DE1208011B - Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor - Google Patents

Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor

Info

Publication number
DE1208011B
DE1208011B DES79057A DES0079057A DE1208011B DE 1208011 B DE1208011 B DE 1208011B DE S79057 A DES79057 A DE S79057A DE S0079057 A DES0079057 A DE S0079057A DE 1208011 B DE1208011 B DE 1208011B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor body
zone
silicon
doped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES79057A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Udo Lob
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL291461D priority Critical patent/NL291461A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES79057A priority patent/DE1208011B/de
Priority to DES79613A priority patent/DE1212218B/de
Priority to CH413663A priority patent/CH409152A/de
Priority to FR931796A priority patent/FR1354579A/fr
Priority to US273510A priority patent/US3254275A/en
Priority to GB15408/64A priority patent/GB1031052A/en
Publication of DE1208011B publication Critical patent/DE1208011B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche KL: 21g-11/02
Nummer: 1208 011
Aktenzeichen: S 79057 VIII c/21 g
Anmeldetag: 18. April 1962
Auslegetag: 30. Dezember 1965
Die' Erfindung bezieht sich auf einen verbesserten Aufbau für Halbleiterbauelemente mit mindestens einer p+pn+- oder n+np+-Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkörper, insbesondere Halbleiterflächengleichrichter oder Halbleiterstromtore, für hohe auftretende Störspannungen.
Solche Verhältnisse können insbesondere dann bei einem Halbleiterbauelement auftreten, wenn dieses in Stromkreisen zur Verwendung gelangen soll, in denen zufolge der in diesen oder/und in dem diese speisenden Netz vorhandenen elektrischen Größen bzw. Schaltungselemente, insbesondere Induktivitäten, und der Betriebsart in diesen Stromkreisen bzw. diesem Netz mit dem Auftreten von Überspannungen als Störspannungen, z. B. in Form von Schaltüberspannungen, zu rechnen ist, die dann in einer entsprechenden nachteiligen Weise das Silizium-Halbleiterbauelement, insbesondere auch unter Berücksichtigung des an diesem auftretenden Trägerstaueffekts, elektrisch beanspruchen und an diesen zu Schäden bzw. Durchschlägen und damit zu einem Unbrauchbarwerden des Silizium-Halbleiterelements führen können.
Das Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Silizium-Halbleiterelement mit einem solchen Aufbau zu schaffen, daß es gegen solche Beanspruchungen, insbesondere Schaltüberspannungen, praktisch so weitgehend unempfindlich ist, daß Hilfsschaltungselemente, die sonst zur Erreichung des gleichen Zieles erforderlich sein würden, überhaupt entbehrlich werden oder mindestens nur mit einem geringeren Aufwand erforderlich werden.
Diese Aufgabe läßt sich erfindungsgemäß dadurch lösen, daß der Silizium-Halbleiterkörper in einem an die Oberfläche grenzenden Teil einer äußeren Zone eine Störstellenkonzentration von 1018 bis 1020 Störstellen je cm3 besitzt, daß der Gradient des in Richtung zur Mittelzone abnehmenden Störstellenverlaufs in dieser Zone an der Mittelzone kleiner als 1017 Fremdatome je cm4 ist und daß in der schwach mit höchstens etwa 1015 Störstellen je cm3 dotierten Mittelzone, welche im Halbleiterkörper zwischen zwei stärker und entgegengesetzt zueinander dotierten Zonen liegt, das Verhältnis der Dicke zur Konzentration der Rekombinationszentren so abgestimmt ist, daß bei einer Stromdichte von 1 Ampere je mm2 in der Flußrichtung des pn-Übergangs zwischen den Oberflächen der äußeren Zonen des Halbleiterkörpers ein Spannungsabfall zwischen 1,0 und 1,15 Volt auftritt.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen.
Halbleiterbauelement mit mindestens
einer p+ pn+- oder n+ np+-Zonenfolge im
Silizium-Halbleiterkörper, insbesondere
Halbleiterflächengleichrichter oder
Halbleiterstromtor
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Udo Lob, München
In F i g. 1 sei in einem zur Veranschaulichung gewählten Maßstab auf der Abszissenachse die Entfernung e aufgetragen, die zwischen beiden Oberflächen des Halbleiterkörpers besteht, die ihrer Lage nach durch die beiden vertikalen Linien A und B angedeutet sind. In der vertikalen Richtung ist die Störstellenkonzentration bzw. Zahl der Störstellen ./V" je cm3 aufgetragen. Es ist bei dieser Darstellung angenommen, daß von einem Halbleiterkörper ausgegangen wird, der zunächst eine gleichmäßige schwache p-Dotierung, die durch sv angedeutet ist, besitzt, deren Konzentrationswert durch die parallel zur Abszissenachse eingetragene Linie α gekennzeichnet ist. In diesen Halbleiterkörper ist nun von beiden Oberflächen aus je ein Störstellenmaterial eindotiert worden, und zwar von links z. B. Bor, wodurch sich von der Oberfläche A aus eine Störstellenverteilung für eine starke elektrische p-Leitung gemäß der Kurve Z> im Halbleiterkörper ergibt. Von der rechten Oberfläche B aus ist ein Störstellenmaterial für Überschußleitung, nämlich z. B. Phosphor, eindotiert worden, so daß sich also eine starke η-Dotierung gemäß der eingetragenen Kurve c hinsichtlich ihrer Konzentration von der Oberfläche B aus im Halbleiterkörper ergibt. An der Stelle, wo sich die Kurve c und die Parallele α zur Abszissenachse schneiden, entsteht also im Halbleitermaterial der pn-Übergang, welcher in seiner Lage, bezogen auf die Oberflächen A und B, durch den Wert C an der Abszissenachse gegeben ist. An derjenigen Stelle, welche ihrer Lage nach, bezogen auf die beiden Oberflächen A und B, durch den Wert D an der
509 760/274

Claims (1)

1 208 Oil
3 4
Abszissenachse gegeben ist, ergibt sich sinngemäß z.B. etwa 1000° C, während etwa 2 Stunden Bor ein ohmscher Übergang zwischen zwei Bereichen eindiffundiert, wodurch eine p+-Oberflächenschicht gleichen elektrischen, nämlich p-Leitungstyps, jedoch gebildet wird. In diesem n+- bzw. p+-leitenden Oberverschiedenen Dotierungsgrades. Die Entfernung der flächenschichten wird ein spezifischer Widerstand beiden Punkte C und D auf der Abszissenachse 5 von weniger als 10~3 Ohm · cm erzeugt, und die bestimmt die Dicke der noch schwach jp-dotierten mittlere Zone wird mit einer Dicke gleich oder kleiner Zone zwischen den stark dotierten Zonen p+ bzw. n+ als 0,100 mm hergestellt. Das Ergebnis war hierbei im Halbleiterkörper. Es gehört nun zum Wesen der eine Verbesserung der elektrischen Eigenschaften des Erfindung, daß die beiden Kurven b und c mit der Gleichrichters, indem der Widerstand in der Durch-Parallelen α zur Abszissenachse je einen solchen io laßrichtung stark vermindert und der Betrag des Winkel bilden, daß die Neigung, mit welcher diese Stromes in der Durchlaßrichtung durch den Gleich-Kurven von dieser Parallelen ausgehen bzw. sie richter etwa um eine Zehnerpotenz je Flächeneinheit schneiden, einen endlichen Wert hat. Da die Nei- größer gewählt werden kann. Weiterhin werden die gungen durch den Tangens des Winkels bestimmt Leistungsverluste beim Stromdurchgang vermindeit, sind, muß dieser jeweilige Winkel β bzw. γ auf jeden 15 und außerdem wird die Abhängigkeit des WiderFall kleiner als 90°, also ein spitzer Winkel im Sinne stands in der Durchlaßrichtung an dem Siliziumder vorliegenden Erfindung sein. gleichrichter von dem spezifischen Widerstand des
Ein solcher Winkel läßt sich zwar nicht durch Halbleitermaterials in einem wesentlichen Maß beeinen Einlegierungsprozeß erreichen, wohl aber, seitigt, so daß gute Sperreigenschaften aufweisende indem das Störstellenmaterial entweder auf dem zo Gleichrichter hoher Leistung hergestellt werden kön-Wege der Diffusion in den Halbleiter hineingebracht nen.
wird oder indem der Halbleiterkörper für seine gleich- Diesem bekannten Verfahren lagen weder die
zeitige Dotierung gegebenenfalls aus einer Schmelze gleiche Aufgabestellung noch die gleiche Zielsetzung
gezogen wird. wie bei der vorliegenden Erfindung zugrunde, so
In der F i g. 2 ist nun in schematischer Darstellung 25 daß auch für jenes Verfahren nicht die Kombinationsin einem zur Veranschaulichung gewählten Maßstab elemente angegeben waren, die zum Wesen des ein solches Halbleiterelement gemäß der Erfindung Gegenstandes der vorliegenden Erfindung gehören, angedeutet. Es besteht zunächst aus einem Halb- Es war weiterhin ein Verfahren zur Herstellung leiterkörper 1 von der DickeL, z.B. einem Silizium- von pn-Übergängen an Halbleiterbauelementen aus Halbleiterkörper von schwacher p-Leitung, in welchem 30 Silizium bekannt, nach welchem der Halbleiterkörper von der Oberfläche .«4 aus durch Eindotierung eines unter Benutzung eines Keimkristalls aus einer beide Überschußstörstellenmaterials, wie z.B. Phosphor, Arten von Störstellensubstanzen, nämlich sowohl eine stark dotierte η-leitende Zone Ic und von der n- als auch p-Störstellensubstanzen wie Aluminium anderen Oberfläche B aus durch Eindiffusion eines und Phosphor, zugleich enthaltenden Schmelze ge-Mangelstörstellenmaterials, wie z. B. Bor, eine stark 35 zogen wurde und bei welchem gleichzeitig in den dotierte p-leitende Zone Ic erzeugt worden sind. entstehenden Halbleiterkörper Sauerstoff eingebaut Zwischen diesen beiden stark dotierten Zonen Ib wurde. Durch eine Temperaturbehandlung des auf und Ic ist von dem ursprünglichen schwach p-leiten- diese Weise aus der Schmelze erzeugten Halbleiterden Halbleiterkörper noch eine schwach p-dotierte körpers diffundiert dann das Aluminium sowohl an Zone ία verblieben. 40 die äußeren Oberflächen des Halbleiterkörpers als
Auf die Oberfläche dieser dotierten Bereiche ist auch an dessen innere Oberflächen, d. h. an in der
dann noch je eine Kontaktelektrode 2 bzw. 3, z. B. einkristallinen Kristallgitterstruktur vorhandene Ver-
aus Nickel, nach einem stromlosen Abscheidungs- Setzungen. An diesen innere und äußere Oberflächen
verfahren aufgebracht worden. genannten Flächen des Halbleiterkörpers reagiert
Die Dicke der schwach p-leitenden Zone ist dabei 45 das Aluminium mit dem Sauerstoff, indem es mit
so gewählt worden, daß der an dem Halbleiterkörper diesem einen Komplex bildet, so daß demzufolge
zwischen den beiden Elektroden 2 und 3 gemessene diese Flächen als eine Senke für das Hineindiffun-
Spannungsabfall, wenn in Flußrichtung über diese dieren der Aluminiumstörstellen wirken. Dadurch
Diode ein Strom mit einer Stromdichte von 1 Ampere ergibt sich in der Umgebung der Versetzung bzw.
je mm2 geschickt wird, vorzugsweise innerhalb des 50 der Oberflächen ein ρη-Übergang. Eine solche Ferti-
Bereiches von 1,0 bis 1,15 Volt liegt. gung hat aber mit einem Halbleiterbauelement nach
Bekannt war ein Verfahren zum Herstellen einer der vorliegenden Erfindung weder nach Aufgabegleichrichtenden Halbleiteranordnung mit einem drei stellung, benutzten Mitteln und der Lösung etwas Zonen n+, p, p+ aufweisenden Halbleiterkörper aus gemeinsam.
einkristallinem Silizium, indem ein Halbleiterkörper 55 Es war außerdem an sich bekannt, Halbleiterbauaus p-leitendem Silizium mit einem spezifischen elemente in der Weise aufzubauen, daß sie ein auf-Widerstand von 0,01 bis 25 Ohm · cm mit einer einanderfolgendes Schichtensystem vom Charakter Lebensdauer der Minderheitsladungsträger von etwa eines psn-Übergangs hatten, wobei der Buchstabe s 5 Mikrosekunden und mit einer Dicke von etwa in diesem Falle einen schwach dotierten Bereich des 0,25 mm hergestellt wird. Bei einer Temperatur von 60 einen oder anderen elektrischen Leitungstyps bemehr als 7500C, z.B. etwa 1200°C, wird während zeichnet.
etwa 16 Stunden auf den Oberflächen des Halbleiter- Durch diesen Lösungsweg allein ist jedoch noch
körpers Phosphor eindiffundiert und dadurch eine kein Weg vorgezeichnet, um zu dem Gegenstand
^-Oberflächenschicht gebildet. Danach wird diese der vorliegenden Erfindung zu gelangen.
^-Oberflächenschicht bis auf diejenige an der einen 65
Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt und von Patentanspruch:
der gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiter- Halbleiterbauelement mit mindestens einer p+pn+-
körpers bei einer Temperatur von mehr als 7500C, oder n+np+-Zonenfolge im Silizium-Halbleiter-
1 208 Oil
körper, insbesondere Halbleiterflächengleichrichter oder Halbleiterstromtor, für hohe auftretende Störspannungen, dadurch gekennzeichnet, daß der Silizium-Halbleiterkörper in einem an die Oberfläche grenzenden Teil einer äußeren Zone eine Störstellenkonzentration von 1018 bis 10Z0 Störstellen je cm3 besitzt, daß der Gradient des in Richtung zur Mittelzone abnehmenden Störstellenverlaufs in dieser Zone an der Mittelzone kleiner als 1017 Fremdatome je cm4 ist und daß in der schwach mit höchstens etwa 101B Störstellen je cm3 dotierten Mittelzone, welche im Halbleiterkörper zwischen zwei stärker und entgegengesetzt zueinander dotierten Zonen liegt, das Verhältnis der Dicke zur Konzentration der Rekombinationszentren so abgestimmt ist, daß bei einer Stromdichte von 1 Ampere je mma in der Flußrichtung des pn-Ubergangs zwischen den Oberflächen der äußeren Zonen des Halbleiterkörpers ein Spannungsabfall zwischen 1,0 und 1,15 Volt auftritt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 061 446;
französische Patentschrift Nr. 1 252421;
BuU. SEV, Bd. 53, 1962, Heft 4, S. 146 bis 149.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 760/274 12.65 © Bundesdruckerei Berlin
DES79057A 1962-04-18 1962-04-18 Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor Pending DE1208011B (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL291461D NL291461A (de) 1962-04-18
DES79057A DE1208011B (de) 1962-04-18 1962-04-18 Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor
DES79613A DE1212218B (de) 1962-04-18 1962-05-25 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einer p pn - oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper
CH413663A CH409152A (de) 1962-04-18 1963-04-02 Hochleistungs-Silizium-Halbleiterelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen
FR931796A FR1354579A (fr) 1962-04-18 1963-04-11 élément semi-conducteur en silicium et son procédé de fabrication
US273510A US3254275A (en) 1962-04-18 1963-04-16 Silicon semiconductor device having particular doping concentrations
GB15408/64A GB1031052A (en) 1962-04-18 1963-04-18 Silicon semi-conductor diode devices

