CZ2001952A3 - Způsob částečné redukce oxidu niobu a oxid niobu se sníľeným obsahem kyslíku - Google Patents

Způsob částečné redukce oxidu niobu a oxid niobu se sníľeným obsahem kyslíku Download PDF

Info

Publication number
CZ2001952A3
CZ2001952A3 CZ2001952A CZ2001952A CZ2001952A3 CZ 2001952 A3 CZ2001952 A3 CZ 2001952A3 CZ 2001952 A CZ2001952 A CZ 2001952A CZ 2001952 A CZ2001952 A CZ 2001952A CZ 2001952 A3 CZ2001952 A3 CZ 2001952A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
niobium
niobium oxide
getter material
oxygen
oxide
Prior art date
Application number
CZ2001952A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ298823B6 (cs
Inventor
James A. Fife
Original Assignee
Cabot Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26851462&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ2001952(A3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from US09/154,452 external-priority patent/US6391275B1/en
Application filed by Cabot Corporation filed Critical Cabot Corporation
Publication of CZ2001952A3 publication Critical patent/CZ2001952A3/cs
Publication of CZ298823B6 publication Critical patent/CZ298823B6/cs

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • H01G9/0525—Powder therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
    • C01G1/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G33/00—Compounds of niobium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G35/00—Compounds of tantalum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6265—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering involving reduction or oxidation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6268—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the applied pressure or type of atmosphere, e.g. in vacuum, hydrogen or a specific oxygen pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/638—Removal thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10—Alloys containing non-metals
    • C22C1/1089—Alloys containing non-metals by partial reduction or decomposition of a solid metal compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/12—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/50—Agglomerated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10—Solid density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12—Surface area
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/14—Pore volume
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/16—Pore diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3253—Substoichiometric niobium or tantalum oxides, e.g. NbO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/404—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5409—Particle size related information expressed by specific surface values
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/721—Carbon content
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12819—Group VB metal-base component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Description

Způsobý částečné redukce oxidu kovového- niobu a oxidý niobu se sníženým obsahem kyslíku.
Oblast techniky
Vynález se týká niobu a jeho oxidů, zejména oxidů niobu a způsobů, jak alespoň částečně redukovat oxid niobu a dále se týká niobu se sníženým obsahem kyslíku.
Podstata vynálezu
Ve shodě, s cíli tohoto vynálezu, jak jsou zde uvedeny a popsány, se tento vynález týká způsobu, jak alespoň částečně redukovat oxid' niobu, který zahrnuje kroky tepelného zpracování oxidu niobu v přítomnosti getrového materiálu v atmosféře, která umožňuje přenos atomů kyslíku z oxidu niobu do getrového materiálu při dostatečné teplotě a po dobu dostatečnou k snížení obsahu kyslíku v oxidu niobu.
Předmětem vynálezu jsou rovněž oxidy niobu se sníženým obsahem kyslíku, jejichž vlastnosti jsou zvláště výhodné, pokud tvoří anodu elektrolytického kondenzátoru. Například, kondenzátor vyrobený z oxidu niobu se sníženým obsahem
Kromě kyslíku, jenž je předmětem vynálezu, může mít kapacitanci až do asi 200,000 GV/g nebo více.
toho anody elektrolytické kondenzátory vyráběné sníženým obsahem kyslíku mohou mít stejnosměrného proudu. Například takový propustnost stejnosměrného proudu od asi 0,5 nA/CV do asi z oxidu nízkou niobu se propustnost kondenzátor může mít
5,0 nA/CV.
01-1038-01-ČE
Předmět vynálezu se se zvyšuje kapacitance a proudu v kondenzátorech rovněž týká způsobů, snižuje propustnost vyrobených z oxidů při kterých stejnosměrného niobu, které zahrnují částečnou redukci oxidu zpracováním v přítomnosti getrového ve které dochází k přenosu atomů kyslíku z oxidu dostatečné getrového materiálu, při dostatečnou k vytvoření oxidu kyslíku, který, pokud vytváří propustnost stejnosměrného kapacitanci.
niobu jeho tepelným materiálu v atmosféře, teplotě a niobu anodu proudu niobu do po dobu se sníženým kondenzátoru, i a/nebo obsahem snižuj e zvyšuj e
Je zřejmé, že oba popisy, jak předchozí obecný popis, tak i následující podrobný popis jsou pouze objasňující a poskytují vysvětlení předmětného vynálezu, jak je definován v patentových nárocích.
Předmět vynálezu se týká způsobů alespoň částečné redukce oxidu niobu. Obecně způsob zahrnuje kroky tepelného zpracování výchozího oxidu niobu v přítomnosti getrového materiálu v atmosféře, ve které dochází k přenosu atomů kyslíku z oxidu niobu do getrového materiálu při dostatečné teplotě a po dobu dostatečnou k vytvoření oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku.
Pro účely vynálezu může být použit jako oxid niobu alespoň jeden oxid kovového niobu a/nebo jeho slitiny. Charakteristickým příkladem výchozího oxidu niobu je oxid niobičný Nb2O5.
Oxid niobu použitý v předkládaném vynálezu může být v jakémkoliv tvaru nebo velikosti. Výhodný je oxid niobu ve • ·
01-1038-01-ČE formě prášku nebo množství částic. Příklady typu prášku, které mohou být použity, obsahují, ale nejsou limitující pro předmětný vynález, vločkovitý, angulární, hrudkovitý a směsi nebo jejich kombinace. Výhodný je oxid niobu ve formě prášku, který vede efektivněji k snížení obsahu kyslíku v oxidu niobu.
Příklady těchto výhodných prášků oxidu niobu jsou prášky, (jejichž velikost se udává počtem ok na sítu na palec), mající velikost od asi 60/100 ok do asi 100/325 ok a od asi 60/100 ok do asi 200/325 ok. Jiné rozmezí velikosti je od -40 do asi -325 ok. Jinými slovy, vhodný oxid niobu ve formě prášku má velikost částic od asi 150/250 do asi 45/150 mikrometrů a od asi 150/250 do asi 45/75 mikrometrů. Jiné výhodné rozmezí velikosti částic je od asi 355 mikrometrů do asi 45 mikrometrů.
Pro účely předkládaného vynálezu je vhodný jako getrový materiál jakýkoliv materiál umožňující snížení obsahu kyslíku ve výchozím oxidu niobu. Výhodným řešením je, když getrový materiál zahrnuje tantal, niob nebo oba kovy. Jiné příklady předkládají getrový materiál zahrnující hořčík apod. Může být použit jakýkoliv getrový materiál, který má vyšší afinitu ke kyslíku než oxid niobu. Nejvýhodnějším getrovým materiálem je niob. Niobový getrový materiál pro účely předkládaného vynálezu je jakýkoliv materiál obsahující kovový niob, který může odstranit nebo alespoň částečně snížit obsah kyslíku v oxidu niobu. Tudíž, niobový getrový materiál může být slitina nebo materiál obsahující směs kovového niobu s dalšími přísadami. Výhodným niobovým getrovým materiálem je převážně, ne-li výhradně kovový niob. Čistota niobového getrového materiálu není důležitá, ale je
01-1038-01-ČE upřednostňována vysoká čistota niobu v něm obsaženého, aby se zamezilo zavádění dalších nečistot během procesu tepelného zpracování. Proto kovový niob v niobovém getrovém materiálu má čistotu výhodně alespoň asi 98 % a výhodněji alespoň asi 99 %. Hladiny kyslíku v niobovém getrovém materiálu mohou být jakékoliv. Výhodné množství nečistot, které působí na propustnost stejnosměrného proudu, jako např. železo, nikl, chrom a uhlík je pod asi 100 ppm (0,01 %). Nejvýhodnější getrový materiál je kovový niob ve formě vloček, výhodnější je, jestliže má vysokou schopnost kapacitance, např. větší než asi 75,000 CV/g a nejvýhodněji asi 100,000 CV/g nebo vyšší, např. asi 200,000 CV/g. Také je výhodné, když getrový materiál má velký specifický povrch, např. hodnota BET je od asi 5 do asi 30 m2/g a nejvýhodněji od asi 20 do asi 30 m2/g.
Getrový materiál může být v jakémkoliv tvaru nebo velikosti. Například getrový materiál může být ve tvaru plechu, který obsahuje oxid niobu určený k redukci nebo může být ve formě částic nebo prášku. Výhodné jsou getrové materiály ve formě prášku, který má největší specifický povrch pro redukci oxidu niobu. Getrový materiál tudíž může být vločkovitý, angulární, hrudkovitý a nebo může být ve formě směsí nebo variant těchto materiálů, například ve formě hrubých pilin jako jsou piliny o velikosti 14/40 ok, které mohou být snadno separovány z práškového produktu proséváním.
Getrovým materiálem může být i tantal apod. a může mít ty samé upřednostňované parametry a/nebo vlastnosti popsané výše pro niobový getrový materiál. Jiné getrové materiály mohou být použity samotné nebo v kombinaci s tantalovými
01-1038-01-ČE
nebo niobovými getrovými matriály. Část getrového materiálu mohou tvořit i jiné materiály.
Po použiti může být getrový materiál odstraněn nebo může zůstat. Výhodnější je, pokud getrový materiál zůstane, potom je výhodné, když getrovým materiálem je niob, mající podobný tvar a velikost vzhledem k výchozímu oxidu niobu. Dále je výhodné, pokud je použit getrový materiál, který má vysokou čistotu, velký specifický povrch a/nebo vysokou porositu (např. kvalita materiálu tvořící kondenzátor) , protože se bude chovat stejně nebo podobně jako oxid niobu, u kterého má být snížen obsah kyslíku, a tedy tímto způsobem se bude dosahovat 100 % výnosu oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku. Getrový materiál tedy může pracovat jako getrový materiál, ale také zůstávat a stát se částí oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku.
Během tepelného zpracování oxidu niobu za přítomnosti dostatečného množství getrového materiálu dochází k alespoň částečné redukci oxidu niobu. Množství getrového materiálu je závislé na požadovaném stupni redukce oxidu niobu. Například, jestliže bude požadováná mírná redukce oxidu niobu, bude getrový materiál přítomen ve stechiometrickém množství. Podobně, jestliže oxid niobu je třeba redukovat důkladně s ohledem na přítomnost kyslíku, pak je getrový materiál přítomen v množství rovnajícím se 2 až 5-ti násobku stechiometrického množství. Obvyklé množství getrového materiálu (např. založeného na tantalovém getrovém materiálu se 100 % tantalu) může být založeno na následném poměru getrového materiálu ku množství oxidu niobu od asi 2 ku 1 do asi 10 ku 1. Výhodné je, když getrový materiál je míchán nebo smíchán společně s výchozím oxidem niobu • · · · · · ·· ···· · · · · · · ·
01-1038-01-ČE • · · · · · · · ·· ··· ··· «· ·· · v prostředí, které umožňuje přenos atomů kyslíku z oxidu niobu do getrového materiálu (např. v atmosféře vodíku) při teplotě od asi 1100 °C do asi 1500 °C.
Kromě toho, množství getrového materiálu může být závislé na typu oxidu niobu, který je redukován. Například, když redukovaným oxidem niobu je N2O5, množství getrového materiálu je výhodně 5 ku 1. Také, když se vychází z N2O5, používá se k dosažení oxidu stechiometrické množství getrového materiálu, přičemž výhodný je kovový vločkový niob v poměru 0,89 částí kovu na 1 část oxidu.
Tepelné zpracování výchozího oxidu niobu může být prováděno v jakémkoliv zařízení pro tepelné zpracování nebo peci, které se používají k tepelnému zpracování kovů, jako například niobu a tantalu. Tepelné zpracování oxidu niobu v přítomnosti getrového materiálu se provádí při dostatečné teplotě a po dobu dostatečnou k vytvoření oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku. Teplota a doba tepelného zpracování mohou být závislé na různých faktorech, například na požadovaném stupni redukce oxidu niobu, na množství getrového materiálu a typu getrového materiálu, stejně tak jako na typu výchozího oxidu niobu. Obvykle se tepelné zpracování oxidu niobu bude provádět při teplotě od méně než nebo asi 800 °C do asi 1900 °C, výhodnější je od asi 1000 °C do asi 1400 °C a ne j výhodněj ší je od asi 1100 °C do asi 1250 °C . Podrobněji vyjádřeno, teploty tepelného zpracování se budou pohybovat od asi 1000 °C do asi 1300 °C, výhodněji od asi 1100 °C do asi 1250 °C po dobu od asi 5 minut do asi 100 minut a výhodněji od asi 30 minut až do asi 60 minut. Běžné testy dovolí odborníkovi v oboru snadno
