DE2039887A1 - Sockel fuer elektronische Vorrichtungen und Verfahren fuer deren Herstellung - Google Patents
Sockel fuer elektronische Vorrichtungen und Verfahren fuer deren HerstellungInfo
- Publication number
- DE2039887A1 DE2039887A1 DE19702039887 DE2039887A DE2039887A1 DE 2039887 A1 DE2039887 A1 DE 2039887A1 DE 19702039887 DE19702039887 DE 19702039887 DE 2039887 A DE2039887 A DE 2039887A DE 2039887 A1 DE2039887 A1 DE 2039887A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- glass substrate
- glass
- lead wires
- wires
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002196 Pyroceram Substances 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 description 1
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
Dipl.-Ing. .
R:;. 'Af Busselmeier '
Patentanwalt Augsburg, αβη 6. August 1970
Patentanwalt Augsburg, αβη 6. August 1970
Si> Augsburg 3 · Relilingenstraße 8
Postfach 242 Priorität: 11. August 1969
Postscheckkonto: Mü η ehe η Nr. 745 39 Jugoslawien
5591/04 Bu/Sch Pat.Anm. Nr.
P 2068/69
PATENTANMELDUNG
INSTITUT ZA ELEKTRONIKO IN VAKUUMSKO TEHNIKO,
Teslova 30, Ljubljana, JUGOSLAWIEN.
Sockel für elektronische Vorrichtungen und Verfahren für deren Herstellung,
Gegenstand der Erfindung, sind ein spezieller Träger
oder Sockel für elektronische Vorrichtungen und Geräte und ein Verfahren für dessen Herstellung. Das Hauptmerkmal
der vorliegenden Erfindung ist das Anwenden einer Vakuum-Verdampfungstechnik (bzw. Ver- und Aufdampf ungs te chnik). eines Kathodenzerstäuhens (und .-auf- ·
stäubens), eines Aufspritzens, oder eines Schablonen»
druckens für die Herstellung elektrischer Stromkre-ise,
wie z.B. sogen, "gedruckter Schaltungen", wodurch diese
Stromkreise bzw. Stromkreisleitungen direkt auf die obere Oberfläche des isolierenden Substrats oder der
Isolierschicht des Trägers abgesetzt oder niedergeschlagen
werden.
Bekannte Träger oder Sockel für elektronische Elemente, besonders für Transistoren und integrierte Strom-
109802/U88
5591/04 Bu/Sch - 2 - 6. August 19?0
kreise, haben eine schüsseiförmige Metallschale, wobei
der Boden der Schüssel nach oben weist. Es sind hierbei mehrere Bohrungen für das Durchtreten von Drähten im
Schüsselboden vorgesehen, welche in der Schüssel (Sockel) mit Hilfe von gesintertem Glas hermetisch versiegelt oder
gedichtet, z.B. "eingeschmolzen" sind. Hierdurch dienen die Drahtleitungen als äußere elektrische Enden des Stromkreises.
Die Enden dieser Drähte stehen ein wenig durch und über die obere Oberfläche des Trägers (Sockels) hinaus.
Um einen elektrischen Stromkreis (elektrisch leitende Verbindungen) auf der oberen Oberfläche der Sockel- oder
Trägerschüssel zwischen diesen hervorstehenden Drahtenden herzustellen, muß man zuerst eine Isolierschicht
anbringen oder den Stromkreis (Schaltungskreis) auf einem besonderen Substrat herstellen, das ganz oder
teilweise gegen die metallische Trägerschüssel isoliert ist. Die elektrische Verbindung zwischen den Drahtleitungen
und den einzelnen Enden des Mikro-Stromkreises muß
durch feine oder dünne metallische Drähte realisiert werden. Auch verschiedene andere Modifikationen von Trägern
(Sockeln) sind bekannt, aber in jedem Falle kann die obere Oberfläche der metallischen Schüssel nicht als ein
Substrat benutzt werden, auf welche ein Mikro-Stromkreis durch Vakuum-Niederschlägen, Aufdampfen, Aufspritzen
oder Kathodenzerstäuben oder durch Aufdrucken (Schablonenoder
Maskendrucken) aufgebracht werden kann, weil^es
nämlich nicht möglich ist, eine genügend glatt polierte Oberfläche zu erhalten oder Masken (Schablonen, Vignetten)
für Vakuum-Niederschlägen für Kathodenzerstäuben und
-Niederschlagen oder für Aufdrucken (ggfs. Siebdrucken)
zu verwenden, wobei der Grund hierfür auch darin liegt, daß die Drahtenden die Arbeit behindern.
Die Nachteile von bekannten Trägern (Sockeln) bestehen vor allem in den zuvor erwähnten Verbindungedrähten
für die Verbindung mit bzw. zu den Drahtleitungen. Das Herstellen
dieser Verbindungen (mittels der Verbindungsdrähte)
1098U9/U88
559l/o4/3u/Ma - 3 - 6. August 1970
ist zeitraubend, und darüberhinaus erfordert es eine hochspezialisierte
Ausrüstung (auch gerätemäßig) für Ultraschallschweißen oder für Kaltschweißen mit Gold. Sehr oft
können diese (Verbindungs-) Drähte brechen oder variable Streukapazitäten hervorrufen, welche die Stromkreis-Charakteristiken
stören und beeinträchtigen.
Der Träger oder Sockel für elektronische Vorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung vermeidet diese Nachteile
durch Vakuum-Niederschlägen, Aufspritzen, Aufdampfen (Kathodenzerstäuben) oder Aufdrucken (ggfs. Siebdrucken)
der Verbindungen zwischen Leitungsdrähten und Enden des Mikro-Stromkreises ebenso wie Teilen des Mikro-Stromkreises
direkt auf den oberen Oberfläche des isolierenden Substrats (isolierenden Sockel-Bestandteils). Teile des Mikro-Stromkreises
werden in einer oder mehreren Schichten oder Lagen von mehr oder weniger (elektrisch) leitenden Segmenten
(bzw. als mehrschichtige Segmente) abgelegt.
Leitungsdrähte werden in dem metallischen Trägerrahmen
(Sockel-Einfassung) mit Hilfe -*cn homogenem Glas versiegelt
oder gedichtet bzw. dicht eingebracht (z.B. eingeschuo^ssn.) ,
so daß dieses Glas ein Glassubstrat im Träger (Sockel) bildet, also ein von der Sockel-Einfassung gefaßter innerer
Glaskörper ist, in und durch den die Drähte eingebettet laufen. Die obere Oberfläche des Glassubstrats wird geschliffen
und dann bevorzugt optisch (d.h. optisch genau.) poliert, wobei erreicht wird, daß die Enden der Leitungsdrähte
mit der oberen Oberfläche des Glassubstrats bündig sind. Dann kann man vakuum-abIegen, zerstäuben, aufspritzen
oder aufdampfen (kothoden-zerstäuben) oder drucken (Schablonendrücken, maskendrucken, siebdrucken etc.), und
zwar erzeugt man so leitende oder isolierende Segmente mit Hilfe von entsprechend angepaßt geformten Schablonen,
Vignetten oder Masken, die auf die obere Oberfläche des Glassubstrats des Trägers aufgelegt wurden« Die Anzahl
von Leitungsdrähten hängt selbstveretandlich ab von der
109803/1488
559l/04/3u/Ma - 4 - 6. August I97O
Art der Stromkreise, die auf dem Träger oder Sockel aufgebracht werden (sollen).
Gemäß der Grundidee der Erfindung können Glaskeramik (glaskeramische Stoffe), wie z.B. Pyroceram oder keramische
Stoffe verwendet werden, dies anstelle des üblichen Metalldichtungsglases. Wenn man Pyroceram verwendet, sind alle
Arbeitsvorgänge einschließlich des Polierens die gleichen wie im Falle der Anwendung von Dichtungsglas, und dann
wird Pyroceram in keramische Stoffe durch bekannte Prozeduren umgewandelt. Wenn indessen als Isoliersubstrat
keramische Stoffe anstelle von Dichtungsglas verwendet werden, dann werden die mechanische Fixierung und das Versiegeln
bzw. Dichten der Drähte oder Leitungen durch Verlöten mit Lötmittel oder Dichtungsglas erzielt.
