DE2555187C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des
Patentanspruches 1.
Solche Verfahren sind sowohl bei der Herstellung von Einzelhalb
leiterbauelementen als auch bei der Herstellung von Verbundan
ordnungen (monolithischen integrierten Schaltungen) üblich. Da
bei werden vorzugsweise aus einkristallinem Silicium bestehende
und an ihrer Oberfläche mit einer Schutzschicht aus anorgani
schem Isoliermaterial zu versehende Halbleiterkristalle mit
Elektroden und zu den Elektroden führenden elektrischen Leitbah
nen und Schutzschirmen versehen, die vorwiegend in Aufdampf
technik oder durch Aufstäuben aufgebracht werden. Dabei kann
man zur Formung der Metallisierung die
Oberfläche mit einer z. B. aus Photolack bestehenden Maskierung
versehen, welche nur die zu metallisierenden Teile der Oberflä
che unbedeckt läßt, oder man bringt die Metallisierung zunächst
ganzflächig auf und entfernt dann das überschüssige Metall mit
tels einer Photolack-Ätztechnik.
Für die Metallisierung ist vor allem eine gute Haftfestigkeit
an der Unterlage, eine verhältnismäßig leichte Aufbringbarkeit
und eine ausreichende elektrische Leitfähigkeit und Korrosions
beständigkeit zu wünschen. Außerdem soll die Metallisierung auf
der aus anorganischem Material, insbesondere SiO2, Si3N4,
Al2O3 oder Phosphorglas bestehenden Schutzschicht auf der Halblei
teroberfläche gut halten.
Erfahrungsgemäß wird den Forderungen durch eine Metallisierung
aus Aluminium bzw. aus Titan oder einer Schicht aus poly
kristallinem Silicium in besonders befriedigendem
Maße entsprochen. Außerdem ist die Forderung nach ausreichender
elektrischer Leitfähigkeit im Falle der beiden Metalle ohne
Weiteres, im Falle von Silicium durch eine entsprechende Dotierung
erfüllt. Hingegen sind die genannten Metalle nicht besonders
korrosionsbeständig. Da man jedoch Halbleitervorrichtungen mit
einer die gesamte Oberfläche einschließlich der Elektroden und
Leitbahnen bedeckenden äußeren Schutzschicht versieht, welche
lediglich die Stellen des elektrischen Anschlusses ausspart,
bzw. die Anordnung innerhalb eines abgeschlossenen Gehäuses an
ordnet, hat man hierauf bisher wenig geachtet.
Es ist jedoch, wie bei den zu der Erfindung führenden Unter
suchungen festgestellt werden mußte, auf eine Wechselwirkung
solcher Metallisierungen mit ihrer unmittelbaren Umgebung, also
auch mit einer abdeckenden äußeren Schutzschicht und den durch
eine solche Schutzschicht ggf. nach innen dringenden Einflüssen,
zu achten. Da bei der Erzeugung der äußeren Schutzschichten im
allgemeinen wegen des fortgeschrittenen Fertigungszustandes der
betreffenden Halbleitervorrichtung hohe Temperaturen nicht an
wendbar sind, weist eine solche äußere Schutzschicht häufig
schwache Stellen auf, über welche störende Fremdstoffe, insbe
sondere Wassermoleküle oder Alkaliionen, an die Leitbahnen und
Elektroden und sogar an den Halbleiterkörper gelangen können.
Da ferner die Leitbahnen und Elektroden im Betrieb unter
elektrischer Spannung und elektrischem Strom stehen, können - be
günstigt durch die elektrischen Felder - elektrisch geladene
materielle Teilchen an ihnen entlang wandern und auf diese Weise
gerade zu den empfindlichsten Stellen der ganzen Anordnung gelangen.
Häufig enthält außerdem die äußere Schutzschicht Substanzen, die
ihrerseits aufgrund der elektrischen Felder in der Schutzschicht
wandern und sich dann an der Oberfläche der Leitbahn mit deren
Material chemisch umsetzen können.
Die darauf beruhende nachträgliche Korrodierung der Leitbahn
oberflächen kann schließlich das elektrische Verhalten der Ge
samtanordnung in unerwünschter Weise verändern und sogar zu
deren Ausfall führen. Besonders kritisch ist dabei die Situa
tion an den den äußeren Anschlußstellen benachbarten Teilen
der elektrischen Leitbahnen.
