DE1160543B - Verfahren zum Behandeln von Transistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungstraeger, insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombination zu verringern - Google Patents

Verfahren zum Behandeln von Transistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungstraeger, insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombination zu verringern

Info

Publication number
DE1160543B
DE1160543B DEF31524A DEF0031524A DE1160543B DE 1160543 B DE1160543 B DE 1160543B DE F31524 A DEF31524 A DE F31524A DE F0031524 A DEF0031524 A DE F0031524A DE 1160543 B DE1160543 B DE 1160543B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
recombination
diffused
impurities
service life
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEF31524A
Other languages
English (en)
Inventor
Jean A Hoerni
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fairchild Semiconductor Corp
Original Assignee
Fairchild Camera and Instrument Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fairchild Camera and Instrument Corp filed Critical Fairchild Camera and Instrument Corp
Publication of DE1160543B publication Critical patent/DE1160543B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/062—Gold diffusion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/904—Charge carrier lifetime control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: HOU
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1 160 543
Aktenzeichen: F 31524 VIII c / 21 g
Anmeldetag: 27. Juni 1960
Auslegetag: 2. Januar 1964
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Behandeln von Transistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungsträger insbesondere in der Kollektorzone durch Rekombination zu verringern.
Bei der Entwicklung von Halbleiterbauelementen, insbesondere von Transistoren, war man besonders bemüht, die Lebensdauer der Elektronen und Defektelektronen bzw. Löcher im Halbleitermaterial zu erhöhen. Obwohl die ersten Halbleiterbauelemente in ίο dieser Hinsicht noch recht unvollkommen waren, sind in der Zwischenzeit bemerkenswerte Fortschritte gemacht worden, so daß jetzt durch konsequente Verbesserungen der Eigenschaften von Transistoren und anderen Halbleiterbauelementen beachtliche Werte der Lebensdauer erreicht werden können. Da die Technologie der Transistoren nunmehr so weit fortgeschritten ist. daß die gewünschten Lebensdauerwerte der Elektronen und Defektelektronen erreicht werden können, ist es nunmehr auch möglich, diejenigen Vorteile auszunutzen, die durch kontrollierbare Begrenzung der Lebensdauerwerte erreicht werden können. Besonders auf dem Gebiet der Halbleiterdioden sind in dieser Hinsicht erhebliche Fortschritte erreicht worden, und es sind Dioden hergestellt worden, welche infolge der begrenzten Lebensdauerwerte der entsprechenden Materialien sehr schnelle Schaltzeiten haben.
Es ist bekannt, daß die Größe der Rekombination der Elektronen und Löcher im Überschuß über die Trägergleichgewichtsdichten von der Anwesenheit und Dichte von Rekombinationszentren in dem Halbleitermaterial abhängig sind. Diese Rekombinationszentren können infolge von Strukturfehlern im Kristallgitter oder durch die Anwesenheit bestimmter Verunreinigungen in den Halbleitermaterialien entstehen. Auf dem Gebiet der Kontrolle und Herstellung von Kristailgitterstörungen durch Verwendung von Neutronenbeschuß sind bereits erhebliche Forschungs- und Entwicklungsarbeiten geleistet worden. Dabei sind überraschende Ergebnisse erzielt worden, und außer dem Fortschritt auf dem Gebiet der Grundwissenschaft sind dabei auch beachtliche praktische Nutzanwendungen ermöglicht worden. Es sei in diesem Zusammenhang erwähnt, daß die Anwendung der Neutronenbeschießung von Halbleitermaterial bestimmte Vorteile hat; insbesondere ist z. B. eine sehr genaue Kontrolle, Überwachung und Beeinflussung der erreichten Ergebnisse möglich. Der entsprechende Arbeitsgang kann dabei auch verhältnismäßig wirtschaftlich gehalten werden, so daß auch eine kommerzielle Auswertung durchaus lohnend er-Verfahren zum Behandeln von Transistoren,
um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit
der Ladungsträger, insbesondere in der
Kollektorzone, durch Rekombination
zu verringern
Anmelder:
Fairchild Camera and Instrument Corporation, New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. F. B. Fischer, Patentanwalt,
Köln-Sülz, Remigiusstr. 41/43
Als Erfinder benannt:
Jean A. Hoerni, Los Altos, Calif. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 30. Juni 1959
(Nr. 823 839)
scheint. Eine andere Lösungsmöglichkeit des Problems der Überwachung und Beeinflussung der Größe der Rekombination besteht in der Diffusion bestimmter Verunreinigungen in das Halbleitermaterial, und es sind auch auf diesem Gebiet gründliche Untersuchungen und umfangreiche Forschungsarbeiten durchgeführt worden. Auch hier sind für bestimmte Sonderanwendungen, ζ. Β. Halbleiterdioden, beachtliche Ergebnisse erreicht worden.