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES79057A DE1208011B (de) 1962-04-18 1962-04-18 Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor
DES79613A DE1212218B (de) 1962-04-18 1962-05-25 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einer p pn - oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1208011B true DE1208011B (de) 1965-12-30

Family

ID=25996843

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES79057A Pending DE1208011B (de) 1962-04-18 1962-04-18 Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor
DES79613A Pending DE1212218B (de) 1962-04-18 1962-05-25 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einer p pn - oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES79613A Pending DE1212218B (de) 1962-04-18 1962-05-25 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einer p pn - oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3254275A (de)
CH (1) CH409152A (de)
DE (2) DE1208011B (de)
GB (1) GB1031052A (de)
NL (1) NL291461A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3365627A (en) * 1963-06-18 1968-01-23 Sprague Electric Co Diode circuits and diodes therefor
US3370209A (en) * 1964-08-31 1968-02-20 Gen Electric Power bulk breakdown semiconductor devices
US3427515A (en) * 1966-06-27 1969-02-11 Rca Corp High voltage semiconductor transistor
US20050121691A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 Jean-Luc Morand Active semiconductor component with a reduced surface area
US7053404B2 (en) * 2003-12-05 2006-05-30 Stmicroelectronics S.A. Active semiconductor component with an optimized surface area
US9929150B2 (en) * 2012-08-09 2018-03-27 Infineon Technologies Ag Polysilicon diode bandgap reference

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061446B (de) * 1955-04-22 1959-07-16 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Gleichrichters mit einem drei Zonen aufweisenden Halbleiterkoerper
FR1252421A (fr) * 1959-03-26 1961-01-27 Ass Elect Ind Procédé de fabrication de jonctions p-n

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE525428A (de) * 1952-12-30
US2908871A (en) * 1954-10-26 1959-10-13 Bell Telephone Labor Inc Negative resistance semiconductive apparatus
US2843516A (en) * 1954-11-08 1958-07-15 Siemens Ag Semiconductor junction rectifier
US2790940A (en) * 1955-04-22 1957-04-30 Bell Telephone Labor Inc Silicon rectifier and method of manufacture
US3085310A (en) * 1958-12-12 1963-04-16 Ibm Semiconductor device
NL255154A (de) * 1959-04-15

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061446B (de) * 1955-04-22 1959-07-16 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Gleichrichters mit einem drei Zonen aufweisenden Halbleiterkoerper
FR1252421A (fr) * 1959-03-26 1961-01-27 Ass Elect Ind Procédé de fabrication de jonctions p-n

Also Published As

Publication number Publication date
NL291461A (de)
US3254275A (en) 1966-05-31
CH409152A (de) 1966-03-15
GB1031052A (en) 1966-05-25
DE1212218B (de) 1966-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2559360A1 (de) Halbleiterbauteil mit integrierten schaltkreisen
DE1131329B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement
DE1539079A1 (de) Planartransistor
DE1297234B (de) Verfahren zur Herstellung des Halbleiterelementes eines stossspannungsfesten Halbleitergleichrichters
DE102016111844A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
WO2001024276A1 (de) Ladungskompensationshalbleiteranordnung
DE1917013A1 (de) Halbleitervierschichttriode
DE1614145B2 (de)
DE1213920B (de) Halbleiterbauelement mit fuenf Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps
DE7317598U (de) Halbleiterbauelement
DE2131167A1 (de) Feldeffekttransistor mit isoliertem Gitter und Gitterschutzdiode
DE1163459B (de) Doppel-Halbleiterdiode mit teilweise negativer Stromspannungskennlinie und Verfahren zum Herstellen
DE1208011B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor
DE2702451B2 (de) Halbleiteranordnung
DE1229650B (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit pn-UEbergang nach der Planar-Diffusionstechnik
EP0135733A2 (de) Gleichrichterdiode für hohe Sperrspannung
DE3002897A1 (de) Torgesteuerter halbleiterbaustein
DE6608098U (de) Steuerbares halbleiterelement.
DE1926459C3 (de) Stoßspannungsfeste Halbleiterdiode
DE3335115C2 (de)
DE2215850A1 (de) Schutzdiodenanordnung fuer gitterisolierte feldeffekttransistoren
DE1573717B2 (de) Druckempfindliches halbleiterbauelement
DE1127484B (de) Halbleiterkristalldiode mit flaechenhaftem PN-UEbergang ueber den ganzen Querschnitt des Halbleiterkoerpers und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3029836C2 (de) Thyristor
DE2551035C3 (de) Logische Schaltung in Festkörpertechnik