wird, bei dem haupt- schwer, und der Kollektorwiderstand beträgtsächlich Arsen oder Antimon als Donatorverunreini- 1,5 Ohm · cm und der Emitterwiderstandgung verwendet wird. Man sieht in diesem Fall, daß 0,005 Ohm · cm.Arsen oder Antimon in das Basisgebiet B eintritt, was In der Fig.
- 2 A ist die Häufigkeit der Basisbreite durch die in gestrichelten Linien eingezeichnete ge- 30 bei nach bekannten Verfahren hergestellten Transineigte Kurve b angezeigt ist, so daß das Basisgebiet stören dargestellt, während in Fig. 2B die Verhältkurzgeschlossen werden kann. Dies ist deshalb der nisse bei Transistoren gezeigt sind, die aus gemäß Fall, weil Arsen oder Antimon von dem Emitter- der Erfindung hergestellten Kristallen gefertigt sind, gebiet E in das Basisgebiet eindringt, wobei das Emit- Aus dem Vergleich dieser Darstellungen ersieht man, tergebiet£ während des Kristallwachstums auf Grund 35 daß ein großer Prozentsatz der Transistoren gemäß des großen Diffusionskoeffizienten von Arsen oder Fig. 2B eine kleinere Durchschnittsbasisbreite hat Antimon eine große Konzentration der Verunreini- als die nach bekannten Verfahren hergestellten Trangung hat. Aus diesem Grund hat ein in üblicher sistoren gemäß Fig. 2A.Weise hergestellter Halbleiter den Nachteil, daß die F i g. 3 zeigt in ähnlicher Weise die Häufigkeit des Linie b sehr steil gegen die Horizontale geneigt ist, 40 Wirkungsgrades der elektrischen Leistung (in db) bei damit das Basisgebiet klein wird, wodurch der elek- 455 kHz, während F i g. 4 die Häufigkeit des Basistrische Kurzschluß verursacht wird. Widerstandes rb' (in Ohm) zeigt. Bei der Kurve A ist Wird statt dessen als dritter Zusatz Phosphor in der Basiswiderstand auf einen breiten Bereich verForm von Phosphor-Zinn- oder Phosphor-Indium- teilt, während dieser Bereich der Kurve B sehr eng ist. Legierungen zugefügt, so wird die Emitterverbindung 45 In ähnlicher Darstellung ist in Fig. 5 die Verteigenau diskontinuierlich, wie dies durch die Kurve V lung der Stromverstärkung Alpha und in Fig. 6 des in Fig. 1 gezeigt ist und der Gradient der Konzen- EingangswiderstandesR11 (in Ohm) gezeigt, tration der Verunreinigung hat keinen fehlerhaften
Verlauf. Ein aus einem solchen Kristall hergestellterTransistor hat einen guten Wirkungsgrad des Emit- 50 Patentanspruch: ters, eine kurze Übergangszeit der Elektronen, diedurch die Basis hindurchgehen, sowie eine hohe Verfahren zur Herstellung eines n-p-n-dotier-Grenzfrequenz. ten Halbleitereinkristalls durch Herausziehen ausBei Verwendung von Phosphor-Zinn-Legierungen einer η-dotierten Schmelze, durch Umdotierenbeträgt der Anteil des Phosphors vorzugsweise etwa 1 55 der Schmelze durch Zusatz von zunächst p-dotie-bis 5°/o und der Anteil des Zinns etwa 98 bis 95%. rendenund dann η-dotierenden Substanzen, da-Bei größerem Phosphorzusatz kann die zuzusetzende durch gekennzeichnet, daß als p-dotie-Menge kiemer sein, so daß in diesem Fall keine rende Substanz Gallium und als n-dotierendeGefahr besteht, daß die Temperatur. während des Substanz eine Phosphor-Zinn- oder eine Phos-Herstellungsverfahrens abnimmt. Bei zu kleinen Zu- 60 phor-Indium-Legierung hinzugefügt wird,sätzen von Phosphor wird das Herstellungsverfahreninstabil, da ein zu großer Zusatz erforderlich ist.In Betracht gezogene Druckschriften:B e * sPf e l Deutsche Patentschriften Nr. 894 293, 944 209;Als erster Zusatz (Kollektorseite) werden 70 mg 65 belgische Patentschrift Nr. 542998;einer Germanium-Antimon-Legierung mit 1% Anti- USA.-Patentschrift Nr. 2 798 013.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen809 549/394 5.68 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1846657 | 1957-07-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1268114B true DE1268114B (de) | 1968-05-16 |
Family
ID=11972398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP1268A Pending DE1268114B (de) | 1957-07-26 | 1958-07-25 | Verfahren zur Herstellung eines n-p-n dotierten Halbleitereinkristalls |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3070465A (de) |
DE (1) | DE1268114B (de) |
GB (1) | GB902201A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19936651A1 (de) * | 1999-08-04 | 2001-02-15 | Forsch Mineralische Und Metall | Verfahren und Herstellung eines segmentierten Kristalls |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1228285A (fr) * | 1959-03-11 | 1960-08-29 | Structures à semi-conducteurs pour amplificateur paramétrique à micro-ondes |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE542998A (de) * | 1954-11-24 | |||
DE894293C (de) * | 1951-06-29 | 1953-10-22 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial |
DE944209C (de) * | 1950-06-15 | 1956-06-07 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern |
US2798013A (en) * | 1955-08-05 | 1957-07-02 | Siemens Ag | Method of producing junction-type semi-conductor devices, and apparatus therefor |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2743201A (en) * | 1952-04-29 | 1956-04-24 | Hughes Aircraft Co | Monatomic semiconductor devices |
US2753280A (en) * | 1952-05-01 | 1956-07-03 | Rca Corp | Method and apparatus for growing crystalline material |
NL178978B (nl) * | 1952-06-19 | Texaco Ag | Werkwijze voor het bereiden van een smeervet op basis van lithiumzeep. | |
US2686212A (en) * | 1953-08-03 | 1954-08-10 | Gen Electric | Electric heating apparatus |
GB755845A (en) * | 1953-08-05 | 1956-08-29 | Ass Elect Ind | Improvements relating to semi-conductors |
BE532474A (de) * | 1953-10-13 | |||
US2899343A (en) * | 1954-05-27 | 1959-08-11 | Jsion | |
US2892739A (en) * | 1954-10-01 | 1959-06-30 | Honeywell Regulator Co | Crystal growing procedure |
US2822308A (en) * | 1955-03-29 | 1958-02-04 | Gen Electric | Semiconductor p-n junction units and method of making the same |
US2841509A (en) * | 1955-04-27 | 1958-07-01 | Rca Corp | Method of doping semi-conductive material |
US2852420A (en) * | 1956-06-28 | 1958-09-16 | Rauland Corp | Method of manufacturing semiconductor crystals |
US2836523A (en) * | 1956-08-02 | 1958-05-27 | Bell Telephone Labor Inc | Manufacture of semiconductive devices |
NL229017A (de) * | 1957-06-25 | 1900-01-01 |
-
1958
- 1958-05-08 US US733920A patent/US3070465A/en not_active Expired - Lifetime
- 1958-07-25 DE DEP1268A patent/DE1268114B/de active Pending
- 1958-07-25 GB GB17578/58A patent/GB902201A/en not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE944209C (de) * | 1950-06-15 | 1956-06-07 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern |
DE894293C (de) * | 1951-06-29 | 1953-10-22 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial |
BE542998A (de) * | 1954-11-24 | |||
US2798013A (en) * | 1955-08-05 | 1957-07-02 | Siemens Ag | Method of producing junction-type semi-conductor devices, and apparatus therefor |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19936651A1 (de) * | 1999-08-04 | 2001-02-15 | Forsch Mineralische Und Metall | Verfahren und Herstellung eines segmentierten Kristalls |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3070465A (en) | 1962-12-25 |
GB902201A (en) | 1962-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2823967C2 (de) | ||
DE2618733A1 (de) | Halbleiterbauelement mit heterouebergang | |
DE1005194B (de) | Flaechentransistor | |
DE2055162A1 (de) | Verfahren zur Isolationsbereichbil dung im Halbleitersubstrat einer monohthi sehen Halbleitervorrichtung | |
DE1222166B (de) | Epitaxial-Transistor | |
DE2704413A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen, bei dem eine dotierungsverunreinigung aus einer polykristallinen halbleiterschicht in ein unterliegendes einkristallines halbleitermaterial eindiffundiert wird | |
DE1489258B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer duennen leitenden Zone unter der Oberflaeche eines Siliciumkoerpers | |
DE1282796B (de) | Integrierte Halbleiteranordnungen und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE1160543B (de) | Verfahren zum Behandeln von Transistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungstraeger, insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombination zu verringern | |
DE1101624B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode an einer Halbleiteranordnung | |
DE102004004555A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von hoch dotierten Halbleiterscheiben und versetzungsfreie, hoch dotierte Halbleiterscheiben | |
DE2418560A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1268114B (de) | Verfahren zur Herstellung eines n-p-n dotierten Halbleitereinkristalls | |
DE2364753A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1764829B1 (de) | Planartransistor mit einem scheibenfoermigen halbleiter koerper | |
DE2101278C2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1168567B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Transistors, insbesondere fuer Schaltzwecke | |
DE2049696C3 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen | |
DE1276215C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit mindestens einem p-n-UEbergang | |
DE1178948B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung mit Breitbandelektrode | |
AT395272B (de) | Halbleitereinrichtung mit vertikalen und lateralen npn- und pnp-transistoren auf einem gemeinsamen substrat | |
DE2131993C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines niederohmigen Anschlusses | |
DE1261119B (de) | Verfahren zum Ziehen von NPN- oder PNP-Silicium- oder Germaniumeinkristallen | |
DE1270694B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
DE2559001C2 (de) | Integrierte Injektions-Halbleiterschaltungsanordnung |