ES2198990T3 - Procedimientos para reducir parcialmente un oxido metalico de niobio y oxidos de niobio reducidos en su oxigeno. - Google Patents

Procedimientos para reducir parcialmente un oxido metalico de niobio y oxidos de niobio reducidos en su oxigeno.

Info

Publication number
ES2198990T3
ES2198990T3 ES99969075T ES99969075T ES2198990T3 ES 2198990 T3 ES2198990 T3 ES 2198990T3 ES 99969075 T ES99969075 T ES 99969075T ES 99969075 T ES99969075 T ES 99969075T ES 2198990 T3 ES2198990 T3 ES 2198990T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
niobium
niobium oxide
oxygen
reducing material
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES99969075T
Other languages
English (en)
Inventor
James A. Fife
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cabot Corp
Original Assignee
Cabot Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26851462&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=ES2198990(T3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from US09/154,452 external-priority patent/US6391275B1/en
Application filed by Cabot Corp filed Critical Cabot Corp
Application granted granted Critical
Publication of ES2198990T3 publication Critical patent/ES2198990T3/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G1/00Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
    • C01G1/02Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G33/00Compounds of niobium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G35/00Compounds of tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6265Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering involving reduction or oxidation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6268Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the applied pressure or type of atmosphere, e.g. in vacuum, hydrogen or a specific oxygen pressure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/638Removal thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C29/00Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/12Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/20Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/50Agglomerated particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/14Pore volume
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/16Pore diameter
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3253Substoichiometric niobium or tantalum oxides, e.g. NbO
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/404Refractory metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5409Particle size related information expressed by specific surface values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582Hydrogen containing atmosphere
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/721Carbon content
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/77Density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/79Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10Alloys containing non-metals
    • C22C1/1089Alloys containing non-metals by partial reduction or decomposition of a solid metal compound
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771Transition metal-base component
    • Y10T428/12806Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12819Group VB metal-base component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

Un procedimiento para reducir al menos parcialmente un óxido de niobio que comprende un tratamiento térmico del óxido de niobio en presencia de un material reductor y en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio hasta el material reductor, durante un tiempo y una temperatura suficientes para formar un óxido de niobio reducido en su oxígeno.

Description

Procedimientos para reducir parcialmente un óxido metálico de niobio y óxidos de niobio reducidos en su oxígeno
La presente invención se refiere a niobio y a los óxidos del mismo y más particularmente se refiere a óxidos de niobio y a los procedimientos para reducir al menos parcialmente el óxido de niobio y se refiere adicionalmente al niobio reducido en su oxígeno.
De acuerdo con los propósitos de la presente invención, como se incluye en las realizaciones descritas en la presente invención, la presente invención se refiere a un procedimiento para reducir al menos parcialmente un óxido de niobio que incluye las etapas de calentar el óxido de niobio en presencia de un material reductor y en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio hasta el material reductor durante un tiempo y a una temperatura suficientes para formar un óxido de niobio reducido en su oxígeno.
La presente invención también se refiere a óxidos de niobio reducidos en su oxígeno según se define en las reivindicaciones 24 a 43 que preferiblemente tienen propiedades beneficiosas, especialmente cuando se forman en un ánodo condensador electrolítico, y a un procedimiento para reducir al menos parcialmente un óxido de niobio según se define en las reivindicaciones 1 a 23.
Por ejemplo, un condensador fabricado a partir de un óxido de niobio reducido en su oxígeno de la presente invención puede tener una capacitancia de hasta aproximadamente 200.000 CV/g o más. Adicionalmente, los ánodos de los condensadores electrolíticos fabricados a partir de óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención pueden tener una fuga de CC baja. Por ejemplo, un condensador tal puede presentar una fuga de CC entre aproximadamente 0,5 nA/CV y aproximadamente 5,0 nA/CV.
Por consiguiente, la presente invención también se refiere a los procedimientos para aumentar la capacitancia y reducir las fugas de CC en los condensadores fabricados a partir de óxidos de niobio, que implican la reducción parcial de un óxido de niobio mediante un tratamiento térmico del óxido de niobio en presencia de un material reductor y en una atmósfera que permita la transferencia de los átomos de oxígeno desde el óxido de niobio al material reductor, durante un tiempo y a una temperatura suficientes para formar un óxido de niobio reducido en su oxígeno, que al formarse en un ánodo de un condensador, presente unas fugas de CC reducidas y/o una capacitancia aumentada.
