DE1906479C2 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE1906479C2
DE1906479C2 DE1906479A DE1906479A DE1906479C2 DE 1906479 C2 DE1906479 C2 DE 1906479C2 DE 1906479 A DE1906479 A DE 1906479A DE 1906479 A DE1906479 A DE 1906479A DE 1906479 C2 DE1906479 C2 DE 1906479C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
semiconductor component
groove
semiconductor
junction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1906479A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1906479A1 (de
Inventor
Niopori Tokyo Higashi
Hisayoshi Kawasaki Muramatsu
Michio Otsuka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Publication of DE1906479A1 publication Critical patent/DE1906479A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1906479C2 publication Critical patent/DE1906479C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3178—Coating or filling in grooves made in the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/978—Semiconductor device manufacturing: process forming tapered edges on substrate or adjacent layers

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.
Aus der US-PS 33 20 496 ist bereits bekannt, zur Erhöhung der Durchschlagsspannung an der Seitenfläche eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers, an der ein zwischen zwei schlchtförmlgen Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps verlaufender pn-übergang austritt, den Halbleiterkörper mit einer ringförmigen Nut zu versehen, die von einer von der einen schlchtförmlgen Zone gebildeten Hauptfläche des Halbleiterkörpers ausgeht, bis In die andere Zone reicht und an deren Innenwand angeschrägt ist, so daß eine Verbreiterung der Raumladungszone des in Sperrichtung beanspruchien pn-Übergangs in dieser Innenwand erreicht wird.
Darüber hinaus ist aus der DE-AS 12 51440 bekannt, daß die Mantelfläche eines scheibenförmigen Haltleiterkörpers mit zwei schlchtförmigen Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und unterschiedlichen spezifischen Widerstands zur Verbreiterung der Raumladungszone und damit zur Erhöhung der Oberflächendurchschlagsspannung des an ihr austretenden pn-Übergangs so anzuschrägen ist, daß der Durchmesser der Zone höheren spezifischen Widerstands vom pn-übergang weg abnimmt, was als positive Anschrägung bezeichnet wird. Diese positive Anschrägung ist beim aus dieser DE-AS bekannten Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art angewandt. Dabei grenzt die zweite Schicht hohen spezifischen Widerstands mit Teilen an dieselbe Hauptfläche wie die erste Schicht und die Nut ist in diesen Teilen gebildet.
Des weiteren ist aus der US-PS 33 70 209 eine Anordnung bei einem gesteuerten Siliziumgleichrichter bekannt, den Kathodenkontakt in einer Vertiefung einer Hauptfläche des scheibenförmigen Halbleiterkörpers anzuordnen, um zu erreichen, daß Sperrspannungsdurchschlag im Innern der Halbleiterkörper und n'cht an seiner Seitenfläche erfolgt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art unter weiterer Erhöhung der Sperrfähigkeit des pn-Übergangs die Nut ausgehend von der Oberfläche der ersten Schicht zu bilden.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß nach den Merkmalen des kennzeichnenden Teils des Hauptanspruchs gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben. Dabei ist besonders vorteilhaft, daß bei einem Halbleiterplättchen aus einer die Gitterschicht bildenden und für einen geringen spezifischen Widerstand ausgelegten p-leltenden ersten Schicht, aus einer für einen hohen spezifischen Widerstand ausgelegten η-leitenden zweiten Schicht, aus einer Anodenschicht bildenden und für einen geringen spezifischen Widerstand ausgelegten p-leitenden dritten Schicht sowie aus einer die Kathodenschicht bildenden n-leltenden Schicht die Nut derart aufgebaut ist, daß sie sich von der Oberfläche der die Gitterschicht bildenden ersten Schicht aus schräg nach untern erstreckt.
Dabei Ist die von der Nut umgebene Fläche der Hochwiderstandsschlcht derart geformt, daß deren Durchmesser zum Boden der Nut hin allmählich kleiner wird. Wenn nun an den pn-übergang eine Sperrspannung angelegt wird, dann wird die Breite der Verarmungszone, die in der mit einem hohen spezifischen Widerstand ausgelegten dritten Schicht hervorgerufen wird, in der Nähe der Nut größer als im mittleren Teil des Halblelterplättchetis und ruft auf diese Weise dann die Wirkung der sogenannten positiven Kegelbildung mit dem Ergebnis hervor, daß am Ende des pn-Übergangs eine erhöhte Durchschlagsspannung erhalten wird. Darüber hinaus gewährleistet die Nut eine größere Wirkungsfläche für die Ausbildung einer Elektrode in dem Halbleiterbauelement. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement kann aufgrund einer einfachen Fertigungstechnik kostengünstig hergestellt werden.