Gemäß der Erfindung wird der Träger (Sockel) durch "Einsiegeln", etwa Einschmelzen, dichtes Einsetzen von
gegenseitig (voneinander) isolierten Leitungsdrähten in einen metallischen Trägerrahmen hergestellt, bevorzugt
mit Hilfe von Kohle- oder Keramik-Schablonen (Vorrichtungen, Montagegestellen). Zuerst wird die Erdleitung an den
Rahmen (Einfassung) angeschweißt oder angelötet, dann wird der Rahmen zusammen mit der Erdleitung gereinigt und in
die Schablone (Vorrichtung) eingesetzt, welche entsprechend angeordnete Bohrungen für die anderen Drähte besitzt, welch
letztere dann in die genannten Bohrungen eingesetzt oder tin
bzw. durch diese durchgesteckt werden. Auch ein zylindrisches Stück aus homogenem Glas wird zwischen den Drähten
eingefügt oder eingesetzt. Dann werden die Schablonen (Vorrichtungen) zusammen mit den Rahmen, den Drähten und
den Stücken aus homogenem Glas in einer neutralen und extrem reinen Atmosphäre erhitzt, so daß das Glas sich
erweicht und das Innere des Rahmens ausfüllt, so wie dies
der Rahmen (Einfassung) und die Schablone (Vorrichtung) gestatten.
Durch Kühlen wird das Glas hart, und ·· erzeugt baw.
109809/1488 '" 5 "
5591/OVBu/Ma ■ . - 5 - 6. August 1970
bildet dann das Glassubstrat, in welchem die einzelnen Leitungsdrähte (getrennt voneinander) fest sitzen. Dann
werden die Träger (Sockel) aus der Schablone herausgenommen, und die Metallteile werden oberflächenbehandelt. Schließlich
wird überflüssiges Glas durch Schleifen entfernt, wobei
die ebene obere Oberfläche des Glassubstrats geformt wird
(ihre richtige Gestalt erhält). Gleichzeitig wird erreicht, daß die Enden der Leitungsdrähte mit der geschliffenen
oberen Fläche des Glassubstrats bündig sind. Dank der An- wendung
von homogenem Glas anstelle des sonst üblichen Glasschrots (Glaskügelehen) oder Sinterglases wird durch
anschließendes optisches Polieren eine völlig glatte Oberfläche erzielt. Ein voll homogenes Glassubstrat kann aus M
Sinterglas nicht erzielt werden, nämlich wegen der zahlreichen feinen Glasblasen, welche Löcher in der polierten
Oberfläche hinterlassen bzw. bilden. Alsdann werden angemessen oder angepaßt geformte Stromkreissegmente oder
-elemente auf die polierte Oberfläche des Glassubstrats aufgebracht. Dies wird durch Vakuum-Verdampfen bzw. -Aufdampfen,
durch Zerstäuben, Aufspritzen, durch Kathodenzerstäuben oder durch Aufdrucken (Schablonendrücken,'ggfs#
Siebdrucken), also durch übliche und bekannte Vorgänge,
erreicht. Die Segmente repräsentieren also sowohl Teile oder Teilstücke des MikßjrStromkreises wie auch Verbindungen
zwischen den Stromlcreiselementen und den Leitungsdrähten. Leitende Segmente können sehr verschiedene spezifische M
Oberflächenwiderstände haben, so daß sie in manchen Fällen einen guten elektrischen Leiter, in anderen Fällen aber einen
elektrischen Isolator bilden. Manche Verbindungen können auch durch verbindende Drähte hergestellt werden.
Wenn notwendig, können auch aktive Standardelemente, wie etwa Transistoren oder Dioden,in die Stromkreise eingesetzt
(eingefügt) werden.
Anschließend kann die Metallkappe (Schutzkappe), welche den Stromkreis gegen äußere Einfluss© schützt, angelötet oder angeschweißt oder in »iner bekannten Weiee auf
109806-/1408
559l/o4/Bu/Ma - 6 - 6. August 1970
den oder an den Trägerrahraen (Sockeleinfassung) angesetzt,
aufgesetzt oder aufgesteckt werden.
Eine Ausführungsform der Erfindung, in Form eines
Trägers (Sockels) für elektronische Vorrichtungen und eines Verfahrens für dessen Herstellung, wird nun im einzelnen
anhand der Zeichnung beschrieben.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 einen Längsschnitt des Sockels mit seiner Schutzkappe,
Fig. 2 eine Draufsicht von oben auf den Sockel ohne Schutzkappe,
Fig. 3 -einen Längsschnitt des Sockels vor der
Dichtung (Versiegelung),
Fig. 4 einen Längsschnitt des Sockels nach dem Dichten (Versiegeln), jedoch vor dem
Schleifen der oberen Oberfläche des Glassubstrate.
Der Sockel oder Träger für elektronische Vorrichtungen nach den Figuren 1 und 2 besitzt als Einfassung einen
Metallrahmen 1, der aus einer Legierung von Kobalt, Eisen und Nickel, bekannt under der Handelsbezeichnung "Kovar",
hergestellt ist. Der Rahmen 1 dieses Ausführungsbeispieles hat die Größe eines üblichen (standardisierten, ggfs. genormten)
Transistorsockels mit der international üblichen Bezeichnung TO 5· Die Erdungsleitung 2 ist am genannten
Rahmen 1 angelötet oder angeschweißt. Im Inneren des Rahmens 1 befindet sich das Glassubstrat 3» welches durch
Schmelzen von homogenem Kovar-Glas erzeugt ist. Leitungsdrähte
4,5,6 sind in das Glassubstrat eingesiegelt bzw. eingeschmolzen und in derselben Weise angeordnet, wie bei
standardgemäßen (üblichen) Transistorsockeln. Die Drähte 4,5,6 sind also gegenseitig und auch gegenüber dem Rahmen
1 elektrisch isoliert. Die Drähte 2,4,5,6 sind aus derselben
Legierung wie der Rahmen hergestellt. Dmr Rahmen 1
umfaßt ein Auge oder einen Ansatz 7, der die Lage der
109809/U88
5591/oVBu/Ma - 7 - ο. August 1970
Leitungsdrähte 2*,4,5,6 anzeigt. Schließlich ist eine
Schutzkappe ö, die den Stromkreis gegen Beschädigung abschirmt
und schützt, an den Rahmen 1 angelötet oder angeschweißt. Segmente 9 sind vakuum-niedergeschlagen (durch
Vakuum-Verdampfungsverfahren aufgebracht), und zwar auf
der polierten oberen Oberfläche des Glassubstrats 3· Die
Drähte und der Rahmen erhalten ihre Fertigbehandlung (Oberflächenbehandlung)
durch ^old-Plattieren der über das Glas
überstehenden Flächen.
Träger (Sockel) gemäß der Erfindung werden so hergestellt,
daß ein Erdungsdraht 2 an den Rahmen 1 angeschweißt oder angelötet wird. Dann wird der genannte Rahmen 1 zusammen
mit dem Draht 2 entfettet, z.B. durch ein organisches
Entfettungs- oder Lösungsmittel, und alsdann wird er getrocknet. Der so präparierte Rahmen wird in einer Atmosphäre
von "gefeuchtetem" (z.B. in einer übersättigten Wasserstoffatmosphäre) Wasserstoff, bevorzugt bei einer
Temperatur von ungefähr 900 C, normalisiert (geglüht),
damit der Rahmen oberflächengereinigt wird, so daß während
des G la s schmelz ens keine Glas-B:1 isen im Glase auftreten«
Hierauf wird der Rahmen 1 mit dem Erdungsdraht 2 in
den oberen Teil einer zweiteiligen Vorrichtung oder Schablone eingesetzt, welche Bohrungen (Führungsbohrungen) für
die Leitungsdrähte 2,4,5»ö besitzt, wobei diese Bohrungen
entsprechend und in Übereinstimmung mit der Anordnung der
Leitungsdrähte eines Standard-Transistorsockels angeordnet sind, und wobei die Vorrichtung oder die Schablone eine
Rinne oder eine Nut oder auch eine Kerbe besitzt, in welche eine nach außen gewandte untere Kante des Trägerrahmens 1
und ein Orientierungsauge 7 passen. Die Leitungsdrähte 4,
5,6, welche zuvor auf die erforderlichen Längen abgeschnitten,
entfettet, unter Wasserstoff normalisiert (geglüht) und oberflächenoxydiert worden waren, werden nun
in die Bohrungen des unteren Teils der Schablone oder Vorrichtung eingeführt. Ein Block 11 aus homogenem Glas wird
109809/1488
5591/O4/Bu/Me - 8 - ο. August 1970
zwischen die genannten Drähte eingefügt oder eingesetzt. Wenn man Trägerrahmen (Einfassungen) 1 benutzt, welche eine
dem Standard-Transistorsockel TO 5 entsprechende Große haben, dann wird korrektes Dichten oder Versiegeln (auch:
dichtes Einschmelzen) erzielt durch Glasblöcke, die einen Durchmesser von 4,5 his 5 nun und eine Länge von 7»5 bis
ö mm besitzen. Alsdann werden die ringförmigen Rahmen 1
mit Hilfe des oberen Teiles 12 der Schablone oder Vorrichtung befestigt, welche die nach außen gewandten (flanschartigen)
Kanten der Rahmen 1 gegen den unteren Teil 10 der Vorrichtung oder Schablone pressen. Deshalb muß der
obere Teil 12 der Schablone oder Vorrichtung so viele
fe Bohrungen umfassen, wie Rahmen vorhanden sind, die in eine
einzige Schablone eingesetzt werden sollen. Ein Teil der Schablone oder Vorrichtung ist in einem Längsschnitt mit
(nur) einem eingesetzten Rahmen, mit eingesetzten Drähten, und mit eingesetztem Glasblock in Fig. 3 gezeigt. Alsdann
wird die Vorrichtung zusammen mit den (eingesetzten) Rahmen, Glasblöcken und Drähten unter einer Atmosphäre von
extrem purem Stickstoff auf die DAuer von 20 bis 30
Minuten bei bzw. bis zu einer Temperatur von 950 bis IO5O
C aufheizt, so daß das Glas (zähflüssig bis flüssig) weich wird und das Innere der Rahmen 1 ausfüllt. Wenn nun das
Glas abgekühlt wird, dann wird es hart und bildet das Glassubstrat, durch und in welches die Drähte 2,4,5f6 fixiert
V (ortsfestgelegt und eingeschmolzen) sind. Fig. 4 zeigt
einen Teil der Vorrichtung oder Schablone in Längsschnitt, nachdem die Drähte in dem Rahmen durch homogenes Glas versiegelt
(eingeschmolzen) worden sind. Sobald das Glas wieder erhärtet und abgekühlt ist, werden die Träger oder
Sockel aus der Vorrichtung oder Schablone 10,12 entfernt und oberflächenbearbeitet. Zuerst wird die Oxidschicht
durch Atzen entfernt, und die Oberfläche wird durch
galvanisches Gold-Plattieren oder Gold-Auflegen angereichert.
Schließlich wird überflüssiges Glas durch Schleifen entfernt, so daß die Enden der Drähte oder Leitungsdrähte
4,5*6 bündig sind mit der geschliffenen oberen Ober-
109809/U88
5591/0VT-h/Ka. - 9 - '6. August 1970
fläche des Glassubstrats 3»wobei die Träger oder Sockel
auf der Schleif- und Polierplatte durch ein Klebeharz befestigt werden, so daß die untere nach außen gewandte
Kante des Trägerrahmens auf der -optisch ebenen oberen Oberfläche der Schleifplatte haftet, welche Bohrungen hat, in
welche die Drähte oder Leitungsdrähte 4,5»6 hineinreichen·
Das Schleifen wird in der bekannten Art des Glasschleifens
mit Hilfe von h. bis 6 Granulositäts-Graden (Korngrößen)
der Schleifmittel durchgeführt. Beim Schleifen werden die Enden der Leitungsdrähte gleichzeitig mit dem Glas geschliffen
(überschliffen). Nach dem Feinschleifen folgt das
optische Polieren nach einem bekannten Verfahren und mit bekannten Poliermitteln, z.B. mit Zer—·(Cerium)- oder
Zirkoniumoxid (Zer- oder Zirkonoxid)auf Hartfilz oder Harz. Nach dem Polieren werden die Träger (Sockel) von der
Platte durch ein organisches Lösungsmittel, beispielsweise Perchloroäthylen, abgleimt (entfernt), mehrmals in
dem genannten Lösungsmittel gewaschen und dann in angepaßte oder geeignete Halter plaziert und mit Hilfe von
Ultraschall in drei bis sechs Reinigungslösungen gereinigt und alsdann schließlich durch Dämpfe des Lösungsmittels
getrocknet, um nämlich eine völlig saubere obere Oberfläche ihres Glassubstrats zu erhalten. Angepaßte oder
adäquat geformte Leitungssegmente, Widerstandssegmente und isolierende Segmente werden im Vakuumverfahren in
mehreren Lagen oder Schichten auf einen so präparierten Träger unter Anwendung von Masken (Schablonen, Ausschnitts-,
masken) abgesetzt bzw. niedergeschlagen . Leitende Segmente werden durch Ver- bzw. Aufdampfen von beispielsweise
Gold, Silber oder Aluminium hergestellt; Widerstandeelemente bestehen aus Legierungen von Nickel und Chrom oder
beispielsweise Si+Cr, Cr+CrO, Al0O Uu, und Isolierschicht
ten oder -beläge bestehen prinzipiell aus SiO..
Entsprechend der Grundidee der Erfindung können die
Segmente, wie schon erwähnt, durch Kathodenzerstäubung oder durch Schablonen- oder Maeksndrucken, Ausschnittdrucken
(oder ggf·. Siebdrücken) in, «ine? bekannt «hl Will«·
101808/1488
-so -
- 10 - 6. August 1970
auf die polierte Oberfläche des Glassubstrats aufgebracht
werden. In gleicher Weise können das Einsetzen
ι des Glases und der Drähte und die Gestalt der Substrate
verschiedene Variationen erfahren, ohne daß der Rahmen der Erfindung verlassen würde; beispielsweise können
Leitungsdrähte in ein homogenes Glassubstrat mit Hilfe von entsprechend oder adäquat geformten Vorrichtungen
oder Schablonen eingesetzt oder eingesiegelt (eingeschmolzen) werden, wobei der Träger-Metallrahmen (Einfassung)
überflüssig wird. Die Vorrichtungen oder Schablonen können aus Graphit oder aus Stahl oder aus keramischen
Stoffen bestehen, mit besonderen an sich bekannten Belägen, welche das Festhaften des Glases an den Vor-
Jjfr richtungen verhindert.
In solchem Falle wird die Erdleitung überflüssig, oder sie erzielt die elektrische Verbindung mit einer auf die
Kante des Glassubstrats abgeschiedenen Metallschicht. In solchem Falle kann die Metallkappe auf das Substrat mit
Hilfe eine leitenden synthetischen Harzes oder eines Glaslötmittels (aufgesteckt und) befestigt werden, oder
sie wird an die metallisierte oder metallbelegte Kante des Glassubstrats angelötet.
In gleicher Weise kann der Träger oder Sockel gemäß
^ der Grundidee der Erfindung eine rechteckige Gestalt haben
und auch eine größere Anzahl von entsprechend oder willkürlich angeordneten Drahtleitungen besitzen.
Kathodenzerstäuben und -niederschlagen umfaßt auch Elektronenstrahlzerstauben und -niederschlagen.
Auch Ver- und Aufdampfen mittels Laserstrahls kommt ggfs. in Frage.
- Patentansprüche -- 11 -
109809/1488
Claims (4)
- 5591/04/Bu/Ma - 11 - 6. August 1970PatentansprücheTräger oder Sockel für elektronische Vorrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß er mehrere Drahtleitungen (2,4,5,6) besitzt, die in ein homogenes Glassubstrat (3) eingesiegelt (dicht eingesetzt, eingeschmolzen) sind, wobei die obere Oberfläche des Glassubstrats (3) bündig mit den Enden der Leitungsdrahte. (4,5»6) und optisch^ poliert ist.
- 2. Träger nach Anspruch 1, dadurch ge k e η η ζ e i c h-n e t, daß leitende Segmente.(Abschnitte) (9) unmittel- bar auf die obere polierte Oberfläche des Glassubstrats (3) aufgebracht sind, und zwar durch Vakuumaufdampfen, Ausspritzen, Kathodenzerstäuben, Aufdrucken, Schablonenbzw. Maskendrucken (ggfs. Siebdrucken), bevorzugt in mehreren Schichten (z.B. Belägen übereinander).
- 3. Träger nach Ansprüchen !oder 2, dadurch g e k β η η zeichnet, daß das Glassubstrat (3) einen metallischen Trägerrahmen (1) besitzt, an den eine Metallkappe (8) befestigt ist.
- 4. Verfahren zum Herstellen eines Trägers gemäß einemoder mehreren der Ansprüche 1 bis 3t dadurch ge- Λkennzeichnet, daß Leitungsdrähte 'in ein homogenes Glassubstrat dicht eingesetzt (eingesiegelt, eingeschmolzen) werden, und zwar mit Hilfe von entsprechend geformten Vorrichtungen oder Schablonen, wobei bzv. worauf die obere Oberfläche des Glassubstrats geschliffen und optisch poliert wird, und wobei bzw. worauf die Stromkreisteile bzw. -Segmente, bevorzugt durch ein Vakuumverfahren, direkt auf die obere Oberfläche des Glassubstrats und bei den Enden der Leitungsdrähte abgesetzt (niedergeschlagen) werden, welche Enden mit der oberen Oberfläche des Glassubstrats bündig sind, so- 1 2 -1Ö98Q9/U88 · ■'5591/C>V3u/lla - 12 - 6. August 1970daß hierdurch elektrische Verbindungen zwischen den Leitungsdrähten und den Elementen des Mikro-Stromkreises (Mikro-Schaltung) erzielt werden·I09809/U88
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
YU2068/69A YU34342B (en) | 1969-08-11 | 1969-08-11 | Socket for electronic components and micro-circuits |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2039887A1 true DE2039887A1 (de) | 1971-02-25 |
DE2039887B2 DE2039887B2 (de) | 1976-12-30 |
Family
ID=25556718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702039887 Pending DE2039887B2 (de) | 1969-08-11 | 1970-08-11 | Verfahren zur herstellung eines sockels fuer mikroschaltkreise |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3735213A (de) |
DE (1) | DE2039887B2 (de) |
FR (1) | FR2056807A5 (de) |
GB (1) | GB1320706A (de) |
YU (1) | YU34342B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10221706A1 (de) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Schott Glas | TO-Gehäuse für den Hochfrequenzbereich |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3952403A (en) * | 1973-10-19 | 1976-04-27 | Motorola, Inc. | Shell eyelet axial lead header for planar contact semiconductive device |
US3857993A (en) * | 1973-11-21 | 1974-12-31 | Raytheon Co | Beam lead semiconductor package |
JPS59155950A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用セラミックパッケージ |
DE3732075A1 (de) * | 1987-09-23 | 1989-04-06 | Siemens Ag | Hermetisch dichtes glas-metallgehaeuse fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu dessen herstellung |
US5198885A (en) * | 1991-05-16 | 1993-03-30 | Cts Corporation | Ceramic base power package |
CN105458701A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-04-06 | 宜兴市吉泰电子有限公司 | 一种电子封装用金属外壳装配模具 |
CN106601701B (zh) * | 2017-01-19 | 2023-03-28 | 贵州煜立电子科技有限公司 | 大功率二端表面引出脚电子元器件立体封装方法及结构 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2629802A (en) * | 1951-12-07 | 1953-02-24 | Rca Corp | Photocell amplifier construction |
US3254389A (en) * | 1961-12-05 | 1966-06-07 | Hughes Aircraft Co | Method of making a ceramic supported semiconductor device |
US3264712A (en) * | 1962-06-04 | 1966-08-09 | Nippon Electric Co | Semiconductor devices |
US3341649A (en) * | 1964-01-17 | 1967-09-12 | Signetics Corp | Modular package for semiconductor devices |
GB1128439A (en) * | 1967-07-25 | 1968-09-25 | Associated Semiconductor Mft | Improvements in and relating to methods of manufacturing semiconductor device containers |
-
1969
- 1969-08-11 YU YU2068/69A patent/YU34342B/xx unknown
-
1970
- 1970-08-07 GB GB3819570A patent/GB1320706A/en not_active Expired
- 1970-08-10 FR FR7029432A patent/FR2056807A5/fr not_active Expired
- 1970-08-10 US US00062459A patent/US3735213A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-08-11 DE DE19702039887 patent/DE2039887B2/de active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10221706A1 (de) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Schott Glas | TO-Gehäuse für den Hochfrequenzbereich |
DE10221706B4 (de) * | 2002-05-16 | 2006-04-20 | Schott Ag | TO-Gehäuse für Hochfrequenzanwendungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1320706A (en) | 1973-06-20 |
DE2039887B2 (de) | 1976-12-30 |
YU206869A (en) | 1978-10-31 |
FR2056807A5 (de) | 1971-05-14 |
US3735213A (en) | 1973-05-22 |
YU34342B (en) | 1979-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1640457C2 (de) | ||
DE1766528B1 (de) | Elektrischer modulbauteil | |
DE69127910T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Träger, Verfahren zu seiner Herstellung, und Verfahren zum Herstellen des Trägers | |
DE1564491B2 (de) | Integriertes halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3042085A1 (de) | Halbleiterplaettchen-montageaufbau und verfahren zu seiner herstellung | |
DE1260034B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dichtungsrahmens zum Einkapseln einer Halbleiteranordnung | |
DE2548122A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines einheitlichen bauelementes aus einem halbleiterplaettchen und einem substrat | |
CH424889A (de) | Verfahren zur Herstellung von lötfähigen Kontaktstellen | |
DE2039887A1 (de) | Sockel fuer elektronische Vorrichtungen und Verfahren fuer deren Herstellung | |
DE1915501C3 (de) | Verfahren zum Verbinden einer integrierten Schaltung mit äußeren elektrischen Zuleitungen | |
DE2926516A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines metallfolienwiderstandes und metallfolienwiderstand | |
DE2136201C3 (de) | Verfahren zum Anbringen metallischer Zuleitungen an einem elektrischen Festkörper-Bauelement | |
DE2528000A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer loetflaeche relativ grosser abmessungen | |
DE3406542A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes | |
DE1957979A1 (de) | Verfahren zum Metallisieren der Oberflaeche eines Keramikkoerpers | |
EP0104580B1 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Chip-Bauelemente | |
DE1465736A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen | |
EP0278485B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Digitalisiertabletts | |
DE2835017A1 (de) | Verfahren zur herstellung von ueberspannungsableitern | |
DE2003423C3 (de) | Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen | |
DE1285581C2 (de) | Traeger mit einer Mikroschaltung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2513509A1 (de) | Duennschicht-chipkondensator | |
DE3721929C2 (de) | ||
DE4008215A1 (de) | Basismaterial zur erzeugung von elektrischen leitstrukturen | |
DE1465736C (de) | Funktionsblock. insbesondere fur datenverarbeitende Anlagen |