DE1005194B - Flaechentransistor - Google Patents

Flaechentransistor

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DE1005194B DER14271A DER0014271A DE1005194B DE 1005194 B DE1005194 B DE 1005194B DE R14271 A DER14271 A DE R14271A DE R0014271 A DER0014271 A DE R0014271A DE 1005194 B DE1005194 B DE 1005194B
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf Flächentransistoren mit zwei äußeren Zonen gleichen Leitungstyps und einer dazwischenliegenden Basiszone entgegengesetzten Leitungstyps mit einer senkrecht zur p-n-Verbindungsfläche ungleichmäßigen Leitfähigkeit.
Die Herstellung von Flächentransistoren kann unter anderem nach dem Legierungsverfahren oder durch Ziehen aus einer Schmelze erfolgen.
Beim Ziehen aus der Schmelze werden dem geschmolzenen Halbleitermaterial, während der langsam herausgezogene Halbleiterkristall wächst, Dotierungsstoffe zugesetzt, die dann den Leitungstyp des gerade entstehenden Kristallbereichs bestimmen.
Bei einem bekannten Verfahren, einen Halbleiterkristall aus der Schmelze zu ziehen, kann der Dotierungsstoff sowohl auf einmal als auch sukzessive zugegeben werden. Der Übergang von einem Leitungstyp zum entgegengesetzten ist demgemäß in dem herausgezogenen Einkristall unstetig oder mehr oder weniger allmählich. Der Kristall wird dann mit unveränderter Schmelze weitergezogen, so daß sich eine mittlere Zone (Basis) konstanten Störstellengehalts gewünschter Dicke bildet. Schließlich wird wieder ein Dotierungsstoff zugegeben, der den Leitungstyp der Schmelze abermals umkehrt. Im fertigen Kristall sind also drei Bereiche konstanter Störstellenkonzentration vorhanden, wobei jedoch der mittlere Bereich vom entgegengesetzten Leitungstyp ist wie die beiden Außenbereiche. Zwischen den Bereichen konstanter Störstellenkonzentration nimmt der Gehalt an Störstellen des entsprechenden Vorzeichens stetig bzw. sprunghaft ab bzw. zu, je nachdem, wie die Zufuhr der Dotierungsstoffe zur Schmelze während des Ziehens erfolgte.
Bei den nach dem bekannten Legierungsverfahren hergestellten Transistoren liegt ebenfalls ein Basisbereich konstanter Störstellenkonzentration des einen Leitungstyps zwischen zwei durch Aufschmelzen oder Eindiffundieren geeigneter Dotierungsstoffe gebildeten Bereichen des entgegengesetzten Leitungstyps. Die Übergangszonen können dabei einen durch die beim Auflegieren bzw. Eindiffundieren der Dotierungsstoffe herrschenden Versuchsbedingungen in weiten Grenzen wählbaren Verlauf der Störstellenverteilung besitzen.
Ferner ist es bei Spitzentransistoren bekannt, zwischen den die Basis bildenden Halbleiterkörper und der metallischen Basiselektrode einen Bereich anzuordnen, der denselben Leitungstyp, jedoch eine höhere Störstellenkonzentration wie der die Spitzenelektroden tragende Basisbereich besitzt. Dadurch sollen Störungen beseitigt werden, die ihre Ursache darin haben, daß von der Basiselektrode aus Träger in den Basiskörper emittiert werden.
Anmelder:
Radio Corporation of America, New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
München 23, Dunantstr. 6
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 22. Mai 1953
Arnold Robert Moore, Princeton, N. J. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
""
Für das Verhalten eines Flächentransistors sind verschiedene Parameter von Bedeutung.
Ein Widerstand, Basiszuleitungswiderstand genannt, ist im Stromkreis zwischen dem Basisbereich und der Basiselektrode eines Transistors vorhanden. Dieser Widerstand bestimmt das Verhalten der Vorrichtung bei Hochfrequenz.
Ein anderer Parameter ist die Emittereingangskapazität, welche hauptsächlich der Art der Weiterleitung der Ladungsträger durch den Basisbereich durch einen Diffusionsvorgang zuzuschreiben ist. Folglich ist diese Kapazität in Wirklichkeit eine Diffusionskapazität und ist dem Emitterstrom und dem Quadrat der Schichtdicke des Basisbereichs zwischen der Emitter- und der Kollektorelektrode proportional. Im Transistor bilden der Basiszuleitungswiderstand in Serie mit der Emittereingangskapazität einen Spannungsteiler, welcher das wirksame Eingangssignal bei hohen Frequenzen reduziert. Dies ist für die Verwendung eines Transistors bei hohen Frequenzen ungünstig.