Deshalb werden, beispielsweise gemäß DE-OS 19 10 736, die elek
trischen Leitbahnen, Elektroden und Schutzschirme mit einer un
mittelbar aus deren Substanz erzeugten, isolierenden Schutz
schicht abgedeckt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, das bekannte Ver
fahren so weiterzubilden, daß die Schutzschicht besonders dicht
wird und daß das Verfahren zeitlich besser steuerbar wird.
Diese Aufgabe wird bei dem gattungsgemäßen Verfahren gelöst
durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruches 1. Vor
teilhafte Weiterbildung sind in Unteransprüchen ge
kennzeichnet.
Unter dem Begriff "Wärme" ist dabei eine Temperaturbehandlung
von mindestens 80°C, vorwiegend bis 400°C, unter dem Begriff "er
höhtem Druck" ein Überdruck von mindestens 0,2 bar, vorzugswei
se von 15 bis 100 bar und darüber, zu verstehen. Dann wird die
Oberfläche aus Aluminium bzw. Titan bzw. polykri
stallinem Silicium in eine dichte zusammenhängende Schutz
schicht aus Al2O3 bzw. TiO2 bzw. SiO2 verwandelt, wel
che den metallischen Kern der Metallisierung, insbesondere
Leitbahn oder Elektrode, wirkungsvoll gegen Korrosion schützt,
die Entstehung von Lokalelementen vereitelt und das Entlangwan
dern von Fremdionen an der Oberfläche der Leitbahnen unterbin
det.
Eine aus dem Element Silicium bestehende Metallisierung muß zur
Erzielung einer ausreichenden elektrischen Leitfähigkeit in aus
reichendem Maße dotiert werden. Dabei ist es
besonders günstig, wenn der hierzu verwendete Dotie
rungsstoff bei der Oxydation ein Oxyd liefert, welches eben
falls für sich allein genommen, ein elektrisches Schutzschicht
material
liefert. Solche Dotierungsstoffe sind z. B. Aluminium und Gallium.
Es stört aber nicht, wenn die Dotierung einer solchen dem
erfindungsgemäßen Verfahren zu unterwerfenden Metallisierung aus
Bor bzw. Phosphor, Arsen oder Antimon, d. h. also glasbildenden
Substanzen, besteht.
Bevorzugt wird das erfindungsgemäße Verfahren zum Schutze von
elektrischen Leitbahnen, Elektroden und Schutzschirmen, die aus
Al, Ti und Si bestehen, angewendet. In diesem Falle wird die auf
der zu behandelnden Halbleiteranordnung aufgebrachte Metallisie
rung nur an ihrer Oberfläche in das entsprechende Oxyd umgewan
delt, so daß man die Behandlung abbricht, bevor die gesamte Me
tallisierung in Oxyd umgewandelt ist. Gewöhnlich wird man dabei
anstreben, daß eine Schutzschicht von 0,05-0,2 µm, insbesondere
von 0,1 µm Stärke entsteht, zu deren Herstellung man etwa eine
halb so starke Schicht der Metallisierung oxydieren muß. Die
hierzu erforderliche Zeit wird durch den angewendeten Druck, der
angewendeten Temperatur sowie durch die Art des angewendeten
Oxydationsmittels bestimmt, so daß die jeweiligen Parameter in
konkreten Einzelfällen empirisch bestimmt werden müssen.
Allgemein ist jedoch festzustellen, daß die Oxydationsgeschwin
digkeiten und die Dicke der in einer bestimmten Zeitspanne ent
stehenden Oxydschichten sowohl mit dem Druck des oxydierenden
Mediums als auch mit der Temperatur anwächst, so daß man durch
Anwendung von entsprechend höherem Druck die Möglichkeit hat,
in kurzer Zeit, also innerhalb von 45 bis 60 Minuten, auch bei
niedrigen Temperaturen, d. h. bei 80°C bis 100°C, den Anforderungen
genügende Passivierungsschichten zu erzeugen.
