DE1269737B - Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere Ringgleichrichter - Google Patents

Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere Ringgleichrichter

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DE1269737B
DE1269737B DEP1269A DE1269737A DE1269737B DE 1269737 B DE1269737 B DE 1269737B DE P1269 A DEP1269 A DE P1269A DE 1269737 A DE1269737 A DE 1269737A DE 1269737 B DE1269737 B DE 1269737B
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Heinz Roessle
Hans Wagner
Gerhard Wolpert
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TDK Micronas GmbH
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Deutsche ITT Industries GmbH
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1269 737
P 12 69 737.9-33
21. September 1962
6. Juni 1968
In der Hauptpatentanmeldung St 19531 VIII c / 21 g (deutsche Auslegeschrift 1 259 470) ist ein Säulenaufbau von Halbleitervorrichtungen, insbesondere Leistungsgleichrichtern mit einem Halbleiterelement aus Germanium, Silicium oder einer intermetallischen Verbindung od. dgl. innerhalb einer Bohrung einer Isolierplatte zwischen zwei als Elektroden dienenden Metallplatten eines Verbundelements beschrieben, bei dem die Bohrungen in den Isolierplatten exzentrisch zu einer Zentralbohrung durch die Isolierplatten und Metallplatten angeordnet sind.
Die vorliegende Erfindung stellt eine weitere konstruktive Ausgestaltung des Säulenaufbaus nach der Hauptpatentanmeldung dar, derart, daß die Strom- und Wärmeübertragung auf Grund der großen Kontaktflächen erleichtert wird und der Aufbau einfach und verbilligt durchgeführt werden kann. Erfindungsgemäß wird das dadurch erreicht, daß entweder die metallischen Elektrodenplatten kappenförmig ausgebildet sind und eine unprofilierte Keramikscheibe umgreifen oder die metallischen Elektrodenplatten in eine am inneren Rand liegende, umlaufende Nut in die Keramikscheibe eingesetzt sind, die eine doppel-T-förmige Ausnehmung in der Keramikscheibe bilden.
Nach der britischen Patentschrift 883 862 ist es bekannt, bei Verbundelementen zwei metallische Elektrodenplatten durch eine ringförmige Keramikscheibe voneinander zu isolieren. Das Gleichrichterelement ist mindestens teilweise in einer Öffnung untergebracht und wird von Platten ganz umschlossen. Die einzelnen Verbundelemente sind so ausgeführt, daß sie beim Stapeln zu einer Säule in einem Rohr untergebracht werden müssen. Weitere Einbauten, wie schraubenförmige Springfedern u. dgl., sind notwendig, damit die Platten in dem Rohr zusammengehalten werden. Das erfordert einen zusätzlichen Aufwand und verteuert die Herstellung solcher Anordnungen. Diese Nachteile werden durch die vorliegende Erfindung vermieden.
In Vorarbeiten wurde bereits vorgeschlagen, ein Verbundelement in der Weise auszubilden, daß ein System von metallischen und/oder isolierenden Platten, insbesondere ringförmigen Platten, zu einer den Leistungsgleichrichter einschließenden Baueinheit miteinander verbunden sind. Der Leistungsgleichrichter ist bei diesem Verbundelement in einem Hohlraum untergebracht, der innerhalb des Verbundelements z. B. als Bohrung oder Vertiefung einer Platte erzeugt ist. Die zentrale Öffnung der ringförmigen Platten dient zum Aufreihen der Verbundelemente auf einen Trägerbolzen zwecks Herstellung
Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere
Ringgleichrichter
Zusatz zur Anmeldung: St 19531 VIII c/21 g —
Auslegeschrift 1 259 470
Anmelder:
Deutsche ITT Industries
Gesellschaft mit beschränkter Haftung,
7800 Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19
Als Erfinder benannt:
Heinz Rössle, 7809 Denzlingen;
Hans Wagner, 7800 Freiburg;
Gerhard Wolpert, 7000 Stuttgart
einer Säule, wie dies von Selengleichrichtern her bekannt ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der F i g. 1 dargestellt. Hiernach besteht das Verbundelement aus zwei ringförmigen metallischen Platten P1 und P2, die als Stirnseiten und gleichzeitig als Elektroden für das Halbleiterbauelement E, ζ. Β. einen Leistungsgleichrichter, dienen. Das Halbleiterelement E ist auf der Innenseite der Platte P2 z. B. aufgelötet, während die elektrische Verbindung zur Platte P1 durch einen nachgiebigen Draht D od. dgl. erfolgt, der durch eine Bohrung in der Platte P1 hindurchgeführt und an der Stelle L der Außenseite verlötet ist. Die Platten P1 und P2 werden durch eine profilierte Keramikscheibe K voneinander isoliert. Im Ausführungsbeispiel besitzt die Scheibe K im Querschnitt Doppel-T-Form. In der keramischen Scheibe K sind je nach der gewünschten Zahl der unterzubringenden Halbleiterbauelemente E durchgehende zylindrische Bohrungen Z1 und Z2 angebracht. Die zen-
trale Bohrung B, welche die Platten P1, P3 und die Scheibe K besitzen, dient zum Aufreihen des Verbundelements auf einen Trägerbolzen od. dgl., wie dies von Selengleichrichtern her bekannt ist. Stapelt man das Verbundelement übereinander unter geeignetem Druck, so erfolgt selbsttätig die elektrische Serienschaltung der darin untergebrachten Halbleiterbauelemente, insbesondere Gleichrichter.
809 558/279
Die Verbindung der Teile P1, P2 und K kann durch Verlöten erfolgen, wenn eine teilweise metallisierte Keramikscheibe K benutzt wird oder aber durch Verkitten oder in anderer, sonst bekannter Weise.
Die F i g. 2 zeigt ein etwas abgeändertes Ausführungsbeispiel, in dem die Platten P1 und P2 kappenförmig, d. h. mit einem umgebördelten Rand R1 bzw. R2 versehen sind, während die Keramikscheibe K unprofiliert ausgebildet ist.

Claims (2)

Patentansprüche: 10
1. Säulenaufbau von Halbleitervorrichtungen, insbesondere Leistungsgleichrichtern mit einem Halbleiterelement aus Germanium, Silicium oder einer intermetallischen Verbindung od. dgl. innerhalb einer Bohrung einer Isolierplatte zwischen zwei als Elektroden dienenden Metallplatten eines Verbundelements, wobei die Bohrungen in den Isolierplatten exzentrisch zu einer Zentralbohrung durch die Isolierplatten und Metallplatten angeordnet sind, nach Patentanmeldung St 19531 VHIc/21g (deutsche Auslegeschrift 1259470), dadurch gekennzeichnet, daß entweder die metallischen Elektrodenplatten kappenförmig ausgebildet sind und eine unprofilierte Keramikscheibe umgreifen oder die metallischen Elektrodenplatten in eine am inneren Rand liegende, umlaufende Nut in die Keramikscheibe eingesetzt sind, die eine doppel-T-förmige Ausnehmung in der Keramikscheibe bilden.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eine elektrische Verbindung zu dem Halbleiterelement (E) aus einem etwa S-förmig gebogenen Draht (D) besteht, der durch die eine metallische PIaWe(P1) hindurchgeführt und an dessen Oberfläche mit dieser durch Verlötung (L) verbunden ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 856 204;
französische Patentschrift Nr. 1 284 882;
britische Patentschrift Nr. 883 862.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 558/279 5.68 © Bundesdruckerei Berlin
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