DE3721929C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Leiterbahnen in Halbleiterelementen der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art. Sie ist hauptsächlich in der Mikroelektronik anwendbar. Dort verwendete Halbleiterelemente bestehen aus verschiedenen dotierten Halbleiterregionen, die von einem isolierenden Körper getragen werden und bei dem die Halbleiterregionen durch vornehmlich metallische Leiterbahnen untereinander oder mit dem Äußeren stromleitend verbunden sind.

Der Oberbegriff des Anspruchs 1 bezieht sich auf den aus der US-PS 33 97 278 bekannten Stand der Technik.

In der US-PS 33 97 278 sowie in G. Wallis und D.I. Pomerantz, Field assisted glass-metal sealing, J. Appl. Physics, Bd. 40, Heft 10, S. 3946-3949, wird das anodische Bonden, d. h. das Herstellen von mechanisch nicht zerstörbaren Verbindungen aus einem elektrisch leitenden Teil und einem anorganisch isolierenden Teil beschrieben. Der isolierende Teil muß bei erhöhter Temperatur eine gewisse Leitfähigkeit durch Ionen einer Polarität besitzen, die Ionen der anderen Polarität müssen bei dieser Temperatur noch ortsfest bleiben. Solche Verhältnisse finden sich bei einer Reihe von anorganischen Isolatoren, z. B. bei Gläsern, Quarz und gewissen Keramiken. Die zu verbindenden Oberflächen müssen ferner so gut parallel bearbeitet sein, daß ihr Abstand überall kleiner als etwa 1 µm ist. Die beiden Teile werden mit den zu verbindenden Oberflächen aneinandergelegt, auf eine Temperatur von einigen hundert Grad Celsius erhitzt, so daß im Isolator eine gewisse Leitfähigkeit im oben genannten Sinne entsteht. Dabei wird eine Gleichspannung von 200 bis 2000 V an beide zu verbindenden Teile so gelegt, daß der isolierende Teil an demjenigen Pol liegt, der die beweglich gewordenen Ionen aus ihm absaugt. Die ortsfesten Ionen bilden dann in der Gegend der zu verbindenden Oberfläche eine Raumladung, es entsteht eine elektrostatische Kraft zwischen den Oberflächen des Leiters und des Isolators, die beiden Oberflächen werden aneinandergezogen und vereinen sich zu einer festen mechanischen Verbindung. Auch eine durch anodisches Bonden in dieser Weise gebildete Verbindung zwischen einem Isolator und einem leitenden Teil ist in dem Sinne hermetisch, als sie jedes Eindringen in die beim Bonden beteiligten Materialien durch angreifende Stoffe in die Verbindungsschicht verhindert.

In der Mikroelektronik verwendete Halbleiterelemente bestehen aus Halbleiterschichten, die in verschiedenen Regionen in verschiedener Weise dotiert oder undotiert sind. Zu diesen Regionen führen Zu- und Ableitungen für Ströme und Spannungen. Es können aber auch leitende Verbindungen zwischen verschiedenen Regionen des Halbleiters angebracht sein und leitende Verbindungen, die das ganze Bauelement in der Art eines Faraday′schen Käfigs umschließen.

Anfänglich wurde zu solchen Leiterbahnen Aluminium benutzt, das beispielsweise auf die betreffenden Stellen durch Aufdampfen oder Aufsputtern aufgebracht wurde und das gegebenenfalls durch Ätzen wieder teilweise entfernt werden konnte. Unter Sputtern wird die Übertragung von Metall von einer Metallfläche, von der es durch einen auftreffenden Strom von Ionen abgetragen wird, auf eine andere Fläche verstanden. Da die Metallquelle beim Sputtern flächenhaft sein kann, ist im Gegensatz zum Aufdampfen, wo die Metallfläche oft ein Draht ist, das Herstellen von gleichmäßigen Auflagen auf der Fläche, auf der das Metall abgeschieden wird, einfacher. Da beim Sputtern mit der Übertragung des Materials keine merkliche Temperatureinwirkung verbunden ist, lassen sich auch Gemische mit merklich auseinander liegendem Siedepunkt in der richtigen Zusammensetzung übertragen. Es werden mit solchen Verfahren Verbindungsnetze hoher Leitfähigkeit erhalten. Gleichzeitig muß in Kauf genommen werden, daß beim Übertragen von Aluminium bei der hohen Korrosionsfähigkeit dieses Metalles korrodierende Stoffe längs der Verbindungsflächen eindringen können. Solcherart aufgebaute Elemente benötigen daher gesonderte, hermetisch dichte Gehäuse, in denen sie eingeschlossen werden müssen. Darüber hinaus macht die elektrische Zuführung oder Ableitung von oder nach außen Schwierigkeiten, da die Verbindung solcher Zuleitungen mit der dünnen Aluminiumschicht besondere Techniken erfordert.

Eine Verbesserung brachte für Silizium-Halbleiterelemente das Ersetzen des Aluminiums durch Metallsilizide als leitfähige Schicht. Ihre elektrische Leitfähigkeit liegt in der Nähe der von Metallen. Sie lassen sich hermetisch dicht auf dem Silizium herstellen und haben eine hohe chemische Beständigkeit. Eine Darstellung der Eigenschaften der Metallsilizide in bezug auf ihre Verwendung in der Mikroelektronik findet man bei S.P. Muraka, Silcides for VLS/applications, Academic Press, 1983, Seiten 2-9 und 115-116 sowie Refractory silicides for integrated circuits, J. Vac. Sci. Technol. Bd. 17, Heft 4, S. 775-792, 1980. Daraus sind in der untenstehenden Tabelle 1 die für die Mikroelektronik wichtigsten Daten für die am häufigsten gebrauchten Metallsilizide und zum Vergleich für das Silizium angegeben. Als Sintertemperatur ist das Temperaturgebiet wiedergegeben, bei der man an der Grenzfläche zwischen den beiden getrennten Bestandteilen des Silizids dieses durch einfaches Sintern herstellen kann. Bei Silizium wird als höchster elektrischer Widerstand der von reinem Silizium, als niedrigster Widerstand der von dotiertem Silizium angegeben. Die genannten Silizide besitzen eine metallische Leitfähigkeit, der Temperaturkoeffizient des Widerstandes ist positiv.

Tabelle 1

Daten von Metallsiliziden und Silizium

Hergestellt werden Metallsilizide durch Aufdampfen oder Sputtern des Metalls auf Silizium, wobei letzteres sowohl als Einkristall wie auch in polykristalliner Form vorliegen kann. Anschließend werden die Metallschichten bei den in der Tabelle 1 angegebenen Sintertemperaturen mit dem Silizium zu Siliziden verbunden. Beim Sinterprozeß dringt das Silizium in das Metall ein. Ist das Silizium im Überschuß vorhanden, entsteht nach genügender Sinterzeit eine kompakte Metallsilizidschicht auf reinem Silizium, die mechanisch nicht abgetrennt werden kann.

Eine besondere Bedeutung hat das Platinsilizid, da es gut bei Temperaturen gebildet werden kann, die unter den zur Dotierung von Silizium verwendeten Temperaturen liegen. Das Silizium kann also zuerst dotiert werden, dann läßt sich eine Platinsilizidschicht aufbringen. Das Platinsilizid ist chemisch resistent, läßt sich nicht wie das reine Platin in Königswasser sondern nur in einer Lösung von HF und HNO₃ in Wasser ätzen, während reines Silizium mit KOH geätzt werden kann. Darüber hinaus besitzt das Platinsilizid einen niedrigen Widerstand. Hat das Silizium, mit dem das Platin silizidiert werden soll, eine oxydierte Oberfläche, so gelingt an diesen Stellen die Herstellung des Platinsilizids durch Sintern nicht, das aufgebrachte Platin läßt sich durch Königswasser lösen. Es ist möglich, Platinsilizid, nachdem es elektroplattiert wurde, mit anderen Metallen zu verlöten oder zu verschweißen.

Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen Weg aufzuzeigen, wie beim Aufbau eines Halbleiterelementes Leiterbahnen hergestellt werden können, die gegen störende Einflüsse von außen völlig geschützt, also hermetisch dicht sind, eine hohe Verbindungsfestigkeit zwischen den Schichten ergeben und in der Mikroelektronik angewendet werden können. Die Lösung dieser Aufgabe geschieht durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale. Obwohl anodisches Bonden an sich seit langem bekannt ist, wurde es noch nie auf durch Sintern gewonnene dünne Metallsilizidschichten auf einem Halbleiterkörper angewendet. Die weiteren Patentansprüche betreffen die vorteilhafte Ausgestaltung dieses Verfahrens sowie die Verwendung eines mit Hilfe dieses Verfahrens hergestellen Gegenstandes.

Das Verfahren wird beispielhaft in den Zeichnungen erläutert und einige Ausführungsbeispiele für mit dem Verfahren herzustellende Einrichtungen gegeben. Dabei zeigt

Fig. 1 einen Siliziumkörper mit Metall- beziehungsweise Metallsilizidschicht,

Fig. 2 eine Vorrichtung zum anodischen Bonden,

Fig. 3 ein durch Sintern und anodisches Bonden gewonnenes Bauelement,

Fig. 4 ein Halbleiterelement in verschiedenen Herstellungsstufen,

Fig. 5 einen Halbleiterkörper mit elektrischen Zuleitungen, die durch Bohrungen im Glas gehen,

Fig. 6 ein Halbleiterbauelement und

Fig. 7 ein thermisches Druckelement.

In allen Figuren sind gleichartige Teile mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.

Ausführung des Verfahrens, Beispiele für damit herstellbare Einrichtungen: Die Grundlagen des Verfahrens werden beispielhaft in den Fig. 1 bis 3 erläutert. Die Fig. 1 zeigt im Prinzip den Aufbau eines leitenden Teiles, das zum anodischen Bonden mit einem Isolator benutzt wird. Auf einem Siliziumkörper 1 an der zum Bonden vorgesehenen Fläche wird eine Metallschicht 2 möglichst gleichmäßig aufgetragen, was durch Aufbringen eines dünnen Filmes durch Aufdampfen oder Aufsputtern geschehen kann. Der Siliziumkörper 1 wird nun auf die in der Tabelle 1 angegebene Sintertemperatur erhitzt und so das Metall in das entsprechende Metallsilizid überführt. Soll das Metall vollständig in das Metallsilizid überführt werden, so muß Silizium in Überschuß gegenüber dem stöchiometrischen Verhältnis der betreffenden intermetallischen Verbindung vorhanden sein. Es bildet sich dann eine kompakte Metallsilizidschicht 3 über dem verbleibenden Silizium, die sich mechanisch nicht mehr von diesem trennen läßt, also hermetisch dicht ist. Die Dauer der notwendigen Einwirkung der Sintertemperatur hängt im wesentlichen von der Dicke der Metallschicht 2 ab und liegt zwischen einigen Minuten und wenigen Stunden, letzteres bei dicken Metallschichten 2. Der Sintervorgang ist beendet, wenn sich der elektrische Widerstand der Metallsilizidschicht 2 nicht mehr ändert.

Ist der Siliziumkörper 1 ein Einkristall und hat das darauf zu erzeugende Metallsilizid ähnliche Kristallformen, so besitzt die nach diesem Verfahren erzeugte Metallsilizidschicht ebenfalls einen Einkristallaufbau, was in gewissen Fällen erwünscht ist.

Um den Siliziumkörper 1 mit der Metallsilizidschicht an einen anorganischen Isolator, zum Beispiel an einen Glaskörper 4, anodisch zu bonden, müssen zunächst mit den in der Mikroelektronik bekannten Verfahren die zu bondenden Oberflächen so bearbeitet werden, daß der kleinste Abstand zwischen den zum Bonden aneinandergelegten Flächen kleiner als 1 µm ist.

In der Fig. 2 ist das Schema einer Anlage zum anodischen Bonden wiedergegeben. Der Siliziumkörper 1 mit der Metallsilizidschicht 3 liegt einem anorganischen Isolator, z. B. einem Glaskörper 4 gegenüber. Der Abstand der zu bondenden Unterseite des Glaskörpers 4 von der Metallsilizidschicht 3 ist in vergrößertem Maßstab gezeichnet. Man sieht, daß der Glaskörper 4 die Metallsilizidschicht 3 nur an wenigen Punkten berührt. Auf dem Glaskörper 4 liegt eine flächenhafte Elektrode 5, die mit einer Hochspannungsquelle 6 verbunden ist, deren anderer Pol an den Siliziumkörper 1 führt. Die ganze Anordnung läßt sich aufheizen, beispielsweise mit einem Ofen 7, der mit einer Stromquelle 8 verbunden ist.

Ist die Temperatur im Ofen 8 niedrig, so fließt kein Strom von der Hochspannungsquelle 6 über den Siliziumkörper 1, die Metallsilizidschicht 3 zu dem Glaskörper 4 und über die Elektrode 5 zurück zur Hochspannungsquelle 6, da der Glaskörper 4 isoliert. Erst, wenn im Glaskörper 4 die Temperatur so weit angestiegen ist, daß in ihm die Ionen der einen Polarität eine gewisse Beweglichkeit erhalten (in den bekannt gewordenen Fällen sind dies stets die positiven Ionen), bildet sich ein Strom aus und durch das Zurückbleiben der ortsfesten Ionen der anderen Polarität eine Raumladung, die eine elektrostatische Anziehung zwischen der Unterseite des Glaskörpers 4 und der Oberseite der Metallsilizidschicht 3 zur Folge hat. Infolge des sehr geringen Abstands der zu bondenden Flächen ist diese Kraft sehr groß und verbindet, von den Berührungspunkten 9 ausgehend, sukzessive die Oberfläche der Metallsilizidschicht 3 mit der Unterseite des Glaskörpers 4 in inniger Weise, so daß eine mechanische Trennung nicht möglich ist. Da Metallsilizidschichten 3 chemisch sehr resistent sind, wird eine Verbindung zwischen dem Siliziumkörper 1 und dem Glaskörper 4 geschaffen, zwischen denen eine Schicht mit hoher Leitfähigkeit, nämlich die Metallsilizidschicht 3, hermetisch dicht mit ihnen verbunden liegt.

Die Fig. 3 zeigt ein nach dem angegebenen Verfahren hergestelltes Produkt, bei dem ein Siliziumkörper 1 mit einem anorganischen Isolator, hier ein Glaskörper 4, durch anodisches Bonden verbunden ist, wobei auf dem Siliziumkörper 1 an seiner zum Bonden vorgesehenen Fläche eine durch Sintern einer aufgetragenen Metallschicht 2 hergestellte hermetisch dichte, gut leitende Metallsilizidschicht 3 aufgebracht wurde.

Ist die Affinität des Siliziums zu dem Metall kleiner als die zu Sauerstoff, so wird kein Metallsilizid durch Sintern gebildet, wenn der Siliziumkörper 1 mit einer SiO₂-Haut bedeckt ist. Wird ferner bei einem solchen Metall das Sintern in sauerstoffhaltiger Atmosphäre ausgeführt, so verbindet sich das an der freien Oberfläche der Metallsilizidschicht 3 vorhandene Silizium mit dem Sauerstoff zu einer SiO₂-Haut, die das anschließende anodische Bonden behindert. Auch beim anodischen Bonden eines solchen Metallsilizids in sauerstoffhaltiger Umgebung ist die Gefahr groß, daß sich zwischen der Metallsilizidschicht 3 und dem Glaskörper 4 eine SiO₂-Haut bildet, die das Bonden verhindert. Es gibt daher Metalle, bei denen das Sintern und/oder das Bonden bei sauerstofffreier Atmosphäre durchgeführt werden muß.

In Halbleiterelementen der Mikroelektronik besitzen die Halbleiterkörper Regionen, die in verschiedener Weise dotiert sind, das heißt, die Fremdatome verschiedener Art in verschiedener räumlicher Anordnung und verschiedener Konzentration aufweisen. Die räumliche Anordnung und die Konzentration der Fremdatome kann durch erhöhte Temperatur beeinflußt werden. Die Dotierung der Halbleiterkörper ist in vielen Fällen schon durchgeführt, bevor das Halbleiterelement im einzelnen aufgebaut wird. Es ist daher vorteilhaft, die verwendeten Metallsilizide so auszuwählen, daß das Sintern und Bonden bei Temperaturen erfolgen kann, bei denen im Siliziumkörper 1 die Konzentration und Raumform der Dotierung erhalten bleibt.

Große Vorteile bringt es daher, wenn als Metallsilizidschicht 3 eine Platinsilizidschicht verwendet wird, da Platinsilizid

• - verhältnismäßig niedrige Sinter- und Bondtemperaturen benötigt, so daß der Dotierungszustand des Siliziumkörpers 1 sich nicht ändert,
• - eine hohe Leitfähigkeit besitzt,
• - gegen alle chemischen Reagenzien mit Ausnahme der Lösung von HF mit HNO₃ in Wasser beständig ist,
• - sich durch Sintern nur auf dem Silizium, nicht auf SiO₂ bildet,
• - nicht von dem für reines Platin verwendeten Ätzmittel Königswasser angegriffen wird.

Mit Platinsilizid kann das Sintern schon bei Temperaturen um 600°C, das Bonden bei Temperaturen deutlich unter 500°C vorgenommen werden.

Eine typische Herstellungsart eines Halbleiterelements nach dem beschriebenen Verfahren zeigen die Fig. 4a bis 4f. In der Fig. 4a ist ein Siliziumkörper 1 gezeichnet, in dem dotierte Regionen in einer ersten Vertiefung 14 eindiffundiert sind. Somit muß in diesem Falle beachtet werden, daß das Sintern und das anodische Bonden bei Temperaturen ausgeführt werden, die den Dotierungszustand des Siliziumkörpers 1 nicht stören. In der Fig. 4b sind in den Siliziumkörper flach vertiefte Bahnen, z. B. durch Ätzen, eingearbeitet worden, die mit Metallschichten 2, zum Beispiel durch Sputtern aufgefüllt wurden, während die Umgebung von den oxidierten Flächenteilen abgedeckt ist. Der Siliziumkörper 1 wird nun, gegebenenfalls in einer sauerstofffreien Umgebung, eine ausreichende Zeit bei der Sintertemperatur gehalten. Dadurch wird in der Fig. 4c die Metallschicht 2 in eine Metallsilizidschicht 3 umgewandelt. Die in Fig. 4d nach vorne weisende Fläche des Siliziumkörpers 1 und die nach oben weisende Fläche des Glaskörpers 4, der eine zweite Vertiefung 15 trägt, werden mit bekannten Mitteln so bearbeitet, daß sie eine zum anodischen Bonden geeignete Oberflächengüte erhält. Es können nun nach der Fig. 4f Teile der Metallsilizidschicht freigelegt werden, was durch Entfernen, beispielsweise durch Wegätzen eines Teiles des Siliziums geschehen kann. Diese freigelegten Teile der Metallsilizidschicht können durch Auftragen von Metall, etwa durch Elektroplattieren, so verstärkt werden, daß zum Beispiel drahtförmige elektrische Verbindungen daran angebracht werden können. Es ist in dieser Weise ein hermetisch dichtes Halbleiterelement entstanden, das eine aus Metallsilizid bestehende Leiterbahn mit niederem Widerstand enthält, welche die dotierten Regionen mit Strom oder Spannung versorgt.

In vielen Fällen ist es bei der Herstellung von Halbleiterelementen für die Mikroelektronik notwendig, die leitenden Schichten in Mustern aufzubringen, um elektrische Verbindungen zu verschiedenen dotierten Regionen herzustellen. Die dem Muster entsprechende Fläche wird durch eine Maske abgedeckt, die übrig bleibende Fläche wird oxydiert und dann wird nach Entfernen der Maske auf die gesamte Fläche Metall aufgebracht. Wird dann gesintert, so wird nur an den nicht-oxydierten Stellen das Metall in das Metallsilizid überführt. Der andere Teil der Metallschicht 2 wird wegen der darunter liegenden SiO₂-Haut nicht umgewandelt. Dieser nicht-silizidierte Metallanteil kann dann durch Ätzen mit einem Mittel, daß das reine Metall, nicht aber das zugehörige Metallsilizid angreift, entfernt werden. Im Falle der Verwendung von Platinsilizid ist das geeignete Mittel zur Entfernung des nicht-silizierten Platins das Königswasser. In der Fig. 5 ist ein Halbleiterelement dargestellt, bei dem auf einem Siliziumkörper 1 ein Muster von Metallsilizidschichten 3 aufgebracht ist, die verschiedene dotierte Regionen (nicht gezeichnet) mit elektrischen Zuleitungen versehen sollen. Dazu sind in dem aufgebondeten Glaskörper 4 Bohrungen 10 angebracht, die an den Metallsilizidschichten 3 enden. Werden nach dem Bonden die Bohrungen 10 mit Metall gefüllt oder auf ihren Mantelflächen Metall aufgebracht, so werden in einfacher Weise löt- oder schweißbare elektrisch leitende Zuleitungen zu den Metallsilizidschichten 3 und damit zu den dotierten Regionen des Siliziumkörpers 1 erhalten.

Nach dem beschriebenen Verfahren kann man ferner thermische Druckelemente herstellen, wie sie zur Löschung von Wertmarkierungen auf als Zahlungsmittel verwendeten Kreditkarten schon vorgeschlagen wurden. Die Fig. 6 zeigt einen Druckstock mit zwei solchen Druckelementen nach der Fertigstellung. Sie bestehen jeweils aus einem Siliziumkörper 1, der keine Dotierung enthält und daher niedrige Leitfähigkeit aufweist. Auf ihm wird eine Metallsilizidschicht 3 aufgesintert. Dabei wird die Metallsilizidschicht 3 in ihren Abmessungen so bemessen, daß sie den als thermisches Druckelement dienenden Siliziumkörper 1 in seiner endgültigen Form bei vorgegebener elektrischer Spannung durch Widerstandsheizen gerade auf die gewünschte Temperatur bringt. Die Siliziumkörper 1 werden dann, in der Fig. 6 zu zweien, auf einen Glaskörper 4 aufgebondet. Anschließend wird der Siliziumkörper 1 durch Ätzen in die endgültige Form gebracht. Der Glaskörper 4 besitzt für jede aufgebondete Metallsiliziumschicht 3 an deren Enden zwei Bohrungen 10, mit denen in der in Fig. 5 dargestellten Art die Durchführungen für den Heizstrom hergestellt werden.

Das beschriebene Verfahren hat den Vorteil, daß beim anodischen Bonden eines Halbleiterkörpers mit einem anorganischen Isolator eine gut leitende Metallsilizidschicht 3 zwischengelegt und gleichzeitig eine hermetisch dichte Verbindung des Siliziumkörpers 1 mit dem Isolator geschaffen wird. Diese gut leitenden Schichten können in Mustern hergestellt, so daß verschieden dotierte Regionen des Siliziums mit getrennten Leiterbahnen versehen werden. Ist die Sinter- und Bondtemperatur tief genug, so werden Raumform und Konzentration der dotierten Regionen nicht beeinflußt. Besonders empfiehlt sich daher die Verwendung von Platinsilizid für solche Verbindungen.

Claims (12)

1. Verfahren zur Herstellung hermetisch dichter elektrischer Leiterbahnen in Halbleiterelementen, bei dem ein Silizium aufweisender Halbleiterkörper mit einem anorganischen Isolator bei erhöhter Temperatur durch Anlegen einer elektrischen Spannung (aniodisches Bonden) verbunden wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Leiterbahnen aus einer in einem Muster angeordneten Metallsilizidschicht (3) auf der zum Bonden vorgesehenen Fläche des Halbleiterkörpers (1) zuerst vorbestimmte Flächenteile der Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) oxidiert werden und dann auf der gesamten Fläche Metall aufgetragen und gesintert wird, wobei sich nur auf den nicht-oxidierten Flächenteilen Metallsilizid bildet, daß anschließend das Metall durch Ätzen mit einem Mittel, das nur das Metall, nicht aber das Metallsilizid angreift, entfernt wird, und daß schließlich die Oberfläche der Metallsilizidschicht (3) durch das anodische Bonden mit dem Isolator (4) verbunden wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in sauerstofffreier Umgebung gesintert und/oder anodisch gebondet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei solchen Temperaturen gesintert und/oder gebondet wird, bei denen Dotierungen des Halbleiterkörpers (1) in Raumform und Konzentration im wesentlichen erhalten bleiben.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall Platin aufgebracht wird.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für den Halbleiterkörper (1) ein Einkristallkörper aus Silizium verwendet und derart gesintert wird, daß die Metallsilizidschicht (3) ebenfalls als Einkristallschicht entsteht.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in die nicht-oxidierten Flächenteile des Halbleiterkörpers (1) vertiefte Bahnen eingearbeitet werden, die zur Bildung von Metallschichten (2) mit Metall aufgefüllt werden.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zu bondende Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) nach dem Sintern so nachgearbeitet wird, daß sie eine zum anodischen Bonden geeignete Oberflächengüte erhält.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Bonden ein Teil der Metallsilizidschicht (3) durch Entfernen eines entsprechenden Teils des Halbleiterkörpers (1) freigelegt wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der freigelegte Teil der Metallsilizidschicht (3) durch Auftragen von Metall verstärkt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Ätzmittel für das Platin Königswasser verwendet wird.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in dem anorganischen Isolator Bohrungen (10) angebracht werden, die nach dem anodischen Bonden zu der Metallsilizidschicht (3) führen, und daß diese Bohrungen (10) an ihren Mantelflächen mit einem Metallauftrag versehen werden, der eine elektrisch leitende Verbindung zu der Metallsilizidschicht (3) herstellt.

12. Verwendung eines nach einem der vorhergehenden Ansprüche, hergestellten Gegenstandes als thermisches Druckelement, das mindestens einen mit dem anorganischen Isolator (4) verbundenen Halbleiterkörper (1) aufweist, wobei die Metallsilizidschicht (3) einen elektrischen Widerstand darstellt, welcher bei Anlegen einer gegebenen elektrischen Spannung den Halbleiterkörper (1) auf eine vorgegebene Temperatur aufheizt.