Zur Vermeidung dieses Nachteiles wird der Basiszuleitungswiderstand und die Emittereingangskapazität auf niedrige Werte herabgesetzt. Zur Herabsetzung der Kapazität wird auf die Ladungsträger im Basisbereich mittels eines elektrischen oder magnetischen Feldes eine Kraft zur Steuerung des Übergangs der Ladungsträger zwischen der Emitter- und der Kollektorelektrode ausgeübt. Zur Herabsetzung des Basiszuleitungswiderstandes wird ein Material höherer Leitfähigkeit für den Basisbereich verwendet. Jedoch kann dabei ein Durchschlag der Kollektorinversionsschicht auftreten. Dieses Problem entsteht, weil das Material höherer Leitfähigkeit des Basis-
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bereichs die Breite des -Raumladungsgebietes an der Kollektorinversionsschicht, durch welche hindurch die angelegte Kolkktorspannung wirkt, herabsetzt. Ein reduziertes Kollektorraumladungsgebiet erniedrigt aber die Kollektordurchschlagspannung.
Mit diesen Erkenntnissen kann nun ein verbesserter Flächentransistor gebaut werden.
Erfindungsgemäß nimmt die Leitfähigkeit der Basiszone von der einen der zwei Zonen aus nach der anderen hin ab.
Die Erfindung soll nun an Hand der Zeichnungen näher beschrieben werden.
Fig. 1 ist ein Schnitt durch einen Transistor;
Fig. 2 stellt einen Schnitt durch einen Transistor im halbfertigen Zustand dar;
Fig. 3 ist ein Schnitt durch den Halbleiter nach Fig. 2 in einem späteren Fabrikationsstadium;
Fig. 4 ist ein Schnitt durch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Germanium und Silizium sind zwei zur Zeit häufig zur Herstellung von Transistoren verwendete Stoffe. Ein Halbleitermaterial von hohem Reinheitsgrad, vorzugsweise Germanium, wird mit einer sehr geringen Menge einer sogenannten Verunreinigungssubstanz behandelt, um das eigenleitende Material in p- oder η-leitendes umzuwandeln. Zur Herstellung von p-Material können ein oder mehrere Stoffe, wie Indium, Aluminium, Gallium, Bor oder Zink, verwendet werden; diese Verunreinigungssubstanzen werden Akzeptoren genannt. Zur Herstellung von n-Material können ein oder mehrere Stoffe, wie Antimon, Wismut, Arsen, Schwefel, Selen, Telur oder Phosphor verwendet werden, und diese Zusatzstoffe werden Donatoren genannt.
Transistoren der oben beschriebenen Art können aus einem Halbleiterkristall einer ausgewählten Leitfähigkeitsart durch verschiedene Verfahren, z. B. durch Zusetzen geladener Teilchen oder durch Beschüß mit diesen, hergestellt werden. Ferner können solche Halbleiter während des Wachsens der Kristalle selbst derart präpariert werden.
Bei der Bildung von Inversionsschichten durch die Legierungstechnik wird ein Verunreinigungsmaterial mit einem Körper von n- oder p-leitendem Halbleitermaterial derart legiert, daß eine Zone einer Leitfähigkeit entgegengesetzter Art zu der des ursprünglichen Körpers in ihm gebildet wird. Wenn das Halbleitermaterial η-leitend ist, werden ein oder mehrere der vorher erwähnten Akzeptorzusatzstoffe verwendet. Wenn das Halbleitermaterial p-leitend ist, dann werden ein oder mehrere der vorher erwähnten Donatorzusatzstoffe verwendet.
Zur Bildung einer Inversionsschicht auf dem Diffusionswege wird ein Halbleiterkristall mit einer geringen Menge eines Zusatzstoffes behandelt, so daß Atome dieses Stoffes in den Kristall eindiffundieren und dadurch seine Leitfähigkeit steigern oder umkehren.
Für die folgende Diskussion soll angenommen werden, daß das Halbleitermaterial η-leitendes Germanium sei und das die Inversionsschicht bildende Akzeptormaterial Indium. Als Donator sei Antimon angenommen.
Gleiche Elemente sind in allen Figuren der Zeichnung mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
In Fig. 1 ist ein Transistor 10 gezeigt, beispielsweise bestehend aus einem ersten p-leitenden Germaniumbereich 12 als Emitter, einem zweischichtigen Grundbereich 14 aus η-leitendem Germanium und endlich einem Bereich aus p-leitendem Germanium 16.
Der zuletzt genannte Bereich dient als Kollektor. Gewünschtenfalls können die Leitfähigkeitsarten, umgekehrt werden. Bei dieser Ausführung besteht der Basisbereich 14 aus zwei Schichten 18 und 20 aus η-leitendem Germanium, wobei jede Schicht eine verschieden hohe Leitfähigkeit aufweist. Die Schicht 18 von höherer Leitfähigkeit, auch mit N bezeichnet, ist dem Emitterbereich 12 benachbart und bildet mit diesem eine Inversionsschicht. Die Schicht geringerer Leitfähigkeit 20 ist dem Kollektorbereich 16 benachbart und bildet eine Inversionsschicht mit diesem. Eine Basiselektrode 22 ist mittels ohmschem Kontakt mit der Schicht 18 verbunden, welche somit der Basisbereich ist. Andere ohmsche Kontaktelektroden 24 und 26 sind mit dem Emitter- und dem Kollektorbereich 12 bzw. 16 verbunden.
Somit enthält der Transistor 10 einen Basisbereich 18 von niedrigem Basiszuleitungswiderstand. Der Halbleiter enthält ferner einen Basisbereich 20 von hohem Widerstand, welcher dem Kollektorbereich 16 benachbart ist und einen Teil der Kollektorinversionsschicht bildet. Der Raumladungsbereich der Kollektorinversionsschicht hat daher eine ausreichende Breite, um eine verhältnismäßig hohe Kollektordurchschlags spannung zu erzielen. Wenn die Schicht 20 einen genügend hohen spezifischen Widerstand besitzt, etwa in der Größenordnung von 20 bis 50 Ohmzentimeter, reicht der Raumladungsbereich mit seiner Sperrschicht weit in die Schicht 20 hinein und bildet im Innern dieses Bereichs ein elektrisches Feld. Die Raumladung reicht jedoch nicht in den Bereich 18 hinein. Auf diese Weise bewegen sich im Innern der Schicht 18 wenige Ladungsträger infolge Diffusion, während sich im Innern der Schicht 20 die Ladungsträger unter dem Einfluß des darin vorhandenen elektrischen Feldes bewegen. Mit einer Kollektorspannung von nur einigen Volt ist dieses elektrische Feld stark genug, um die Laufzeit in der Schicht 20 niedriger Leitfähigkeit vernachlässigen zu können im Vergleich mit der Diffusionslaufzeit in der Schicht hoher Leitfähigkeit. Somit wird, da die Laufzeit nicht wesentlich ansteigt, die zusätzliche Basisschichtdicke, hervorgerufen durch die Schicht niedriger Leitfähigkeit, die Eingangskapazität nicht erhöhen. Außerdem kann, falls die Leitfähigkeit der Schicht 18 ausreichend hoch ist (die Leitfähigkeit des Emitterbereichs 12 sei auch entsprechend hoch, um die Emittereingangsleistung beizubehalten), die Schicht niedriger Leitfähigkeit beliebig dünn gemacht werden, ohne den Basiszuleitungswiderstand anwachsen zu lassen. Daher \vird durch Herabsetzen der Ladungsträgeranzahl die Emittereingangskapazität verringert.
Im Betrieb des Transistors 10 wirkt der p-Bereich 12 als Emitter und ist demnach in der Durchlaßrichtung gegenüber dem Basisbereich 18 durch Anschluß an den positiven Pol einer Batterie 28 vorgespannt. Der negative Pol ist mit der Basiselektrode 22 verbunden. Eine Signal quelle 30 ist entweder mit dem Emitterbereich oder, wie in Fig. 1 dargestellt, mit dem Basisbereich 18 verbunden, um entweder den Emitter oder die Basiselektrode zur Eingangselektrode zu machen. Der p-Bereich 16 arbeitet als Kollektorbereich und ist demzufolge in entgegengesetzter Richtung gegenüber dem Basisbereich 18 durch eine Verbindung zum negativen Pol einer Batterie 32 vorgespannt, deren positiver Pol mit der Basiselektrode verbunden ist.
Der Transistor kann, wie an Hand der Fig. 2 erläutert, aus einem Kristall 34 aus η-leitendem Ger-
manium von niedriger Leitfähigkeit, ζ. Β. von einem spezifischen Widerstand von 20 bis SO Ohmzentimeter, hergestellt werden. Spuren eines Donatormaterials, beispielsweise Antimon, sind auf einer Seite des Kristalls in Form eines dünnen Films 35 aufgedampft. Der Kristall wird sodann erhitzt, um den Zusatzstoff in den Kristall einzudiffundieren und eine Schicht 36 von höherer Leitfähigkeit in der Größenordnung einiger zehntel Ohmzentimeter zu bilden. Die stark dotierte Schicht 36 vermischt sich allmählich mit dem Rest des Kristalls 34, und im allgemeinen ist eine stark gleichrichtende Sperrschicht zwischen den beiden Bereichen nicht vorhanden. Der Erhitzungsvorgang muß hinreichend sein, um eine Schicht ausreichender Dicke zu bilden, damit bei der nächsten Stufe des Verfahrens eine Inversionsschicht erhalten wird. Für einen 0,12 oder 0,16 mm dicken Germaniumkristall und eine 300 Ä dicke Antimonschicht ist eine Erhitzung während etwa einiger Stunden bei einer Temperatur von 750 bis 850° C erforderlich.
Sodann wird eine Inversionsschicht oder p-n-Schicht in jeder der η-leitenden Germaniumschichten 34 und 36 gebildet, wie in Fig. 4 dargestellt. Ein geeignetes Verfahren zur Herstellung dieser Inversionsschichten verwendet eine Legierungsmethode, bei welcher ein Kügelchen oder eine Scheibe eines geeigneten Donator- oder Akzeptormaterials, hier also ein Akzeptormaterial, wie Indium, mit jeder Schicht 34 und 36 verschmolzen wird, um Inversionsschichten 37 und 38 mit den Gleichrichtungssperrschichten 39 und 40 zu bilden und Schichten 42 und 44 von Material entgegengesetzter Leitfähigkeitsart, also von p-leitendem Material, herzustellen. Jeder p-leitenden Schicht 42 und 44 ist ein Bereich 46 und 48 benachbart, welcher aus einem Material besteht, das eine Legierung von Indium und Germanium enthält. Die p-leitendeSchicht 44 dient als Emitter und die p-leitende Schicht 42 als Kollektor.
Gemäß einem anderen Verfahren zur Herstellung des Transistors kann der zweischichtige n-leitende Körper 14 in Fig. 1 und 34, 36 in Fig. 3 durch eine Kristallzüchtung aus einer Germaniumsehmelze gewonnen werden. Bei diesem Verfahren können die Inversionsschichten ebenfalls nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt werden.
Ein drittes Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach Fig. 1 besteht in dem Ziehen des ganzen Halbleiters aus der Schmelze. Nach diesem Verfahren entsteht beispielsweise der Kristall aus einer p-leitenden Schmelze. Nachdem die p-leitende Schicht 16 gebildet ist, wird Donatorzusatzstoff der Schmelze zugesetzt, um die η-leitende Schicht 20 zu bilden. Sodann wird weiterer Donatorzusatzstoff zugesetzt, um die η-leitende Schicht 18 von höherer Leitfähigkeit zu bilden. Endlich wird Akzeptorzusatzstoff hinzugefügt, um die p-leitende Schicht 12 zu schaffen. Falls gewünscht, können die zwei η-leitenden Schichten 18 und 20 in umgekehrter Reihenfolge durch entsprechende Wahl des Zusatzes des richtigen Zusatzmaterials gezüchtet werden.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Flächentransistor mit zwei äußeren Zonen gleichen Leitungstyps, einer dazwischenliegenden Basiszone entgegengesetzten Leitungstyps und mit einer senkrecht zur p-n-Verbindungsfläche ungleichmäßigen Leitfähigkeit, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeit der Basiszone von der einen der zwei Zonen aus nach der anderen hin abnimmt.
2. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone aus zwei oder mehr Schichten verschiedener Leitfähigkeit besteht.
3. Flächentransistor nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone aus einem homogenen Halbleitermaterial eines Leitungstyps hergestellt ist, auf dessen einer Seite Verunreinigungen gleichen Leitungstyps einlegiert oder eindiffundiert sind, um eine Basiszone mit Bereichen verschieden großer Leitfähigkeit zu bilden, und daß zwei Zonen des entgegengesetzten Leitungstyps auf den Außenseiten der Basiszone durch Legierung bzw. Diffusion gebildet sind.
4. Flächentransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone durch Ziehen eines Kristalls aus einer Schmelze hergestellt ist und daß die beiden äußeren Zonen durch Legierung bzw. Diffusion gebildet sind.
5. Flächentransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß alle Zonen des Transistors durch Ziehen aus einer Schmelze gebildet sind.
6. Flächentransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die äußere Zone, die an die Seite der Basiszone mit der größeren Leitfähigkeit angrenzt, die Emitterzone und die andere äußere Zone die Kollektorzone ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentsehrift Nr. 2 603 693;
Das Elektron, Bd. 5, 1951/52, Heft 13/14, S. 437.
Entgegengehaltene ältere Rechte:
Deutsches Patent Nr. 894 293.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 609 865/339 3.57
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DE (1) DE1005194B (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1089073B (de) * 1958-12-12 1960-09-15 Deutsche Bundespost Transistor zum Schalten mit teilweise fallender Charakteristik und einem Halbleiterkoerper mit der Zonenfolge npp n bzw. pnn p
DE1104075B (de) * 1958-05-14 1961-04-06 Telefunken Gmbh Halbleitergleichrichter, insbesondere Hochfrequenzgleichrichter, mit einer n np- bzw. p pn-Folge der Halbleiterzonen im Halbleiterkoerper und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1154873B (de) * 1961-01-30 1963-09-26 Lignes Telegraph Telephon Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1158179B (de) * 1956-09-05 1963-11-28 Int Standard Electric Corp Drift-Transistor und Verfahren zu seinem Herstellen
DE1182354B (de) * 1958-09-02 1964-11-26 Texas Instruments Inc Transistor

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2895058A (en) * 1954-09-23 1959-07-14 Rca Corp Semiconductor devices and systems
NL204025A (de) * 1955-03-23
US3193737A (en) * 1955-05-18 1965-07-06 Ibm Bistable junction transistor
US2981849A (en) * 1956-01-09 1961-04-25 Itt Semiconductor diode
US2914715A (en) * 1956-07-02 1959-11-24 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor diode
US2981874A (en) * 1957-05-31 1961-04-25 Ibm High speed, high current transistor
US3162770A (en) * 1957-06-06 1964-12-22 Ibm Transistor structure
US3001895A (en) * 1957-06-06 1961-09-26 Ibm Semiconductor devices and method of making same
US2947925A (en) * 1958-02-21 1960-08-02 Motorola Inc Transistor and method of making the same
NL241053A (de) * 1958-07-10
US3041509A (en) * 1958-08-11 1962-06-26 Bendix Corp Semiconductor device
NL246349A (de) * 1958-12-15
NL249699A (de) * 1959-04-08
BE589705A (de) * 1959-04-15
US3054912A (en) * 1959-11-10 1962-09-18 Westinghouse Electric Corp Current controlled negative resistance semiconductor device
US3095324A (en) * 1960-04-14 1963-06-25 Gen Electric Method for making electrically conducting films and article
NL258408A (de) * 1960-06-10
US3174112A (en) * 1960-07-29 1965-03-16 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices providing the functions of a plurality of conventional components
US3231793A (en) * 1960-10-19 1966-01-25 Merck & Co Inc High voltage rectifier
DE1192325B (de) * 1960-12-29 1965-05-06 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung eines Drifttransistors
US3249831A (en) * 1963-01-04 1966-05-03 Westinghouse Electric Corp Semiconductor controlled rectifiers with a p-n junction having a shallow impurity concentration gradient
