DE1269737B - Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere Ringgleichrichter - Google Patents
Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere RinggleichrichterInfo
- Publication number
- DE1269737B DE1269737B DEP1269A DE1269737A DE1269737B DE 1269737 B DE1269737 B DE 1269737B DE P1269 A DEP1269 A DE P1269A DE 1269737 A DE1269737 A DE 1269737A DE 1269737 B DE1269737 B DE 1269737B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- plates
- ceramic disc
- semiconductor
- shaped
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
- H01L25/073—Apertured devices mounted on one or more rods passed through the apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Synchronous Machinery (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1269 737
P 12 69 737.9-33
21. September 1962
6. Juni 1968
P 12 69 737.9-33
21. September 1962
6. Juni 1968
In der Hauptpatentanmeldung St 19531 VIII c / 21 g
(deutsche Auslegeschrift 1 259 470) ist ein Säulenaufbau von Halbleitervorrichtungen, insbesondere
Leistungsgleichrichtern mit einem Halbleiterelement aus Germanium, Silicium oder einer intermetallischen
Verbindung od. dgl. innerhalb einer Bohrung einer Isolierplatte zwischen zwei als Elektroden dienenden
Metallplatten eines Verbundelements beschrieben, bei dem die Bohrungen in den Isolierplatten exzentrisch
zu einer Zentralbohrung durch die Isolierplatten und Metallplatten angeordnet sind.
Die vorliegende Erfindung stellt eine weitere konstruktive Ausgestaltung des Säulenaufbaus nach der
Hauptpatentanmeldung dar, derart, daß die Strom- und Wärmeübertragung auf Grund der großen Kontaktflächen
erleichtert wird und der Aufbau einfach und verbilligt durchgeführt werden kann. Erfindungsgemäß
wird das dadurch erreicht, daß entweder die metallischen Elektrodenplatten kappenförmig ausgebildet
sind und eine unprofilierte Keramikscheibe umgreifen oder die metallischen Elektrodenplatten
in eine am inneren Rand liegende, umlaufende Nut in die Keramikscheibe eingesetzt sind, die eine
doppel-T-förmige Ausnehmung in der Keramikscheibe bilden.
Nach der britischen Patentschrift 883 862 ist es bekannt, bei Verbundelementen zwei metallische
Elektrodenplatten durch eine ringförmige Keramikscheibe voneinander zu isolieren. Das Gleichrichterelement
ist mindestens teilweise in einer Öffnung untergebracht und wird von Platten ganz umschlossen.
Die einzelnen Verbundelemente sind so ausgeführt, daß sie beim Stapeln zu einer Säule in einem
Rohr untergebracht werden müssen. Weitere Einbauten, wie schraubenförmige Springfedern u. dgl.,
sind notwendig, damit die Platten in dem Rohr zusammengehalten werden. Das erfordert einen zusätzlichen
Aufwand und verteuert die Herstellung solcher Anordnungen. Diese Nachteile werden durch
die vorliegende Erfindung vermieden.
In Vorarbeiten wurde bereits vorgeschlagen, ein Verbundelement in der Weise auszubilden, daß ein
System von metallischen und/oder isolierenden Platten, insbesondere ringförmigen Platten, zu einer den
Leistungsgleichrichter einschließenden Baueinheit miteinander verbunden sind. Der Leistungsgleichrichter
ist bei diesem Verbundelement in einem Hohlraum untergebracht, der innerhalb des Verbundelements
z. B. als Bohrung oder Vertiefung einer Platte erzeugt ist. Die zentrale Öffnung der ringförmigen
Platten dient zum Aufreihen der Verbundelemente auf einen Trägerbolzen zwecks Herstellung
Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere
Ringgleichrichter
Ringgleichrichter
Zusatz zur Anmeldung: St 19531 VIII c/21 g —
Auslegeschrift 1 259 470
Auslegeschrift 1 259 470
Anmelder:
Deutsche ITT Industries
Gesellschaft mit beschränkter Haftung,
7800 Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19
Als Erfinder benannt:
Heinz Rössle, 7809 Denzlingen;
Hans Wagner, 7800 Freiburg;
Gerhard Wolpert, 7000 Stuttgart
Heinz Rössle, 7809 Denzlingen;
Hans Wagner, 7800 Freiburg;
Gerhard Wolpert, 7000 Stuttgart
einer Säule, wie dies von Selengleichrichtern her bekannt ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der F i g. 1 dargestellt. Hiernach besteht das Verbundelement
aus zwei ringförmigen metallischen Platten P1 und P2, die als Stirnseiten und gleichzeitig als
Elektroden für das Halbleiterbauelement E, ζ. Β. einen Leistungsgleichrichter, dienen. Das Halbleiterelement
E ist auf der Innenseite der Platte P2 z. B. aufgelötet, während die elektrische Verbindung zur
Platte P1 durch einen nachgiebigen Draht D od. dgl.
erfolgt, der durch eine Bohrung in der Platte P1 hindurchgeführt
und an der Stelle L der Außenseite verlötet ist. Die Platten P1 und P2 werden durch eine
profilierte Keramikscheibe K voneinander isoliert. Im Ausführungsbeispiel besitzt die Scheibe K im Querschnitt
Doppel-T-Form. In der keramischen Scheibe K sind je nach der gewünschten Zahl der unterzubringenden
Halbleiterbauelemente E durchgehende zylindrische Bohrungen Z1 und Z2 angebracht. Die zen-
trale Bohrung B, welche die Platten P1, P3 und die
Scheibe K besitzen, dient zum Aufreihen des Verbundelements auf einen Trägerbolzen od. dgl., wie
dies von Selengleichrichtern her bekannt ist. Stapelt man das Verbundelement übereinander unter geeignetem
Druck, so erfolgt selbsttätig die elektrische Serienschaltung der darin untergebrachten Halbleiterbauelemente,
insbesondere Gleichrichter.
809 558/279
Die Verbindung der Teile P1, P2 und K kann durch
Verlöten erfolgen, wenn eine teilweise metallisierte Keramikscheibe K benutzt wird oder aber durch
Verkitten oder in anderer, sonst bekannter Weise.
Die F i g. 2 zeigt ein etwas abgeändertes Ausführungsbeispiel,
in dem die Platten P1 und P2 kappenförmig,
d. h. mit einem umgebördelten Rand R1 bzw.
R2 versehen sind, während die Keramikscheibe K
unprofiliert ausgebildet ist.
Claims (2)
1. Säulenaufbau von Halbleitervorrichtungen, insbesondere Leistungsgleichrichtern mit einem
Halbleiterelement aus Germanium, Silicium oder einer intermetallischen Verbindung od. dgl. innerhalb
einer Bohrung einer Isolierplatte zwischen zwei als Elektroden dienenden Metallplatten
eines Verbundelements, wobei die Bohrungen in den Isolierplatten exzentrisch zu einer Zentralbohrung
durch die Isolierplatten und Metallplatten angeordnet sind, nach Patentanmeldung
St 19531 VHIc/21g (deutsche Auslegeschrift 1259470), dadurch gekennzeichnet, daß entweder die metallischen Elektrodenplatten
kappenförmig ausgebildet sind und eine unprofilierte Keramikscheibe umgreifen oder die metallischen
Elektrodenplatten in eine am inneren Rand liegende, umlaufende Nut in die Keramikscheibe
eingesetzt sind, die eine doppel-T-förmige Ausnehmung in der Keramikscheibe bilden.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eine elektrische
Verbindung zu dem Halbleiterelement (E) aus einem etwa S-förmig gebogenen Draht (D) besteht,
der durch die eine metallische PIaWe(P1)
hindurchgeführt und an dessen Oberfläche mit dieser durch Verlötung (L) verbunden ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 856 204;
französische Patentschrift Nr. 1 284 882;
britische Patentschrift Nr. 883 862.
Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 856 204;
französische Patentschrift Nr. 1 284 882;
britische Patentschrift Nr. 883 862.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 558/279 5.68 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP1269A DE1269737B (de) | 1962-06-09 | 1962-09-21 | Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere Ringgleichrichter |
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEST019343 | 1962-06-09 | ||
| DEST019510 | 1962-07-21 | ||
| DEST019525 | 1962-07-25 | ||
| DEST19531A DE1259470B (de) | 1962-06-09 | 1962-07-27 | Elektrische Halbleiteranordnung |
| DEST19667A DE1248171B (de) | 1962-06-09 | 1962-09-04 | Halbleiterverbundelementanordnung |
| DEST019744 | 1962-09-21 | ||
| DEP1269A DE1269737B (de) | 1962-06-09 | 1962-09-21 | Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere Ringgleichrichter |
| DEST021126 | 1963-09-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1269737B true DE1269737B (de) | 1968-06-06 |
Family
ID=27561698
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEST19510A Pending DE1250928B (de) | 1962-06-09 | ||
| DEST19531A Pending DE1259470B (de) | 1962-06-09 | 1962-07-27 | Elektrische Halbleiteranordnung |
| DEST19667A Pending DE1248171B (de) | 1962-06-09 | 1962-09-04 | Halbleiterverbundelementanordnung |
| DEP1269A Pending DE1269737B (de) | 1962-06-09 | 1962-09-21 | Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere Ringgleichrichter |
Family Applications Before (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEST19510A Pending DE1250928B (de) | 1962-06-09 | ||
| DEST19531A Pending DE1259470B (de) | 1962-06-09 | 1962-07-27 | Elektrische Halbleiteranordnung |
| DEST19667A Pending DE1248171B (de) | 1962-06-09 | 1962-09-04 | Halbleiterverbundelementanordnung |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US3280390A (de) |
| BE (3) | BE653631A (de) |
| CH (5) | CH437505A (de) |
| DE (4) | DE1259470B (de) |
| FR (2) | FR1370038A (de) |
| GB (6) | GB1033813A (de) |
| LU (1) | LU47033A1 (de) |
| NL (3) | NL6411246A (de) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3376376A (en) * | 1964-06-16 | 1968-04-02 | Corning Glass Works | Miniature transistor enclosed in a glass disc-shaped housing |
| US3377525A (en) * | 1965-12-03 | 1968-04-09 | Gen Electric | Electrically insulated mounting bracket for encased semicon-ductor device |
| CH448213A (fr) * | 1966-03-16 | 1967-12-15 | Secheron Atel | Dispositif de contrôle à semi-conducteurs pour courant alternatif |
| US4196444A (en) * | 1976-12-03 | 1980-04-01 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Encapsulated power semiconductor device with single piece heat sink mounting plate |
| DE2728313A1 (de) * | 1977-06-23 | 1979-01-04 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
| US4750031A (en) * | 1982-06-25 | 1988-06-07 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Hermetically sealable package for hybrid solid-state electronic devices and the like |
| DE19530264A1 (de) * | 1995-08-17 | 1997-02-20 | Abb Management Ag | Leistungshalbleitermodul |
| US8319344B2 (en) | 2008-07-14 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Electrical device with protruding contact elements and overhang regions over a cavity |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB883862A (en) * | 1958-05-29 | 1961-12-06 | Ass Elect Ind | Improvements relating to semi-conductor rectifiers |
