DE3010076A1 - Halbzeug fuer die herstellung von metalldeckeln zum verschliessen von gehaeusen aus keramischem werkstoff - Google Patents
Halbzeug fuer die herstellung von metalldeckeln zum verschliessen von gehaeusen aus keramischem werkstoffInfo
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- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-NJFSPNSNSA-N Iron-58 Chemical compound [58Fe] XEEYBQQBJWHFJM-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4817—Conductive parts for containers, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
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Description
Hanau/Main, 12. März I98O
ZPL-Dr.Hn/S
W. C. Heraeus GmbH, Hanau am Main Patent- und Gebrauchsmusterhilfsanmeldung
"Halbzeug für die Herstellung von Metalldeckeln zum Verschließen von Gehäusen aus keramischem
Werkstoff"
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbzeug in Bandform für die Herstellung von Metalldeckeln mit einer Dicke
von weniger als 0,5 mm zum Verschließen von Gehäusen aus keramischem Werkstoff, in denen ein Halbleiter oder ein
Integrierter-Schaltkreis angeordnet ist. Das Halbzeug weist
einen Metallträger, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient demjenigen de« Gehäusewerkstoffs angepaßt
ist, und auf wenigstens einer Seite eine mit ihm fest verbundene Lotschicht auf.
Halbzeug der vorstehend charakterisierten Art ist handelsüblich. Aus ihm werden Metalldeckel gestanzt,
die dann durch Löten mit dem keramischen Gehäuse verbunden werden, und dieses gegen die Außenatmosphäre abschließen.
Bei diesem bekannten Halbzeug kann es vorkommen, daß beim Löten Lotschichtpartikel abspratzen und
zu elektrischen Störungen beim eingeschlossenen Halbleiter oder Integrierten-Schaltkreis führen. Außerdem besteht
die Gefahr des Ausdampfens von Fremdstoffen aus der Lotschicht, was zu Korrosionen führt.
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Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbzeug zu schaffen, aus dem Metalldeckel zum Verschließen von keramischen
Gehäusen hergestellt werden können, die zu keinerlei Störungen beim Verbinden des Metalldeckels mit dem
keramischen Gehäuse Anlaß geben, und damit auch keinerlei Störungen am Halbleiter oder Integrierten-Schaltkreis
verursachen. Darüberhinaus soll das Halbzeug preiswert herstellbar sein und eine Massenfertigung gestatten.
Gelöst wird diese Aufgabe für ein Halbzeug der eingangs charakterisierten Art erfindungsgemäß dadurch, daß die
Lotschicht im Abstand voneinander angeordnete flächenhafte Ausnehmungen aufweist, die von einem Rahmen aus Lot begrenzt
sind.
Weitere vorteilhafte Erfindungsmerkmale des erfindungsgemäßen
Halbzeugs ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Größe der flächenhaften Ausnehmung in der Lotschicht
entspricht etwa der verzuschließenden Gehäuseöffnung.
In den Figuren 1 bis 4 werden Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Halbzeugs dargestellt. Die Figur 5
zeigt in Aufsicht einen aus dem Halbzeug hergestellten Metalldeckel. Die Figur 6 zeigt in einer Explosionszeichnung
ein mit einem erfindungsgemäßen Deckel verschlossenes
Gehäuse aus keramischem Werkstoff, das einen Halbleiter oder Integrierten-Schaltkreis enthält.
Die in Figur 1 dargestellte Aufsicht auf ein erfindungsgemäßes
Halbzeug zeigt die auf einem Metallträger angeordnete Lotschicht 1, die die im Abstand voneinander angeordnete
flächenhaften Ausnehmungen 2 aufweist, die rahmenartig
vom Lot begrenzt sind. Auf beiden Seiten des bandförmigen
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Halbzeugs ist eine Perforation 3 angebracht, die die Bearbeitung des Halbzeugs, insbesondere die Herstellung
der einzelnen Deckel aus dem Halbzeug im kontinuierlichen Verfahren erleichtert. Diese Perforation 3 ist vorteilhafterweise
auf der quer zur Bandlängsachse verlaufenden Symmetrieachse der flächenhaften Ausnehmung angeordnet, wodurch
die lagemäßige Zuordnung der Ausnehmung für jeden Metalldeckel sichergestellt ist.
Die Figuren 2, 3 und k stellen weitere Ausführungsbeispiele
im Vertikalschnitt durch ein bandförmiges Halbzeug gemäß Figur i dar. Mit der Bezugsziffer k ist der
Metallträger bezeichnet, mit dem die Lotschicht 1 fest verbunden ist. Es hat sich als vorteilhaft erwiesen,
zwischen dem Metallträger k und der Lotschicht 1 noch eine Zwischenschicht 5 vorzusehen, die die Benetzbarkeit
des Metallträgers mit dem Lot fördert. Bewährt hat sich als Werkstoff für eine solche Zwischenschicht eine Kupferoder
eine Kupfer-Basis-Legierung. Als Werkstoff für den Metallträger sind Nickel oder Nickel-Legierungen von
Vorteil. Bei den Nickel-Legierungen handelt es sich zweckmäßigerweise um Nickel-Eisen-Legierungen oder
Nickel-Eisen-Kobalt-Legierungen; insbesondere besteht der Metallträger aus einer Ni '12-Fe 58-Legierung oder
aus einer Ni 29-Fe 5^-Co 17-Legierung. Wenn der Metallträger
nur einseitig mit einer Lotschicht versehen ist, so wird er auf der der Lotschicht abgekehrten Seite
zweckmäßigerweise mit einer Korrosionsschutzschicht 6 versehen, wie das in Figur 4 dargestellt ist. Als Werkstoff
für diese Korrosionsschutzschicht 6 haben sich insbesondere Edelmetalle oder auch eine Nickelschicht
bewährt. Als Lotlegierungen haben sich beispielsweise bewährt Sn 80 Ag 20 und Sn 95 Ag 5.
-6-
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In der Figur 5 ist ein aus einem erfindungsgemäßen Halbzeug
ausgestanzter Metalldeckel 7 dargestellt. Dieser Deckel 7 verschließt, wie aus der Explosionszeichnung
Figur 6 ersichtlich, die Öffnung eines Keramikgehäuses 8, in dessen Ausnehmung ein Halbzeug oder Integrierter-Schaltkreis
10 angeordnet ist. Das Gehäuse ist ferner mit den Anschlußbeinen 9 versehen, die innerhalb der Ausnehmung
über Bonddrähte mit dem Halbleiter oder den Leiterbahnen des Integrierten-Schaltkreises elektrisch leitend verbunden
sind.
Die Herstellung eines erfindungsgemäßen Halbzeugs erfolgt
in der Weise, daß die einzelnen Schichten des Halbzeugs durch Walzplattieren in kontinuierlichem Verfahren miteinander
verbunden werden. Aus der Lotschicht werden dann die flächenhaften Ausnehmungen spanend, wie durch Fräsen
oder Schleifen, herausgearbeitet.
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Claims (1)
- Hanau/Main, 12. März I98O ZPL-Dr.Hn/SW. C. Heraeus GmbH, Hanau am MainPatent- und Gebrauchsmusterhilfsanmeldung"Halbzeug für die Herstellung von Metalldeckeln zum Verschließen von Gehäusen aus keramischem Werkstoff"Patentansprüche/1- Halbzeug in Bandform für die Herstellung von Metalldeckeln mit einer Dicke von weniger als 0,5 mm zum Verschließen von Gehäusen aus keramischem Werkstoff, in denen ein Halbleiter oder ein Integrierter-Schaltkreis angeordnet ist, das einen Metallträger, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient demjenigen des Gehäusewerkstoffs angepaßt ist, und auf wenigstens einer Seite eine mit ihm fest verbundene Lotschicht aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Lotschicht (l) im Abstand voneinander angeordnete flächenhafte Ausnehmungen (2) aufweist, die von einem Rahmen aus Lot begrenzt sind.2. Halbzeug nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Metallträger (k) und der Lotschicht (l) eine Zwischenschicht (5) angeordnet ist, die die Benetzbarkeit des Metallträgers mit dem Lot erhöht.3. Halbzeug nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einseitig mit der Lotschicht versehenem Metallträger (4) die der Lotschicht abgekehrte130039/0510in 8Seite des Metallträgers mit einer Korrosionsschutzschicht (6) versehen ist.k. Halbzeug nach den Ansprüchen 1 bis 3> dadurch gekennzeichnet, daß der Metallträger aus Nickel oder einer Nickellegierung besteht.5. Halbzeug nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallträger aus einer Nickel-Eisen-Legierung oder einer Nickel-Eisen-Kobalt-Legierung besteht.6. Halbzeug nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß der Metallträger aus einer Nickel 4-2-Eisen 58-Legierung besteht.7. Halbzeug nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß der Metallträger aus einer Nickel 29-Eisen 54-Kobalt 17-Legierung besteht.8. Halbzeug nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit weniger als 0,1 % Verunreinigungen besteht.9. Halbzeug nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Lotschicht aus einer Zinn-Basis-Legierung mit weniger als 0,1 % Verunreinigungen besteht.0. Halbzeug nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es wenigstens an einer Längsseite eine Perforation (3) oder dergleichen aufweist.130039/0510
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803010076 DE3010076A1 (de) | 1980-03-15 | 1980-03-15 | Halbzeug fuer die herstellung von metalldeckeln zum verschliessen von gehaeusen aus keramischem werkstoff |
GB8106610A GB2073082B (en) | 1980-03-15 | 1981-03-03 | Strips for the production of solderable metal covers for housings of ceramic material |
FR8105146A FR2478878A1 (fr) | 1980-03-15 | 1981-03-13 | Produit semi-fini en vue de la fabrication de couvercles metalliques pour fermer des boitiers en materiau ceramique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803010076 DE3010076A1 (de) | 1980-03-15 | 1980-03-15 | Halbzeug fuer die herstellung von metalldeckeln zum verschliessen von gehaeusen aus keramischem werkstoff |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3010076A1 true DE3010076A1 (de) | 1981-09-24 |
Family
ID=6097363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803010076 Ceased DE3010076A1 (de) | 1980-03-15 | 1980-03-15 | Halbzeug fuer die herstellung von metalldeckeln zum verschliessen von gehaeusen aus keramischem werkstoff |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3010076A1 (de) |
FR (1) | FR2478878A1 (de) |
GB (1) | GB2073082B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4656499A (en) * | 1982-08-05 | 1987-04-07 | Olin Corporation | Hermetically sealed semiconductor casing |
CA1201211A (en) * | 1982-08-05 | 1986-02-25 | Olin Corporation | Hermetically sealed semiconductor casing |
DE3587003T2 (de) * | 1984-04-30 | 1993-06-17 | Allied Signal Inc | Nickel/indium-legierung fuer die herstellung eines hermetisch verschlossenen gehaeuses fuer halbleiteranordnungen und andere elektronische anordnungen. |
JP3078544B2 (ja) | 1998-09-24 | 2000-08-21 | 住友特殊金属株式会社 | 電子部品用パッケージ、その蓋体用の蓋材およびその蓋材の製造方法 |
JP6387818B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2018-09-12 | 日立金属株式会社 | 気密封止用蓋材の製造方法 |
-
1980
- 1980-03-15 DE DE19803010076 patent/DE3010076A1/de not_active Ceased
-
1981
- 1981-03-03 GB GB8106610A patent/GB2073082B/en not_active Expired
- 1981-03-13 FR FR8105146A patent/FR2478878A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2478878B3 (de) | 1983-01-21 |
GB2073082B (en) | 1983-11-16 |
FR2478878A1 (fr) | 1981-09-25 |
GB2073082A (en) | 1981-10-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |