DE3702780A1 - Integrierte Varistor-Schutzvorrichtung zum Schutz eines Elektronikbauteils gegen die Wirkungen von elektromagnetischen Feldern oder statischen Ladungen - Google Patents

Integrierte Varistor-Schutzvorrichtung zum Schutz eines Elektronikbauteils gegen die Wirkungen von elektromagnetischen Feldern oder statischen Ladungen

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DE3702780A1
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Description

Die Erfindung betrifft eine Schutzvorrichtung für ein elek­ tronisches Bauteil, um dieses gegen Störungen (Spannungen) zu schützen, die durch ein externes elektromagnetisches Feld erzeugt werden, beispielsweise die sogenannte EMP- Welle (von Electro Magnetic Pulse), die auf einem Atomzer­ fall beruht, oder durch ein elektrostatisches Feld erzeugt werden, das aus Ladungen gebildet wird, die am Gehäuse bei­ spielsweise während der Handhabung aufgebracht oder erzeugt werden.
In der folgenden Beschreibung wird zur Vereinfachung unter einem "Bauteil" jegliches diskrete Bauteil oder jegliche Gruppe von Bauteilen, woraus eine Hybridschaltung oder in­ tegrierte Schaltung gebildet wird, bezeichnet.
Bekanntlich ruft ein elektromagnetisches oder elektrosta­ tisches Feld in einem Bauteil das Auftreten von Spannungen hervor, die bei sehr hoher Feldstärke einen Durchbruch in der Bauteilstruktur verursachen können. Ein Schutz gegen diese Störspannungen ist somit erforderlich. Dieser Schutz ist um so schwieriger zu verwirklichen, als in bestimmten Fällen das Feld sehr plötzlich auftreten kann, mit einer geringen Anstiegszeit, die in bestimmten Fällen nur etwa 10 Nanosekunden beträgt, was beispielsweise bei der oben erwähnten EMP-Welle der Fall ist.
Es ist bekannt, eine Schaltung oder ein Bauteil durch eine Abschirmung oder einen Faraday-Käfig zu schützen. Ein sol­ cher Schutz ist aber insofern unzureichend, als diese Bau­ teile notwendigerweise elektrische Anschlüsse aufweisen, die nach außen führen und eine Antenne für ein externes Feld bilden, so daß Störladungen in das zu schützende Ele­ ment eindringen können.
Ferner ist aus der französischen Patentanmeldung 81-17293 die Maßnahme bekannt, die Störladungen mittels eines Vari­ stors zur Außenseite des Bauteils abzuleiten. Gemäß dieser Maßnahme wird ein Varistormaterial an den Anschlüssen des Bauteils angeordnet, die nach außen führen, und über diesem Varistormaterial wird eine mit der Masse der Vorrichtung verbundene Elektrode angeordnet. Bei Anwesenheit einer Span­ nung, die einen bestimmten Schwellwert an wenigstens einem Anschluß des Bauteils überschreitet, wird das Varistormate­ rial leitfähig, und die betreffende Elektrode wird über das Varistormaterial und die obere Elektrode mit Masse verbun­ den. Die dann unbeabsichtigt erzeugten Ladungen werden ge­ gen Masse abgeleitet und können in das Bauteil nicht ein­ dringen.
Diese Struktur weist jedoch eine hohe Kapazität auf, weil übliche Varistorstoffe (auf Zinkoxidbasis) eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweisen. Je höher die Betriebs­ frequenz der elektronischen Schaltungen ist, desto stören­ der ist dieser Mangel. Bekanntlich führt ferner die Zunah­ me der Kapazität zu einer Vergrößerung des Übersprechens zwischen den Anschlüssen des Bauteils.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schutzvor­ richtung zur Verfügung zu stellen, die es ermöglicht, die Störladungen an jedem Anschluß des geschützten Bauteils nach außen abzuführen, durch die Verwendung eines Mate­ rials vom Varistortyp in einer in das Gehäuse integrierten Struktur, wobei keine größeren Kapazitäten eingefügt werden.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist in den Pa­ tentansprüchen angegeben.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus der Zeichnung, auf die Bezug genommen wird. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht einer ersten Ausführungsform der Schutzvorrichtung;
Fig. 2 einen Teilschnitt der Fig. 1 längs der Achse XX;
Fig. 3 eine Teildraufsicht einer Ausführungsvariante von Fig. 1;
Fig. 4 eine Draufsicht einer zweiten Ausführungsform einer Schutzvorrichtung;
Fig. 5 einen Teilschnitt der Fig. 4 entlang einer Achse YY; und
Fig. 6 einen Teilschnitt in Fig. 4 entlang einer Achse ZZ.