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich aber auch so steuern,
daß eine als Al bzw. To bzw. polykristallinem Silicium
bestehende Metallisierungsschicht gänzlich in eine aus
dem betreffenden Oxyd bestehende Schicht umgewandelt wird, so
daß hiermit ein Weg geöffnet ist, weitere nichtleitende Schutz
schichten unmittelbar auf einer bereits an der Halbleiterober
fläche vorhandenen anorganischen Schutzschicht zu erzeugen. So
kann man z. B. nach Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
zur Sicherung von elektrischen Leitbahnen und sonstigen Me
tallisierungen das erfindungsgemäße Verfahren erneut, diesmal
zur Erzeugung einer äußeren Schutzschicht, anwenden. Zu diesem
Zweck wird die Gesamtoberfläche der Anordnung erneut mit einer
als Al bzw. Ti bzw. Polysilicium bestehenden Metallisierung
bedeckt, die dann durch thermische Oxydation unter erhöhtem
Druck in das betreffende Oxyd - und zwar diesmal vollständig - um
gewandelt wird. Da die bereits vorhandenen Leitbahnen und Elek
troden aufgrund der ersten Anwendung des erfindungsgemäßen Ver
fahrens bereits mit einer dichten Oxydschicht geschützt sind,
sind dann bei dem soeben beschriebenen Verfahren die eigentlichen
Leitbahnen und Elektroden gegen weitere Oxydation im allgemeinen
ausreichend geschützt.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der
zu behandelnde und mit der isolierenden Schutzschicht und der
als Al bzw. Ti bzw. Si bestehenden Metallisierung versehene
Halbleiterkristall in einem gasförmigen oder flüssigen oxydie
renden Medium unter erhöhtem Druck erhitzt. Der erforderliche
Druck wird am einfachsten erreicht, wenn man die Oxydation in
einem abgeschlossenen Druckgefäß stattfinden läßt.
Die Erfindung wird nun anhand der Fig. 1 bis 3 näher beschrie
ben. Dabei stellt die
Fig. 1 eine zur Durchführung des Verfahrens
geeignete Apparatur dar, während anhand der
Fig. 2 und 3 der
Aufbau einer dem erfindungsgemäßen Verfahren unterworfenen
Halbleitervorrichtung im Beispiel dargestellt wird.
Die dem Verfahren zu unterwerfende Vorrichtung
besteht gemäß Fig. 2 und 3 aus einem scheibenförmigen Halbleiter
einkristall 1, insbesondere einem Siliciumeinkristall 1, der
mit - vorwiegend durch Planartechnik erzeugten - pn-Übergängen 2
und einer Schutzschicht 3 aus anorganischem Isoliermaterial
versehen ist. Die Schutzschicht 3 kann auch aus mehreren über
einander angeordneten Teilschichten aus unterschiedlichen Ma
terialien zusammengesetzt sein. So hat man im Beispiel gemäß
Fig. 3 eine innere Teilschicht 3 a aus durch Oxydation
der Oberfläche des aus Silicium bestehenden Halbleiterkristalls 1
erzeugtem SiO2, eine mittlere Teilschicht 3 b aus während der
Herstellung des pn-Übergangs 2 gebildetem dotierungsstoffhaltigem
Glas und eine äußere Teilschicht 3 b aus aus einem entsprechenden
bekannten Reaktionsgas abgeschiedenen Siliciumnitrid bzw. Sili
ciumoxid etc.
In der Schutzschicht 3 a bzw. 3 a bis 3 c sind in üblicher Weise
Aussparungen vorgesehen, in welchen den Halbleiterkörper 1 un
mittelbar kontaktierende Elektroden 4 und 5 bzw. 4 vorgesehen
sind. Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind
die Elektroden 4 und 5 getrennt von der sie kontaktierenden Leit
bahn 7 erzeugt, die aus aufgedampften bzw. aufgestäubten (aufge
sputterten) bzw. aufgesinterten Aluminium bzw. Titan oder aus
aufgedampften oder aus einem geeigneten Reaktionsgas abgeschie
denen und dotierstoffhaltigen polykristallinen Silicium besteht.
Bei der in Fig. 2 dargestellten Anordnung werden die beiden
Elektroden 4 und 5 durch die Leitbahn 7 mit einer für den äußeren
Anschluß vorgesehenen Kontaktstelle 6 leitend verbunden.
Bei der in Fig. 3 gezeigten Anordnung ist nur eine Elektrode 4
dargestellt, die gleichzeitig mit der zu der Anschlußstelle 6
führenden Leitbahn 7 in einem einzigen Herstellungsprozeß z. B.
durch Aufdampfen erzeugt ist. Demzufolge besteht die Elektrode 4
und die Leitbahn 7 entweder zur Gänze aus einem der Metalle
Aluminium, Titan bzw. aus polykristallinem dotiertem Silicium
oder, im Falle einer Mehrschichtmetallbedampfung, zumindest in
der obersten Bedampfungsschicht aus Al, Ti oder Polysilicium.
Es kann zweckmäßig sein, bereits jetzt die Stelle 6 für den äußeren
Anschluß der Leitbahn 7 mit einem - zweckmäßig aus nicht ohne
weiteres oxidierendem Metall, z. B. Gold, bestehenden - Draht 8 zu
kontaktieren, bevor das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt
wird. In anderen Fällen muß man die Kontaktstelle 6 von der auf
grund des erfindungsgemäßen Verfahrens entstehenden Oxydschicht 12
wieder befreien, was sich beispielsweise durch Rücksputtern, naß
chemische oder Plasmaätzung etc. in Gegenwart einer die übrigen
Oxydbereiche schützenden ätzresistenten Schicht (meist Fotolack)
erreichen läßt. Das Kontaktfenster 6 kann auch vor der Druck
oxydation mit einer geeigneten Schutzschicht aus druck- und
oxydationsresistentem Fotolack, Polyimid bzw. SiO2 bzw. Si3N4
lokal abgedeckt werden, die sich später leicht wieder entfernen
läßt.
Die dem erfindungsgemäßen Verfahren zu unterwerfenden Halbleiter
anordnungen H werden zur Durchführung des erfindungsgemäßen Ver
fahrens vorzugsweise in einem Druckgefäß 9 angeordnet, in welches
man außerdem ein gasförmiges oder flüssiges oxidierendes Medium M
einbringt, bevor man das Druckgefäß 9 gasdicht und druckfest ver
schließt. Um den Inhalt des Autoklaven 9 auf die für die Durch
führung des erfindungsgemäßen Verfahrens gewünschte Temperatur
aufzuheizen, ist in seiner Wandung eine elektrische Heizwicklung 10
eingebaut, die von einer einstellbaren Heizstromquelle 11 mit dem
erforderlichen Heizstrom versorgt wird. Die dann von der Heiz
wicklung 10 entwickelte Wärme gelangt durch Wärmeleitung in den Autoklaven 9
aus druckfestem Metall, insbesondere Stahl, zu den Halbleiter
anordnungen H und dem oxidierenden Medium M, das in Folge dessen
mit steigender Behandlungstemperatur in zunehmendem Maße unter
Überdruck steht.
Auf diese Weise werden auf einfache Weise die zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens notwendigen Bedingungen ge
schaffen.
Zur Überwachung des Drucks im Innern des Autoklaven 9 ist ein
Manometer 9 a vorgesehen, dessen Angaben zugleich Rückschlüsse
über die Temperatur in Innern des Druckgefäßes erlauben.
Als oxidierendes Medium wird man zweckmäßig eine nicht-ätzende,
oxidierende Flüssigkeit oder ein oxidierendes Gas verwenden. Im
ersten Fall kommen vor allem in Betracht: reines Wasser, mit H2O2,
Sauerstoff oder Ozon angereichertes Wasser, Wasser mit alkali
freien Zusätzen von Ce+4-Ionen, von CrO4-Ionen, von MnO4-Ionen,
No2- und No3 -Ionen; im zweiten Falle empfehlen sich vor allem
O2, H2O-Dampf, Luft und Stickstoffoxyde, insbesondere N2O bzw.
NO und NO2. Die aggressiveren dieser Gase bzw. N2O3 und NO2
werden dabei zweckmäßig mit O2 oder einem Inertgas, vor allem
N2, verdünnt.
Hat man als oxidierendes Medium ein Gas, z. B. Sauerstoff oder
Luft, so wird eine Temperaturerhöhung auf 100°C eine Drucker
höhung etwa um den Faktor 4/3, eine Temperaturerhöhung auf 200°C
eine Druckerhöhung etwa um den Faktor 5/3 bewirken. Noch stärker
wird die Druckerhöhung, wenn das oxidierende Medium eine Flüssig
keit ist. Hier hat man bei einer Erhitzung auf 120°C bereits einen
Druck von 2 bar, bei Erhitzen auf 150°C bereits einen
Druck von 3 bis 4 bar.
Verwendet man Luft, Sauerstoffgas oder Wasser als oxidierendes
Medium M, so erreicht man bei etwa 60 Minuten bei einer Erhitzung
auf 200°C und einem Druck von etwa 15 bar eine 0,1 µm starke
Schutzschicht 12 aus Al2O3 auf einer Aluminiummetallisierung, eine
etwa 0,05 µm starke Schutzschicht 12 aus TiO2 auf einer aus Ti
bestehenden Metallisierung und eine etwa 0,1 µm starken SiO2-
Schicht 12 auf einer aus polykristallinen Silicium bestehenden
Metallisierung. Die Stärke der Schicht 12 wird bei entsprechend
niedrigeren Temperaturen und Drucken und kürzeren Zeiten kleiner.
Bei längerer Behandlungsdauer, höherer Temperatur, höherem Druck
hingegen größer. Die Erfahrung hat jedoch gezeigt, daß eine ein
stündige Behandlungsdauer in vollem Maße ausreichend ist, um eine
einwandfreie, isolierende Schutzschicht 12 zu erzielen.
Zur Fertigstellung der Anordnung kann man, wie in Fig. 2 darge
stellt, noch eine auch die Leitbahnen abdeckende äußere Isolier
schicht 13 aus einem anorganischen Isoliermaterial, z. B. durch Auf
stäuben oder CVD-Verfahren aufbringen, die dann lediglich am
Ort der äußeren Anschlußstellen 6 ausgespart wird. Im allge
meinen ist jedoch eine Schutzschicht aus anorganischem Isolier
material nicht mehr erforderlich. Es ist vielmehr in jedem Falle
ausreichend, wenn als äußere Schutzschicht 13 gemäß dem in Fig. 3
dargestellten Ausführungsbeispiel eine Lackschicht, z. B. aus Foto
lack, Polyimid oder Siliconlack, oder überhaupt keine weitere
Schutzschicht 13 vorgesehen wird.
Die aufgrund des erfindungsgemäßen Verfahrens entstandenen
Oxydschichten 12 schützen nämlich die Leitbahnen 7 nicht nur
gegen chemische Einflüsse und störende Ionen, sondern auch me
chanisch, da die aufgrund des erfindungsgemäßen Verfahrens ent
standenen Schichten 13 auch in mechanischer Weise äußerst stabil
sind.
Claims (8)
1. Verfahren zum Herstellen einer isolierenden Schutzschicht
auf einer Halbleitervorrichtung,
bei dem die Oberfläche eines Halbleiterkristalls mit ei
ner Schicht aus anorganischem Isoliermaterial versehen
und auf dieser und/oder auf der freien Halbleiterober
fläche eine Metallisierung aus Aluminium bzw. Titan bzw.
polykristallinem Silicium aufgebracht wird, bei dem die
Oberfläche der Metallisierung durch Einwirkung von Wärme und
eines oxidierenden Mediums oxidiert wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß gleichzeitig mit der Einwirkung der Wärme das oxidierende Medium unter
erhöhtem Druck
steht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Behandlungstemperatur auf höchstens
500°C, insbesondere auf 200°C und der Behandlungsdruck auf
2-100 bar und die Behandlungszeit auf etwa eine
Stunde bemessen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß als oxidierendes Medium ein Gas, ins
besondere Luft, Sauerstoff, Wasserdampf, N2O, N2O3, NO2 ange
wendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß als oxidierendes Medium eine nichtätzende oxidieren
de Flüssigkeit, insbesondere Wasser, verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß dem flüssigen oxidierenden Medium eine
Sauerstoff abgebende Substanz, insbesondere ein Peroxyd, z. B.
H2O2, Ce+4-Ionen und/oder CrO4-Ionen und/oder MnO4-Ionen, bei
gegeben wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß zunächst eine Elektrode bzw. eine Leitbahn der zu oxidie
renden Metallisierung mit einem Draht aus nicht oxidie
rendem Metall, z. B. Au, kontaktiert und erst dann die
freie Oberfläche der Metallisierung oxidiert
wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Oxidschicht auf der Metallisierung mit einer
weiteren Schicht, insbesondere aus anorganischem Isolier
material, abgedeckt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß eine zusätzliche Schutzschicht erzeugt
wird, indem eine aus Aluminium und/oder
Titan und/oder polykristallinem Silicium bestehende Metalli
sierung aufgebracht und vollständig oxidiert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752555187 DE2555187A1 (de) | 1975-12-08 | 1975-12-08 | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2555187A1 DE2555187A1 (de) | 1977-06-16 |
DE2555187C2 true DE2555187C2 (de) | 1987-12-10 |
Family
ID=5963815
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19752555187 Granted DE2555187A1 (de) | 1975-12-08 | 1975-12-08 | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
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FR2076208A5 (en) * | 1970-01-06 | 1971-10-15 | Sescosem | Multilevel inter connections for integrated circuits - using oxidised metal insulating layers |
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1975
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE2555187A1 (de) | 1977-06-16 |
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