DE1947636A1 - Aufgedampfte Schottkydiode mit Schutzring - Google Patents
Aufgedampfte Schottkydiode mit SchutzringInfo
- Publication number
- DE1947636A1 DE1947636A1 DE19691947636 DE1947636A DE1947636A1 DE 1947636 A1 DE1947636 A1 DE 1947636A1 DE 19691947636 DE19691947636 DE 19691947636 DE 1947636 A DE1947636 A DE 1947636A DE 1947636 A1 DE1947636 A1 DE 1947636A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal contact
- semiconductor
- schottky diode
- metal
- protective ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Schot tkjdiode^ mit^ Schut_zrin£
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schottkydiode
mit einem Übergang zwischen einem ersten Me^allfcontakt und einem
Halbleiter, wobei der erste Metallkontakt von einem metallischen
Rand, der als Schutzring dient, unmittelbar auf der Oberfläche des Halbleiters umgeben ist und wobei der metallische Rand aus
einem Metall besteht, das für Blektronen eine größere Austrittsarbeit aufweist als das Metall des ersten Metallkontaktes.
Bei Schottkydioden, die aus einem Metallkontakt auf einem Halbleitersubstrat
bestehen, treten am Diodenrand hohe elektrische Felder auf, welche thermische Feldemission hervorrufen, und die
zu Abweichungen und Instabilitäten in der Flußkennlinie führen. Diese Abweichungen und Instabilitäten werden durch einen sogenannten
Schutzring um die "Diode vermieden.
".ine bekannte Anordnung, die mittels Maskierungs- und Fototechniken
hergestellt wird, soll im folgenden anhand der Figur 1, in der sio im Querschnitt dargestellt ist, näher erläutert werden.
Ein Halbleiter 1 ist teilweise von einer Siliciurodioxidschicht
abgedeckt. In einem in der SiliciumdioxidschichtJp vorgesehenen
Fenster ist zunächst ein Schutzring 3 au3 einem Metall II und
innerhalb des Schutzringes 3 der eigentliche Schottkykontakt 6 zwischen dem Halbleiter 1 und einer Metallschicht % aus einem
Metall I angeordnet.
Bei der Herstellung des Schutzringea 3 dieser bekannten Anordnung
ist es nötig, den für den späteren Schottkykontakt 6 vorgesehenen
Platz im Ringinneren entweder zu maskieren, und diese Maskierungsschicht später wieder abzuätzen, oder aber den Schutz
PA 9/501/491 Kot/Dx 109816/1021
ring 3 zunächst gangflächig aufzubringen, und dann schließlich,
das Ringinnere abzuätzen. Diese Verfahrenesehritte sind schwierig
durchzuführen.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde,
eine mit möglichst wenig Verfahrensschritten herzustellende
'Schottkydiode anzugeben.
Dieae Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf dem
Halbleiter zuerst der erste Metallkontakt mit einer kleineren Austrittsarbeit und dann diesen überdeckend ein zweiter Metallkontakt
mit einer größeren Austrittsarbeit angeordnet sind, derart, daß der zvjeite Metallkontakt über den Rand des ersten
Metallkontakts hinausragt und den Übergang erster Metallkontakt-Halbleiter auf der Oberfläche des Halbleiters als Schutzring
umschließt.
Die in der Erfindung angegebene Schottky-diode kann in zwei Verfahrensschritten
hergestellt werden: Aufdampfen des ersten Metallkontakts und anschließend Aufdampfen des zweiten Metallkontakts.
Das Innere des Schutzringes, das für den Schottkykontakt vorgesehen ist, braucht nicht durch schwierige Maskierungstechniken
freigehalten zu werden.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung besteht darin,
daß der Halbleiter n-leitendes Silicium ist, und daß der Metallkontakt
aus Chrom oder Wolfram und der zweite Metallkontakt aus
Gold bestehen. Diese Materialien erfüllen die an sie gestellten Forderungen, daß die Elektronenaustrittsarbeit für Gold größer
ist als für Chrom oder Y/olfram. Sie können weiterhin in
vorteilhafter Weise auf den Halbleiter aufgedampft werden»
Weitere Merkmale und Einzelheiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsboispiels
anhand der Figuren.
Es zeigen:
Fig. 1i Einen Querschnitt durch eine bekannte Anordnung; .
- · * · 109816/10.21.;;.' = =,.; * ^ '
PA 9/501/491 - 3 -
Fig. 2: Einen Querschnitt durch die erfindungsgemäße Anordnung.
In der Figur 2 v/erden sich entsprechende Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen wie in der;«igur 1.
Auf einem Halbleiter 1 der vorzugsweise aus n-leitendem Silicium
besteht, ist ein erster Metallkontakt 2 und auf diesem ein zweiter Metallkontakt 3 derart vorgesehen, daß der zweite Metallkontakt
3 den ersten Metallkontakt 2 ringförmig umschließt. Der erste Metallkontakt 2 bildet mit dem Halbleiter 1 einen
Schottkykontakt 6. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel soll der erste Metallkontakt 2 aus Chrom oder aus Wolfram und der zweite
Metallkontakt, der den Schutzring bildet, aus Gold bestehen. In
vorteilhafter Weise sind der erste Metallkontakt 2 und.der
zweite Metallkontakt 3 kreisförmig ausgebildet.
In einem Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Anordnung
werden der erste Metallkontakt 2 und der zweite Metallkontakt 3 aufgedampft. Dieses Verfahren hat sich für die Herstellung
derartiger Anordnungen als besonders einfach und zweckmäßig erwiesen.
5 Patentansprüche
2 Figuren
2 Figuren
PA 9/501/491 - 4 -
108846/1021
Claims (5)
- - fr-JL JL-JL iL 2L JL 5-». B- JL.IL ILIL £_ iL- £Schottkydiode mit einem Übergang zwischen einem ersten Metallkontakt und einem Halbleiter, wobei der erste Metallkontakt von einem metallischen Rand, der als Schutzring dient, unmittelbar auf der Oberfläche des Halbleiters umgeben ist ' und wobei der metallische Rand aus einem Metall besteht, das für Elektronen eine größere Austrittsarbeit aufweist als das Metall des ersten Metaljkontaktes, dadurch gekennzeichnet , daß auf dem Halbleiter zuerst der erste Metallkontakt mit einer kleineren Austritts-• arbeit und dann diesen überdeckend ein zweiter Metallkontakt mit einer größeren Austrittsarbeit angeordnet sind, derart, daß der zweite Metallkontakt über den Rand des ersten Metallkontakts hinausragt und den Übergang erster Metallkontakt-Halbleiter auf der Oberfläche des Halbleiters als Schutzring umschließt.
- 2. Schottkydiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiter aus n-leitendem Silicium, der erste Metallkontakt aus Chrom und der zweite Metallkontakt aus Gold bestehen.
- 3. Schottkydiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiter aus n-leitendem Silicium, der erste Metallkontakt aus Wolfram und der zweite Metallkontakt aus Gold bestehen.
- 4. Schottkydiode nach einem der vorherigen Ansprüche, da-. durch gekennzeichnet , daß der erste Metallkontakt und der aweite Metallkontakt kreisförmig ausgebildet sind.
- 5. Verfahren zur Herstellung der Anordnung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Metallkontakt und der zweite Metallkontakt aufgedampft werden.PA 9/501/491 10 9 8 16/1021
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691947636 DE1947636A1 (de) | 1969-09-19 | 1969-09-19 | Aufgedampfte Schottkydiode mit Schutzring |
NL7012272A NL7012272A (de) | 1969-09-19 | 1970-08-19 | |
FR7033402A FR2062920B3 (de) | 1969-09-19 | 1970-09-15 | |
CH1363570A CH508987A (de) | 1969-09-19 | 1970-09-15 | Schottkydiode mit Schutzring |
GB1265260D GB1265260A (de) | 1969-09-19 | 1970-09-18 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691947636 DE1947636A1 (de) | 1969-09-19 | 1969-09-19 | Aufgedampfte Schottkydiode mit Schutzring |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1947636A1 true DE1947636A1 (de) | 1971-04-15 |
Family
ID=5746037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691947636 Pending DE1947636A1 (de) | 1969-09-19 | 1969-09-19 | Aufgedampfte Schottkydiode mit Schutzring |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH508987A (de) |
DE (1) | DE1947636A1 (de) |
FR (1) | FR2062920B3 (de) |
GB (1) | GB1265260A (de) |
NL (1) | NL7012272A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991004581A1 (en) * | 1989-09-21 | 1991-04-04 | Unisearch Limited | Guard barrier for schottky barrier devices |
WO1999062112A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
-
1969
- 1969-09-19 DE DE19691947636 patent/DE1947636A1/de active Pending
-
1970
- 1970-08-19 NL NL7012272A patent/NL7012272A/xx unknown
- 1970-09-15 FR FR7033402A patent/FR2062920B3/fr not_active Expired
- 1970-09-15 CH CH1363570A patent/CH508987A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-09-18 GB GB1265260D patent/GB1265260A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1265260A (de) | 1972-03-01 |
FR2062920A7 (de) | 1971-07-02 |
FR2062920B3 (de) | 1973-06-08 |
NL7012272A (de) | 1971-03-23 |
CH508987A (de) | 1971-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1282196B (de) | Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge | |
DE2714682C2 (de) | Lumineszenzvorrichtung | |
DE1806624C3 (de) | Photodiode | |
DE4009336A1 (de) | Solarzelle | |
DE2523307A1 (de) | Halbleiter-bauelemente mit verbesserter lebensdauer | |
DE2755433A1 (de) | Strahlungsemittierende halbleiterdiode | |
DE1808928A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2456131A1 (de) | Fotosensible vorrichtung | |
DE3024939C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2357376A1 (de) | Mesa-thyristor und verfahren zum herstellen von mesa-thyristoren | |
DE1906479C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1258518B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer gelochten Isolierschicht ueber einer eingelassenen Zone | |
EP1139432A2 (de) | Schottky-Diode | |
DE1539070A1 (de) | Halbleiteranordnungen mit kleinen Oberflaechenstroemen | |
DE69503856T2 (de) | Stapel mit in Serie verbundenen fotoempfindlichen Thyristoren | |
DE2238564B2 (de) | Thyristor | |
DE2415290A1 (de) | Maske zur bearbeitung einer halbleiteranordnung | |
DE1947636A1 (de) | Aufgedampfte Schottkydiode mit Schutzring | |
DE1964837B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleiterdiode | |
DE2039027C3 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Träger aus Isoliermaterial, einem Halbleiterbauelement und einem Anschlußfleck | |
DE3542166A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2503989B2 (de) | Anzeigevorrichtung mit einem GalliumphosphidkristaU | |
EP0092550A1 (de) | Planare transistorstruktur | |
DE2821268C2 (de) | Halbleiterbauelement mit Druckkontakt | |
DE2504775C3 (de) | Lumineszenzdiode |