Drei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine zum Teil durchbrochene wiedergegebene Seltenansicht eines ersten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung,
FIg 2 eine schematische Darstellung der Ausdehnung einer Verarmungsschicht unter der Bedingung, wenn eine Vorspannung am Halbleiterbauelemsnt anliegt,
F i g. 3 eine schematische Darstellung der Ausdehnung der Verarmungsschicht unter der Bedingung, daß am Halbleiterbauelement eine Vorspannung entgegen der 'n F i g. 2 vorgegebenen Richtung anliegt,
FIg. 4 einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement eines zweiten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung und
Fig. 5 einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement eines dritten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung.
Nachstehend wird anhand der Fig. 1 bis 3 das erste bevorzugte Ausführungsbeispiel in der Bauform eines gesteuerten Slliziumgleichrichters beschrieben.
Das aus Silizium hergestellte Halbleiterbauelement 1 besieht aus einer p-leitenden Schicht 2, weiche eine Anodenschicht bildet, aus einer η-leitenden Schicht 3, aus einer p-leitenden Schicht 4, welche die Gitterschicht bildet sowie aus einer in der Schicht 4 geformten und die Kathodenschicht bildenden η-leitenden Schicht 5. Die seitliche Umfangsfläche des Halbleiterbauelements ist derart geneigt, daß dessen Durchmesser nach oben hin immer kleiner wird, so daß sich eine konische Form ergibt. Die n-Ieitende Schicht 3 ist derart ausgelegt, daß sie einen höheren spezifischen Widerstand besitzt als die ihr benachbarten Schichten 2 und 4. Damit nimmt das freie Ende des pn-Übergangs zwischen der die Anodenschicht bildenden Schicht 2 und der n-Ieltenden Schicht 3 eine positive Kegelform an, ist also positiv angeschrägt, während das freie Ende des pn-Übergangs zwischen der η-leitenden Schicht 3 und der p-leltenden Schicht 4 eine negative Kegelform aufweist, also negativ angeschrägt ist. Mit der die Kathodenschicht bildenden Schicht 5 ist eine Kathodenelekirode 6 verbunden, mit der die Gilterschicht bildenden Schicht 4 eine Gitterelektrode 7 und mit der die Anodenschicht bildenden Schicht 2 eine Anodenelektrode 8. Die freiliegende obere Fläche der Schicht 4 1st mit einer geschlossenen Nut 9 versehen, welche sich durch die bereits genannte Schicht 4 hindurch bis In eine vorbestimmte Position In der n-leltenden Schicht 3 hinein erstreckt. Die Nut 9 ist Im Hinblick auf die Mittellinie des Halbleiterbauelements schräg ausgeführt und bildet daher mit dieser Mittellinie einen vorgeschriebenen Winkel α, so daß auf diese Weise der von der Nut umgebene Teil der die Hochwiderstandsschicht bildenden Schicht 3 derart geformt ist, daß deren Durchmesser zum Boden der Nut hin allmählich kleiner wird. In entsprechender Weise ist das Ende des pn-Übergangs zwischen der η-leitenden Schicht 3 und der p-!e(tenden Schicht 4, die von der bevorzugterweise ringförmigen Nut umgeben 1st, derart geformt, daß sich eine positive Kegelform ergibt. Es ist darauf hinzuweisen, daß die Nut nicht notwendigerweise ringförmig zu sein braucht, sondern vielmehr auch bspw. quadratisch, rechteckig oder in Irgendeiner anderen Form ausgeführt werden kann. Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel 1st der Winkel α für 30° ausgelegt, der zwischen 60° und 5° Hegen kann. Der Grund für die Bereichsbeschränkung des Winkels liegt darin, daß ein Winkel von mehr als 60° bei der Herstellung des Halbleiterbauelements Schwierigkelten bereitet, während ein Winkel von weniger als 5° nicht den noch zu beschreibenden Effekt herbeiführen kann. In der von der Nut 9 erfaßten Umgebung sind die Kathodenschicht und die Gitterelektrode 7 untergebracht. Die Nut 9 ist weiterhin mit einer elektrischen Isolierung verfüllt, bspw. mit Silikongummi, Silikonlack usw., wenn dies auch nicht immer erforderlich ist.
Als nächstes wird nun ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel für das Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements beschrieben.
Zuerst wird eine n-leitende Halbleiterschicht mit einem hohen spezifischen Widerstand dadurch hergestellt, daß Phosphor in das Silizium eindiffundiert wird, und zwar in einer Konzentration von 3 χ 1013 Atomen/cm3. In die Schicht wird dann Gallium in einer Konzentration von 1016 bis 10" Atomen/cm3 bei einer Temperatur von 1 260° C für eine Zeitdauer von 30 Stunden eindiffundiert, um rings um diese Schicht eine die Anodenschicht und die Gitterschicht bildende p-leitende eindiffundierte Schicht zu formen. Auf den oberen mittleren Teil der eindiffundierten Schicht wird eine Au-Sb-Legierung niedergeschlagen und dann bei einer Temperatür von 7000C geglüht, so daß sich an der genannten Stelle gleichzeitig eine η-leitende Legierungsschicht und eine Kathodenschicht bilden, wobei die Konzentration der genannten Legierungsschicht ungefähr JO18 Atome/cm3 beträgt. Nahe der Kathodenschicht wird auf die obere Fläche der einduffundierten Schicht mittels Ultraschallwellen ein Aiuminiumdraht befestigt, welcher die Gitterelektrode bildet. Mit der Unterseite der eindiffundierten Schicht wird zur Bildung einer Anodenelektrode unter Verwendung von Aluminium als Verblndüngemittel ein Wolframblech verbunden. Der seitliche Umfang der Schicht wird mittels eines Schleifmittels zur Herbeiführung der Abschrägung geschliffen, und zwar derartig, daß der Schichtkörperdurchmesser zur Kathodenschicht hin allmählich kleiner wird. Das Schleifen kann bspw. dadurch ausgeführt werden, daß mittels Druckluft Aluminiumpulver (AI2OO3) auf die Oberfläche der Schicht geschleudert wird, während diese Schicht mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit gedreht wird. Das Schleifmittel läßt sich auch beim Herausschneiden der Nut anwenden. So kann bspw. diese Nut dadurch hergestellt werden, daß Aluminiumoxidpulver schräg von oberhalb der Gitterschicht kräftig auf die Oberfläche des sich drehenden Substrats aus den verschiedenen Schichten geschleudert wird. Es sei darauf hingewiesen, daß auch ein Ultraschallverfahren, welches zusätzlich zu den vorerwähnten Verfahren Verwendung findet, eingesetzt werden kann. Die Nut und die Substratoberfläche werden mit Silikonlack oder Silikongummi beschichtet, die sich dann bei normaler Temperatur verfestigen. Auf diese Weise wird ein gesteuerter Siliziumgleichrichter hergestellt.
Nun soll die Arbeltsweise und die Wirkung des Halbleiterbauelements unter Bezug auf Fig. 2 und Fig. 3 beschrieben werden.
Wenn bei dem aus einem Vierschichten-pnp-Substrat bestehenden Halbleiterbauelement, welches bei dem vorerwähnten Ausführungsbeispiel verwendet wird, an dem pn-Übergang zwischen der Schicht 4 und der n-leitenden Schicht 3 eine Sperrspannung anliegt, dann dehnt sich die Verarmungszone 11, wie das mit der strichpunktierten Linie in Flg. 2 wiedergegeben ist, zur n-leitenden Schicht 3 hin in die Breite aus. Da nun in diesem Falle das Ende des pn-Übergangs, der in der ringförmigen Nut 9 frelilagt, die positive Kegelform annimmt, dehnt sich die Verarmungszone an dessen Ende breiter aus als In dessen Mittelteil. Wenn andererseits eine Sperrspannung zwischen der Schicht 2 und der n-leiteriden Schicht 3 an dem pn-Übergang anliegt, dann dehnt sich, wie dies mit-
tels der strichpunktierten Linie in Fig. 3 kenntlich gemacht ist, die Verarmungszone mehr zur n-Ieitenden Schicht 3 hin aus. Die Verarmungszone dehnt sich derart aus, daß sie im Mittelteil unterhalb der Kathodenschicht etwas breiter wird, dann zum Randteil hin etwas schmaler und wiederum breiter an der Rand kante.
