DE1047318B - In einer vakuumdichten Huelle eingeschlossene Halbleiterkristalldiode - Google Patents

In einer vakuumdichten Huelle eingeschlossene Halbleiterkristalldiode

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DE1047318B
DE1047318B DEN14993A DEN0014993A DE1047318B DE 1047318 B DE1047318 B DE 1047318B DE N14993 A DEN14993 A DE N14993A DE N0014993 A DEN0014993 A DE N0014993A DE 1047318 B DE1047318 B DE 1047318B
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Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine in einer vakuumdichten Hülle eingeschlossene Halbleiterkristal] diode, die durch einen Widerstand überbrückt ist. Bekannt sind Dioden, die in einer vakuumdichten Hülle eingeschlossen sind und die einen aus Germanium oder Silizium bestehenden Kristall mit mindestens einer Elektrode enthalten; die Hülle dient zum Schutz solcher Kristalle mit ihren Elektroden vor der Einwirkung der Atmosphäre.
Weiter sind Vorrichtungen bekannt, bei denen eine Anzahl Dioden miteinander in Reihe geschaltet sind und jede Diode durch einen Außenwiderstand überbrückt ist. Diese Außenwiderstände haben die folgende Aufgabe: Wenn die Innenwiderstände .der Dioden in der Sperrichtung verschieden sind, wird bei der Reihenschaltung die Spannung ungleich über die Dioden verteilt, und zwar liegt die höchste Spannung in der Sperrichtung an derjenigen Diode, die den höchsten Sperrwiderstand aufweist. In manchen Fällen schlägt diese Diode durch, und dies kann zu einem Durchschlag der ganzen Reihe führen. Durch die Überbrückung der Dioden mit Widerständen ergibt sich eine mehr gleichmäßige Spannungsverteilung. Solche Widerstände wurden bisher gesondert neben den Dioden angebracht.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß bei Halbleiterkristalldioden mit einer Hülle eine sehr einfache Bauart erzielbar ist, wenn gemäß der Erfindung der Widerstand einen Teil der Hülle bildet.
Vorzugsweise wird der Widerstand als Widerstandsschicht ausgebildet. Diese Schicht kann auf dem bei solchen Hüllen stets vorhandenen Isolator angebracht sein. Es ist jedoch auch möglich, den Isolator selbst aus einem Material mit verhältnismäßig geringer Leitfähigkeit herzustellen.
Die Erfindung wird an Hand einiger durch Fig. erläuterten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Diese Fig. stellen Schnitte durch Halbleiterkristalldioden mit ihren Hüllen dar.
Die Diode nach Fig. 1 weist eine Hülle auf, die aus einem Boden 1 und einem Deckel 2 besteht, die mit aneinander angeschweißten Flanschen 3 bzw. 4 versehen sind. Der Boden ist weiter mit einem Befestigungszapfen 5 versehen. Auf den Boden ist eine vergoldete Molybdänplatte 6 gelötet, die einen halbleitenden, beispielsweise aus Germanium der η-Art bestehenden Kristall 7 trägt. Auf dem Kristall ist eine aus Indium bestehende Aufschmelzelektrode 8 angebracht, mit dem ein Stromzuführungsdraht 9 verbunden ist.
Im Deckel 2 befindet sich ein Glasdurchführungsisolator 10 mit einem eingeschmolzenen Metallrohr 11, in dem der Draht 9 bei 12 festgelötet ist.
Dieser Isolator 10 trägt hier eine gestrichelte dargestellte Widerstandsschicht 13, die beispielsweise aus In einer vakuumdichten Hülle
eingeschlossene Halbleiterkristalldiode
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
ίο Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
2j Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 1. Mai 1957
Jacobus Fransen, Eindhoven (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden
aufgedampftem Metall oder aus Kohlenstoff besteht. Die Schicht ist im vorliegenden Falle auf der Außenseite angebracht; es ist selbstverständlich jedoch auch möglich, sie auf der Innenseite des Isolators anzubringen.
Die Diode nach Fig. 2 entspricht in großen Zügen derjenigen nach Fig. 1, wobei für einander entsprechende Teile die gleichen Bezugsziffern verwandt sind. Der Boden 1 weist hier eine Vertiefung 20 auf, in der der Kristall 7 mit seiner Elektrode 8 angeordnet ist. Der Kristall ist in eine Isoliermaterialschicht 21 eingebettet, die beispielsweise aus einem härtenden Kunstharz bestehen kann. Auf diese Schicht ist eine Widerstandsschicht 22 aufgebracht, die gestrichelt dargestellt ist und aus dem gleichen Kunstharz mit einem Zusatz von wenigen Prozent Kohlenstoff oder Graphit bestehen kann. Diese Schicht 22 bildet einen Überbrückungswiderstand zwischen der Elektrode 8 und dem Boden 1.
Auch die Diode nach Fig. 3 entspricht größtenteils den vorhergehenden. Bei dieser Diode sind jedoch die Flansche 3 und 4 des Bodens 1 und des Deckels 2 auf die Unter- bzw. Oberseite eines keramischen Ringes 30 aufgelötet. Der Draht 9 ist bei 31 an der Innenseite des Deckels 2 befestigt.
Der Ring 30 ist als Widerstand ausgebildet. Zu diesem Zweck kann dem Material selbst, beispielsweise durch Zusatz eines leitenden Stoffes, wie z. B. Kohlenstoff, eine geringe Leitfähigkeit erteilt werden,
809 700/442
oder es kann auf der Oberfläche eine dünne Widerstandsschicht (nicht dargestellt) vorgesehen werden. Die Hülle dieser Diode besitzt auf dem Deckel einen Zapfen 32. Der Boden ist mit einer entsprechenden Gewindebuchse 33 versehen. Eine Reihe solcher Dk>den kann gegebenenfalls unter Zwischenschaltung von Kühlplatten aneinander angeschraubt werden.

Claims (5)

Patentansprüche: IO
1. In einer vakuumdichten Hülle eingeschlossene Halbleiterkristalldiode, die durch ein«! Widerstand überbrückt ist, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Widerstand einen Teil der Hülle bildet.
2. Halbleiterkristalldiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand als Widerstandsschicht ausgebildet ist.
3. Halbleiterkristalldiode nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Hülle zum Teil aus einem Isolator besteht, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand auf diesem Isolator angebracht ist.
4. Halbleiterkristalldiode nach Anspruch 1, bei der die Hülle zum Teil aus einem Isolator besteht, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolator aus einem Material mit verhältnismäßig geringer Leitfähigkeit besteht.
5. Halbleiterkristalldiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall in Isoliermaterial eingebettet ist, das mit einer Widerstandsschicht überzogen ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentanmeldung ρ 32333 VIII c/21 g (bekanntgemacht am 7. 6. 1951).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 809 700/442 12.58
DEN14993A 1957-05-01 1958-04-26 In einer vakuumdichten Huelle eingeschlossene Halbleiterkristalldiode Pending DE1047318B (de)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1104069B (de) * 1958-12-27 1961-04-06 Siemens Reiniger Werke Ag Hochspannungsgleichrichtereinheit mit Silizium-Gleichrichtern
DE1188732B (de) * 1959-12-07 1965-03-11 Siemens Ag Transistor, insbesondere zur Verwendung als Schalter
DE1207511B (de) * 1959-05-06 1965-12-23 Texas Instruments Inc Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1238102B (de) * 1960-01-20 1967-04-06 Nippon Electric Co Halbleitergleichrichter

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1197413B (de) * 1964-02-01 1965-07-29 Eickhoff Geb Auf einem Strebfoerdermittel verfahrbare Gewinnungsmaschine mit um eine senkrechte Achse umlaufender Schraemwalze
DE1208265B (de) * 1964-06-30 1966-01-05 Gorlowskij Mash Sawod Im Kirow Schraemladewalze fuer Gewinnungsschraemlademaschinen
DE3137408A1 (de) * 1981-09-19 1983-04-07 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., 5401 Baden, Aargau Leistungshalbleiterbauelement fuer siedekuehlung oder fluessigkeitskuehlung
CH647619A5 (en) * 1983-02-28 1985-01-31 Bbc Brown Boveri & Cie Power semiconductor valve

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1104069B (de) * 1958-12-27 1961-04-06 Siemens Reiniger Werke Ag Hochspannungsgleichrichtereinheit mit Silizium-Gleichrichtern
DE1207511B (de) * 1959-05-06 1965-12-23 Texas Instruments Inc Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1188732B (de) * 1959-12-07 1965-03-11 Siemens Ag Transistor, insbesondere zur Verwendung als Schalter
DE1238102B (de) * 1960-01-20 1967-04-06 Nippon Electric Co Halbleitergleichrichter

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FR1195186A (fr) 1959-11-16
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NL108177C (de)
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