Wenn auch die erwähnten Lösungsversuche des Problems der Überwachung und Beeinflussung des Rekombinationsverhaltens an sich schon beträchtliche Fortschritte in der Technologie dieses Gebietes darstellen, so gibt es doch noch eine Reihe ungelöster Probleme. Im Hinblick auf die Verwendung eindiffundierter Verunreinigungen als Rekombinationszentren ist der gegenwärtige Stand der Technik, daß dies im wesentlichen nur für Halbleiterdioden anwendbar ist. Es ist bisher noch nicht möglich gewesen, eine Überwachung und Beeinflussung der örtlichen Lage der eindiffundierten Verunreinigungen zu ermöglichen, und wenn dieses auch in der Technologie der Dioden keine besonderen Auswirkungen hat, so ist es doch ein erheblicher Nachteil für Transistoren. Bei dem erwähnten Verfahren zur Herstellung von Rekombinationszentren durch Kristallgitter-
309 777/265
störungen, welche durch Neutronenbeschuß erzeugt worden sind, sind die wesentlichen Nachteile, daß durch Neutronenbeschuß nicht unbedingt eine dauernde Wirkung erreicht werden kann.
Ein verbessertes Verfahren zur Erreichung begrenzter und spezieller Ziele währe auch nur dann von größerem Nutzen, wenn ein solches Verfahren in Kombination mit allgemeinen Verfahren anwendbar ist, innerhalb deren es nur ein Teilverfahren darteile, da die außerordentlich vorteilhaften Ergebnisse hierbei mit einem Minimum an Kosten und nur sehr geringen Änderungen der bewährten Verfahren erreichbar sind.
Die Erfindung bezweckt also, ein neues und verbessertes Verfahren anzugeben, um bei Transistoren die selektive Kontrolle der Lebensdauerwerte der Elektronen und Löcher, die im Überschuß über die Trägergleichgewichtsdichten vorhanden sind, zu erdichten in der Kollektorzone eines Diffusionstransistors vorhanden sind, unter den entsprechenden Wert in der Basiszone herabzusetzen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Behandeln von Tansistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungsträger, insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombination zu verringern. Die Erfindung besteht darin, daß Ver
stellen soll. Es ist nun bei der Herstellung von Halb- io möglichen. Ferner bezweckt die Erfindung, ein Verleiterbauelementen übliche Praxis, mehrere Er- fahren anzugeben, welches eine permanente Begrenhitzungsvorgänge vorzusehen, die verschiedenen zung der Rekombination in bestimmten vorgegebenen Zwecken dienen, welche auf diese Weise erreicht Teilen der Transistoren ermöglicht. Die erfindungswerden können. Insbesondere ist es üblich, die gemäß vorgesehenen Verfahrensschritte zum Zweck Temperatur der Halbleitereinrichtung bei einem be- 15 der selektiven Überwachung und Beeinflussung der stimmten Stadium des Verfahrens zu erhöhen, bei Rekombinationsraten in vorgegebenen Teilen des dem das Halbleitermaterial im wesentlichen ein- Transistors sollen dabei in vorteilhafter Weise bei den geschlossen ist und von anderen äußeren Einflüssen üblichen Trannsistorherstellungsverfahren anwendbar weder erreicht werden noch von ihnen beeinflußt sein. Ferner soll die Erfindung in vorteilhafter Weise werden kann. Es hat sich gezeigt, daß durch die 20 ermöglichen, die Lebensdauer der Elektronen und Temperaturen, die normalerweise während dieses Löcher, die im Überschuß der Trägergleichgewichts-Erhitzungsvorganges bei gebräuchlichen Herstellungsverfahren von Halbleiterbauelementen herrschen,
die Kristallgitterstörungen, welche durch Neutronenbeschuß des Halbleitermaterials erzeugt worden sind, 25
im wesentlichen beseitigt werden. Das bedeutet, daß
Neutronenbeschuß zur Erzeugung einer gewünschten
Dichte von Rekombinationszentren im Halbleitermaterial nur dann angewendet werden könnte, wenn
die üblichen Verfahren zur Transistorherstellung ent- 30 unreinigungen, die bei Einbau in das Halbleiterscheidend abgeändert würden. Eine solche Abände- material Energieniveaus mit etwa gleichem Abstand rung wäre jedoch sehr unvorteilhaft, da als Folge vom Leitfähigkeitsband und vom Valenzband ervon Änderungen, die bei den bekannten Herstellung^- geben, mit einer so geringen Konzentration in den verfahren vorgenommen werden, eine Reihe schwie- Halbleiterkörper des Transistors einduffundiert werriger anderer Probleme auftreten; außerdem bedingt 35 den, daß die Rekombination der Ladungsträger in eine wesentliche Änderung dieser Art kostspielige bestimmten Transistorzonen erhöht wird, aber die Änderungen bei den entsprechenden Herstellung- Stromverstärkung des Transistors erhalten bleibt, anordnungen und Apparaten. In ähnlicher Weise Vorzugsweise wird bei einem npn-Transistor Gold wurde bei der Eindiffundierung von Verunreinigun- gleichmäßig in den ganzen Transistor einduffundiert, gen in Halbleitermaterial gefunden, daß Erhitzungen 40 so daß nach einem weiteren bevorzugten Merkmal üblicher Art, wie sie normalerweise bei der Tran- der Erfindung das Einduffundieren der eine Versistorherstellung vorgenommen werden, die Rekom- ringerung der Speicherzeit bewirkenden Verunreinibinationszentren im wesentlichen beseitigen, die ur- gungen in einem Stadium der Transistorherstellung sprünglich durch das erwähnte Verfahren hervor- vorgenommen werden kann, in dem das Einduffungerufen worden sind, so daß der fertige Transistor 45 dieren aller anderen dotierenden Verunreinigungen oder das fertige Halbleiterbauelement nicht die er- abgeschlossen ist. Bei einem doppelt diffundierten wünschten Lebensdauereigenschaften aufweist, wie npn-Siliziumtransistor wird vorzugsweise Gold bei sie durch das Eindiffundieren von Verunreinigungen einer Temperatur von etwa 980° C 30 Minuten lang erreicht werden sollten. in den Transistor einduffundiert, so daß sich eine Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu- 50 verhältnismäßig gleichmäßige, niedrige Konzentration gründe, die Rekombinationsraten der Elektronen und von Gold in dem Transistor ergibt und anschließende,
Löcher über die Trägergleichgewichtsdichten hinaus selektiv zu überwachen und zu beeinflussen. Dabei sollen im wesentlichen permanente Dichten der Rekombinationszentren erreicht werden. Insbesondere ist vorgesehen, daß das erfindungsgemäße Verfahren auch bei den üblichen Transistorherstellungsverfahren ohne Schwierigkeiten eingesetzt werden kann. Als besonderer Vorteil der Erfindung ist vorgesehen, daß
im Herstellungsverfahren vorgenommene Erhitzungen die Goldverteilung nicht wesentlich beeinflussen.
In diesem Zusammenhang ist zu erwähnen, daß es an sich bekannt ist, Gold in Transistoren einzudiffundieren, beispielsweise derart, daß ein sehr kleiner geätzter Siliziumstreifen über eine Dauer von 2 Tagen bei 1200r C in Anwesenheit von Gold erhitzt wird. Auch ist es bekannt. Gold in einen
die Erhitzungsvorgänge, die normalerweise bei der 60 Germaniumgrundkörper zu dem Zweck einzudiffun-Herstellung von Transistoren stattfinden, und ins- dieren, einen im wesentlichen gleichförmigen spezibesondere solche Erhitzungsvorgänge, die auf die fischen Widerstand und einen fotoelektrischen Effekt Halbleiterdiffusion folgen, in keiner Weise die Er- zu erhalten. Dabei ist ein pn-übergang vorgesehen, gebnisse beeinträchtigen, die durch die Erfindung er- bei dem der Übergang selbst ein Punktkontakt und reicht werden. Dadurch, daß das erfindungsgemäße 65 nicht eine eindiffundierte Übergangsschicht ist, so Verfahren ohne weiteres in die üblichen Verfahren daß die Wirkung des Goldes in den p- und n-Beder Transistorherstellung eingefügt werden kann, reichen in diesem Zusammenhang ohne Bedeutung bringt die Erfindung erhebliche wirtschaftliche Vor- ist. Schließlich ist es bekannt, eine bestimmte be-
grenzte Verteilung von Verunreinigungen in begrenzte Bereiche von Transistoren bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen mit verminderter Temperaturabhängigkeit vorzunehmen, und es sind auch bereits Untersuchungen über das Verhalten von Halbleitermaterialien bei gleichmäßiger Einduffundierung von,Gold vorgenommen worden, welche zu dem Ergebnis führten, daß eine gleichmäßige Eindiffundierung von Gold identische Wirkungen sowohl in den p- als auch in den η-Bereichen ergibt.
Wie erwähnt, unterscheidet sich die Erfindung gegenüber diesen bekannten Verfahren dadurch, daß die betreffende Verunreinigung, die bei Einbau in das Halbleitermaterial Energieniveaus mit etwa
der Lebensdauerwerte nicht hergestellt werden kann. Im Gegenteil, das der Diffusion unterworfene Basis-Halbleitermaterial hat einen niedrigeren Lebensdauerwert als das nicht einer Diffusion unterworfene Halbleitermaterial der Kollektorzone. Dabei ist zu berücksichtigen, daß jeder an dem Transistor vorgenommene Arbeitsgang, der in gleicher Weise auf die Lebensdauerwerte in der Basiszone und der Kollektorzone einwirkt, einen Vorteil nur auf ίο Kosten eines entsprechenden anderen Nachteils erreichen kann; das bedeutet also, daß man zwar eine schnellere Schaltzeit durch Herabsetzen der Lebensdauerwerte in der Kollektorzone erreichen kann, jedoch
wird gleichzeitig dabei eine entsprechende
gleichem Abstand vom Leitfähigkeitsband und vom 15 Herabsetzung der Lebensdauerwerte in der Basiszone Valenzband ergibt, nur mit einer so geringen Kon- die Stromausbeute des Transistors erheblich herabzentration in den Halbleiterkörper des Transistors setzen. Unter Berücksichtigung dieser Schwierigkeiten eindiffundiert wird, daß die Rekombination der ist demgegenüber bei dem erfindungsgemäßen Ver-Ladungsträger in den Transistorzonen selektiv erhöht fahren vorgesehen, die Lebensdauerwerte selektiv wird, so daß die Lebensdauer der Minoritätsträger 20 und kontrolliert herabzusetzen, um zu ermöglichen, im Kollektor geringer wird, als dies in der Basis der daß die Lebensdauerwerte in der Kollektorzone allein Fall ist, daß einerseits die Speicherzeit des Transistors herabgesetzt werden, während die in der Basiszone in vorteilhafter Weise gegenüber Transistoren üblicher Bauart um ein Mehrfaches geringer wird, ohne
daß andererseits eine nennenswerte Verminderung 25
der Stromverstärkung die Folge ist. Die Erfindung
ermöglicht daher eine überraschend einfache Lösung
eines bisher noch nicht befriedigend gelösten Pro-* blems: Erfindungsgemäß ist es nunmehr möglich, bei
des Transistors erwünschten höheren Lebensdauerwerte erhalten bleiben.