Wie bereits erwähnt, dehnt sich die Verarmungszone auch beim Anliegen einer Sperrspannung an einem der beiden vorgenannten Übergänge am freiliegenden Ende des Übergangs breit aus, so daß die Durchschlagsspannung an der Oberfläche des Übergangs stark erhöht wird. Während bspw. die Sperrspannung an den herkömmlichen gesteuerten Siliziumgleichrichtern, bei denen nicht beide die Schicht hohen spezifischen Widerstands begrenzende pn-Übergänge positiv angeschrägt sind, nur maximal 3000 Volt beträgt, halten Halbleiterbauelemente gemäß dem vorerwähnten Ausführungsbeispiel nachweislich eine Durchschlagsspannung von ungefähr 6000 bis 7000 Volt aus, und zwar deshalb, weil bei einer Dicke der η-leitenden Schicht 3 von 500 μηι beide Übergänge im wesentlichen die gleiche Durchschlagsspannung aufweisen. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauelement eine entsprechend große Fläche zur Bildung einer Kathodenschicht und einer Kathodenelektrode mit der sich daraus ergebenden erhöhten Strombelastbarkeit.
Bei Versuchen, die durchgeführt wurden, um die Größe der Durchschlagsspannung für den Fall festzulegen, in dem sich in dem vorerwähnten Ausführungsbeispiel die Verarmungszone über den Boden der Nut hinaus ausdehnt, ist festgestellt worden, daß die Durchschlagsspannung auch dann noch genügend groß ist. Die Ausdehnung der Verarmungszone unter derartigen Umständen ist durch die unterbrochene Linie in Fig. 2 und Fig. 4 wiedergegeben. Mit Bezug auf Fig. 2 dehnt sich die Verarmungszone über den Boden der Nut hinaus bis in den außerhalb der Nut liegenden Teil der Hochwiderstandsschicht hinein aus. Der Grund wird darin vermutet, daß die Durchschlagsspannung dadurch erhöht wird, daß sich die an dem Übergang anliegende Spannung auf die Innenwandung der Nut und auf die Außenwandung der Hochwiderstandsschicht verteilt. Auch im Falle von Fig. 3 wird die Durchschlagsspannung erhöht, vermutlich deshalb, weil sich die Verarmungszone nicht nur in den Teilen ausdehnt, die nur der Außenwandung der Hochwiderstandsschicht gegenüberliegen, sondern auch in der Innenwandung der Nut gegenüber dem Mittelteil der Verarmungszone. Die zuvor erwähnte Ausdehnung der Verarmungszone in beiden Fällen scheint auf der Tatsache zu beruhen, daß ein begrenzter elektrischer Widerstand zwischen der Innenwandung und der Außenwandung der Nut auftritt und dann unterschiedliche Potentiale in einem Teil der an den Nutwandungen anliegenden Spannung verursacht.
Nun soll unter Bezug auf F i g. 4 ein anderes vorteilhaftes Ausführungsbeisplel beschrieben werden. Da dieses Halbleiterbauelement - wie bei dem vorerwähnten Ausführungsbeispiel - im wesentlichen aus einem gesteuerten Siliziumgleichrichter besteht, sollen gleiche Teile durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und deren Beschreibung fortgelassen werden. Das Halblelterbauelement 1 hat eine schräge oder geneigte Umfangsfläche. Seine obere Fläche ist in Ihrem Mittelteil mit einer Vertiefung versehen, Über die gesamte Oberfläche Ist eine Gitterschicht 4 gebildet. Auf dem Boden der Vertiefung der Gitterschicht ist eine Kathodenschicht S angeordnet. Von der oberen Hauptfläche des Halbleiterbauelementes aus, und zwar von dem erhöhten Teil der Gitterschicht, ist eine sich nach unten erstreckende ringförmige Nut 9 eingearbeitet, deren Wandungen nach innen zur Mittellinie hin geneigt sind. Der Boden dieser Nut 1st dabei in einer Hochwiderstandsschicht, einer n-leltenden Schicht 3 angeordnet. Die Nut kann mit Silikongummi oder mit Lack (nicht dargestellt) gefüllt sein, wie dies auch bei dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel der Fall Ist. Auf der Unterseite der η-leitenden Schicht 3 ist eine die Anodenschicht bildende p-leitende Schicht 2 angeordnet, die mit einem die Anodenelektrode 8 bildenden Metallplättchen versehen ist. Auf der Kathodenschicht ist weiterhin eine Kathodenelektrode 6 montiert, während auf der Gitterschicht eine Gitterelektrode 7 aufgebracht ist.
Der Vorteil dieses Halbleiterbauelements liegt darin, daß der Boden der Nut weit von der Anodenschicht entfernt ist, so daß die Nut gegenüber der Verarmungszone, die infolge der an dem pn-übergang zwischen der Anodenschicht und der Hochwiderstandsschicht anliegenden Sperrspannung hervorgerufen wird, keine Behinderung verursacht. Besonders diese Nut zeigt ihre volle Wirkung, ohne daß sie Schwierigkeiten in dem einen oder anderen Teil des Halbleiterbauelements hervorruft.
Das Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung läßt sich nicht nur bei gesteuerten Siliziumgleichrichtern verwenden, sondern auch bei anderen Halbleiterbauelementen, bspw. bei einem Wechselrichter und einem Transistor. Fig. 5 zeigt einen gesteuerten bilateralen Halbleitergleichrichter als ein drittes Ausführungsbeispiel. Die Konstruktion dieses Gleichrichters soll nun beschrieben werden. Von den oberen und den unteren Flächen eines η-leitenden Siliziumplättchens 20 aus wird Gallium indiffundiert, um auf diesen Flächen jeweils die p-Ieitenden Schichten 21 und 22 zu bilden. In die obere und untere Galliumschicht wird weiterhin jeweils Phosphor zur Bildung der η-leitenden Schichten 23 und 24 se wie 25 und 26 eindiffundiert.
Auf diese Weise ist das Halbleiterbauelement hergestellt. Weiterhin werden die Elektroden 27, 28 und 29 auf die entsprechenden Gruppen von Schichten 22 - 23 - 24, 21 - 25 und 21 - 26 angebracht. Die vorbeschriebenen Teile der seitlichen Umfangsfläche werden wie dargestellt, in eine schräge oder geneigte Form gebracht. Eine ringförmige Nut 30 wird dann noch wie dargestellt in das Halbleiterbauelement eingearbeitet.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterplättchen mit mindestens einem zwischen einer ersten, an eine Hauptfläche des Halbleiterplättchens grenzenden Schicht eines Leitfähigkeitstyps mit niedrigem, spezifischem Widerstand und einer zweiten Schicht entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps mit hohem spezifischem Widerstand gebildeten pn-übergang und mit einer sich von dieser Hauptfläche über den pn-Übergang In die zweite Schicht erstreckenden geschlossenen Nut, in deren innenliegender Wand der pn-Übergang unter positiver Anschrägung mündet, dadurch gekennzeichnet, daß die geschlossene Nut (9, 30) sich von der Oberfläche der ersten Schicht (4, 21) durch diese hindurch und über den pn-übergang in die zweite Schicht (3, 20) erstreckt, und daß zur Erzielung der positiven Anschrägung die geschlossene Nut (9, 30) einen Winkel (α) von 60° bis 5° mit der Mittelachse des Halbleiterplättchens bildet.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Halblelterplättchen aus einem die Gitterschicht bildenden und für einen geringen spezifischen Widerstand ausgelegten p-leitenden ersten Schicht (4, 21), aus einer für einen hohen spezifischen Widerstand ausgelegten n-leltenden zweiten Schicht (3, 20), aus einer die Anodenschicht bildenden und für einen geringen spezifischen Widerstand ausgelegten p-leitenden dritten Schicht (2, 22) sowie aus einer die Kathodenschicht bildenden nleitenden Schicht (5, 26) die Nut (9, 30) derart eingebaut ist, daß sie sich seitlich von der Oberfläche der die Gitterschicht bildenden ersten Schicht (4, 21) aus schräg nach unten erstreckt.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die geschlossene Nut (9, 30) ringförmig, quadratisch oder rechteckig ausgeführt ist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Nut (9, 30) mit Isolierstoff verfüllt ist.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoff Silikongummi 1st.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Umfangsfläche des Halbleiterplättchens abgeschrägt ist, und zwar derart, daß der Durchmesser des Halbleiterplättchens zur unteren Hauptfläche hin größer wird.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der obere, mittlere Teil des Halbleiterplättchens eine Vertiefung aufweist, in welcher die die Kathodenschicht bildende n-leltende Schicht (5) angeordnet ist.
