AT242805B - Als Verbundelement ausgebildete Halbleiteranordnung, insbesondere Leistungsgleichrichteranordnung - Google Patents

Als Verbundelement ausgebildete Halbleiteranordnung, insbesondere Leistungsgleichrichteranordnung

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AT242805B
AT242805B AT714463A AT714463A AT242805B AT 242805 B AT242805 B AT 242805B AT 714463 A AT714463 A AT 714463A AT 714463 A AT714463 A AT 714463A AT 242805 B AT242805 B AT 242805B
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  Als Verbundelement ausgebildete Halbleiteranordnung, insbesondere
Leistungs gleichrichteranordnung 
Die Erfindung bezieht sich auf eine als Verbundelement ausgebildete Halbleiteranordnung, insbesondere Leistungsgleichrichteranordnung, bei der eines oder mehrere Halbleiterelemente, insbesondere Leistungsgleichrichterelemente, in einer oder mehreren exzentrischen Bohrungen einer ringförmigen Keramikscheibe angeordnet sind, die beiderseits von ringförmigen metallischen Platten bedeckt ist. 



   In Vorarbeiten wurde bereits vorgeschlagen, ein Verbundelement in der Weise auszubilden, dass ein System von metallischen und bzw. oder isolierenden Platten, insbesondere ringförmigen Platten zu einer den Leistungsgleichrichter einschliessenden Baueinheit miteinander verbunden sind. Der Leistungsgleichrichter ist bei diesem Verbundelement in einem Hohlraum untergebracht, der innerhalb des Verbundelementes,   z. B.   als Bohrung oder Vertiefung einer Platte gebildet ist. Die zentrale Öffnung der ringförmigen Platten dient zum Aufreihen der Verbundelemente auf einen Trägerbolzen zwecks Herstellung einer Säule, wie dies von   Selengleichrichtem   her bekannt ist. 



   Die Erfindung knüpft nun an diese Entwicklung an und besteht darin, dass die ringförmige, allenfalls profilierte Keramikscheibe auf einer oder beiden Seiten einen erhöhten Rand besitzt, innerhalb dessen die metallische Platte oder die Platten angeordnet sind. 



   Weiters ist nach der Erfindung vorgesehen, dass die ringförmige Keramikscheibe metallisiert und die Metallplatten mit der Metallisierung verlötet sind. 



   Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 1 dargestellt. Hienach besteht das Verbundelement 
 EMI1.1 
 den für das Halbleiterbauelement E,   z. B.   einen Leistungsgleichrichter, dienen. Das Halbleiterelement E ist auf der Innenseite der Platte    P2     z. B. aufgelötet,   während die elektrische Verbindung zur Platte P1 durch einen nachgiebigen Draht D   od. dgl.   erfolgt, der durch eine Bohrung in der Platte    Pl     hindurchgeführt   und an der Stelle L der Aussenseite verlötet ist. Die Platten    P   und P2 werden durch eine profilierte Keramikscheibe K voneinander isoliert. Im Ausführungsbeispiel besitzt die Scheibe K im Querschnitt Doppel-T-Form.

   In der keramischen Scheibe K sind je nach der gewünschten Zahl der unterzubringenden Halbleiterbauelemente E durchgehende zylindrische Bohrungen    Zl   und    Z   angebracht. Die zentrale Bohrung B, welche die Platten P1, P2 und die Scheibe K besitzen, dient zum Aufreihen des Verbundelementes auf einen Trägerbolzen od. dgl., wie dies von Selengleichrichtern her bekannt ist. Stapelt man das Verbundelement übereinander unter geeignetem Druck, so erfolgt selbsttätig die elektrische Serienschaltung der darin untergebrachten Halbleiterbauelemente, insbesondere Gleichrichter. 



   Die Verbindung der Teile   P,P un < tK   kann durch Verlöten erfolgen, wenn eine teilweise metallisierte Keramikscheibe K benutzt wird oder aber durch Verkitten oder in anderer, sonst bekannter Weise. 



   Die Fig. 2 zeigt ein etwas   abgeändertesAusführungsbeispiel,   in dem die Platten Pl   undP   kappenförmig, d. h. mit einem umgebördelten Rand   Rl bzw. 1\   versehen sind, während die Keramikscheibe X unprofiliert ausgebildet ist.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE : 1. Als Verbundelement ausgebildete Halbleiteranordnung, insbesondere Leistungsgleichrichteranordnung, bei der ein oder mehrere Halbleiterelemente, insbesondere Leistungsgleichrichterelemente, in einer oder mehreren exzentrischen Bohrungen einer ringförmigen Keramikscheibe angeordnet sind, die beiderseits von ringförmigen metallischen Platten bedeckt ist. dadurch gekennzeichnet, dass die ring- förmige allenfalls profiliert ausgebildete Keramikscheibe auf einer oder beiden Seiten einen erhöhten Rand besitzt, innerhalb dessen die metallische Platte oder die Platten angeordnet sind.
    2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die ringförmige Keramikscheibe metallisiert und die Metallplatten mit der Metallisierung verlötet sind.
AT714463A 1962-09-21 1963-09-05 Als Verbundelement ausgebildete Halbleiteranordnung, insbesondere Leistungsgleichrichteranordnung AT242805B (de)

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