US3388012A (en) * 1964-09-15 1968-06-11 Bendix Corp Method of forming a semiconductor device by diffusing and alloying
US3455748A (en) * 1965-05-24 1969-07-15 Sprague Electric Co Method of making a narrow base transistor
US5859484A (en) * 1995-11-30 1999-01-12 Ontario Hydro Radioisotope-powered semiconductor battery
BRPI1013704A2 (pt) 2009-04-17 2016-04-05 Seerstone Llc método para produzir carbono sólido pela redução de óxidos de carbono
WO2013158156A1 (en) 2012-04-16 2013-10-24 Seerstone Llc Methods and structures for reducing carbon oxides with non-ferrous catalysts
JP6242858B2 (ja) 2012-04-16 2017-12-06 シーアストーン リミテッド ライアビリティ カンパニー 炭素を捕捉および隔離するため、ならびに廃ガスストリーム中の酸化炭素の質量を低減するための方法およびシステム
CN104302575B (zh) 2012-04-16 2017-03-22 赛尔斯通股份有限公司 通过还原二氧化碳来产生固体碳的方法
WO2013158158A1 (en) 2012-04-16 2013-10-24 Seerstone Llc Methods for treating an offgas containing carbon oxides
NO2749379T3 (de) 2012-04-16 2018-07-28
US9896341B2 (en) 2012-04-23 2018-02-20 Seerstone Llc Methods of forming carbon nanotubes having a bimodal size distribution
CN104619637B (zh) 2012-07-12 2017-10-03 赛尔斯通股份有限公司 包含碳纳米管的固体碳产物以及其形成方法
US10815124B2 (en) 2012-07-12 2020-10-27 Seerstone Llc Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same
CN104619640B (zh) 2012-07-13 2017-05-31 赛尔斯通股份有限公司 用于形成氨和固体碳产物的方法和系统
US9779845B2 (en) 2012-07-18 2017-10-03 Seerstone Llc Primary voltaic sources including nanofiber Schottky barrier arrays and methods of forming same
WO2014085378A1 (en) 2012-11-29 2014-06-05 Seerstone Llc Reactors and methods for producing solid carbon materials
US9586823B2 (en) 2013-03-15 2017-03-07 Seerstone Llc Systems for producing solid carbon by reducing carbon oxides
US9783421B2 (en) 2013-03-15 2017-10-10 Seerstone Llc Carbon oxide reduction with intermetallic and carbide catalysts
WO2018022999A1 (en) 2016-07-28 2018-02-01 Seerstone Llc. Solid carbon products comprising compressed carbon nanotubes in a container and methods of forming same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2603693A (en) * 1950-10-10 1952-07-15 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating device
DE894293C (de) * 1951-06-29 1953-10-22 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2631356A (en) * 1953-03-17 Method of making p-n junctions
US2293248A (en) * 1941-06-10 1942-08-18 Fink Colin Garfield Element for photocells and rectifiers
US2554237A (en) * 1945-10-29 1951-05-22 Westinghouse Electric Corp Rectifier
NL70486C (de) * 1945-12-29
BE485774A (de) * 1947-11-29 1900-01-01
BE489418A (de) * 1948-06-26
US2569347A (en) * 1948-06-26 1951-09-25 Bell Telephone Labor Inc Circuit element utilizing semiconductive material
US2730470A (en) * 1950-06-15 1956-01-10 Bell Telephone Labor Inc Method of making semi-conductor crystals
NL91981C (de) * 1951-08-24

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2603693A (en) * 1950-10-10 1952-07-15 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating device
DE894293C (de) * 1951-06-29 1953-10-22 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1158179B (de) * 1956-09-05 1963-11-28 Int Standard Electric Corp Drift-Transistor und Verfahren zu seinem Herstellen
DE1104075B (de) * 1958-05-14 1961-04-06 Telefunken Gmbh Halbleitergleichrichter, insbesondere Hochfrequenzgleichrichter, mit einer n np- bzw. p pn-Folge der Halbleiterzonen im Halbleiterkoerper und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1182354B (de) * 1958-09-02 1964-11-26 Texas Instruments Inc Transistor
DE1089073B (de) * 1958-12-12 1960-09-15 Deutsche Bundespost Transistor zum Schalten mit teilweise fallender Charakteristik und einem Halbleiterkoerper mit der Zonenfolge npp n bzw. pnn p
DE1154873B (de) * 1961-01-30 1963-09-26 Lignes Telegraph Telephon Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US2811653A (en) 1957-10-29

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