Um nun die erwähnte unterschiedliche Veränderung der Lebensdauerwerte zu erreichen, ist vorgesehen, daß die Eigenschaften bestimmter Verunreinigungen in entsprechender Weise ausgenutzt werden, um die Rekombinationsraten von Elektronen
dem normalen Herstellungsgang der Transistor- 30 unnd Löchern in verschiedenem Ausmaß zu beein
flussen. Die Kollektor- und Basiszonen eines Transistors bestehen normalerweise aus verschiedenen Arten von Halbleitermaterial, und diese Tatsache kann im vorliegenden Fall ausgenutzt werden. Dabei
fertigung einen verhältnismäßig geringen Anteil einer vorgegebenen Verunreinigung in einen Transistor einzudiffundieren, ohne daß es notwendig ist, die Eindringtiefe der Diffusion zu begrenzen oder den
Diffusionsvorgang zu lokalisieren, und man erhält 35 ist zu berücksichtigen, daß die Rekombinationsrate durch dieses Verfahren eine selektive Begrenzung von Elektronen und Löchern oder die Lebensdauerder Lebensdauer der Ladungsträger, so daß sowohl werte von Elektronen und Löchern in einem gedie höchstmögliche Verstärkung als auch sehr ge- gebenen Halbleiterbereich notwendigerweise die ringe Schaltzeiten erreicht werden können und die gleichen sind, wenn man Fangeffekte vernachlässigt. Schaltzeiten gegenüber den bisher bekannten Tran- 40 Die Symbole Tn 0 und TP0 mögen die Lebensdauersistoren um das Fünffache bis Zehnfache herab- werte der Elektronen und Löcher angeben, wie sie gesetzt werden können. Weiterbildungen und weitere in stark dotiertem p-Halbleitermaterial bzw. stark Vorteile der Erfindung können der nachfolgenden dotiertem Halbleitermaterial gegeben sind. Diese Beschreibung entnommen werden, in der bevorzugte Lebensdauerwerte der Elektronen und Löcher hän-Ausführungsformen und Beispiele der Erfindung an- 45 gen mit den Einfangquerschnitten der Verunreinigegeben sind. Die Erfindung ist jedoch nicht auf gungen in dem Halbleitermaterial durch die folgendiese Ausführungsformen und -beispiele beschränkt.
Das der Erfindung zugrunde liegende Problem und
die Lösung durch das erfindungsgemäße Verfahren
werden nachfolgend in der Anwendung auf Transisto- 50
ren beschrieben, die einer doppelten Diffusion unterworfen sind. Eine eingehendere Betrachtung des Verhaltens von Transistoren zeigt, daß die Bedingungen
für die Lebensdauer der Träger in den verschiedenen
Teilen des Transistors nicht die gleichen sind. Um 55
eine hohe Stromausbeute in einem solchen Transistor
zu erreichen, ist es notwendig, daß das Basis-Halbleitermaterial hohe Lebensdauerwerte aufweist,
während das Kollektor-Halbleitermaterial niedrigere p-"bzw. n-Halbleitermaterial. Aus den obigen Über-Lebensdauerwerte haben sollte, um Speichereffekte 60 legungen ergibt sich, daß man die Kontrolle über die möglichst gering zu halten. Die gewünschten niedri- relativen Elektronen- und Löcher-Lebensdauerwerte geren Lebensdauerwerte in der Kollektorzone des dadurch erreichen kann, daß man in die Transistoren Transistors sind von besonderer Bedeutung, wenn solche Verunreinigungen eindiffundiert, welche eine der Transistor für Schaltzwecke verwendet wird, weil große Differenz zwischen den Fangquerschnitten für Speichereffekte die Schaltzeit erhöhen. Es ist in 65 p- und n-Halbleitermaterial bieten. Es besteht daher
den Gleichungen zusammen:
und
σπ0
TP0 -
v„Na.