In den verschiedenen Figuren bezeichnen gleiche Bezugszei­ chen einander entsprechende Elemente. Ferner wird darauf hingewiesen, daß zum leichteren Verständnis die Figuren nicht maßstäblich sind.
Fig. 1 zeigt in Draufsicht ein Elektronikbauteil C mit mehreren Anschlußklötzchen 1, die der Verbindung des Bau­ teils zur Außenseite dienen. Das Bauteil C ist bei der ge­ zeigten Ausführungsform auf dem Sockel E eines Gehäuses vom Typ "chip carrier" aufgebracht. Es wird daran erinnert, daß ein solches Gehäuse im wesentlichen dadurch gekenn­ zeichnet ist, daß keine Anschlußstifte vorhanden sind, da diese durch Metallklötzchen ersetzt sind, welche an der Unterseite des Sockels liegen (und daher in Fig. 1 nicht sichtbar sind).
Der Sockel E weist also in herkömmlicher Weise aufgebrach­ te Leiterbahnen 2 auf, die sich radial zur Außenseite des Gehäuses erstrecken und jeweils zur Innenseite von Halb­ löchern 6 an den Seiten des Sockels verlängert sind, um in den Anschlußklötzchen des Gehäuses zu enden. Das andere Ende der Leiterbahnen 2, welches mit 21 bezeichnet ist, ist durch einen Verbindungsdraht 5 mit einem Klötzchen des Bauteils C verbunden. Wenigstens eine Leiterbahn, die mit 3 bezeichnet ist, ist mit dem Referenzpotential der Vorrichtung (Masse) verbunden.
Gemäß der Erfindung weist der Sockel E ferner eine Elek­ trode 4 auf, die im wesentlichen rahmenförmig oder ring­ förmig ist und beispielsweise quadratisch gestaltet sowie auf dem Sockel E aufgebracht und derart geformt ist, daß sie mit den Enden 21 der Leiterbahnen 2 eine koplanare Struktur nach Art von interdigital ineinandergreifenden Kämmen bildet. Diejenigen Teile der Elektrode 4, welche zwischen zwei Enden 21 der Elektroden 2 eingreifen, sind mit 41 bezeichnet. Die Elektrode 4 ist über die Leiter­ bahn 3 mit Masse verbunden. Ferner weist die Vorrichtung eine Schicht aus Varistormaterial V auf, die strichpunk­ tiert dargestellt und auf den Enden 21 und 41 aufgebracht ist. Diese Gestaltung ist in Fig. 2 gezeigt, die einen Teilschnitt längs der Achse XX in Fig. 1 senkrecht unter der Elektrode 4 zeigt.
Das Gehäuse, worin das Bauteil C eingekapselt ist, weist ferner eine Haube auf, die auf dem Sockel E in herkömmli­ cher Technik aufgesiegelt ist. In Fig. 1 ist nur der Um­ riß Ca außerhalb des Schutzrahmens V-4 teilweise einge­ zeichnet. Bei einer anderen Ausführungsform ist die Haube durch einen lokalisierten Schutz ersetzt (im wesentlichen tropfenförmig), der beispielsweise aus einem Plastikmate­ rial besteht. Der Rahmen V-4 kann in diesem Falle inner­ halb oder außerhalb des Schutzes angeordnet sein.
In an sich bekannter Weise weist ein Varistormaterial, das im allgemeinen aus dotiertem Zinkoxid besteht (Dotierung mit Wismuth-, Kobalt-, Chrom-, Molybdän-, Antimonoxid usw.) einen nichtlinearen Widerstand auf: Es ist elektrisch nicht leitfähig, solange die Potentialdifferenz an seinen Enden einen bestimmten Spannungsschwellwert (Vc) nicht über­ schreitet; jenseits von diesem Schwellwert wird es elek­ trisch leitfähig. Da diese Erscheinung auf einem Feld­ effekt beruht, erfolgt der Übergang zwischen dem leitfähi­ gen und dem nicht leitfähigen Zustand sehr plötzlich (die Übergangszeit kann kleiner als oder gleich 1 ns sein). Ein solches Material kann in jeder bekannten Weise aufgebracht werden: beispielsweise durch Siebdruck auf dem Sockel E des Bauteils C, wenn diese aus Keramik besteht, oder durch Kathodenzerstäubung, wenn dieser Sockel beispielsweise aus Kunststoffmaterial besteht.
Die Arbeitsweise einer solchen Vorrichtung ist folgende:
Solange kein externes Feld von ausreichender Stärke vor­ handen ist (größer als ein bestimmter Schwellwert), lau­ fen die Signale und Stromversorgungsspannungen über die Leiterbahnen 2 und 3 zu den Anschlußklötzchen 1 des Bau­ teils C ohne Störung durch die Elektrode 4 oder den Va­ ristor V, denn das Varistormaterial ist nicht leitfähig, so daß die Elektrode 4 von den Leiterbahnen 2 isoliert ist. Wenn die Vorrichtung aber einem elektromagnetischen Feld ausgesetzt wird, entsteht eine Potentialdifferenz durch den Antenneneffekt zwischen den Enden 21 der Leiterbahnen 2 und den Enden 41 der Masseelektrode 4. Im Falle von Ladun­ gen elektrostatischen Ursprungs tritt der gleiche Effekt auf, nämlich eine Potentialdifferenz zwischen den Enden 21 und 41. Wenn diese Potentialdifferenz den Schwellwert Vc des Varistormaterials überschreitet, macht sie dieses leit­ fähig, wodurch die Leiterbahnen 2 untereinander und mit Masse über die Elektrode 4 verbunden werden. Daraus ergibt sich, daß die so erzeugten elektrischen Ladungen in das Bauteil C nicht eindringen können, sondern zur Masse der Vorrichtung abgeleitet werden, wodurch die angestrebte Schutzfunktion verwirklicht wird.
In an sich bekannter Weise hängt der Schwellwert Vc eines Varistors von der Dicke desselben ab und kann also je nach den erwarteten Feldstärken bemessen werden, wenn diese be­ kannt sind. In allen Fällen muß der Schwellwert Vc höher liegen als die höchsten Betriebsspannungen des Bauteils C. Um einen wirksamen Schutz zu bilden, muß diese Spannung Vc natürlich kleiner als die Durchbruchspannung des Bauteils sein und vorzugsweise möglichst nahe bei seiner Betriebs­ spannung liegen. Technologische Erwägungen, insbesondere wegen der Herstellungstoleranz in der Dicke der Schicht, woraus der Varistor gebildet ist, können aber dazu führen, daß der Schwellwert Vc etwa zwei- bis dreimal so groß wie die höchste Betriebsspannung des Bauteils gewählt wird.
Wenn die Betriebsspannung des Bauteils beispielsweise 5 Volt beträgt, kann der Schwellwert Vc bei etwa 20 bis 25 Volt liegen, also einer Spannung, die noch unter der Durchbruchs­ spannung dem meisten derzeit verwendeten elektronischen Bauteile liegt.
Wie oben bereits erwähnt wurde, kann durch diese Ausgestal­ tung die Größe der durch den Varistor eingeführten Kapazi­ tät minimal gehalten werden.
Die Kapazität c zwischen den Enden 21 und 41 der Elektro­ den 2 und 4 (Fig. 2) beträgt nämlich:
worin ε die Dielektrizitätskonstante des Varistormaterials V, s der Querschnitt der einander gegenüberliegenden Ober­ flächen (Dicke der Elektroden 2 und 4 mal Länge der einan­ der gegenüberliegenden Oberflächen) und e die Dicke des Materials V zwischen den Enden 21 und 41 ist.
Bei der erfindungsgemäßen Ausgestaltung sind die einander gegenüberliegenden Oberflächen der Elektroden 2, 4 sehr klein im Vergleich zu einer Sandwich-Struktur bekannter Art, wie sie oben beschrieben wurde, so daß ein kleiner Kapazitätswert c erhalten wird, obwohl alle an den Elektro­ den 2 auftretenden Ladungen direkt nach Masse abgeführt werden können.
Bei einer besonderen Ausführungsform beträgt die Dilektri­ zitätskonstante ε eines durch Siebdruck aufgebrachten Va­ ristormaterials auf Zinkoxidbasis etwa 10² bis 4·10². In einer Sandwich-Struktur erhält man für eine Kreuzungsober­ fläche in der Größenordnung von 0,5 × 0,5 mm (d. h. 25·10-2 mm²) Kapazitätswerte zwischen 4 und 16 pF. Bei der erfindungsgemäßen koplanaren Struktur erhält man für eine Elektrodendicke in der Größenordnung von 5 bis 10 µm und einander gegenüberliegende Längen in der Größenordnung eines Millimeters einen Querschnitt in der Größenordnung von 5 bis 10-3 mm², also einen um den Faktor 25 bis 50 ver­ minderten Querschnitt und eine entsprechend kleinere Kapa­ zität als bei der bekannten Sandwich-Struktur.
Fig. 3 zeigt eine Ausführungsvariante in Draufsicht. In dieser Figur ist ebenfalls ein Sockel E gezeigt, welcher das Bauteil C und die Leiterbahnen 2 trägt, die mit den Anschlußklötzchen 1 des Bauteils verbunden sind (Drähte 5).
Bei dieser Ausführungsvariante sind die Leiterbahnen 14 zwischen den Leiterbahnen 2 angeordnet. Das eine Ende je­ der Leiterbahn 14, welches auf der Außenseite liegt, ist mit Masse verbunden, beispielsweise über ein Loch 15, das in dem Sockel E angebracht ist und zu einer Masseebene führt, die in der Dicke des Sockels liegt. Das andere Ende der Leiterbahnen 14 kann je nach Bedarf mit den Anschluß­ klötzchen 1 des Bauteils C verbunden sein.
Das Varistormaterial V ist bei dieser Ausführungsform auf den Leiterbahnen 2 und 14 aufgebracht, und nicht auf deren Enden. Die Teile 22 und 16 der Leiterbahnen 2 und 14, wel­ che die Funktion der Enden 21 und 41 in Fig. 1 aufweisen, sind zur Verdeutlichung schraffiert dargestellt.
Ferner sind mit Ca1 und Ca2 die möglichen Positionen der Haube gestrichelt verdeutlicht, durch welche das Gehäuse auf der Innenseite oder Außenseite des Varistorrahmens V geschlossen ist.
Fig. 4 zeigt eine zweite Ausführungsform der erfindungs­ gemäßen Schutzvorrichtung in Draufsicht. Die Fig. 5 und 6 zeigen Teilansichten derselben Vorrichtung im Schnitt entlang der Achse YY bzw. ZZ.
In Fig. 4 ist wiederum als Beispiel ein Sockel vom Typ "chip carrier" wie in Fig. 1 gezeigt, welcher das Bauteil C in seiner Mitte trägt.
Gemäß der Erfindung ist die Schutzvorrichtung durch eine Sandwich-Struktur gebildet, die im wesentlichen die Form eines quadratischen Ringes aufweist, mit einem ersten Va­ ristormaterial V₁, das nur in den Schnittansichten der Fig. 5 und 6 sichtbar ist und auf den Leiterbahnen 2 angebracht sowie von einer ersten Elektrode 7 bedeckt ist, die ebenfalls nur in den Fig. 5 und 6 ersichtlich ist und auf einem Potential P liegt. Diese Elektrode ist von einem zweiten Varistormaterial V₂ bedeckt, das seinerseits von einer Elektrode 8 überlagert wird, die beispielsweise über die Leiterbahn 3 mit Masse verbunden ist. Diese ver­ schiedenen aufgelagerten Schichten (V₁, V₂, 7 und 8) haben vorzugsweise dieselbe Form. Für das Varistormaterial V₁ und V₂ kann dieselbe Substanz verwendet werden. Es können aber auch unterschiedliche Werkstoffe verwendet werden, die nach ihren physikalischen Eigenschaften ausgewählt sind, insbesondere ε und Vc.
Die Schnittachse YY in Fig. 5 liegt parallel zu den Schutz­ ringen V₁, V₂, 7, 8 senkrecht über diesen.
Die Schnittachse ZZ in Fig. 6 liegt senkrecht zu den Schutz­ ringen und senkrecht unter einer der Leiterbahnen 2, die mit 27 bezeichnet und mit dem Potential P verbunden ist, zur Veranschaulichung einer Ausführungsform der Verbindung der Elektrode 7.
Die Arbeitsweise dieser Ausführungsform ist folgende:
  • - Vc1 ist die Schwellspannung des Varistormaterials, woraus die Schicht V₁ gebildet ist, während V₂ die Schwellspannung der Schicht V₂ ist;
  • - V₂₇ ist die Potentialdifferenz zwischen den Leitern 2 und 7, V₇₈ die Potentialdifferenz zwischen den Leitern 7 und 8 und V die Potentialdifferenz zwischen den Lei­ tern 2 und 8;
  • - c₂₇ ist die Kapazität, welche durch die einander gegen­ überliegenden Teile der Leiter 2 und 7 gebildet ist, c₇₈ die zwischen den Leitern 7 und 8 und c die zwischen den Leitern 2 und 8;
  • - e₁ ist die Dicke der Schicht V₁ und e₂ die der Schicht V₂;
  • - v ist die an den Leitern 2 vorhandene Überspannung, durch welche die Varistor-Sandwich-Struktur leitfähig wird; wie oben erwähnt wurde, kann v in der Größenordnung von 20 bis 25 oder auch 30 Volt liegen.
Bekanntlich ist die Schwellspannung Vc eines gegebenen Vari­ stormaterials proportional zu seiner Dicke. Die Dicke e₁ wird so gewählt, daß der Schwellwert Vc1 ein Mehrfaches der Spannung v ist, beispielsweise der doppelte Wert oder etwas weniger als dieser. Das Potential P wird dann gleich -v gewählt, so daß eine Überspannung v auf einen Leiter 2 zu einer Spannung V₂₇ von 2v führt, so daß die Varistor­ schicht V₁ leitend wird.
Die Kenndaten der Varistorschicht V₂ sind so gewählt, daß der Schwellwert Vc₂ etwas größer als P ist, d. h. v bei dem obigen Beispiel.
Da der Wert einer Kapazität proportional zur Dielektrizi­ tätskonstante und zu den einander gegenüberliegenden leit­ fähigen Oberflächen und umgekehrt proportional zur Dicke des Dielektrikums ist und da andererseits zwei in Reihe liegende Kapazitäten (c₁ und c₂) einen Spannungsteiler bilden, werden die Varistormaterialien, woraus die Schich­ ten V₁ und V₂ gebildet sind, so gewählt, daß die Kapazität c₂ groß gegenüber c₁ ist, beispielsweise das 25- bis 50- fache oder auch mehr beträgt. Das Ergebnis besteht darin, daß die Spannung V sehr nahe bei der Spannung V₂₇ liegt. Wenn beispielsweise v=25 Volt, so ergibt sich V₂₇ = 50 Volt, V₇₈ = 1 Volt wenn
d. h. V = 51 Volt, was in der Tat sehr nahe bei dem Wert V₂₇ liegt. Wenn eine Überspannung v auf einem Leiter 2 vorhanden ist, erhält man zwischen den Leitern 2 und 8 eine Potentialdifferenz V, die sehr nahe bei 2v liegt und somit den Schwellwert Vc₂ überschreitet. Es findet dann eine Leitung über die Struktur 2-V₁-7-V₂-8 statt.
Durch diese Struktur kann insbesondere durch Polarisation (P) der zwischengefügten Elektrode (7) die Kapazität c zwi­ schen den Anschlüssen (2) des zu schützenden Bauteils und Masse vermindert werden. Die resultierende Kapazität c ist nämlich
Da die Kapazität c₁ vernachlässigbar gegenüber c₂ ist, gilt c c₁. Die Kapazität c₁ hat aber einen zweifach klei­ neren Wert als im Falle des Fehlens der Zwischenelektrode 7: Ihre Dicke e₁ ist nämlich hier doppelt so groß wie im Falle einer einfachen Struktur 2-V₁-8, damit das Varistor­ material V₁ im Falle einer Überspannung v auf der Elektro­ de 2 leitfähig wird.
Ferner kann durch einen größeren Wert für e₁ die Herstel­ lung erleichtert werden.
Zu beachten ist ferner, daß eine solche Struktur mit drei Leiterniveaus die Verwirklichung einer Vorrichtung ermög­ licht, durch welche eine hohe Spannung (zwischen den Lei­ tern 2 und 8) mittels einer kleineren Spannung (am Lei­ ter 2) ausgelöst wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Schicht aus Varistormaterial V nicht auf den Leiterbahnen 2 und 4 (Fig. 1 und 2) oder 2 und 14 (Fig. 3), sondern zwischen diesen und dem Sockel E aufgebracht.

Claims (8)

1. Schutzvorrichtung für ein Elektronikbauteil, wo­ durch dieses gegen Spannungen geschützt wird, die durch ein externes Feld erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß eine Varistoreinrichtung (V, V₁, V₂), deren elektri­ sche Leitfähigkeit unter der Wirkung des Feldes zunimmt, zwischen den Ausgangsanschlüssen (2) des Bauteils (C) und Leitereinrichtungen (4, 14, 8) angeordnet ist, wel­ che einerseits mit der Varistoreinrichtung und anderer­ seits mit Einrichtungen zur Abführung der durch das Feld erzeugten Ladungen verbunden sind, wobei die Varistorein­ richtung und die Leitereinrichtungen derart ausgebildet und angeordnet sind, daß die Größe der durch sie gebilde­ ten Kapazitäten minimal gehalten ist.
2. Schutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Leitereinrichtung (4) als koplanare Struktur ausgebildet ist.
3. Schutzvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die koplanare Struktur einen Kamm (41) bildet, der interdigital mit den Enden (21) der Ausgangs­ anschlüsse (2) des Bauteils (C) angeordnet ist, wobei die Varistoreinrichtung die Leitereinrichtung (4) und die Enden (21) der Ausgangsanschlüsse (2) bedeckt.
4. Schutzvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Leitereinrichtung (14) in Form von Leiterbahnen ausgebildet ist, welche mit den Ausgangs­ anschlüssen (2) des Bauteils (C) abwechseln, und daß die Varistoreinrichtung (V) wenigstens teilweise die Leiter­ einrichtung und die Ausgangsanschlüsse bedeckt.
5. Schutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Varistoreinrichtung eine erste Schicht (V₁) aus Varistormaterial aufweist, die auf den Ausgangs­ anschlüssen (2) des Bauteils (C) aufgebracht ist, daß eine erste Elektrode (7), die auf einem vorbestimmten Potential (P) liegt, über der ersten Schicht (V₁) liegt, daß eine zweite Schicht (V₂) aus Varistormaterial vorge­ sehen ist und daß die Leitereinrichtung (8) durch eine zweite Elektrode gebildet ist, welche auf der zweiten Schicht (V₂) aufgebracht ist.
6. Schutzvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Varistormaterialien der beiden Schich­ ten (V₁, V₂) verschieden sind.
7. Schutzvorrichtung nach einem der vorstehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitereinrich­ tung rahmenförmig um das Bauteil (C) herum ausgebildet ist.
8. Schutzvorrichtung nach einem der vorstehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauteil (C) Anschlußklötzchen (1) aufweist und auf einem Sockel (E) befestigt ist, welcher Leiterbahnen (2) aufweist, die mit den Anschlußklötzchen (1) verbunden sind, und daß die Va­ ristoreinrichtung sowie die Leitereinrichtung rahmenför­ mig ausgebildet und um das Bauteil (C) herum auf den Lei­ terbahnen (2) aufgebracht ist.
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