DE1784807U - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Description
-
"Halbleiteranordnung" --------------------- Die Erfindung betrifft Halbleiteranordnungen, insbesondere Tran- sistoren oder Dioden mit Glasgehäuse, die auf einem Basisblech - Die bei Halbleiteranordnungen üblichen kleinen Abmessungen gestalten die Ableitung der in den elektrischen Systemen entwickelten Verlustwärme teils recht schwierig, vor allem, wenn es sich um Halbleiteranordnungen in Glasbauweise harn-delta Da aber auf der anderen Seite die Glasverschlußtechnik sehr wirtschaftlich ist, ist es erforderlich, bei dieser Technik dem Problem der Wärmeableitung und der damit in Zusammenhang stehenden Verlustleistung besondere Aufmerksamkeit zu widmen.
- Bislang war der Halbleiterkörper einer in einem Glasgehäuse befindlichen Halbleiteranordnung auf ein Basisblech aufgebracht und an das Basisblech ein Kühlzylinder angeschweißt, der als Hohlzylinder ausgebildet ware Diese bekannte, in Fig. 1 dargestellte Anordnung entspricht bezüglich der erzielbaren Verlustleistung noch nicht den gestellten Anforderungen. Die Wärme, die nach Fig. 1 ihren Weg vom Halbleiterkörper 1 über das angelötet Basisblech 2 zu dem an das Basisblech angeschweißten Kühlzylinder 3 über das Verbindungsstück 6 nimmt und von da aus auf den Glaszylinder 4 und die am Glaszylinder 4 angebrachte Kühlschelle 5 übergeht, findet sowohl in den einzelnen Kühlelementen als auch an deren Übergangsstellen einen noch zu großen Wärmewiderstand. Man kann nun die Wärmeleitfähigkeit der Kühlelemente wie deren
Übergangsstellen noch wesentlich vergrößern, wenn man die Kühl- elemente entsprechend ausbildet bzw. abwandelt. H cuerungsgemäß c-sgel :, iä. PI - LU-gs- lErfinäNSggSSß wird daher vorgeschlagen, den Halbleiterkörper in eine Vertiefung des Basisbleches derart einzubetten, daß auch an den Stirnseiten des Halbleiterkörpers ein Wärmeübergang der im - Die so vorgenommene Einbettung des Halbleiterkörpers in das Basisblech erbringt den Vorteil, daß der Wärmeübergangswiderstand Halbleiter-Basisblech reduziert und damit die Verlustleistung des Systems erhöht wird.
N euerung t Als'leiterbildung der.-Tcpn-ählzylinder die Ver- S viel er l ung er} = : i. LZggng Wlr ur en 11 zy ln er le er- wendung eines Vollzylinders, der z. B. aus Kupfer bestehen kann, Verwendung eines Kupfervollzylinders eine rationellere Herstellung- art gen-über dem bisher gerollten Hohlzylinder. Weiterhin l : ann der Übergangswiderstand an der Verbindungsstelle neuerungsgemäß Basisblech-EühlzylinderggSSSSSß durch die Anwendung ei- ~ durch die Anwendung ei , a e nes sogenannten Noppenschweißverfahrens reduziert werden. Dieses besteht darin, daß mittels einer Stempelvorrichtung einzelne Me- - Eine weitere Möglichkeit, den Kühlzylinder mit dem Basisblech zu verschweißen, besteht darin, einen Teil des Basisbleches direkt in eine entsprechend ausgeführte Vertiefung des Kühlzylinders einzuführen und so das Basisblech mit dem Kühlzylinder zu verschweißen.
- Daneben sei noch erwähnt, daß auf Grund bekannter theoretischer Überlegungen die Dicke und Breite des Basisbleches sowie die Länge des Kupfervollzylinders möglichst groß, die Dicke der Glaswand
dagegen möglichst klein sein soll. Neuerung Ein Ausführungsbeispiel der ist in den Figuren 2 und 3 in verschiedener Ansicht dargestellt. Mit 1 ist der Halbleiter- körper bezeichnet, der in das Basisblech 2 eingebettet ist. Die - Zu erkennen sind dann noch bei den Figuren des Austührungsbeispieles der mit 3 bezeichnete Kühlvollzylinder, der Emitter 8 und der Kollektor 9. Bei einer nach den Figuren 2 und 3 gefertigten Halbleiteranordnung erreicht man erfahrungsgemäß ein Mehrfaches der bisher zulässigen Verlustleistung.
Claims (1)
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Schutzansprüch e leiterkõrper entwickelten Wärme auf das Basisblech erfolgt. t 3) Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühl vollzylinder aus Kupfer besteht.4) Verfahren zur Herstellung einer Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis , dadurch gekennzeichnet, daß zur Durchführung einer Schweißverbindung zwischen Basisblech und Kühlzylinder in eine für die Schweißstelle vorgesehene Fläche des Kühlzylinders Löcher gebohrt und in diese Löcher Schweißkörner so eingedrückt werden, daß das auf die Schweißfläche des Kühlzylinders gedrückte Basisblech vor dem Elektrodenschweißen nicht direkt auf den Kühlzylinder, sondern auf die Oberfläche der Schweißkomer zu liegen kommt, und daß dann die Schweißelektroden einer Punktschweißmaschine zu beiden Seiten der Verbindungsstelle aufgedrückt und die zu verbindenden Teile geschweißt werden.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1784807U true DE1784807U (de) | 1959-03-12 |
Family
ID=1015134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DENDAT1784807D Expired DE1784807U (de) | Halbleiteranordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1784807U (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1209209C2 (de) * | 1961-07-24 | 1966-07-28 | Siemens Ag | In einer isolierenden Masse vergossenes Halbleiterelment |
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0
- DE DENDAT1784807D patent/DE1784807U/de not_active Expired
Cited By (1)
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DE1209209C2 (de) * | 1961-07-24 | 1966-07-28 | Siemens Ag | In einer isolierenden Masse vergossenes Halbleiterelment |
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