55
DE1906479A 1968-04-11 1969-02-10 Halbleiterbauelement Expired DE1906479C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2368068 1968-04-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1906479A1 DE1906479A1 (de) 1970-08-20
DE1906479C2 true DE1906479C2 (de) 1982-10-28

Family

ID=12117168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1906479A Expired DE1906479C2 (de) 1968-04-11 1969-02-10 Halbleiterbauelement

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3559006A (de)
DE (1) DE1906479C2 (de)
GB (1) GB1237414A (de)
NL (1) NL6902097A (de)
SE (1) SE354743B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3518863A1 (de) * 1984-05-25 1985-11-28 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Halbleitertablette mit verringerter oberflaechenfeldintensitaet

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3742593A (en) * 1970-12-11 1973-07-03 Gen Electric Semiconductor device with positively beveled junctions and process for its manufacture
US3725750A (en) * 1972-02-15 1973-04-03 Bbc Brown Boveri & Cie Semiconductor disc having tapered edge recess filled with insulation compound and upstanding cylindrical insulating ring embedded in compound to increase avalanche breakdown voltage
DE2358937C3 (de) * 1973-11-27 1976-07-15 Licentia Gmbh Thyristor fuer hochspannung im kilovoltbereich
US4019248A (en) * 1974-06-04 1977-04-26 Texas Instruments Incorporated High voltage junction semiconductor device fabrication
JPS5719869B2 (de) * 1974-09-18 1982-04-24
DE3030564A1 (de) * 1980-08-13 1982-03-11 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterbauelement fuer hohe sperrspannungen
US4517769A (en) * 1981-05-20 1985-05-21 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming oblique groove in semiconductor device
GB2102202A (en) * 1981-07-17 1983-01-26 Westinghouse Brake & Signal Semiconductor device passivation
US4822757A (en) * 1987-11-10 1989-04-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing the same
US5212394A (en) * 1989-03-17 1993-05-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Compound semiconductor wafer with defects propagating prevention means
FR2784801B1 (fr) 1998-10-19 2000-12-22 St Microelectronics Sa Composant de puissance portant des interconnexions
FR2785090B1 (fr) * 1998-10-23 2001-01-19 St Microelectronics Sa Composant de puissance portant des interconnexions
DE102008058003B4 (de) * 2008-11-19 2012-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls und Halbleitermodul

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1251440C2 (de) * 1963-06-01 1980-04-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiterbauelement
US3320496A (en) * 1963-11-26 1967-05-16 Int Rectifier Corp High voltage semiconductor device
US3370209A (en) * 1964-08-31 1968-02-20 Gen Electric Power bulk breakdown semiconductor devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3518863A1 (de) * 1984-05-25 1985-11-28 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Halbleitertablette mit verringerter oberflaechenfeldintensitaet

Also Published As

Publication number Publication date
DE1906479A1 (de) 1970-08-20
SE354743B (de) 1973-03-19
NL6902097A (de) 1969-10-14
GB1237414A (en) 1971-06-30
US3559006A (en) 1971-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2954481C2 (de) Leistungs-mosfet-anordnung.
DE1906479C2 (de) Halbleiterbauelement
EP0037105A2 (de) Feldeffekttransistor
EP0039943B1 (de) Thyristor mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen und Verfahren zu seinem Betrieb
DE1514431A1 (de) Halbleiteranordnung mit pn-UEbergang zur Verwendung als spannungsabhaengige Kapazitaet
DE3738873A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
DE2736342A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1216435B (de) Schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Zonen
DE19853743C2 (de) Halbleiter-Bauelement mit wenigstens einer Zenerdiode und wenigstens einer dazu parallel geschalteten Schottky-Diode sowie Verfahren zum Herstellen der Halbleiter-Bauelemente
DE1539636B1 (de) Als Thyristor ausgebildetes Halbleiterbauelement mt profilierter Randzone
DE2149039A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2535864A1 (de) Halbleiterbauelemente
DE2215850A1 (de) Schutzdiodenanordnung fuer gitterisolierte feldeffekttransistoren
DE2340128A1 (de) Halbleiterbauelement
DE3029836C2 (de) Thyristor
DE1589834A1 (de) Varaktor mit vergroessertem Kapazitaetsbereich
DE1186554B (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit vier oder mehreren Halbleiterschichten und Verfahren zum Herstellen
DE3137675A1 (de) Thyristor mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper und verfahren zu seiner herstellung
DE1564545C3 (de) Asymmetrische Halbleiter-Kippdiode
DE1439522B2 (de) Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden pn-uebergang und verfahren zu seiner herstellung
DE1539630C (de) Steuerbare Halbleiteranordnung
DE2164644B2 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter
DE1934866A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1489087C (de) Halbleiterbauelement mit verbessertem Frequenzverhalten und Verfahren zum Herstel I en
DE3520599A1 (de) Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
8181 Inventor (new situation)

Free format text: OTSUKA, MICHIO HIGASHI, NIOPORI, TOKYO, JP MURAMATSU, HISAYOSHI, KAWASAKI, JP

D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee