DE1898526U - Elektrische halbleiteranordnung. - Google Patents

Elektrische halbleiteranordnung.

Info

Publication number
DE1898526U
DE1898526U DEST14968U DEST014968U DE1898526U DE 1898526 U DE1898526 U DE 1898526U DE ST14968 U DEST14968 U DE ST14968U DE ST014968 U DEST014968 U DE ST014968U DE 1898526 U DE1898526 U DE 1898526U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
arrangement according
ring
semiconductor arrangement
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEST14968U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Standard Elektrik Lorenz AG filed Critical Standard Elektrik Lorenz AG
Priority to DEST14968U priority Critical patent/DE1898526U/de
Publication of DE1898526U publication Critical patent/DE1898526U/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description

RA- 377 217*27.5.6^f h
STANDARD ELEKTRIK LOREIZ
Aktiengesellschaft
Stuttgart-Zuffenhausen
Hellmuth-Hirth-Str. 42
Amtl.Akt.Zch.: St 14 968/21g Gm
Unser Zeh. : SEL/Reg. 8806
Elektrische Halbleiteranordnung.
Die !Teuerung bezieht sich auf eine elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere auf eine Leistungsgleichrichteranordnung mit einem Halbleiter aus G-ermanium, "Silizium, einer intermetallischen Verbindung oder dgl,.
In Vorarbeiten wurde vorgeschlagen, den bei Selengleichrichtern üblichen Säulenaufbau mit Trägerbolzen, Halterahmen oder dgl. für die Gleichrichterplatten zur Unterbringung von Halbleiteranordnungen der oben erwähnten Art zu verwenden. Nach dem älteren Vorschlag soll z. B. das bei der Selengleichrichters'^ule übliche massive metallische Abstands- und Kontaktstück als Träger für die Halbleitervorrichtung, ζ, Β. einen Siliziumgleichrichter, dienen. Vorzugsweise soll ein Metallring als Trägerelektrode mit einer Bohrung oder mehreren Bohrungen zur Aufnahme der Leistungsgleichrichter versehen sein. Es ist alsdann möglich, die Metallringe mit den darin befindlichen, z. B, auf dem Boden der Bob/ rungen aufgelöteten Leistungsgleichrichtern nach Art einer Säule auf einen Bolzen aufzureihen und die Gleichrichter elektrisch hintereinander zu schalten, wenn man zwischen den einzelnen Metallringen Isolierstoffringe anbringt und jeweils die freie Zuleitung des Leistungsgleichrichters eines Metallringes mit dem benachbarten Metallring elektrich verbindet. Eine andere Möglichkeit des älteren Vorschlages besteht darin, ein sog. Verbundelement zu schaffen, das aus einem Metallring mit Bohrung zur Aufnahme eines Leistungsgleichrichters,einer auf der
Dr.Bs./a. - 26.5.1964 - 2 -
SEL/Reg. 8806 - 2 -
offenen Seite des Metallringes befestigten Isolierscheibe und einer auf dieser liegenden Metallschicht besteht, mit der die freie Zuleitung des Leistungsgleichrichters durch die Isolierstoff scheibe hindurch elektrisch verbunden ist.
Die Neuerung stellt eine andere Ausführungsform der bereits vorgeschlagenen Verwendung des bei Selengleichrichtern üblichen e-H· Säulenaufbaus von Leistungsgleichrichtern mit einem Halbleiter aus Germanium, Silizium oder intermetallischen Verbin düngen dar, Nach der Neuerung soll die Halbleitervorrichtung, insbesondere der Leistungsgleichrichter, sich in einem Hohl«= raum eines Isolierringes befinden, der auf beiden Seiten von entsprechend geformten massiven Metallstticken, insbesondere -ringen, die gleichzeitig als elektrische Zuleitungen zur Halbleiteranordnung dienen, abgedeckt sein. Ausführungsbeispiele der Neuerung werden in den Figuren 1 - 4 dargestellt.
Die Figur 1 zeigt einen Isolierring 1, der an der Stelle 2 durchbohrt ist, su daß der Leistungsgleichrichter 3 in dem entstandenen Hohlraum untergebracht werden kann. Der Gleichrichter ist einerseits elektrisch mit dem metallischen Ring 4 und andererseits über eine Feder 5 oder dgl. mit dem Metallring 6 verbunden. Der Isolierring 1 und die Metallringe 4 und 6 besitzen übereinstimmend zentrale Bohrungen 7, durch die ein isolierender Trägerbolzen gesteckt werden kann, so daß auf diese Weise der Aufb.au einer Säule möglich ist.
Die Ringe 1, 4 und 6 können durch bekannte Verbundverfahren miteinander so fest verbunden sein, daß sie eine Baueinheit bilden. Besteht z, B. der Isolierring 1 aus keramischem Material, so können die Metallringe 1 und 4 mit den aufmetallisierten Schichten des Isolierringes 1 verlötet werden.
Die Figur 2 unterscheidet sich von der Ausführungsform nach Figur 1 durch die Eingliederung eines metallischen Ringes 8, der mit einer Sicke 9 versehen ist, die anstelle der Feder 5 mit einer
SEL/Reg, 8806 - 3 -
Elektrode des Leistungsgleichrichters Kontakt macht. Der Ring 8 wird vorzugsweise auch aus federndem Material gemacht. Das Zwischenglied 10 dient zum Druck- und Toleranzausgleich und besteht deshalb aus relativ weichem Metall.
Ein anderes Ausführungsbeispiel zeigt die Figur 3. Wie ersichtlich, ist die Zuleitung 11 des Leistungsgleichrichters 3, der auf den Metallring 4 aufgelötet ist, durch einen Kanal 12 des Metallringes 6 hindurchgeführt und an der Stelle 13, an der sich der Kanal 12 erweitert, angelötet, so daß die Lötstelle bündig mit der Oberfläche des Ringes 6 abschließt,
ille schon vorgeschlagen wurde, ist es möglich, mehrere Leistungsgleichrichter in der nach der !Teuerung vorgeschlagenen Weise auf ein und denselben Träger anzubringen. Ss sind dann eine entsprechende Anzahl von Hohlräumen 2 in dem Isolierstoffring 1 bzw. von Kanälen 12 vorzusehen.
Die Neuerung beschränkt sich nicht auf ringförmige Anordnungen, Es ist vom Selengleichrichterbau her bekannt, daß auch undurchlochte Platten mittels eines Rahmens, Profilleisten oder dgl, gestapelt werden können. Diese an sich bekannte Bauweise ist auch bei der Neuerung verwendbar. In diesem Falle können die zentralen Bohrungen 7 entfallen.
Anlagen
5 Schutzansprüche
1 Bl, Zeichnungen