| FR1284882A (fr) * | 1960-03-24 | 1962-02-16 | Siemens Ag | Dispositif semi-conducteur |
| DE1856204U (de) * | 1961-08-30 | 1962-08-09 | C H F Mueller G M B H | Halbleitergleichrichter, insbesondere siliciumgleichrichter fuer hohe spannungen. |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1905525A (en) * | 1931-09-10 | 1933-04-25 | Union Switch & Signal Co | Electrical rectifier |
| US2558798A (en) * | 1948-10-18 | 1951-07-03 | Meivin A Thom | Electrical resistor |
| US2657343A (en) * | 1950-05-08 | 1953-10-27 | Westinghouse Electric Corp | Cooling of rectifier stack by thermal conduction |
| FR1031439A (fr) * | 1951-01-26 | 1953-06-23 | Westinghouse Freins & Signaux | Nouvel élément sec à conductibilité asymétrique |
| FR61473E (fr) * | 1951-03-12 | 1955-05-04 | Redresseur sec perfectionné pour courant électrique alternatif | |
| DE950491C (de) * | 1951-09-15 | 1956-10-11 | Gen Electric | Gleichrichterelement |
| US2712619A (en) * | 1954-06-17 | 1955-07-05 | Westinghouse Air Brake Co | Dry disk rectifier assemblies |
| US2956214A (en) * | 1955-11-30 | 1960-10-11 | Bogue Elec Mfg Co | Diode |
| US2861227A (en) * | 1956-06-06 | 1958-11-18 | Siemens Ag | High-voltage dry rectifier |
| US2922091A (en) * | 1956-10-19 | 1960-01-19 | Int Rectifier Corp | Cartridge assembly for rectifier |
| US3110080A (en) * | 1958-01-20 | 1963-11-12 | Westinghouse Electric Corp | Rectifier fabrication |
| CH357471A (de) * | 1958-01-30 | 1961-10-15 | Oerlikon Maschf | Gleichrichtereinheit mit luftgekühlten Halbleiter-Gleichrichterelementen |
| US2946935A (en) * | 1958-10-27 | 1960-07-26 | Sarkes Tarzian | Diode |
| US3001113A (en) * | 1959-10-06 | 1961-09-19 | Rca Corp | Semiconductor device assemblies |
| US3030557A (en) * | 1960-11-01 | 1962-04-17 | Gen Telephone & Elect | High frequency tunnel diode |
| DE1898526U (de) * | 1962-07-27 | 1964-08-13 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Elektrische halbleiteranordnung. |
-
0
- NL NL293539D patent/NL293539A/xx unknown
- NL NL295752D patent/NL295752A/xx unknown
- BE BE633287D patent/BE633287A/xx unknown
- BE BE635452D patent/BE635452A/xx unknown
- DE DEST19510A patent/DE1250928B/de active Pending
-
1962
- 1962-07-27 DE DEST19531A patent/DE1259470B/de active Pending
- 1962-09-04 DE DEST19667A patent/DE1248171B/de active Pending
- 1962-09-21 DE DEP1269A patent/DE1269737B/de active Pending
-
1963
- 1963-05-21 US US281873A patent/US3280390A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-05-30 CH CH677263A patent/CH437505A/de unknown
- 1963-06-07 GB GB22755/63A patent/GB1033813A/en not_active Expired
- 1963-06-07 FR FR937351A patent/FR1370038A/fr not_active Expired
- 1963-06-21 GB GB24827/63A patent/GB1020151A/en not_active Expired
- 1963-07-16 US US295331A patent/US3262030A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-07-19 GB GB28620/63A patent/GB976278A/en not_active Expired
- 1963-07-19 CH CH907763A patent/CH418464A/de unknown
- 1963-07-19 GB GB28621/63A patent/GB976034A/en not_active Expired
- 1963-07-23 CH CH916063A patent/CH417778A/de unknown
- 1963-07-23 CH CH915863A patent/CH415862A/de unknown
- 1963-09-20 GB GB37080/63A patent/GB1066446A/en not_active Expired
-
1964
- 1964-09-24 CH CH1240064A patent/CH438491A/de unknown
- 1964-09-24 US US402982A patent/US3290566A/en not_active Expired - Lifetime
- 1964-09-25 GB GB39136/64A patent/GB1041317A/en not_active Expired
- 1964-09-28 FR FR989579A patent/FR86442E/fr not_active Expired
- 1964-09-28 BE BE653631D patent/BE653631A/xx unknown
- 1964-09-28 LU LU47033D patent/LU47033A1/xx unknown
- 1964-09-28 NL NL6411246A patent/NL6411246A/xx unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB883862A (en) * | 1958-05-29 | 1961-12-06 | Ass Elect Ind | Improvements relating to semi-conductor rectifiers |
| FR1284882A (fr) * | 1960-03-24 | 1962-02-16 | Siemens Ag | Dispositif semi-conducteur |
| DE1856204U (de) * | 1961-08-30 | 1962-08-09 | C H F Mueller G M B H | Halbleitergleichrichter, insbesondere siliciumgleichrichter fuer hohe spannungen. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH415862A (de) | 1966-06-30 |
| GB976278A (en) | 1964-11-25 |
| NL295752A (de) | |
| US3280390A (en) | 1966-10-18 |
| CH438491A (de) | 1967-06-30 |
| NL6411246A (de) | 1965-03-29 |
| DE1248171B (de) | 1967-08-24 |
| GB1033813A (en) | 1966-06-22 |
| FR1370038A (fr) | 1964-08-21 |
| GB1041317A (en) | 1966-09-01 |
| CH418464A (de) | 1966-08-15 |
| BE635452A (de) | |
| US3290566A (en) | 1966-12-06 |
| BE653631A (de) | 1965-03-29 |
| US3262030A (en) | 1966-07-19 |
| CH417778A (de) | 1966-07-31 |
| GB976034A (en) | 1964-11-25 |
| NL293539A (de) | |
| DE1259470B (de) | 1968-01-25 |
| GB1066446A (en) | 1967-04-26 |
| LU47033A1 (de) | 1964-11-28 |
| CH437505A (de) | 1967-06-15 |
| GB1020151A (en) | 1966-02-16 |
| DE1250928B (de) | |
| FR86442E (fr) | 1966-02-04 |
| BE633287A (de) |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1170558B (de) | ||
| DE1241536B (de) | In ein Gehaeuse eingeschlossene Halbleiteranordnung | |
| DE1269737B (de) | Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere Ringgleichrichter | |
| DE1034272B (de) | Unipolartransistor-Anordnung | |
| AT242805B (de) | Als Verbundelement ausgebildete Halbleiteranordnung, insbesondere Leistungsgleichrichteranordnung | |
| DE969748C (de) | Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems | |
| EP0088923A3 (de) | Sandwich für druckkontaktierbare Halbleiter-Leistungsbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1614630A1 (de) | Steuerbares Halbleiter-Bauelement | |
| AT228341B (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2543079B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren | |
| DE914416C (de) | Regelbarer Kondensator | |
| AT239376B (de) | In ein Gehäuse eingeschlossene Halbleiterdiode mit einem scheibenförmigen, im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper | |
| DE977210C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern mit einer bei Erwaermung Gas abgebenden Isolierschicht an den auf Druck beanspruchten Stellen | |
| DE1269735B (de) | Silizium-Gleichrichtersatz in Kuehlplatten-Bauweise | |
| AT232131B (de) | In ein Gehäuse eingeschlossene Halbleiteranordnung | |
| DE975284C (de) | Selengleichrichter mit einem auf der Selenschicht oder auf der Traegerelektrode aufgebrachten ringfoermigen Isolierstueck | |
| AT151508B (de) | Elektrische Entladungsröhre. | |
| DE740642C (de) | Kapselmikrofon mit einem aus Isolierstoff bestehenden Kapselgehaeuse | |
| DE3434848A1 (de) | Verbindung zwischen einem bolzen und einer federmutter | |
| DE726411C (de) | Zuendkerze | |
| DE1439304C (de) | Halbleiterbauelement | |
| AT203281B (de) | Gleitfunkenzündkerze | |
| DE1514478C (de) | Umhülltes elektrisches Bauelement | |
| DE1464299A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
| DE1980299U (de) | Elektrische halbleiteranordnung, insbesondere als verbundelement ausgebildeter ringgleichrichter. |