01-1038-01-ČE řídit doby a teploty tepelného zpracování tak, aby se dosáhlo správné nebo požadované redukce oxidu niobu.
Tepelné .zpracování se provádí v atmosféře, ve které dochází k přenosu atomů kyslíku z oxidu niobu do getrového materiálu. Výhodně se provádí tepelné zpracování v atmosféře v přítomnosti vodíku. Společně s vodíkem mohou být přítomny i jiné plyny, například inertní plyny, pokud nereagují s vodíkem. Výhodně má vodíková atmosféra během tepelného zpracování tlak od asi 10 torr (0,00133 Mpa) do asi 2000 torr (0,266 Mpa) a výhodnější je, když tlak je od asi 100 torr (0,0133 Mpa) do asi 1000 torr (0,133 Mpa) a nej výhodněj ší je, když je tlak od asi 100 torr (0,0133 Mpa)do asi 930 torr (0,124 Mpa). Mohou být použity směsi H2 a inertního plynu, například argonu. Také může být použita směs H2 v N2 pro efektivní kontrolu hladiny dusíku v oxidu niobu.
Během tepelného zpracování může být použita konstantní teplota v průběhu celého procesu nebo mohou být použity obměny teplot v jednotlivých stupních. Například, vodík může být nejprve připouštěn při 1000 °C a následně roste teplota do 1250 °C po dobu 30 minut, následně se sníží na 1000 °C a drží se do odstranění plynného H2. Po odstranění H2 nebo jiné atmosféry, může teplota pece klesnout. Aby se vyhovělo požadavkům průmyslu mohou se použít obměny těchto stupňů. Následně může být zmenšena velikost oxidů niobu, ve kterých dochází k redukci kyslíku např. drcením. Oxidy mohou být aglomerovány a drceny nebo upravovány jakýmikoliv způsoby, kterými jsou upravovány kovy v elektronice.
01-1038-01-ČE
Oxidy niobu se sníženým obsahem kyslíku mohou také obsahovat dusík, například od asi 100 ppm (0,01 %) do asi 30000 ppm (3 %) N2.
Oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku je jakýkoliv oxid niobu který má nižší obsah kyslíku v kovovém oxidu ve srovnání s výchozím oxidem niobu. Typické oxidy niobu se sníženým obsahem kyslíku zahrnují NbO, NbO0,7, NbOi,i, NbO2 a jakékoliv jejich kombinace za nebo bez přítomnosti jiných oxidů. Obvykle, redukovaný oxid niobu, který je předmětem vynálezu má poměr atomů niobu ku kyslíku asi 1 ku méně než 2,5, výhodněji 1 ku 2 a výhodnější je 1 ku 1,1, 1 ku 1 nebo 1 ku 0,7. Jinak vyjádřeno, redukovaný oxid niobu má výhodně vzorec NbxOy, kde Nb je niob, x je 2 nebo méně a y je méně než 2,5. Výhodnější je, když x je 1 a y je méně než 2, například 1,1, 1,0, 0,7, apod.
Výchozí oxidy niobu mohou být připraveny kalcinováním při teplotě 1000 °C do odstranění těkavých složek. Oxidy mohou být tříděny proséváním. Může být použito předtepelné zpracování oxidů niobu k vytvoření částic oxidu s kontrolovanou porozitou.
Je také výhodné, když redukovaný oxid niobu, který je předmětem vynálezu má mikroporézní povrch a houbovitou strukturu, kde primární částice mají výhodně velikost 1 mikrometr nebo menší. Obrázky snímané řádkovou elektronovou mikroskopií (SEMs) zobrazují výhodné typy redukovaných oxidů niobu podle tohoto vynálezu. Jak je vidět z obrázků, redukované oxidy niobu mohou mít velký měrný povrch a porézní strukturu o přibližně 50% porozitou. Dále tyto oxidy mohou být charakterizované také měrným povrchem, který je výhodně od asi 0,5 do asi 10,0 m2/g, výhodněji od asi 0,5 do
4 • 4 · · ·· ·· • ««· ·4 4 · ·
4·· 4 4 4 · 4
01-1038-01-če
2,0 m2/g a nejvýhodněji od asi 1,0 do asi 1,5 m2/g. Výhodná hustota prášku oxidů niobu je nižší než asi 2,0 g/cm3, výhodněji nižší než 1,5 g/cm3 a nejvýhodněji od asi 0,5 do asi 1,5 g/cm3. Oxidy niobu ve formě prášku mohou mít Scott hustotu například od asi 5 g/in3 (0,31 g/cm3) do asi 35 g/in3 (2,14 g / cm3) .
Tento vynález umožňuje získat vlastnosti podobné, neli lepší než niob a využívá méně niobu ve výrobku, protože využívá a vytváří oxidy niobu se sníženým obsahem kyslíku. Tedy tento vynález zvyšuje množství niobu ve výrobcích, jako například anody kondenzátorů, protože s použitím téhož množství niobu může být vyrobeno více anod nebo jiných produktů.
Různé oxidy niobu se sníženým obsahem kyslíku podle předmětného vynálezu mohou být dále charakterizovány elektrotechnickými vlastnostmi, které vyplývají z vytvořeni anody kondenzátoru použitím oxidů niobu podle předloženého vynálezu. Obvykle mohou být oxidy niobu se sníženým obsahem kyslíku podle předloženého vynálezu testovány na elektrotechnické vlastnosti slisováním prášku oxidu niobu do anody a sintrováním slisovaného prášku při patřičných teplotách a dále anodizací anody za vzniku anody elektrolytického kondenzátoru, u níž potom mohou být následně testovány elektrotechnické vlastnosti.
Proto se další řešení předloženého vynálezu týká anod pro kondenzátory vytvořené z oxidů niobu se sníženým obsahem kyslíku podle předloženého vynálezu. Anody mohou být vyrobeny z práškové formy redukovaných oxidů obdobným způsobem jaký se používá pro výrobu kovových anod, tj.
01-1038-01-ČE
lisováním porézních pelet se zapuštěnými vodiči nebo jinými konektory a následně volitelným slinováním a anodizací. Konektory mohou být zapuštěné nebo připojené kdykoliv před anodizací. Anody vyrobené z oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku podle předloženého vynálezu mohou mít kapacitanci od asi 1,000 CV/g nebo nižší do asi 300,000 CV/g nebo více a jiné rozmezí kapacitance může být od asi 20,000 CV/g do asi 300, 000 CV/g nebo od asi 62,000 CV/g do asi 200, 000 CV/g a výhodnější rozmezí je od asi 60, 000 CV/g do asi 150,000 CV/g. Při tvorbě anod kondenzátoru podle předmětného vynálezu může být použita slinovací teplota, která bude umožňovat vytvoření anody, mající požadované vlastnosti. Použitá slinovací teplota bude závislá na použitém oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku. Výhodné je, když slinovací teplota je o asi .1200 °C do asi 1750 °C a výhodnější rozmezí je od asi 1200 °C do asi 1400 °C a nej výhodněj ší je od asi 1250 °C do asi 1350 °C, kdy oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku je oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku podle předloženého vynálezu.
Anody vytvořené z oxidů niobu podle předloženého vynálezu jsou výhodně vyrobeny při napětí asi 35 V a výhodně od asi 6 do asi 70 V. Když je použit oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku, je napětí od asi 6 do asi 50 V, výhodnější je od asi 10 do asi 40 V. Mohou být použita i jiná napětí vhodná při tvoření anod. Anody z redukovaných oxidů niobu mohou být připraveny vytvořením pelet Nb2O5 s vodiči, následně slinováním ve vodíkové atmosféře nebo jiné vhodné atmosféře v blízkosti getrového materiálu stejně tak, jako s práškovými oxidy. V tomto provedení může být článek anody vyroben přímo, tj. vytvoření kovového oxidu se sníženou hladinou kyslíku a anody současně. Také anody vytvořené
01-1038-01-ČE z oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku podle předloženého vynálezu mají propustnost ste 5,0 nA/CV. V provedení podle vytvořené z některých oxidů kyslíku podle předloženého stejnosměrného proudu od asi 5, jnosměrného proudu nižší než předloženého vynálezu anody niobu se sníženým obsahem vynálezu mají propustnost 0 nA/CV do asi 0,50 nA/CV.
Předložený vynález se také týká kondenzátoru v souladu s předloženým vynálezem, který má film z oxidu niobu na povrchu. Výhodně obsahuje film z oxidu niobičného. Metody nanesení kovového prášku na anody kondenzátoru jsou známy pro odborníka v daném oboru a také způsoby, například zveřejněné v patentových dokumentech US 4 805 074, US 5 412 533, US 5 211 741 a US 5 245 514 a v evropských dokumentech EP 0 634 762 Al a EP 0 634 761 Al.
Kondenzátory podle předloženého vynálezu mohou být použity v řadě konečných aplikací, jako je elektronika pro automobily, telefony, počítače, např. monitory, základní desky s plošnými spoji, atd., spotřební elektronika včetně televizorů a zobrazovacích elektronek, tiskárny/kopírky, náhradní zdroje, modemy,
Předložený vynález příklady, které jsou vynálezu.
notebooky, diskové jednotky apod.
bude dále objasněn následujícími určené k ilustraci předloženého
Stručný popis obrázků
Obrázky 1 až 11 jsou mikrofotografie (SEMs) různých oxidů niobu se sníženým obsahem kyslíku v různých zvětšeních.
01-1038-01-ČE
Příklady provedení
Testovací metody
Výroba anody:
Velikost - 0,197” dia (0,197 in x 2,54 = 0,5004 cm)
3,5 Dp
hmotnost práskl u = 341 mg
Slinováni anody:
1300 °C 10 minut
1450 °C 10 minut
1600 °C 10 minut
1750 °C 10 minut
30V Ef anodizace:
V Ef @ 60 °C/0,l% H3PO4 elektrolyt mA/g konstantní proud
Propouštění DC (stejnosměrný proud)/kapacitance - ESR (elektron spinová rezonance) testování:
Testování propouštění DC % Ef (21V DC) test napětí sekund doba nabíjení
10% H3PO4 @ 21 °C
Kapacitance - DF testování:
18% H2SO4 @ 21 °C
120 Hz
V Ef reformní anodizace:
V Ef @ 60 °C/0,l% H3PO4 elektrolyt mA/g konstantní proud
Propouštění DC/kapacitance - ESR stestování:
01-1038-01-ČE
Testování propouštění DC % Ef (35 V DC) test napětí sekund doba nabíjení
10% H3PO4 @ 21 °C
Kapacitance - DF testování:
18% H2SO4 @ 21 °C
120 Hz
V Ef.reformní anodizace:
V Ef @ 60 °C/0,l% H3PO4 elektrolyt mA/g konstantní proud
Propouštění DC/kapacitance - ESR stestování:
Testování propouštění DC % Ef (52,5 V DC) test napětí sekund doba nabíjení
10% H3PO4 @ 21 °C
Kapacitance - DF testování:
18% H2SO4 @ 21 °C
120 Hz
Scott hustota, analýza kyslíku, analýza fosforu a analýzy BET byly stanoveny postupy uvedenými v patentových dokumentech US 5 011 742; US 4 960 471 a US 4 964 906.
Příklady
Příklad 1
Piliny hydridu tantalu o velikosti 10 ok (99,2 gms) s přibližně 50 ppm (0,0005 %) kyslíku byly míchány s 22 g Nb2O5 a umístěny na Ta plechy. Plechy byly vloženy do vakuové pece k tepelnému zpracování a zahřívány na 1000 °C. Plyn H2 byl vpuštěn do pece do tlaku +3 psi (0,21 Mpa). Poté byla teplota zvýšena na 1240 °C a na této úrovni udržována po
01-1038-01-ČE
dobu 30 minut. Teplota byla snížena na 1050 °C po dobu 6 minut dokud všechen H2 nebyl z pece odstraněn. Za stálé teploty 1050 °C, byl z pece evakuován plynný argon, dokud nebyl dosažen tlak 5 . 10~4 torr (0,067 Pa). V tomto okamžiku bylo vpuštěno do ohniště pece 700 mm argonu a pec byla ochlazena na 60 °C.
Materiál byl pasivován vystavením několika progresivně vyšším parciálním tlakům kyslíku, před tím než byl odstraněn následujícím způsobem: Pec byla znovu naplněna argonem do tlaku 700 mm a následovalo plnění vzduchem do 1 atmosféry. Po 4 minutách bylo ohniště pece evakuováno na 10~2 torr (13,33 Pa). Ohniště pece bylo poté znovu naplněno argonem do 600 mm, následovalo plnění vzduchem do 1 atmosféry a udržováno po dobu 4 minut. Ohniště pece bylo evakuováno na 10~2 torr (13,33 Pa) . Ohniště pece bylo poté znovu naplněno argonem do 400 mm, následně byl přidán vzduch do 1 atmosféry. Po 4 minutách bylo ohniště pece evakuováno na 10”2 torr (13,33 Pa). Ohniště pece bylo poté znovu naplněno argonem do tlaku 200 mm, následovalo plnění vzduchem do 1 atmosféry a udržováno po dobu 4 minut. Ohniště pece bylo evakuováno na 10-2 torr (13,33 Pa). Ohniště pece byl poté znovu naplněno vzduchem do 1 atmosféry a udržováno po dobu 4 minut. Ohniště pece bylo evakuováno na 10-2 torr (13,33 Pa). Ohniště pece bylo poté znovu naplněno argonem do 1 atmosféry a otevřeno k odstranění vzorku.
Práškový produkt byl oddělen z getru tantalových plátků proséváním skrz síto s velikostí 40 ok. Produkt byl testován s následujícími výsledky.
CV/g pelet slinovaných do 1300 °C X po dobu 10 minut a vytvářených při 35 voltech = 81,297 nA/CV
01-1038-01-ČE
Propustnost stejnosměrného proudu =5,0
Hustota slinutých pelet = 2,7 g/cm2 Hustota Scott = 0,9 g/cm3
Chemická analysa (ppm)
c = 70
h2 = 56
Ti = 25 Fe = 25
Mn = 10 Si = 25
Sn = 5 Ni = 5
Cr = 10 Al = 5
Mo = 25 Mg = 5
Cu = 50 B = 2
Pb = 2 všechny další < limity
Příklad 2
Následující vzorky 1 až 20 jsou příklady sledující podobné kroky jako v příkladě 1 s práškovým Nb2O5, jak je uvedeno v tabulce. Pro většinu příkladů, velikosti ok výchozího materiálu jsou uvedeny v tabulce, například 60/100 znamená menši než 60 ok, ale větší než 100 ok. Podobně, velikost ok Ta getru se udává jako 14/40. Getry označené jako „Ta hydride chip (piliny hydridu tantalu) jsou +40 ok bez horní hranice velikosti částice.
Ve vzorku 18 je jako getrový materiál Nb (komerčně dostupný N200 vločkový prášek Nb od CPM). Getrový materiál byl pro vzorek 18 jemně zrnitý Nb prášek, který nebyl oddělen od finálního produktu. Rentgenová difrakce prokázala, že určitá část getrového materiálu zůstala jako
01-1038-01-ČE
Φφφ* ·· » · · φ φφφ · φ · φ φ • Φ · φ φφφφ*· • * · φφφφ* φφ φφφ φφφ φφ · φ
Nb, ale většina byla převedena způsobem na NbOi,i a NbO i když byl výchozím materiálem oxid niobu Nb2Os.
Ve vzorku 15 byly pelety Nb2O5, slisované skoro na hustotu zrn a působil s H2 v těsné blízkosti Ta getrového materiálu. Způsob změnil pevnou oxidovou peletu na porézní částečky suboxidu NbO. Tyto částečky byly slinuty na povlak Nb kovu, k vytvořeni spojení anodového přívodu a anodizovány při 35 V, používajíce podobné elektrotechnické utvářecí způsoby, jako jsou užívané pro práškové pelety tvořené z částeček. Tento vzorek demonstruje jedinečnou schopnost tohoto způsobu k přípravě částeček k anodizaci v jednom kroku z výchozího materiálu Nb2O5.
Tabulka propustnost ukazuj e stej nosměrného vysokou kapacitanci a nízkou proudu (DC) anod, vyrobených ze slisovaných a slinutých vynálezu.
j ednotlivých prášků/pelet podle předloženého Byly předloženy mikrofotografie vzorků.
Tyto fotografie ukazují (SEMs) porézní strukturu oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku podle Zejména, obr. 1 je při zvětšení 5000X (vzorek předloženého vynálezu, vnějšího povrchu pelet 2 je fotografie vnitřku pelety při zvětšení 5000X.
fotografie
15). Obr.
Obr. 3 a zvětšení jsou fotografie vnějšího povrchu pelety při
1000X. Obr. 5 je fotografie vzorku 11 při zvětšení 2000X a obr. 6 a 7 jsou fotografie vzorku 4 při zvětšení 5000X. Obr.
je fotografie vzorku 3 při zvětšení 2000X a obr. 9 je fotografie vzorku 6 při zvětšení 2000X. Nakonec, obr. 10 je fotografie vzorku 6, při zvětšení 3000X a obr. 11 je fotografie vzorku 9 při zvětšení 2000X.
rH
99 • • fc* 99 a
• • 99 ·· fc t • • ··
• • • • • • 9 • •
• · • · • 9 fc 9 · • «
• • • • fc * • · •
·· ·«> fc·· 4« fc· ·<·
01-1038-01-ČE <ti λ: Η •s
Eh
1300X35V na/CV iD CO cn σι CN CN O rH CN 'šT 12,86 CO ID UO Γγ- ιο rH f— UO U0 UO uo IP co Ό 4,03
1300X35V CV/g Γ' σι CN rH 00 ? CO IT> t—i CO σι CN rH CN 10 O CO rH σ> co uo LT) oo σ> c- Lf) CN UO rH •ŠT O ΟΊ tr- Γιο CN CO IP CD σι ΙΟ cp Γ- ΙΟ m »T (N 00 ID σ» CN ID Γ-
Ή >co C Φ ε Q * ctí: X cg 0' x> z
Ή >tn C ω ε Q » Ctí í X r-i O co H O CO E O (0 Eh 0 CO EH O cO Eh O co Eh 0 <0 Eh
XRD* hlavní 2“ O XJ Z O ě O X) Z 0 43 Z O O XJ z O 43 Z
c > Π3 r—1 Λ Q ctí: X rH O Ž O á O Ě O ě O ě 0 ž O ž
44 <0 oj i~H M 4-> CO Oj oo co CL CO •H CO CL co •rl CO Oj CO • rH CO Q. co •rl CO Ω. co •H CO CL co •rl (0 CL co •ri CO CL co co CL CO •rl CO CL CO •rl <0 CL co -ri CO CL co
Doba (min) o Φ co o co o o co o σ> 0 σι 0 σι 0 σ> 0 cn 0 σ> 0 σι 0 co
o co 4J 0 CL φ H o ’Τ CN rH o v> CN o lf) CN rH o m CN o ďO CN o uo CN o UO CN o uo CN o 0 CN 0 0 CN rH o 0 CN o 0 CN r—1 0 U0 CN rH
co 6 υ CO O φ —· «σ1 uo IP iT) ID 00 CN σι 00 CN O σ> «s< co CN Γ- cn CO r^ uo CO co ΓΙΟ r- 0 10 Γιο r— o ID 10 CN σι IP lO Ό σι cp <D iD
1 Vstupní 1 geter Φ Ό •ri CO μ Ό -H <0 >1 42 Eh J5 O Φ b •rl CO μ cl b ·η «> > x: Eh 42 O Φ b •rl CO M CL b -η 10 >, 45 E-< £ U Φ b •ri CO μ cl b -H <0 >i 42 Eh 45 O Φ b •H CO b -η rO > 45 Η 42 U Φ b •H CO μ a b -η cO >i 4= Eh 42 O Φ b •ri CO μ a b -η CO >1 42 E- 42 0 Φ b •r| CO li °b -η CO >! 42 E-* 43 O Φ b •r| CO μ CL b ή <0 >> 42 E-h 42 Q Φ b •ri CO μ a b ή <0 >> 43 Eh 42 O Φ b •rl (0 £ Λ b ή t0 >1 42 Eh 42 O Φ b rl CO μ cl b -π CO > 42 Eh 42 O CO Φ b O -ri μ b rH 42
V) ε ω 4-> CO O Φ CN — «Φ co CN •T co CN CO CN no CO CN ro -θ’ CN 10 CN ’Τ CN 1—1 CN 10 σ> «τ σι CN CO CO CO O CN CO CO O CN IP CO σι CO CN 10 CO σ> co CN lf) LQ 1—1
Vstupní materiál '> β (0 > 0 λ! e 0 ·Η „ TSě O š o o o O 43 Z O O rH O 10 O 43 Z σθ CN CO O O O ě CN CO O O rH O .Q Z O o rH O 10 O Λ Z O 0 rH \ O ID O Λ Z uo co 0 0 CN O X Z 0 0 \ 0 IP O Λ Z O 0 rH O ID O Λ Z iD CN CO O O CN 0 § IT) CN CO O O CN O iT> CN CO O CD CN
N > rH CN co «5Γ m 10 Γ- CO σ> O 3 CN CO rH
• · co ϊ—I
γΗ
>1
44
Η
Λ
<β
Η
ω
>υ Ή
I β
ι—1 '(β
ο >
1 CO C0 ο 0
>υ (Ú
ι—1 Μ
1 44
1—1 0
ο Λ
21,03 Γσι ο ΓΟ ΓΟ 00 CO ΓΟ Γ— V· ΙΓ) σι γ-4 <ο <0
CD U3
ο «3 Ο-
03 V Ο σ ϊ—I ν' Ο
ΟΙ 03 Ο) Γ- 03
<η Ο ΙΓ) Γ- ΙΓ) Ο Ο
ΟΙ Γ- ΙΓ> U3 ΟΙ Μ τ—4
Ο ο
£ £
ο ο ο
Λ Η Π3 Η £
Ο Ο ο
£> 2 Λ 2 έί
Ο ο
£ §
Μ Li
Li
0 Ο
•Η Η Εη
ω ω <η W V)
CL α Λ α 0. Ο Ο
Ο ο
ΓΠ m γο ΓΟ ΓΟ
Ο ο ο ο ο ο ο
γο ΓΟ ΓΟ ΓΟ ΓΟ γο ΓΟ
ο ο ο ο ο ο ο
m 4Γ) ο ο ο ΙΓ) ιη
ΟΙ ΟΙ ΟΙ οι ΟΙ OJ 04
Μ 1-1 r—1 γ-4 γ-4 γ-4
<£> Γ Γ-
σ> γ- CO ο
co ιΓ) m σ <—4
<£> CW οο V- 04 U3
(0 co «3 ra Λ Φ φ
η> η> η. h ο. 2 «. Η ».
τ> Ό Ό Ό 44 Ό Ό
Ο ·Η Ο ·Η Ο ·Η Ο ·Η Φ Ο ·Η Ο ·Η
V D ν< μ ν’ μ ν μ ο >ω ν Μ V Μ
Ό τ> Ό -χ. Ό Ο '<0 \ Ό Ό
V* >, V- >1 ν’ >ι V >Ί OJ >-ι V >ι V >,
Κ Λ Μ Λ r-ι Λ rH Ρ 2 a κ Λ <Η Ρ
ΙΓ) 04
04 σι ΟΙ σ\ σ
v X
ο χ ΓΟ 1—4 Ο <ο
γ-4 ΓΟ 1-1 1-1 γ—4 Γ-4
Ο >, ο Ο ο Ο ο
§ 0) ž Λ ζ §. £ ě
m φ m ΙΓ) ΙΓ> ιη m
ΟΙ Λ OJ Ο) 04 04
γο m ηο ΡΊ Γ0 ΓΟ
•χ •χ
ο ο ο Ο ο ο
ο β ο ο Ο ο ο
ΟΙ 2 OJ (X) OJ ΟΙ οι
ιη «3 Γ- 4» σ ο
γ-4 r-4 t~4 Ο)
cd Ν 'ί>Ί ι—I cd α cd 'Φ > ο ο φ φ •Ρ ο φ Ρ 'CC •Η μ φ -Ρ ΓΟ
Η
oj •Η μ ο -Ρ (ΰ g
Ή α Ο
-Μ (0 >
'>1 α
Ό ο Λ
C0 •Η «—I >Φ g
σ>
•Η ι—I >Φ g co
Μ
Ο Ν >
<Ν1
Ϊ>Ί
Λ4 Μ
Ο Ν >
ι—| 'Π5 -Η
Μ
Φ -Ρ ΓΟ g
OJ ι—1 'ίΰ Ή β
CX1 m •Η Ο
Ρ
<0 4—1 Φ -Ρ
-Ρ 10
4------1 Λί cd >
Φ g
Γ^ >Ν
φ 0 Ή
>Ν ι—1 0 '>Ί
Ο co 04 C
γ—1 3 Ό
C0 X X 0
υ co X
Χ! '>! > (0
ο 0
'>1 g '>Ί
α 0 0
g X Ό •Η
ο Ή 0 ι—1
•Ρ >0 X >Φ
Ή α C0 g
>Ρ
04 χ: •Η
0 I—1
X Ή >Φ
υ >C0 g
Ή ·Γ~4
0 Φ OJ cd
> 1------1 4—1
cd Ό
1-------1 Φ cd
χ > 4------1 <Ω
•Ρ -Ρ 4—1
CQ C0
0 Ο >Ί
0 Ρ rX Λί
-Ρ χ ο Ο
ο ο 0 0
g g Ν Ν
χ > >
01-1038-01-ČE
« ·
Další provedení předloženého vynálezu budou odborníkovi v daném oboru zřejmé na základě popisu a uskutečnění vynálezu, jak je zde popsán. Předpokládá se, Ύže popis a příklady budou považovány pouze jako exemplární, přičemž skutečný rozsah a podstata vynálezu jsou dány následujícími patentovými nároky.

Claims (11)

  1. Patentové nároky
    1. Způsob alespoň částečné redukce oxidu niobu, vyznačující se tím, že zahrnuje tepelné zpracováni oxidu niobu v přítomnosti getrového materiálu a v atmosféře, ve které dochází k přenosu atomů kyslíku z oxidu niobu do getrového materiálu, při dostatečné teplotě a po dobu dostatečnou k vytvoření oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku.
    2. Způsob oxid ni. podle obu j e nároku 1, vyznačující se oxid niobičitý. tím , ž e 3. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím , ž e
    oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku je suboxid niobu.
  2. 4. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku má poměr atomů niobu ku kyslíku od 1 ku méně než 2,5.
  3. 5. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku má hladiny kyslíku menší, než je stechiometrie celkového oxidu niobu.
  4. 6. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku má mikroporézní strukturu.
    01-1038-01-ČE
    7. Způsob podle nároku 1, vyznačující s e tím, že oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku má asi 50 % objem pórů. 8 . Způsob podle nároku 1, vyznáčující s e tím, že
    množství přítomného vodíku v atmosféře je asi 10 torr až asi 2000 torr.
  5. 9. Způsob podle nároku 1, vyznačuj ící se tím, že getrový materiál je niobový getrový materiál vytvářející anodu kondenzátoru mající kapacitanci alespoň 75,000 CV/g,.
  6. 10.
    Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím ,
  7. 11.
  8. 12.
    atmosféra je
    Způsob podle vodíková atmosféra.
    nároku 1, vyznačující se getrový materiál je niobový getrový vytvářející anodu kondenzátoru mající asi 100,000 CV/g do asi 200,000 CV/g,.
    Způsob podle nároku 1, vyznačující tím, že materiál kapacitanci se tím, tepelné zpracování probíhá při teplotě do asi 1500 °C a po dobu od asi 10 do asi 90 od asi 1000 minut.
    od °C
  9. 13. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že getrový materiál je homogenizován oxidem niobu před nebo během kroku tepelného zpracování.
  10. 14. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že getrový materiál je vločkový niobový getrový materiál.
    01-1038-01-ČE
  11. 15. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že getrový materiál po tepelném zpracováni vytváří oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku.
    16. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím , ž e getrový materiál je hořčík obsahující getrový materiál. 17 . Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím , ž e getrový materiál zahrnuje částice hydridu tantalu. 18 . Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, ž e getrový materiál zahrnuje tantal , niob nebo oba. 19. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, ž e velikost částic hydridu tantalu zahrnutých v getrovém materiálu je 14/40 ok. 20. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, ž e
    kvalita materiálu tvořící kondenzátor je dána getrovým materiálem.
    21. Oxid niobu, vyznačující se tím, že poměr atomů niobu ku kyslíku je 1 ku méně než 2,5.
    22. Oxid niobu podle nároku 21, vyznačující se tím, že poměr atomů niobu ku kyslíku je 1 ku méně než 2,0.
    23. Oxid niobu podle nároku 21, vyznačující se tím, že poměr atomů niobu ku kyslíku je 1 ku méně než 1,5.
    01-1038-01-ČE
    24 . Oxid niobu podle nároku že poměr atomů niobu ku 21, vyznačující kyslíku je 1 ku 1,1. s e tím 25. Oxid niobu podle nároku že poměr atomů niobu ku 21, vyznačující kyslíku je 1 ku 0,7. s e tím 26. Oxid niobu podle nároku že poměr atomů niobu ku 21, vyznačující kyslíku je 1 ku 0,5. s e tím 27. Oxid niobu podle nároku že uvedený oxid niobu má 21, vyznačující porézní strukturu. s e tím 28. Oxid niobu podle nároku 21, vyznačující s e tím
    že uvedený oxid niobu mající porézní strukturu má velikost pórů od asi 0,1 do asi 10 mikrometrů.
    .29. Oxid niobu podle nároku 21, vyznačující se tím, že uvedený oxid niobu zahrnuje NbO, NbO0,7, NbOizl nebo jejich kombinace.
    30. Oxid niobu podle nároku 21, vyznačující se tím, že uvedený oxid niobu vytváří anodu elektrolytického kondenzátoru mající kapacitanci až do asi 300,000 CV/g.
    31. Oxid niobu podle nároku 21, vyznačující se tím, že dále zahrnuje dusík.
    32. Oxid niobu podle nároku 31, vyznačující se tím, že uvedený dusík je přítomen v množství od asi 100 ppm (0,01 %) do asi 30,000 ppm (0,003 %) N2.
    01-1038-01-ČE • ·
    33. Oxid niobu podle nároku 21, vyznačující se tím, že uvedený oxid niobu vytváří anodu elektrolytického kondenzátoru, přičemž kapacitance anody je od asi 1,000 do asi 300,000 CV/g.
    34.
    Oxid niobu podle nároku že kapacitance anody je CV/g.
    33, od vyznačující se tím, asi 60,000 do asi 200,000
    35.
    Oxid niobu podle že uvedená anoda nároku
    33,
    36.
    od asi 0,5 do asi vyznačující se má propustnost stejnosměrného 5 ηΆ/CV.
    proudu
    Oxid niobu podle že zahrnuje formu nároku 21, nodulární, vyznačující se vločkovou, angulární nebo jejich kombinace.
    37.
    Kondenzátor, vyznačující že zahrnuj e oxid niobu podle nároku 21.
    Kondenzátor, vyznačující tím, zahrnuj e oxid niobu podle nároku 33.
    39.
    Oxid niobu podle nároku 21, že uvedený oxid niobu je slinován při teplotě 1200 °C do asi 1750 °C.
    vyznačující od asi
    40. Oxid niobu podle nároku 21, vyznačující se tím, že uvedený oxid niobu je slinován při teplotě od asi 1200 °C do asi 1450 °C.
    01-1038-01-ČE
    41. Kondenzátor podle nároku 37, vyznačující se tím, že má kapacitanci od asi 1,000 CV/g do asi 200,000 CV/g.
    42. Kondenzátor podle nároku 37, vyznačující se tím, že má kapacitanci od asi 60,000 CV/g do asi 200,000 CV/g.
    43. Kondenzátor podle nároku 37, vyznačující se tím, že má propustnost stejnosměrného proudu od asi 0,5 do asi 5 nA/CV.
    44. Způsob výroby anody kondenzátoru, vyznačující se tím, že zahrnuje:
    a) tvoření pelet oxidu niobu a tepelné zpracování pelet v přítomnosti getrového materiálu a v atmosféře, ve které dochází k přenosu atomů kyslíku z oxidu niobu do getrového materiálu při dostatečné teplotě a po dobu dostatečnou k vytvoření elektrody zahrnující peletu, přičemž peleta zahrnuje oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku a
    b) anodizaci uvedené elektrody k vytvoření anody kondenzátoru.
    45. Způsob podle nároku 44, vyznačující se tím, že atmosféra je vodíková atmosféra.
    46. Způsob podle nároku 44, vyznačující se tím, že getrový materiál zahrnuje tantal, niob nebo oba.
    oi-iO38-oi-čE ·..· .:. %
    47. Způsob podle nároku 44, vyznačující se tím, že getrový materiál je niob.
    48. Způsob podle nároku 44, vyznačující se tím, že oxid niobu se sníženým obsahem kyslíku má poměr atomů niobu ku kyslíku 1 ku méně než 2,5.
CZ20010952A 1998-09-16 1999-09-15 Způsob výroby práškovitého oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku, práškovitý oxid niobu, anoda kondenzátoru a způsob výroby anody kondenzátoru CZ298823B6 (cs)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/154,452 US6391275B1 (en) 1998-09-16 1998-09-16 Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US09/347,990 US6416730B1 (en) 1998-09-16 1999-07-06 Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2001952A3 true CZ2001952A3 (cs) 2002-02-13
CZ298823B6 CZ298823B6 (cs) 2008-02-13

Family

ID=26851462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20010952A CZ298823B6 (cs) 1998-09-16 1999-09-15 Způsob výroby práškovitého oxidu niobu se sníženým obsahem kyslíku, práškovitý oxid niobu, anoda kondenzátoru a způsob výroby anody kondenzátoru

Country Status (19)

Country Link
US (6) US6416730B1 (cs)
EP (2) EP1357086A1 (cs)
JP (1) JP5070533B2 (cs)
KR (1) KR20010075153A (cs)
CN (2) CN1320103A (cs)
AT (1) ATE244685T1 (cs)
AU (1) AU757379B2 (cs)
BR (1) BR9913828B1 (cs)
CZ (1) CZ298823B6 (cs)
DE (1) DE69909494T3 (cs)
DK (1) DK1115658T3 (cs)
ES (1) ES2198990T3 (cs)
HK (1) HK1040231B (cs)
IL (1) IL142008A (cs)
MX (1) MXPA01002775A (cs)
PT (1) PT1115658E (cs)
RU (1) RU2232720C2 (cs)
TW (1) TW460414B (cs)
WO (1) WO2000015555A1 (cs)

Families Citing this family (172)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462934B2 (en) 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
PT1266386E (pt) * 2000-03-23 2009-10-23 Cabot Corp Óxidos de nióbio de oxigénio reduzido
DE10041901A1 (de) 2000-08-25 2002-03-07 Starck H C Gmbh Kondensatoranode auf Basis Niob
EP1334498B1 (en) * 2000-11-06 2006-09-13 Cabot Corporation Modified oxygen reduced valve metal oxides
AU2002224129A1 (en) 2000-11-30 2002-06-11 Showa Denko K K Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
US6663687B2 (en) 2000-12-01 2003-12-16 Showa Denko K.K. Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
JP4521849B2 (ja) * 2000-12-01 2010-08-11 昭和電工株式会社 コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ
US7210641B2 (en) * 2001-02-28 2007-05-01 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
US7149074B2 (en) * 2001-04-19 2006-12-12 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
JP4480943B2 (ja) * 2001-05-15 2010-06-16 昭和電工株式会社 一酸化ニオブ解砕粉、一酸化ニオブ焼結体及び一酸化ニオブ焼結体を用いたコンデンサ
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
US20030104923A1 (en) * 2001-05-15 2003-06-05 Showa Denko K.K. Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body
JP3965300B2 (ja) * 2002-01-18 2007-08-29 Ｎｅｃトーキン株式会社 Ｎｂ固体電解コンデンサおよびその製造方法
DE10307716B4 (de) * 2002-03-12 2021-11-18 Taniobis Gmbh Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
JP2004076063A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Kawatetsu Mining Co Ltd ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
BR0204587A (pt) 2002-11-04 2004-06-29 Cbmm Sa Processo de produção de pó de nióbio e/ou de tântalo de elevada área superficial
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
DE602004018938D1 (de) * 2003-03-28 2009-02-26 Mitsubishi Materials Corp Herstellungsverfahren für Schneideinsatz und Verwendung einer Vorrichtung zur Ausrichtung eines Grünlings
US7135141B2 (en) * 2003-03-31 2006-11-14 Hitachi Metals, Ltd. Method of manufacturing a sintered body
US7157073B2 (en) * 2003-05-02 2007-01-02 Reading Alloys, Inc. Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom
US20060275204A1 (en) * 2003-05-05 2006-12-07 Companhia Brasileira De Metalurgia E Mineracao Process for the production of niobium oxide powder for use in capacitors
US7445679B2 (en) * 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
CN101676217A (zh) 2003-05-19 2010-03-24 卡伯特公司 生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物
DE502004011120D1 (de) * 2003-07-15 2010-06-17 Starck H C Gmbh Niobsuboxidpulver
EP1505611B9 (de) * 2003-07-22 2012-12-05 H.C. Starck GmbH Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren
DE10333156A1 (de) * 2003-07-22 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Niobsuboxid
BR0304252B1 (pt) * 2003-09-25 2013-05-14 processo de produÇço de pà de monàxido de niàbio, monàxido de niàbio, e, capacitor.
DE10347702B4 (de) * 2003-10-14 2007-03-29 H.C. Starck Gmbh Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid
EP1683167B1 (en) 2003-11-10 2012-04-18 Showa Denko K.K. Niobium powder for capacitor, niobium sintered body and capacitor
US7803235B2 (en) * 2004-01-08 2010-09-28 Cabot Corporation Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen
WO2005068668A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-28 Cabot Corporation CONVERSION OF Ta2O5 TO Ta METAL
US20050225927A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Tagusagawa Solon Y Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
JP5209962B2 (ja) 2004-06-24 2013-06-12 ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド 改善された物理的性質および電気的性質を有するバルブメタルの製造
JP4743507B2 (ja) 2004-11-29 2011-08-10 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ
JP2006206428A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ニオブ酸化物及びその製造方法
US7099143B1 (en) 2005-05-24 2006-08-29 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
CA2609231C (en) * 2005-06-03 2014-07-15 H.C. Starck Gmbh Niobium suboxides
GB0511321D0 (en) * 2005-06-03 2005-07-13 Starck H C Gmbh Inorganic compounds
WO2007020464A1 (en) 2005-08-19 2007-02-22 Avx Limited Solid state capacitors and method of manufacturing them
GB0517952D0 (en) * 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US7283350B2 (en) * 2005-12-02 2007-10-16 Vishay Sprague, Inc. Surface mount chip capacitor
US7511943B2 (en) * 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
US7480130B2 (en) * 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
WO2008001774A1 (fr) * 2006-06-26 2008-01-03 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Procédé de fabrication d'oxydes de niobium et de monoxyde de niobium
DK2054901T3 (da) 2006-08-16 2020-01-20 H C Starck Tantalum And Niobium Gmbh Halvfærdige produkter med en struktureret sinteraktiv overflade og fremgangsmåde til fremstilling af disse
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US7554792B2 (en) 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7649730B2 (en) * 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
US20080232032A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Avx Corporation Anode for use in electrolytic capacitors
US20080254269A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Yuri Freeman NbO Capacitors With Improved Performance And Higher Working Voltages
US8325465B2 (en) * 2007-04-13 2012-12-04 Kemet Electronics Corporation NbO capacitors with improved performance and higher working voltages
EP2176872A2 (en) * 2007-07-18 2010-04-21 Cabot Corporation Niobium suboxide- and niobium-tantalum-oxide-powders and capacitor anodes produced thereof
CN101778683A (zh) * 2007-08-16 2010-07-14 H.C.施塔克有限公司 由阀金属和阀金属低氧化物组成的纳米结构及其制备方法
CN100577574C (zh) 2007-08-25 2010-01-06 宁夏东方钽业股份有限公司 低价氧化铌或铌粉的制备方法
US7760487B2 (en) * 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
US7768773B2 (en) 2008-01-22 2010-08-03 Avx Corporation Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
US7760488B2 (en) * 2008-01-22 2010-07-20 Avx Corporation Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
US7852615B2 (en) 2008-01-22 2010-12-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound
US7826200B2 (en) * 2008-03-25 2010-11-02 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly containing a resettable fuse
US8094434B2 (en) * 2008-04-01 2012-01-10 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8199462B2 (en) 2008-09-08 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
JP5276109B2 (ja) * 2008-09-09 2013-08-28 株式会社エヌディーシー 手袋及びその付属品
JP2010064923A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 一酸化ニオブの製造方法及び一酸化ニオブ
US20100085685A1 (en) 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
US8223473B2 (en) 2009-03-23 2012-07-17 Avx Corporation Electrolytic capacitor containing a liquid electrolyte
GB2468942B (en) 2009-03-23 2014-02-19 Avx Corp High voltage electrolytic capacitors
US8345406B2 (en) * 2009-03-23 2013-01-01 Avx Corporation Electric double layer capacitor
US8405956B2 (en) * 2009-06-01 2013-03-26 Avx Corporation High voltage electrolytic capacitors
US8279583B2 (en) 2009-05-29 2012-10-02 Avx Corporation Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste
US8199461B2 (en) 2009-05-29 2012-06-12 Avx Corporation Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors
US8441777B2 (en) * 2009-05-29 2013-05-14 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with facedown terminations
US8139344B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-20 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly and method with recessed leadframe channel
US8194395B2 (en) * 2009-10-08 2012-06-05 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8125768B2 (en) 2009-10-23 2012-02-28 Avx Corporation External coating for a solid electrolytic capacitor
US8339771B2 (en) * 2010-02-19 2012-12-25 Avx Corporation Conductive adhesive for use in a solid electrolytic capacitor
KR20130076793A (ko) * 2010-04-07 2013-07-08 도요 알루미늄 가부시키가이샤 전극 구조체의 제조 방법, 전극 구조체 및 콘덴서
US8512422B2 (en) 2010-06-23 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an improved manganese oxide electrolyte
US8619410B2 (en) 2010-06-23 2013-12-31 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications
US8125769B2 (en) 2010-07-22 2012-02-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly with multiple cathode terminations
US8259436B2 (en) 2010-08-03 2012-09-04 Avx Corporation Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly
US8279584B2 (en) 2010-08-12 2012-10-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
US8824121B2 (en) 2010-09-16 2014-09-02 Avx Corporation Conductive polymer coating for wet electrolytic capacitor
US8968423B2 (en) 2010-09-16 2015-03-03 Avx Corporation Technique for forming a cathode of a wet electrolytic capacitor
US8605411B2 (en) 2010-09-16 2013-12-10 Avx Corporation Abrasive blasted conductive polymer cathode for use in a wet electrolytic capacitor
US8199460B2 (en) 2010-09-27 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved anode termination
US8824122B2 (en) 2010-11-01 2014-09-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications
US8514547B2 (en) 2010-11-01 2013-08-20 Avx Corporation Volumetrically efficient wet electrolytic capacitor
US8259435B2 (en) 2010-11-01 2012-09-04 Avx Corporation Hermetically sealed wet electrolytic capacitor
US8355242B2 (en) 2010-11-12 2013-01-15 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor element
US8848342B2 (en) 2010-11-29 2014-09-30 Avx Corporation Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors
US8576543B2 (en) 2010-12-14 2013-11-05 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt
US8493713B2 (en) 2010-12-14 2013-07-23 Avx Corporation Conductive coating for use in electrolytic capacitors
US8477479B2 (en) 2011-01-12 2013-07-02 Avx Corporation Leadwire configuration for a planar anode of a wet electrolytic capacitor
US8687347B2 (en) 2011-01-12 2014-04-01 Avx Corporation Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor
US8451588B2 (en) 2011-03-11 2013-05-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion
US8582278B2 (en) 2011-03-11 2013-11-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved mechanical stability
US8514550B2 (en) 2011-03-11 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a cathode termination with a slot for an adhesive
US8300387B1 (en) 2011-04-07 2012-10-30 Avx Corporation Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability
US9767964B2 (en) 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
US8947857B2 (en) 2011-04-07 2015-02-03 Avx Corporation Manganese oxide capacitor for use in extreme environments
US8379372B2 (en) 2011-04-07 2013-02-19 Avx Corporation Housing configuration for a solid electrolytic capacitor
US8451586B2 (en) 2011-09-13 2013-05-28 Avx Corporation Sealing assembly for a wet electrolytic capacitor
US9105401B2 (en) 2011-12-02 2015-08-11 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a gelled working electrolyte
GB2498066B (en) 2011-12-20 2015-09-23 Avx Corp Wet electrolytic capacitor containing an improved anode
US9576743B2 (en) 2012-01-13 2017-02-21 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with integrated fuse assembly
DE102013101443B4 (de) 2012-03-01 2025-05-28 KYOCERA AVX Components Corporation (n. d. Ges. d. Staates Delaware) Verfahren zum Ausbilden eines Ultrahochspannungs-Festelektrolytkondensators
US9053861B2 (en) 2012-03-16 2015-06-09 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a colloidal suspension
US8971020B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive copolymer
US9129747B2 (en) 2012-03-16 2015-09-08 Avx Corporation Abrasive blasted cathode of a wet electrolytic capacitor
US8971019B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
US9076592B2 (en) 2012-03-16 2015-07-07 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a microemulsion
JP2013219362A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Avx Corp 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ
US8760852B2 (en) 2012-04-24 2014-06-24 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing multiple sinter bonded anode leadwires
US8947858B2 (en) 2012-04-24 2015-02-03 Avx Corporation Crimped leadwire for improved contact with anodes of a solid electrolytic capacitor
GB2502703B (en) 2012-05-30 2016-09-21 Avx Corp Notched lead for a solid electrolytic capacitor
US9776281B2 (en) 2012-05-30 2017-10-03 Avx Corporation Notched lead wire for a solid electrolytic capacitor
US9548163B2 (en) 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
DE102013213720A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator
CN103578768B (zh) 2012-07-19 2017-10-31 Avx公司 用在电解电容器固体电解质中的非离子表面活性剂
DE102013213723A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
GB2512480B (en) 2013-03-13 2018-05-30 Avx Corp Solid electrolytic capacitor for use in extreme conditions
GB2512486B (en) 2013-03-15 2018-07-18 Avx Corp Wet electrolytic capacitor
GB2512481B (en) 2013-03-15 2018-05-30 Avx Corp Wet electrolytic capacitor for use at high temperatures
US9324503B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor
US9240285B2 (en) 2013-04-29 2016-01-19 Avx Corporation Multi-notched anode for electrolytic capacitor
US9472350B2 (en) 2013-05-13 2016-10-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
US9824826B2 (en) 2013-05-13 2017-11-21 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
US9892862B2 (en) 2013-05-13 2018-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
US9236192B2 (en) 2013-08-15 2016-01-12 Avx Corporation Moisture resistant solid electrolytic capacitor assembly
US9269499B2 (en) 2013-08-22 2016-02-23 Avx Corporation Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor
US9236193B2 (en) 2013-10-02 2016-01-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions
US9589733B2 (en) 2013-12-17 2017-03-07 Avx Corporation Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite
TWI560781B (en) * 2014-09-10 2016-12-01 Au Optronics Corp Method for fabricating thin film transistor and apparatus thereof
US9916935B2 (en) 2014-11-07 2018-03-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with increased volumetric efficiency
US9620293B2 (en) 2014-11-17 2017-04-11 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor for an implantable medical device
US9892860B2 (en) 2014-11-24 2018-02-13 Avx Corporation Capacitor with coined lead frame
US9837216B2 (en) 2014-12-18 2017-12-05 Avx Corporation Carrier wire for solid electrolytic capacitors
US9620294B2 (en) 2014-12-30 2017-04-11 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a recessed planar anode and a restraint
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US10297393B2 (en) 2015-03-13 2019-05-21 Avx Corporation Ultrahigh voltage capacitor assembly
US9905368B2 (en) 2015-08-04 2018-02-27 Avx Corporation Multiple leadwires using carrier wire for low ESR electrolytic capacitors
US9842704B2 (en) 2015-08-04 2017-12-12 Avx Corporation Low ESR anode lead tape for a solid electrolytic capacitor
DE102015216964A1 (de) * 2015-09-04 2017-03-09 Robert Bosch Gmbh Asymmetrischer Hybridsuperkondensator
US9545008B1 (en) 2016-03-24 2017-01-10 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
US9907176B2 (en) 2016-03-28 2018-02-27 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor module with improved planarity
US9870868B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor for use in a subcutaneous implantable cardioverter-defibrillator
US9870869B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
CN110024067B (zh) 2016-09-22 2021-08-10 阿维科斯公司 包含源于无冲突矿场的电子管金属的电解质电容器及其形成方法
US10431389B2 (en) 2016-11-14 2019-10-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for high voltage environments
CN106732326B (zh) * 2016-11-18 2019-02-26 湖南稀土金属材料研究院 吸气材料及其制备方法和吸气剂
US11077497B2 (en) 2017-06-07 2021-08-03 Global Titanium Inc. Deoxidation of metal powders
JP7138165B2 (ja) 2017-09-21 2022-09-15 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 非紛争採鉱地から供給される金属部品を含む電子部品及びそれを形成する方法
CN108046323B (zh) * 2017-12-20 2019-08-02 广东省稀有金属研究所 一种铌氧化物的制备方法
US10553673B2 (en) 2017-12-27 2020-02-04 Micron Technology, Inc. Methods used in forming at least a portion of at least one conductive capacitor electrode of a capacitor that comprises a pair of conductive capacitor electrodes having a capacitor insulator there-between and methods of forming a capacitor
KR102503996B1 (ko) 2018-03-05 2023-03-02 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. 구형 탄탈럼 분말, 그를 함유하는 생성물, 및 그의 제조 방법
IL277123B2 (en) 2018-03-05 2025-07-01 Global Advanced Metals Usa Inc Anodes containing spherical powder and capacitors
US12221678B2 (en) 2018-03-05 2025-02-11 Global Advanced Metals Usa, Inc. Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
US11081288B1 (en) 2018-08-10 2021-08-03 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic
US11380492B1 (en) 2018-12-11 2022-07-05 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
CN113728408B (zh) 2019-04-25 2024-03-08 京瓷Avx元器件(曼谷)有限公司 固态电解电容器
WO2020236579A1 (en) 2019-05-17 2020-11-26 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor
US11756742B1 (en) 2019-12-10 2023-09-12 KYOCERA AVX Components Corporation Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures
US11763998B1 (en) 2020-06-03 2023-09-19 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
US20240096563A1 (en) 2022-08-26 2024-03-21 KYOCERA AVX Components Corporation Wet Electrolytic Capacitor Containing A Gelled Working Electrolyte

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US135973A (en) * 1873-02-18 Improvement in seats for chairs
US104923A (en) * 1870-07-05 Improved instep-stretcher for boots and shoes
US28175A (en) * 1860-05-08 Frog for bayonet-scabbards
US114722A (en) * 1871-05-09 Improvement in extension tables
US1123015A (en) † 1914-09-03 1914-12-29 Jacob Samuels Stocking attachment.
US1415516A (en) 1919-05-29 1922-05-09 Bridge Arthur Method of and apparatus for reducing metals, etc.
US1906184A (en) 1931-02-27 1933-04-25 Heraeus Vacuumschmelze Ag Method of reducing metal oxides
US2183517A (en) 1937-03-19 1939-12-12 Metallurg De Hoboken Soc Gen Treatment of materials containing tantalum and niobium
GB489742A (en) 1937-03-22 1938-08-03 Metallurg De Hoboken Soc Gen Improvements in and relating to the treatment of substances containing tantalum and/or niobium
GB485318A (en) 1937-03-23 1938-05-18 Metallurg De Hoboken Soc Gen Improvements in and relating to the treatment of materials containing tantulum and niobium
US2242759A (en) 1938-03-02 1941-05-20 Walter H Duisberg Reduction of difficultly reducible oxides
US2443254A (en) * 1945-12-07 1948-06-15 Electro Metallargical Company Separation of columbium and tantalum oxides
US2621137A (en) 1948-07-13 1952-12-09 Charles Hardy Inc Reducing metal powders
US2700606A (en) 1951-08-01 1955-01-25 Harley A Wilhelm Production of vanadium metal
US2761776A (en) 1956-03-29 1956-09-04 Bichowsky Foord Von Process for the manufacture of particulate metallic niobium
GB835316A (en) 1957-07-24 1960-05-18 Johnson Matthey Co Ltd Improvements in and relating to the refining of metals
US2861882A (en) 1957-11-12 1958-11-25 Bichowsky Foord Von Process for reducing niobium oxides to metallic state
US2992095A (en) 1958-01-17 1961-07-11 Wah Chang Corp Process of separating niobium and tantalum values in oxidic ores and of producing pure niobium
US2937939A (en) 1958-11-10 1960-05-24 Harley A Wilhelm Method of producing niobium metal
CH377325A (de) * 1959-12-04 1964-05-15 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von Niob- und Tantalpentoxyd
GB1123015A (en) 1964-08-07 1968-08-07 Union Carbide Corp A process for producing sintered anodes
US3421195A (en) 1965-12-23 1969-01-14 Dale Electronics Capacitor and method of making same
US3418106A (en) 1968-01-31 1968-12-24 Fansteel Inc Refractory metal powder
CH515996A (de) 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3849124A (en) * 1969-12-05 1974-11-19 Norton Co Capacitor powder
US3665260A (en) * 1970-06-01 1972-05-23 Trw Inc Alloy capacitor porous anodes
FR2142203A5 (en) † 1971-06-16 1973-01-26 Korotkevich Maria Nitrides, oxides and oxy-nitrides of refractory metals - - in the form of a homogeneous powder
IT963874B (it) 1972-08-10 1974-01-21 Getters Spa Dispositivo getter perfezionato contenente materiale non evapora bile
DE2240658A1 (de) 1972-08-18 1974-02-28 Degussa Verfahren zur desoxydation refraktaerer metalle, insbesondere zur desoxydation von niob und tantal
US3962715A (en) † 1974-12-03 1976-06-08 Yeshiva University High-speed, high-current spike suppressor and method for fabricating same
US4032328A (en) 1975-10-23 1977-06-28 University Of Minnesota, Inc. Metal reduction process
US4059442A (en) 1976-08-09 1977-11-22 Sprague Electric Company Method for making a porous tantalum pellet
DE2743842C2 (de) * 1976-10-01 1982-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
US4201798A (en) 1976-11-10 1980-05-06 Solarex Corporation Method of applying an antireflective coating to a solar cell
US4118727A (en) † 1977-09-09 1978-10-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army MOX multi-layer switching device comprising niobium oxide
US4406699A (en) 1981-06-09 1983-09-27 Beck David E High-temperature electrically conductive ceramic composite and method for making same
DE3130392C2 (de) 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
JPS5950604B2 (ja) 1981-11-27 1984-12-10 三菱マテリアル株式会社 酸化チタン粉末の製造法
US4428856A (en) 1982-09-30 1984-01-31 Boyarina Maya F Non-evaporable getter
US4748737A (en) 1985-11-27 1988-06-07 Westinghouse Electric Corp. Method of removing surface oxidation from particulates
JPS62188956A (ja) * 1985-12-03 1987-08-18 コンダクタ　ゲゼルシヤフト　フユア　メス−ウント　レゲルテヒニク　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング　ウント　コンパニ− 化学半電池
CN86107657B (zh) * 1986-11-11 1988-01-13 北京有色金属研究总院 球状五氧化二铌的生产方法
US4722756A (en) * 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US4805074A (en) 1987-03-20 1989-02-14 Nitsuko Corporation Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same
US5211741A (en) 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
DE3819779A1 (de) 1988-06-10 1989-12-21 Bayer Ag Verbessertes chromoxidgruen, verfahren zu seiner herstellung und dessen verwendung
US4923531A (en) 1988-09-23 1990-05-08 Rmi Company Deoxidation of titanium and similar metals using a deoxidant in a molten metal carrier
US5022935A (en) 1988-09-23 1991-06-11 Rmi Titanium Company Deoxidation of a refractory metal
DE3918691A1 (de) † 1989-06-08 1990-12-13 Starck Hermann C Fa Nioboxidpulver (nb(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)o(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)) sowie verfahren zu dessen herstellung
US4960471A (en) 1989-09-26 1990-10-02 Cabot Corporation Controlling the oxygen content in tantalum material
US4964906A (en) † 1989-09-26 1990-10-23 Fife James A Method for controlling the oxygen content of tantalum material
US5011742A (en) 1989-09-26 1991-04-30 Fife James A Article for controlling the oxygen content in tantalum material
US5013357A (en) 1989-10-26 1991-05-07 Westinghouse Electric Corp. Direct production of niobium titanium alloy during niobium reduction
JP2973499B2 (ja) 1990-09-13 1999-11-08 松下電器産業株式会社 チップ型固体電解コンデンサ
JP3005319B2 (ja) 1990-10-19 2000-01-31 石原産業株式会社 針状あるいは板状低次酸化チタンおよびその製造方法
US5173215A (en) 1991-02-21 1992-12-22 Atraverda Limited Conductive titanium suboxide particulates
US5171379A (en) 1991-05-15 1992-12-15 Cabot Corporation Tantalum base alloys
US5245514A (en) 1992-05-27 1993-09-14 Cabot Corporation Extruded capacitor electrode and method of making the same
US5284531A (en) 1992-07-31 1994-02-08 Cabot Corporation Cylindrical metal fibers made from tantalum, columbium, and alloys thereof
RU2061976C1 (ru) * 1992-09-04 1996-06-10 Малое инновационно-коммерческое предприятие "АВИ-центр" Способ изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора
US5369547A (en) * 1993-03-22 1994-11-29 The Evans Findings Co., Ltd. Capacitor
FR2703348B1 (fr) 1993-03-30 1995-05-12 Atochem Elf Sa Procédé de préparation de poudre pour céramique en oxynitrure d'aluminium gamma optiquement transparente et la poudre ainsi obtenue.
US5448447A (en) 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5412533A (en) 1993-06-22 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
US5470525A (en) 1994-07-01 1995-11-28 H. C. Starck, Inc. Removal of binder from Ta products
US6338832B1 (en) * 1995-10-12 2002-01-15 Cabot Corporation Process for producing niobium and tantalum compounds
AU2581797A (en) * 1996-03-26 1997-10-17 Cabot Corporation Method for solubilizing metal values from ta-nb-ore materials containing insoluble fluorides
US5993513A (en) 1996-04-05 1999-11-30 Cabot Corporation Method for controlling the oxygen content in valve metal materials
US6165623A (en) † 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
US5825611A (en) 1997-01-29 1998-10-20 Vishay Sprague, Inc. Doped sintered tantalum pellets with nitrogen in a capacitor
US6007597A (en) 1997-02-28 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Electron-beam melt refining of ferroniobium
US6051326A (en) 1997-04-26 2000-04-18 Cabot Corporation Valve metal compositions and method
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
BRPI9917635B1 (pt) † 1998-05-06 2017-06-06 Starck H C Gmbh Co Kg pó de nióbio na forma de partículas aglomeradas primárias e método para a obtenção de um anodo de capacitor
DE19831280A1 (de) 1998-07-13 2000-01-20 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern
US6171363B1 (en) * 1998-05-06 2001-01-09 H. C. Starck, Inc. Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
US6001281A (en) 1998-09-04 1999-12-14 Kemet Electronics Corporation Preparation of conductive polymers from stabilized precursor solutions
US6462934B2 (en) * 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6322912B1 (en) 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US6391275B1 (en) 1998-09-16 2002-05-21 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6072694A (en) 1998-09-30 2000-06-06 Kemet Electronics Corporation Electrolytic capacitor with improved leakage and dissipation factor
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19953946A1 (de) 1999-11-09 2001-05-10 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
PT1266386E (pt) 2000-03-23 2009-10-23 Cabot Corp Óxidos de nióbio de oxigénio reduzido
DE10030387A1 (de) 2000-06-21 2002-01-03 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US7737066B2 (en) 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
US20030104923A1 (en) 2001-05-15 2003-06-05 Showa Denko K.K. Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body

Also Published As

Publication number Publication date
CZ298823B6 (cs) 2008-02-13
EP1357086A1 (en) 2003-10-29
RU2232720C2 (ru) 2004-07-20
JP2002524378A (ja) 2002-08-06
DE69909494T3 (de) 2011-12-01
TW460414B (en) 2001-10-21
DE69909494D1 (de) 2003-08-14
US7445762B2 (en) 2008-11-04
AU757379B2 (en) 2003-02-20
US6373685B1 (en) 2002-04-16
US6759026B2 (en) 2004-07-06
US20050084445A1 (en) 2005-04-21
ES2198990T3 (es) 2004-02-01
PT1115658E (pt) 2003-11-28
EP1115658A1 (en) 2001-07-18
BR9913828B1 (pt) 2009-01-13
DE69909494T2 (de) 2004-05-27
ATE244685T1 (de) 2003-07-15
WO2000015555A1 (en) 2000-03-23
CN102603002A (zh) 2012-07-25
DK1115658T3 (da) 2003-10-27
IL142008A0 (en) 2002-03-10
US20040033183A1 (en) 2004-02-19
US20030003044A1 (en) 2003-01-02
IL142008A (en) 2004-09-27
AU6041299A (en) 2000-04-03
US6592740B2 (en) 2003-07-15
EP1115658B2 (en) 2011-07-20
KR20010075153A (ko) 2001-08-09
JP5070533B2 (ja) 2012-11-14
US20020135973A1 (en) 2002-09-26
CN1320103A (zh) 2001-10-31
MXPA01002775A (es) 2002-06-04
EP1115658B1 (en) 2003-07-09
US6416730B1 (en) 2002-07-09
HK1040231A1 (en) 2002-05-31
BR9913828A (pt) 2001-12-18
HK1040231B (en) 2004-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ2001952A3 (cs) Způsob částečné redukce oxidu niobu a oxid niobu se sníľeným obsahem kyslíku
CZ303153B6 (cs) Zpusob výroby práškovitého oxidu kovu se sníženým obsahem kyslíku, práškovitý oxid kovu se sníženým obsahem kyslíku, kondenzátor a zpusob výroby anody kondenzátoru
US6576099B2 (en) Oxygen reduced niobium oxides
US6462934B2 (en) Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
JP4275951B2 (ja) 酸化ニオブの製造方法
EP1266386B1 (en) Anode comprising niobium oxide powder and method of forming it
US20020141936A1 (en) Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
CZ20031149A3 (cs) Práškové směsi tantalu a nitridu tantalitého pro substráty elektrolytických kondenzátorů
AU2001247714A1 (en) Oxygen reduced niobium oxides
KR20020091147A (ko) 산소 환원된 니오븀 산화물

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20140915