Claims (2)

  1. P.A. 377 217*27,5.
    SEL/Reg, 8806 - 4 - .
    Schutzansprüche
    1,) Verwendung des bei Selengleichrichtern üblichen Säulenaufbaus mit Bolzen, Rahmen oder dgl, zur Unterbringung von elektrischen Halbleitervorrichtungen, insbesondere Leistungsgleichrichtern, mit einem Halbleiterelement aus Germanium, Silizium oder einem anderen Halbleiter, in der Weise, daß die Halbleiteranordnung, insbesondere der Leistungsgleichrichter, in einem Hohlraum einer Isolierplatte, insbesondere Isolierringes, untergebracht ist, der auf beiden Seiten von entsprechend geformten, gleichzeitig als elektrische Zuleitung dienenden metallischen Platten bzw. Ringen abgedeckt ist,
  2. 2.) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diese als V'erbundelement ausgebildet ist,
    3,) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß diese gleichzeitig mehrere Leistungsgleichrichter oder dgl, enthält,
    4,) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Leistungsgleichrichter auf der einen Abdeckplatte aufgelötet und mit der anderen Abdeckplatte durch eine Feder oder Draht elektrisch verbunden ist,
    ( 5.) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Leistungsgleichrichter auf der einen Abdeckplatte
    ι aufgelötet und mit der anderen über eine ringförmige mit einer Sicke oder dgl, versehenen Metallzwischenlage elektrisch verbunden ist.
    Dr,Bs,/a, - 26,5,1964
DEST14968U 1962-07-27 1962-07-27 Elektrische halbleiteranordnung. Expired DE1898526U (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEST14968U DE1898526U (de) 1962-07-27 1962-07-27 Elektrische halbleiteranordnung.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEST14968U DE1898526U (de) 1962-07-27 1962-07-27 Elektrische halbleiteranordnung.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1898526U true DE1898526U (de) 1964-08-13

Family

ID=33181060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEST14968U Expired DE1898526U (de) 1962-07-27 1962-07-27 Elektrische halbleiteranordnung.

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1898526U (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1259470B (de) * 1962-06-09 1968-01-25 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Elektrische Halbleiteranordnung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1259470B (de) * 1962-06-09 1968-01-25 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Elektrische Halbleiteranordnung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1439126C3 (de) Halter für mindestens ein Halbleiterbauelement
DE2624313A1 (de) Verfahren zur ausfuehrung von warmpressverbindungen von leiterstrukturen auf einem halbleiter- schaltungsbaustein
DE1514539C3 (de) Halbleiteranordnung mit über Kühlplatten gekühlten Halbleiterbauelementen
DE2101028C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE1106422B (de) Blattfoermig zusammengesetztes, aus mehreren Lagen bestehendes Plaettchen aus Elektrodenmaterial zum Einlegieren von p-n-UEbergaengen in Halbleiteranordnungen
DE1180067B (de) Verfahren zum gleichzeitigen Kontaktieren mehrerer Halbleiteranordnungen
DE1052572B (de) Elektrodensystem, das einen halbleitenden Einkristall mit wenigstens zwei Teilen verschiedener Leitungsart enthaelt, z. B. Kristalldiode oder Transistor
DE1898526U (de) Elektrische halbleiteranordnung.
DE1259470B (de) Elektrische Halbleiteranordnung
DE2039806A1 (de) Halbleiterbauelement mit Druckkontakten
AT254334B (de) Halbleitergleichrichter
DE591691C (de) Gleichrichteranordnung, bestehend aus einer Mehrzahl durch Ventilationszwischenraeume voneinander getrennter Gleichrichterelemente
DE3621930A1 (de) Mehrplatten-hybdridgeraet mit integrierter waermeableitung
DE2314901C3 (de) Anordnung mit einem Quarz und Verfahren zur Herstellung derselben
DE3010076A1 (de) Halbzeug fuer die herstellung von metalldeckeln zum verschliessen von gehaeusen aus keramischem werkstoff
DE1980299U (de) Elektrische halbleiteranordnung, insbesondere als verbundelement ausgebildeter ringgleichrichter.
EP0020666A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1614090C (de) Anordnung und Aufbau zur Druckkontak tierung von Halbleiterbauelementen
AT214017B (de) Gleichrichtersäule, insbesondere Kleingleichrichter, und Verfahren zu ihrer Herstellung
AT219710B (de) Trockengleichrichter, insbesondere Selengleichrichter
AT222700B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung aus Silizium
DE1859248U (de) Durch eine giessharzplatte isoliermitteldicht durchgefuehrte stromfuehrende bolzen, insbesondere fuer transformatoren messwandler od. dgl.
DE1021492B (de) Selengleichrichtersaeule
DE1514565B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1749114U (de) Selengleichrichterplatte mit druckkontakten.