PO
In den angegebenen Gleichungen sind vn und vp die thermischen Trägergeschwindigkeiten, N ist die Dichte der Störzentren (Verunreinigungszentren), und und σρ0 sind die Einfangquerschnitte in starkem
diesem Zusammenhang ein besonderer Nachteil, daß bei den üblichen Verfahren zur Herstellung doppelt diffundierter Transistoren das erwähnte Verhältnis
bei solchen Verunreinigungen, bei denen a„ 0 und ap „ erheblich differieren, die Möglichkeit, die Lebensdauerwerte in dem einen Teil eines Transistors er-
heblich zu beeinflussen, ohne die Lebensdauerwerte Transistors mit der erwähnten eindiffundierten Verin einem entsprechenden anderen Teil entgegen- unreinigung keinerlei Ausscheidung dieser Vergesetzter Leitfähigkeit wesentlich zu beeinträchtigen. unreinigung. Es können daher auch noch an-Bei einem npn-Transistor ist daher die Bedingung schließend weitere übliche Verfahrensschritte ausfür die Herabsetzung der Speicherzeit ohne wesent- 5 geführt werden, ohne daß in irgendeiner Weise die liehe Beeinträchtigung der Stromausbeute: σΡ0^> an 0, Elektronen- und Löcher-Lebensdauerwerte in den und es ist dementsprechend im Fall eines pnp-Tran- verschiedenen Zonen des Transistors sich ändern, sistors die Bedingung einzuhalten: an0^> ap 0. Dieser Vorteil konnte bei den bisher bekannten Ver-
Im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäß vor- fahren der Beeinflussung der Lebensdauer der Elekgesehenen Verfahren sind als Verunreinigungen, i° tronen und Löcher nicht erreicht werden, und die welche für eine Beeinflussung der Lebensdauer in Erfindung stellt daher gegenüber den bekannten VerBetracht kommen, solche Elemente geeignet, welche fahren einen erheblichen Fortschritt dar.
Energieniveauwerte ergeben, die nahe der Mitte des Das erfindungsgemäße Verfahren kann bei doppelt
Bandabstandes zwischen dem Valenzband und dem diffundierten Siliziumtransistoren in einem solchen Leitungsband des Halbleitermaterials liegen. In 15 Stadium des Herstellungsverfahrens angewandt werdiesem Zusammenhang sei auf die entsprechenden den, daß eine weitere Diffusion der bereits vorhande-Veröffentlichungen über die Theorie der Halbleiter nen p- und η-Bereiche vernachlässigbar ist. Der Tran-Bezug genommen, in denen die Definitionen und Er- sistor wird dotiert durch Aufbringungen einer gleichklärungen der verschiedenen Energiebänder enthalten mäßigen Schicht einer gewählten Niedrigniveausind. Es ist nun üblich, Verunreinigungen in Silizium 20 verunreinigung auf die freigelegte Fläche des Kollek- und Germanium einzudiffundieren, um Gebiete von tors des Transistors. Bei einem npn-Transistor wird verschiedenem Leitungstyp zu erhalten, und es ist eine Niedrigniveauverunreinigung gewählt, welche dabei üblich, Elemente der III. und V. Gruppe des einen wesentlich größeren Einfangquerschnitt für Periodischen Systems zu diesem Zweck zu ver- Löcher als für Elektronen aufweist. Entsprechend wenden. Diese Verunreinigungen, die meistens als a5 den obigen Überlegungen erfüllt dann die VerDotierung bezeichnet werden, haben die Tendenz, unreinigung die Beziehung nP0> on0. Anschließend Energieniveaus zu ergeben, welche nahe bei den kann eine weitere Erhitzung des doppelt diffundierten Valenz- oder Leitungsbändern des Halbleiter- Transistors nach bekanntem Verfahren erfolgen, um materials liegen, so daß dort Donatoren- oder die Diffusion zu beenden, und zwar bei einer solchen Akzeptorenbedingungen hergestellt werden; dem- 3o Temperatur, daß wesentliche Änderungen der ngegenüber werden durch Verunreinigungen oder und p-Bereiche des Transistors nicht auftreten. Es Elemente, die nachfolgend als »Niedrigniveau- wird nur eine verhältnismäßig kurze Zeit benötigt, verunreinigungen« bezeichnet werden, Energie- um die Niedrigniveauverunreinigung praktisch in den niveaus erreicht, welche in der Nähe der Mitte des ganzen Transistor hineinzudiffundieren. Obwohl es Bandabstandes zwischen dem Valenzband und dem 35 theoretisch möglich ist, die Diffusion dieser VerLeitungsband des Halbleitermaterials liegen. Wäh- unreinigung auf denjenigen Bereich des Transistors rend die üblicherweise verwendeten Dotierungen der zu beschränken, auf die sie aufgebracht ist, könnten III. und V. Gruppe des Periodischen Systems nor- hierbei erhebliche Schwierigkeiten auftreten; bei Anmalerweise sehr niedrige Diffusionsgrade aufweisen, Wendung der Erfindung ist diese Begrenzung jedoch weichen die Niedrigniveauverunreinigungen insofern 40 nicht erforderlich. Obwohl eine übermäßige Konzenerheblich davon ab, als diese die Tendenz haben, tration an Niedrigneveauverunreinigungen bei einer verhältnismäßig schnell in das Halbleitermaterial ein- Transistorschicht für das Verhalten des Transistors zudiffundieren. Dies ist besonders vorteilhaft im Hin- nachteilig sein kann, wird eine begrenzte Diffusion blick auf die Anwendung der Erfindung auf Diffu- der Verunreinigung durch die Schicht und in andere sionstransistoranordnungen, weil es nun möglich ist, 45 Bereiche des Transistors außerhalb des Kollektors, diese Elemente in den Transistor in einer solchen auf den die Verunreinigung aufgebracht wird, die Zeit in dem Herstellungsverfahren einzudiffundieren, vorteilhafte Wirkung der Erfindung nicht beeinträchin der weitere Diffusionen der bereits vorhandenen tigen.
Akzeptor- und Donatorverunreinigungen vemach- Wie bereits erwähnt, bewirkt die Differenz der ver-
lässigbar sind. Dies ist ferner besonders vorteilhaft, 5o wendeten Verunreinigungen in bezug auf die Einfangweil die Eindiffundierung der vorgesehenen Ver- querschnitte für Elektronen und Löcher, daß der unreinigungen in die Transistoren auf diese Weise vorgesehene Erfolg, nämlich das Erreichen verschieohne Schwierigkeit in die üblichen Herstellungsgänge dener Elektronen- und Löcher-Lebensdauerwerte in der Transistoranfertigung eingeführt werden kann. den verschiedenen Teilen des Transistors, erreicht
Als Verbesserung des Verfahrens der Transistor- 55 wird. Es ist dabei keine allzu genaue Kontrolle und herstellung ist erfindungsgemäß das Aufbringen eines Bemessung der Zeit oder der Temperatur notwendig, Elementes mit niedrigem Energieniveau gleichmäßig die bei Anwendung der Erfindung eingehalten werüber den behandelten Teil eines Transistorkollektors den. Dieser Vorteil erhöht die Wirtschaftlichkeit der vorgesehen. Der gleichmäßig überzogene Transistor- Erfindung, weil dadurch Kosten für die Kontrolle körper wird dann für eine kurze Zeit auf eine Tem- 6Q und Bemessung der Zeit und der Temperatur fortperatur erhitzt, welche so bemessen ist, daß die ge- fallen. Im Anschluß an das Eindiffimdieren der gewünschte Menge dieser Verunreinigung in das wählten Niedrigniveauvemnreinigung in den Tran-Transistormaterial eindiffundiert. Anschließend kön- sistor kann der übliche Herstellungsgang des Transinen die übrigen Schritte der üblichen Transistor- stors abgeschlossen werden. Nach den bekannten Verherstellungsverfahren ausgeführt werden, ohne daß 65 fahren erfolgt meistens eine anschließende Erhitzung, die durch die vorangegangenen Verfahrensschritte bei der der Transistor auf eine Temperatur in der eingestellte Rekombinationsrate sich ändert. Ins- Größenordnung von 300° C bei Silizium und besondere bewirkt die anschließende Erhitzung des 100° C bei Germanium gebracht wird. Obwohl eine
solche Temperatur ausreicht, um die Wirkung eines Neutronenbeschusses auf den Transistor fast völlig aufzuheben, haben Temperaturen dieser Art keinerlei Auswirkungen auf die Veränderungen, die durch die erfindungsgemäßen Verfahrensschritte erreicht worden sind. Eine Temperatur in der Größenordnung von 300° C, auf die ein Transistor während der erwähnten Schritte des Herstellungsverfahrens im allgemeinen gebracht wird, bewirkt eine Art Vergütung, so daß Störungen des Kristallgitters wenigstens zum Teil aufgehoben werden. Diese Wirkung ist zwar in mancher Hinsicht sehr erwünscht, jedoch würde sie die Vorteile eines Neutronenbeschusses fast völlig aufheben, falls ein solches Verfahren zur Begrenzung der Lebensdauer der Elektronen und Löcher in Transistoren angewendet wäre.
Im Zusammenhang mit einem Ausführungsbeispiel der Erfindung seien noch kurz einige weitere Einzelheiten erwähnt: Ein Silizium-npn-Transistor als Doppeldiffusionstransistor kann in üblicher Weise so behandelt werden, daß Akzeptor- und Donatorverunreinigungen in einen undiffundierten Halbleiterkörper eindiffundiert werden, so daß man die erforderlichen Kollektor- und Emitterschichten erhält. Anschließend an die übliche Diffusion der für die Basiszone und die Emitterzone erforderlichen Dotierungsmittel wird eine gleichmäßige Schicht von Gold auf die Kollektorseite des Transistorkörpers aufgebracht. Diese Goldschicht kann durch Plattierung oder Verdampfung aufgebracht werden, und sie braucht nur eine sehr geringe Stärke zu haben, die etwa in der Größenordnung eines Mikrons liegen kann. Anschließend wird die Eindiffundierung des Goldes in den Transistorkörper vorgenommen, und zwar über eine Zeitdauer und bei einer Temperatur, welche eine optimale Konzentration und eine gleichmäßige endgültige Dotierung ermöglicht. Die Diffusion kann beispielsweise 30 Minuten lang bei einer Temperatur von ungefähr 980° C durchgeführt werden. Im Anschluß an die Diffusion des Goldes in den Transistorkörper werden die üblichen Verfahrensschritte der Transistorherstellung ausgeführt. Bei einem doppelt diffundierten Siliziumtransistor, der in bekannter Weise hergestellt ist und bei dem jedoch die erwähnte Eindiffundierung von Gold vorgenommen ist, wurde festgestellt, daß die Stromausbeute kaum beeinträchtigt ist, während die Speicherzeit des Transistors um einen Faktor von 5 bis 10 vermindert ist. Der Einfangquerschnitt von Gold ist erheblich größer für Löcher als für Elektronen. Infolgedessen bewirkt die Diffusion von Goldatomen in den Transistorkörper einen erheblichen Unterschied zwischen Tn 0 und Tp0, wie aus den obigen Gleichungen der Lebensdauer und des Einfangquerschnittes entnommen werden kann. Da nun Gold einen Einfangquerschnitt im η-Material erzeugt, welcher erheblich über dem Einfangquerschnitt in p-Material liegt, ergibt die erwähnte umgekehrte Abhängigkeit der Lebensdauer von den Einfangquerschnitten eine geringstmögliche Lebensdauer im η-Bereich des Kollektors und eine relativ sehr hohe Lebensdauer im p-Basis-Bereich. Es wurde bereits erwähnt, daß es ein sehr erheblicher Vorteil ist, eine relativ lange Lebensdauer im Basisbereich zu erhalten, um eine hohe Stromausbeute zu erreichen, und dabei gleichzeitig die Lebensdauer im Kollektorbereich herabzusetzen, so daß die Speichereffekte begrenzt werden. Die zusätzlich zu der Erläuterung der erfindungsgemäß vorgesehenen technischen Maßnahmen in der Beschreibung enthaltenen theoretischen Darlegungen stellen eine mögliche Erklärung und Veranschaulichung der Vorgänge dar, die der Erfindung zugrunde liegen. Unabhängig davon, ob diese Erklärung im Zuge einer späteren eingehenderen Erforschung bestätigt oder durch neuere Theorien abgeändert oder ergänzt werden wird, hat es sich gezeigt, daß die zu erreichenden Wirkungen sich in der Praxis klar und überzeugend einstellen, wobei vor allem der Vorteil hervorzuheben ist, daß ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellter Transistor die besonders erwünschten Eigenschaften einer unbeeinträchtigten Stromausbeute und einer sehr kurzen Schaltzeit hat.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Behandeln von Transistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungsträger, insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombination zu verringern, dadurch gekennzeichnet, daß Verunreinigungen, die bei Einbau in das Halbleitermaterial Energieniveaus mit etwa gleichem Abstand vom Leitfähigkeitsband und vom Valenzband ergeben, mit einer so geringen Konzentration in den Halbleiterkörper des Transistors eindiffundiert werden, daß die Rekombination der Ladungsträger in bestimmten Transistorzonen erhöht wird, aber die Stromverstärkung des Transistors erhalten bleibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einen npn-Transistor Gold gleichmäßig eindiffundiert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Eindiffundieren der eine Verringerung der Speicherzeit bewirkenden Verunreinigungen in einem Stadium der Transistorherstellung vorgenommen wird, in dem das Einduffundieren aller anderen dotierenden Verunreinigungen abgeschlossen ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem doppelt diffundierten npn-Siliziumtransistor Gold bei einer Temperatur von etwa 980° C 30 Minuten lang in den Transistor eindiffundiert wird und daß anschließende Erhitzungen während der Transistorherstellung so vorgenommen werden, daß die Verteilung des Goldes nicht wesentlich beeinflußt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1051 983;
britische Patentschrift Nr. 799 670;
Phys. Rev., Bd. 105, 1957,Nr. 4, S. 1168 bis 1173, und Bd. 111, 1958, S. 1515 bis 1518.
309 777/265 12.63 © Bundesdruckerei Berlin
DEF31524A 1959-06-30 1960-06-27 Verfahren zum Behandeln von Transistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungstraeger, insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombination zu verringern Pending DE1160543B (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US82383959A 1959-06-30 1959-06-30
US211132A US3184347A (en) 1959-06-30 1962-07-19 Selective control of electron and hole lifetimes in transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1160543B true DE1160543B (de) 1964-01-02

Family

ID=26905864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEF31524A Pending DE1160543B (de) 1959-06-30 1960-06-27 Verfahren zum Behandeln von Transistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungstraeger, insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombination zu verringern

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3184347A (de)
CH (1) CH395342A (de)
DE (1) DE1160543B (de)
GB (1) GB954854A (de)
NL (2) NL122120C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1279202B (de) * 1965-03-30 1968-10-03 Siemens Ag Thyristor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1489087B1 (de) * 1964-10-24 1970-09-03 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement mit verbessertem Frequenzverhalten und Verfahren zum Herstellen

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3307984A (en) * 1962-12-07 1967-03-07 Trw Semiconductors Inc Method of forming diode with high resistance substrate
DE1252809B (de) * 1962-12-17 1967-10-26 Tektronix, Inc., Beaverton, Oreg. (V. St. A.) Halbleiterdiode mit einem einkristallinen Halbleiterkörper und mit Rekombinationszentren in der n- und in der p-Zone und Verfahren zum Herstellen
US3390020A (en) * 1964-03-17 1968-06-25 Mandelkorn Joseph Semiconductor material and method of making same
US3423647A (en) * 1964-07-30 1969-01-21 Nippon Electric Co Semiconductor device having regions with preselected different minority carrier lifetimes
US3518508A (en) * 1965-12-10 1970-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Transducer
US3445736A (en) * 1966-10-24 1969-05-20 Transitron Electronic Corp Semiconductor device doped with gold just to the point of no excess and method of making
US3464868A (en) * 1967-01-13 1969-09-02 Bell Telephone Labor Inc Method of enhancing transistor switching characteristics
US3905836A (en) * 1968-04-03 1975-09-16 Telefunken Patent Photoelectric semiconductor devices
US3886379A (en) * 1972-12-13 1975-05-27 Motorola Inc Radiation triggered disconnect means
DE2341311C3 (de) * 1973-08-16 1981-07-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Einstellen der Lebensdauer von Ladungsträgern in Halbleiterkörpern
US4177477A (en) * 1974-03-11 1979-12-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor switching device
JPS5370679A (en) * 1976-12-06 1978-06-23 Nippon Gakki Seizo Kk Transistor
US4140560A (en) * 1977-06-20 1979-02-20 International Rectifier Corporation Process for manufacture of fast recovery diodes
KR930003555B1 (ko) * 1988-12-16 1993-05-06 산켄 덴끼 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB799670A (en) * 1954-02-04 1958-08-13 Gen Electric Improvements in electric current control devices utilising the semi-conductor germanium
DE1051983B (de) * 1955-11-01 1959-03-05 Philips Nv Halbleiteranordnung mit verminderter Temperaturabhaengigkeit, z. B. Kristalldiode oder Transistor, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3010857A (en) * 1954-03-01 1961-11-28 Rca Corp Semi-conductor devices and methods of making same
US2829993A (en) * 1955-06-24 1958-04-08 Hughes Aircraft Co Process for making fused junction semiconductor devices with alkali metalgallium alloy
US2962394A (en) * 1957-06-20 1960-11-29 Motorola Inc Process for plating a silicon base semiconductive unit with nickel
NL240883A (de) * 1958-07-17
NL241982A (de) * 1958-08-13 1900-01-01
US2965519A (en) * 1958-11-06 1960-12-20 Bell Telephone Labor Inc Method of making improved contacts to semiconductors
US3063879A (en) * 1959-02-26 1962-11-13 Westinghouse Electric Corp Configuration for semiconductor devices
US3013955A (en) * 1959-04-29 1961-12-19 Fairchild Camera Instr Co Method of transistor manufacture
US3041214A (en) * 1959-09-25 1962-06-26 Clevite Corp Method of forming junction semiconductive devices having thin layers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB799670A (en) * 1954-02-04 1958-08-13 Gen Electric Improvements in electric current control devices utilising the semi-conductor germanium
DE1051983B (de) * 1955-11-01 1959-03-05 Philips Nv Halbleiteranordnung mit verminderter Temperaturabhaengigkeit, z. B. Kristalldiode oder Transistor, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1489087B1 (de) * 1964-10-24 1970-09-03 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement mit verbessertem Frequenzverhalten und Verfahren zum Herstellen
DE1279202B (de) * 1965-03-30 1968-10-03 Siemens Ag Thyristor und Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
NL122120C (de)
CH395342A (de) 1965-07-15
GB954854A (en) 1964-04-08
US3184347A (en) 1965-05-18
NL252132A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1160543B (de) Verfahren zum Behandeln von Transistoren, um die Lebensdauer bzw. die Speicherzeit der Ladungstraeger, insbesondere in der Kollektorzone, durch Rekombination zu verringern
DE2823967C2 (de)
DE1016841B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit Inversionsschicht
DE2512373B2 (de) Isolierschicht-Feldeffekttransistor mit tiefer Verarmungszone
DE102015109961A1 (de) Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers
DE1076275B (de) Halbleiteranordnung mit mindestens einem flaechenhaften pn-UEbergang
DE1246890B (de) Diffusionsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE1539079A1 (de) Planartransistor
DE1948921A1 (de) Halbleiterbauelement,insbesondere monolithischer integrierter Schaltkreis und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3123234A1 (de) "verfahren zur herstellung eines pn-uebergangs in einem halbleitermaterial der gruppe ii-vi"
DE2109352C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines lateralen bipolaren Halbleiter-Bauelements
DE1105524B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors,mit einer auflegierten Elektrode
DE19818518C2 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE69719527T2 (de) VERFAHREN ZUM DOTIEREN EINES BEREICHES MIT BOR IN EINER SiC-SCHICHT
DE1544228A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen
DE1214790B (de) Leistungsgleichrichter mit einkristallinem Halbleiterkoerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps
DE102018217628B4 (de) Halbleiterbauelement und Halbleiterscheibe
DE2904480A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung und verfahren zu ihrem herstellen
DE2710701C3 (de) Halbleiterbauelement
DE3335115C2 (de)
DE1303672C2 (de) Transistor
DE1274245B (de) Halbleiter-Gleichrichterdiode fuer Starkstrom
DE1208011B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor
DE2049696C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen
DE1035780B (de) Transistor mit eigenleitender Zone