Adicionalmente, la presente invención se refiere a un procedimiento para fabricar un ánodo de un condensador según se define en las reivindicaciones
\hbox{50 a 54.}
Se ha de entender que tanto la descripción general anterior como la descripción detallada siguiente sirven únicamente ejemplos y explicación y pretenden explicar más detalladamente la presente invención, según las reivindicaciones.
Las figuras 1-11 son SEMs de diversos óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención a diversos aumentos.
A continuación se describe con detalle la presente invención.
En una realización de la presente invención, la presente invención se refiere a procedimientos para reducir al menos parcialmente un óxido de niobio. En general, el procedimiento incluye las etapas de un tratamiento térmico de un óxido de niobio de partida en presencia de un material reductor en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio al material reductor durante un tiempo suficiente y a una temperatura suficiente para formar un óxido de niobio reducido en su oxígeno.
Para los propósitos de la presente invención, el óxido de niobio puede ser al menos un óxido de niobio metálico y/o aleaciones del mismo. Un ejemplo específico de un óxido de niobio de partida es Nb_{2}O_{5}.
El óxido de niobio utilizado en la presente invención puede tener cualquier forma y tamaño. Preferiblemente, el óxido de niobio se encuentra en forma de un polvo o de una pluralidad de partículas. Los ejemplos del tipo polvo que se puede utilizar incluyen, pero no se limitan a, en forma de copos, angulares, nodulares, y mezclas o variaciones de los mismos. Preferiblemente, el óxido de niobio se encuentra en forma de un polvo que da lugar, de forma más eficaz, al óxido de niobio reducido en su oxígeno.
Algunos ejemplos de tales polvos de niobio reducidos incluyen los que tienen unos tamaños de malla entre malla 60/100 y 100/325 y entre malla 60/100 y 200/325. Otro intervalo de tamaños se encuentra entre malla -40 y malla -325. En otras palabras, los polvos de óxido de niobio preferidos tienen unos tamaños de partícula entre 150/250 y 45/150 \mum (micrómetros) y entre 150/250 y 45/75 \mum (micrómetros). Otro intervalo de tamaños preferido está comprendido entre 355 \mum (micrómetros) y 45 \mum (micrómetros).
El material reductor para los propósitos de la presente invención es cualquier material capaz de reducir el óxido de niobio de partida específico al óxido de niobio reducido en su oxígeno. Preferiblemente, el material reductor comprende tántalo, niobio o ambos. Otros ejemplos incluyen, pero no se limitan a, magnesio y similares. Se puede utilizar cualquier material reductor que tenga más afinidad por el oxígeno que el óxido de niobio. Más preferiblemente, el material reductor es niobio. El material reductor de niobio para los propósitos de la presente invención es cualquier material que contenga niobio metálico que pueda eliminar o reducir al menos parcialmente el oxígeno del óxido de niobio. Así pues, el material reductor de niobio puede ser una aleación o un material que contenga mezclas de niobio metálico con otros ingredientes. Preferiblemente, el material reductor de niobio es predominantemente, si no de forma exclusiva, niobio metálico. La pureza del material reductor de niobio no resulta importante pero es preferible que el material reductor comprenda niobio de alta pureza para evitar la introducción de otras impurezas durante el procedimiento del tratamiento térmico. Por consiguiente, preferiblemente el niobio metálico del material reductor de niobio tiene una pureza de al menos 98% y más preferiblemente al menos 99%. Los niveles del material reductor de niobio pueden ser cualquier cantidad. Preferiblemente, las impurezas que afectan a las fugas de CC, tales como hierro, níquel, cromo, y carbono, están por debajo de 100 ppm. Lo más preferiblemente, el material reductor es un metal de niobio en forma de copos con una elevada capacidad de capacitancia, tal como mayor que 75.000 CV/g, y más preferiblemente 100.000 CV/g o superior, tal como aproximadamente 200.000 CV/g. El material reductor también tiene preferiblemente una elevada área superficial, tal como una BET entre 5 y 30 m^{2}/g y más preferiblemente entre 20 y
30 m^{2}/g.
El material reductor puede ser de cualquier forma o tamaño. Por ejemplo, el material reductor puede tener forma de una bandeja que contiene el óxido de niobio a reducir o puede tener un tamaño de partícula o de polvo. Preferiblemente, los materiales reductores se encuentran en forma de polvo con el fin de presentar el área superficial más eficaz para reducir el óxido de niobio. Así pues, el material reductor puede tener forma de copos, angular, nodular y mezclas o variaciones de los mismos, por ejemplo, aglomerados gruesos, tales como aglomerados de malla 14/40 que se pueden separar fácilmente del producto de polvo mediante tamizado.
De forma similar, el material reductor puede ser tántalo y similares y pueden tener los mismos parámetros y/o propiedades preferidos descritos anteriormente para el material reductor de niobio. Otros materiales reductores se pueden utilizar solos o en combinación con los materiales reductores de tántalo o de niobio. De igual forma, otros materiales pueden formar parte del material reductor.
El material reductor se puede retirar tras su uso o puede permanecer. Preferiblemente, si el material reductor va a permanecer en los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno, entonces preferiblemente el material reductor es niobio, preferiblemente con una forma y tamaño similares a los del óxido de niobio de partida. Adicionalmente, preferiblemente se utiliza un material reductor de alta pureza, alta área superficial y/o alta porosidad (por ejemplo, material de calidad para condensadores) dado que tal material obtendrá el mismo estado de óxido, o similar, que el óxido de niobio reducido en su oxígeno y por tanto el procedimiento logrará un rendimiento de 100% del óxido de niobio reducido en su oxígeno. Así pues, el material reductor puede actuar como el material reductor y también permanecer pasando a formar parte del óxido de niobio reducido en su oxígeno.
En general, una cantidad suficiente del material reductor está presente para reducir al menos parcialmente el óxido de niobio que se va a tratar térmicamente. Además, la cantidad del material reductor depende de la cantidad de reducción deseada del óxido de niobio. Por ejemplo, si se desea una ligera reducción del óxido de niobio, entonces el material reductor estará presente en una cantidad estequiométrica. De forma similar, si se ha de reducir el óxido de niobio de forma notable con respecto a su presencia de oxígeno, entonces el material reductor está presente en una cantidad entre 2 y 5 veces la cantidad estequiométrica. En general, la cantidad del material reductor presente (por ejemplo, basado en el material reductor de tántalo que es 100% tántalo) puede estar presente basado en la siguiente proporción de material reductor a la cantidad de óxido de niobio presente de entre 2 a 1 y 10 a 1. Preferiblemente el material reductor se amalgama o mezcla con el óxido de niobio de partida en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio al material reductor (por ejemplo, una atmósfera de hidrógeno), y preferiblemente a una temperatura entre 1.100ºC y 1.500ºC.
Además, la cantidad del material reductor también puede depender del tipo de óxido de niobio que se va a reducir. Por ejemplo, cuando el óxido de niobio que se va a reducir es Nb_{2}O_{5}, la cantidad de material reductor es preferiblemente 5 a 1. De igual forma, cuando se parte de Nb_{2}O_{5}, se utiliza una cantidad estequiométrica del material reductor, preferiblemente un metal de niobio en forma de copos, para lograr un óxido que es preferiblemente 0,89 partes de metal y 1 parte de óxido.
El tratamiento térmico al que se somete el óxido de niobio de partida puede llevarse a cabo en cualquier dispositivo u horno de tratamiento térmico utilizado comúnmente en el tratamiento térmico de metales, tales como niobio y tántalo. El tratamiento térmico del óxido de niobio en presencia del material reductor se lleva a cabo a una temperatura suficiente y durante un tiempo suficiente para formar un óxido de niobio reducido en su oxígeno. La temperatura y el tiempo del tratamiento térmico pueden depender de una variedad de factores tales como la cantidad de reducción del óxido de niobio, la cantidad de material reductor, y el tipo de material reductor así como del tipo del óxido de niobio de partida. En general, el tratamiento térmico del óxido de niobio se llevará a cabo a una temperatura menor que o aproximadamente entre 800ºC y 1.900ºC, y más preferiblemente entre 1.000ºC y 1.400ºC, y lo más preferiblemente entre 1.100ºC y 1.250ºC. De forma más detallada, las temperaturas del tratamiento térmico estarán entre 1.000ºC y 1.300ºC, y más preferiblemente entre 1.100ºC y 1.250ºC durante un tiempo de entre 5 minutos y 100 minutos, y más preferiblemente entre 30 minutos y 60 minutos. Las pruebas de rutina en vistas de la presente solicitud permitirán a un experto en la materia controlar fácilmente los tiempos y las temperaturas del tratamiento térmico con el fin de obtener la reducción adecuada o deseada del óxido de niobio.
El tratamiento térmico ocurre en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio al material reductor. El tratamiento térmico tiene lugar preferiblemente en una atmósfera que contenga hidrógeno que sea preferiblemente sólo hidrógeno. Otros gases también pueden estar presentes con el hidrógeno, tales como gases inertes, siempre que los otros gases no reaccionen con el hidrógeno. Preferiblemente, la atmósfera de hidrógeno está presente durante el tratamiento térmico a una presión de entre 1,333 kPa (10 Torr) y 266,6 kPa (2.000 Torr), y más preferiblemente entre 13,33 kPa (100 Torr) y 133,3 kPa (1.000 Torr), y más preferiblemente desde 13,33 kPa (100 Torr) hasta 123,97 kPa (930 Torr). Se pueden utilizar mezclas de H_{2} y un gas inerte como Ar. De igual forma, se pueden utilizar H_{2} y N_{2} para efectuar el control del nivel de N_{2} del óxido de niobio.
Durante el procedimiento de tratamiento térmico, se puede utilizar una temperatura de tratamiento térmico constante durante todo el procedimiento de tratamiento térmico o se pueden utilizar variaciones de la temperatura o de las etapas de temperatura. Por ejemplo, se puede admitir inicialmente hidrógeno a 1.000ºC seguido de un aumento de la temperatura hasta 1.250ºC durante 30 minutos seguido de una reducción de la temperatura hasta 1.000ºC y mantenimiento ahí hasta la eliminación del gas H_{2}. Tras eliminar el H_{2} u otra atmósfera, la temperatura del horno se puede disminuir. Se pueden utilizar variaciones de estas etapas para adecuarse a cualquier preferencia de la industria. El tamaño de los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno se puede reducir posteriormente por ejemplo mediante molienda. Los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno se pueden aglomerar y moler o procesarse de cualquier otro modo en el que se puedan procesar los metales de válvulas.
Los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno también pueden contener niveles de nitrógeno, por ejemplo, entre 100 ppm y 30.000 ppm de N_{2}.
El óxido de niobio reducido en su oxígeno es cualquier óxido de niobio que tenga un bajo contenido de oxígeno en el óxido metálico en comparación con el óxido de niobio de partida. Los óxidos de niobio reducidos típicos comprenden NbO, NbO_{0,7}, NbO_{1,1}, NbO_{2}, y cualquier combinación de los mismos con otros óxidos presentes. En general, el óxido de niobio reducido en su oxígeno de la presente invención tiene una relación atómica de niobio a oxígeno de 1:menos de 2,5, y preferiblemente de 1:2, y más preferiblemente 1:1,1, 1:1 ó 1:0,7. Dicho de otro modo, el óxido de niobio reducido preferiblemente tiene la fórmula Nb_{x}O_{y}, en la que Nb es niobio, x es 2 o menos e y es menos de 2,5x. Más preferiblemente, x es 1 e y es menor de 2, tal como 1,1, 1,0, 0,7 y similares.
Los óxidos de niobio de partida se pueden preparar mediante calcinación a 1.000ºC hasta la eliminación de cualquier componente volátil. El tamaño de los óxidos se puede definir mediante tamizado. El pretratamiento térmico de los óxidos de niobio se puede utilizar para crear una porosidad controlada de las partículas de óxido.
Los óxidos de niobio reducidos de la presente invención también tienen preferiblemente una superficie microporosa y preferiblemente tienen una estructura de tipo esponja, donde las partículas primarias tienen un tamaño preferiblemente de 1 micrómetro o menos. Las SEMs describen adicionalmente el tipo de óxido de niobio reducido preferido de la presente invención. Como se puede observar en estas micrografías, los óxidos de niobio reducidos de la presente invención pueden tener una elevada área superficial específico, y una estructura porosa con aproximadamente 50% de porosidad. Además, los óxidos de niobio de la presente invención se pueden caracterizar por tener un área superficial específica entre 0,5 y 10,0 m^{2}/g, más preferiblemente entre 0,5 y 2,0 m^{2}/g, e incluso más preferiblemente entre 1,0 y 1,5 m^{2}/g. La densidad aparente preferida del polvo de los óxidos de niobio es menor de 2,0 g/cm^{3}, más preferiblemente menor de 1,5 g/cm^{3}, e incluso más preferiblemente entre 0,5 g/cm^{3} y 1,5 g/cm^{3}. De igual forma, el polvo de los óxidos de niobio puede tener densidades de Scott, tales como entre 0,31 g/cm^{3} (5 g/in^{3}) y 2,14 g/cm^{3} (35 g/in^{3}).
La presente invención tiene la capacidad de obtener propiedades similares a, si no mejores que, el niobio y aún así utilizar menos niobio en el producto, dado que se forma y utiliza un óxido de niobio reducido en su oxígeno. Así pues, la presente invención aumenta la cantidad de niobio de los productos, tales como ánodos de condensadores, dado que se pueden fabricar más ánodos u otros productos utilizando la misma cantidad de niobio.
Los diversos óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención se pueden caracterizar adicionalmente mediante sus propiedades eléctricas resultantes de la formación de un ánodo para condensadores utilizando los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención. En general, se pueden examinar las propiedades eléctricas de los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención prensando polvos del óxido de niobio reducido en su oxígeno en un ánodo y sinterizando el polvo prensado a temperaturas apropiadas y a continuación anodizando el ánodo para producir un ánodo para condensadores electrolíticos cuyas propiedades eléctricas se pueden examinar seguidamente.
Por consiguiente, otra realización de la presente invención se refiere a ánodos para condensadores formados a partir de óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención. Los ánodos se pueden preparar a partir de la forma en polvo de los óxidos reducidos en un procedimiento similar al utilizado para la fabricación de ánodos metálicos, es decir, prensando pelets porosos con cables de plomo embebidos u otros conectores seguidos de una sinterización y anodización opcional. El conector de plomo se puede embeber o unir en cualquier momento antes de la anodización. Los ánodos fabricados a partir de algunos de los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención pueden tener una capacitancia de entre 1.000 CV/g o menor y 300.000 CV/g o más, y otros intervalos de capacitancia pueden estar entre 20.000 CV/g y 300.000 CV/g o entre 62.000 CV/g y 200.000 CV/g y preferiblemente entre 60.000 y 150.000 CV/g. Para formar los ánodos para condensadores de la presente invención, se puede utilizar una temperatura que permita la formación de un ánodo para condensadores con las propiedades deseadas. La temperatura de sinterización estará basada en el óxido de niobio reducido en su oxígeno utilizado. Preferiblemente, la temperatura de sinterización varía entre 1.200ºC y 1.750ºC y más preferiblemente entre 1.200ºC y 1.400ºC y lo más preferiblemente entre 1.250ºC y 1.350ºC cuando el óxido de niobio reducido en su oxígeno es un óxido de niobio reducido en su oxígeno.
Los ánodos formados a partir de los óxidos de niobio de la presente invención se forman preferiblemente a una tensión de aproximadamente 35 voltios y preferiblemente entre 6 y 70 voltios. Cuando se utiliza un óxido de niobio reducido en su oxígeno, preferiblemente, las tensiones de formación entre 6 y 50 voltios, y más preferiblemente entre 10 y 40 voltios. Se pueden utilizar otras tensiones de formación altas. Los ánodos de los óxidos de niobio reducido se pueden preparar fabricando un pelet de Nb_{2}O_{5} con un cable de acero seguido de sinterización en atmósfera de H_{2} u otra atmósfera adecuada en la proximidad de un material reductor del mismo modo que con los óxidos de polvo. En esta realización, la partícula anódica producida se puede producir directamente, por ejemplo, formando el óxido de metal de válvulas reducido en su oxígeno y un ánodo al mismo tiempo. De igual forma, los ánodos formados a partir de los óxidos de niobio de la presente invención presentan preferiblemente una fuga de CC menor de 5,0 nA/CV. En una realización de la presente invención, los ánodos formados a partir de algunos de los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención tienen una fuga de CC de entre 5,0 nA/CV y 0,50 nA/CV.
La presente invención también se refiere a un condensador según la presente invención con una película de óxido de niobio sobre la superficie del condensador. Preferiblemente, la película es una película de pentóxido de niobio. Los expertos en la materia conocen los medios para la fabricación del polvo metálico en ánodos para condensadores y tales procedimientos se encuentran descritos en las patentes de EE.UU. nº 4.805.074, 5.412.533, 5.211.741, y 5.245.514, y las solicitudes europeas nº 0634762A1 y 0634761A1.
Los condensadores de la presente invención se pueden utilizar en una variedad de usos finales tales como elementos electrónicos para automoción, teléfonos celulares, computadores, tales como monitores, placas madre, y similares, elementos electrónicos para consumidores tales como TVs y CRTs, impresoras/copiadoras, suministros de corriente, módems, ordenadores portátiles y unidades de disco.
La presente invención se clarificará adicionalmente mediante los siguientes ejemplos, que pretenden ilustrar la presente invención.
Procedimientos de prueba
Fabricación del ánodo
tamaño - 0,197'' día (0,5 cm)
3,5 Dp
peso del polvo = 341 mg
Sinterización del ánodo
1.300ºC*10'
1.450ºC*10'
1.600ºC*10'
1.750ºC*10'
Anodización 30V Ef
30V Ef a 60ºC/Electrolito de H_{3}PO_{4} al 0,1%
Corriente constante de 20 mA/g
Fuga de CC/Capacitancia-Pruebas ESR
Pruebas de fugas CC - - -
Voltaje de prueba 70% Ef (21 VDC)
Tiempo de carga 60 segundos
H_{3}PO_{4} al 10% a 21ºC
Capacitancia-Pruebas DF
H_{2}SO_{4} al 18% a 21ºC
120 Hz
Anodización de reforma 50V Ef
50V Ef a 60ºC/Electrolito de H_{3}PO_{4} al 0,1%
Corriente constante de 20 mA/g
Fuga de CC/Capacitancia-Pruebas ESR
Pruebas de fugas CC - - -
Voltaje de prueba 70% Ef (21 VDC)
Tiempo de carga 60 segundos
H_{3}PO_{4} al 10% a 21ºC
Capacitancia-Pruebas DF
H_{2}SO_{4} al 18% a 21ºC
120 Hz
Anodización de reforma 75V Ef
75V Ef a 60ºC/Electrolito de H_{3}PO_{4} al 0,1%
Corriente constante de 20 mA/g
Fuga de CC/Capacitancia-Pruebas ESR
Pruebas de fugas CC - - -
Voltaje de prueba 70% Ef (21 VDC)
Tiempo de carga 60 segundos
H_{3}PO_{4} al 10% a 21ºC
Capacitancia-Pruebas DF
H_{2}SO_{4} al 18% a 21ºC
120 Hz
Se determinó la densidad de Scott, el análisis de oxígeno, el análisis poroso y el análisis BET según los procedimientos expuestos en las patentes de EE.UU. nº 5.011.742; 4.960,471; y 4.964.906.
Ejemplos Ejemplo 1
Se mezclaron aglomerados de hidruro de Ta de malla +10 (99,2 g) con aproximadamente 50 ppm de oxígeno con 22 gramos de Nb_{2}O_{5} y se colocaron en bandejas de Ta. Las bandejas se colocaron en un horno de tratamiento térmico al vacío y se calentaron hasta 1.000ºC. Se introdujo gas H_{2} al horno a una presión de +20,685 kPa (+3 psi). La temperatura se aumentó en forma de rampa adicionalmente hasta 1.240ºC y se mantuvo durante 30 minutos. La temperatura se disminuyó hasta 1.050ºC durante 6 minutos hasta que se eliminó todo el H_{2} del horno. Manteniendo aún 1.050ºC, se vació el gas argón del horno hasta conseguir una presión de 5 x 10^{-4} Torr (66,65 mPa). En este punto se volvió a introducir argón a 93,31 kPa (700 mm) a la cámara y el horno se enfrió hasta 60ºC.
El material se pasivó con varias exposiciones cíclicas a presiones parciales de oxígeno progresivamente mayores antes de la eliminación del horno como sigue: el horno se llenó con argón a 93,31 kPa (700 mm) seguido de llenado a una atmósfera con aire. Tras 4 minutos, la cámara se vació hasta 1,33 Pa (10^{-2} Torr). A continuación la cámara se llenó con argón a 79,98 kPa (600 mm) con argón seguido de aire a 101 kPa (una atmósfera) y se mantuvo durante 4 minutos. La cámara se vació hasta 1,33 Pa (10^{-2} Torr). A continuación la cámara se llenó con argón a 53,32 kPa (500 mm) con argón seguido de aire a 101 kPa (una atmósfera). Tras 4 minutos la cámara se vació hasta 1,33 Pa (10^{-2} Torr). A continuación la cámara se llenó con argón a 26,66 kPa (500 mm) con argón seguido de aire a 101 kPa (una atmósfera) y se mantuvo durante 4 minutos. La cámara se vació hasta 1,33 Pa (10^{-2} Torr). A continuación la cámara se llenó hasta 101 kPa (una atmósfera) con aire y se mantuvo durante 4 minutos. La cámara se vació hasta 1,33 Pa (10^{-2} Torr). La cámara se llenó hasta 101 kPa (una atmósfera) con argón y se abrió para retirar la muestra.
El producto en polvo se separó del reductor de aglomerado de tántalo tamizando a través de un tamiz de malla 40. Se examinó el producto, obteniéndose los siguientes resultados.
CV/g de los pelets sinterizados a 1.300ºC X 10 minutos y formados a 35 voltios = 81.297
nA/CV (fugas de CC) = 5,0
Densidad sinterizada de los pelets = 2,7 g/cm^{3}
Densidad de Scott = 0,9 g/cm^{3}
Análisis químico (ppm)
\hskip5mm C = \hskip-6mm 70
\hskip5mm H_{2} = \hskip-6mm 56
\hskip5mm Ti = \hskip-6mm 25 \hskip-8mm Fe \hskip-12mm = \hskip-18mm 25
\hskip5mm Mn = \hskip-6mm 10 \hskip-8mm Si \hskip-12mm = \hskip-18mm 25
\hskip5mm Sn = \hskip-6mm 5 \hskip-8mm Ni \hskip-12mm = \hskip-18mm 5
\hskip5mm Cr = \hskip-6mm 10 \hskip-8mm Al \hskip-12mm = \hskip-18mm 5
\hskip5mm Mo = \hskip-6mm 25 \hskip-8mm Mg \hskip-12mm = \hskip-18mm 5
\hskip5mm Cu = \hskip-6mm 50 \hskip-8mm B \hskip-12mm = \hskip-18mm 2
\hskip5mm Pb = \hskip-6mm 2 \hskip-8mm todos los demás < límites
Ejemplo 2
Las muestras 1 a 20 son ejemplos siguiendo etapas similares a las anteriores con Nb_{2}O_{5} según se indica en la tabla. Para la mayor parte de los ejemplos, los tamaños de malla del material de partida se presentan en la tabla, por ejemplo 60/100 significa menor que malla 60 pero mayor que malla 100. De forma similar, el tamaño de tamizado de algunos de los reductores de Ta se proporciona como 14/40. Los reductores marcados como "aglomerado de hidruro de Ta" son malla +40 sin límite superior de tamaño de partícula.
La muestra 18 utilizó Nb como material reductor (disponible comercialmente como Nb en copos N200 de CPM). El material reductor para la muestra 18 fue polvo de Nb de grano fino que no se separó del producto final. La difracción de rayos X mostró que algo del material reductor permaneció como Nb, pero la mayor parte se convirtió a NbO_{1,1} y NbO mediante el procedimiento al igual que el material de óxido de niobio Nb_{2}O_{5} de partida.
La muestra 15 fue un pelet de Nb_{2}O_{5} prensado hasta una densidad cercana a la de un sólido, y hecho reaccionar con H_{2} muy cerca del material reductor de Ta. El procedimiento convirtió el pelet de óxido sólido en una mazarota porosa de subóxido de NbO. Esta escoria se sinterizó para formar una lámina de Nb metálico para crear una conexión anódica de plomo y se anodizó hasta 35 voltios utilizando procedimientos de formado eléctrico similares a los utilizados para los pelets de mazarota en polvo. Esta muestra demuestra la capacidad única de este procedimiento para producir una mazarota lista para anodizar en una única etapa a partir del material de partida de Nb_{2}O_{5}.
La tabla muestra la capacidad de alta capacitancia y baja fuga de CC de los ánodos fabricados a partir de los polvos/pelets prensados y sinterizados de la presente invención. Se tomaron microfotografías (SEMs) de diversas muestras. Estas fotografías muestran la estructura porosa del óxido de niobio reducido en su oxígeno de la presente invención. En particular, la figura 1 es una fotografía de la superficie exterior de un pelet tomada a 5.000 X (muestra 15). La figura 2 es una fotografía del interior del pelet del mismo pelet tomada a 5.000 X. Las figuras 3 y 4 son fotografías de la superficie exterior del mismo pelet tomada a 1.000 X. La figura 5 es una fotografía de la muestra 11 a 2.000 X y las figuras 6 y 7 son fotografías tomadas de la muestra 4 a 5.000 X. La figura 8 es una fotografía tomada de la muestra 3 a 2.000 X y la figura 9 es una fotografía de la muestra 6 a 2.000 X. Finalmente, la figura 10 es una fotografía de la muestra 6, tomada a 3.000 X y la figura 11 es una fotografía de la muestra 9 tomada a 2.000 X.
12

Claims (54)

1. Un procedimiento para reducir al menos parcialmente un óxido de niobio que comprende un tratamiento térmico del óxido de niobio en presencia de un material reductor y en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio hasta el material reductor, durante un tiempo y una temperatura suficientes para formar un óxido de niobio reducido en su oxígeno.
2. Un procedimiento de la reivindicación 1, en el que el óxido de niobio es un pentóxido de niobio.
3. Un procedimiento de la reivindicación 1, en el que el óxido de niobio reducido en su oxígeno es un subóxido de niobio.
4. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene una proporción atómica de niobio a oxígeno de 1:menos de 2,5.
5. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene unos niveles de oxígeno que son menores de los estequiométricos para un niobio totalmente oxidado.
6. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene una estructura microporosa.
7. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene un volumen de poros de aproximadamente 50%.
8. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que la atmósfera es hidrógeno, presente en una cantidad entre 1,333 kPa y 266,6 kPa (entre 10 Torr y 2.000 Torr).
9. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el material reductor es un material reductor de niobio capaz de una capacitancia de al menos 75.000 CV/g cuando se forma en un ánodo.
10. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que la atmósfera es una atmósfera de hidrógeno.
11. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el material reductor es un material reductor de niobio capaz de una capacitancia de entre 100.000 CV/g y 200.000 CV/g cuando se forma en un ánodo.
12. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que dicho tratamiento térmico se lleva a cabo a una temperatura entre 1000ºC y 1500ºC y durante entre 10 y 90 minutos.
13. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que dicho material reductor se homogeneiza con el óxido de niobio antes de o durante la etapa de tratamiento térmico.
14. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el material reductor es un material reductor de niobio en forma de copos.
15. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el material reductor, tras el tratamiento térmico, forma un óxido de niobio reducido en su oxígeno.
16. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el material reductor es un material reductor que contiene magnesio.
17. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el material reductor comprende partículas de hidruro de tántalo.
18. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el material reductor comprende tántalo, niobio o ambos.
19. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que el material reductor son partículas de hidruro de tántalo de malla 14/40.
20. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que dicho material reductor es un material adecuado para condensadores.
21. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que dicho óxido de niobio reducido en su oxígeno es NbO y dicho material reductor es niobio.
22. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que dicho óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene un área superficial entre 0,5 y 10,0 m^{2}/g.
23. El procedimiento de la reivindicación 1, en el que dicho óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene un área superficial entre 1,0 y 2,0 m^{2}/g.
24. Un óxido de niobio con una proporción atómica de niobio a oxígeno de 1:menos de 2,5.
25. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que la proporción atómica es 1:menos de 2,0.
26. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que la proporción atómica es 1:menos de 1,5.
27. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que la proporción atómica es 1:1,1.
28. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que la proporción atómica es 1:0,7.
29. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que la proporción atómica es 1:0,5.
30. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho óxido de niobio tiene una estructura porosa.
31. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho óxido de niobio tiene una estructura porosa con poros de entre 0,1 y 10 micrómetros.
32. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho óxido de niobio comprende NbO, NbO_{0,7}, NbO_{1,1} o combinaciones de los mismos.
33. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho óxido de niobio está formado en el ánodo de un condensador electrolítico con una capacitancia de hasta 300.000 CV/g.
34. El óxido de niobio de la reivindicación 24, que comprende adicionalmente nitrógeno.
35. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho nitrógeno está presente en una cantidad comprendida entre 100 ppm y 30.000 ppm de N_{2}.
36. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho óxido de niobio está formado en el ánodo de un condensador electrolítico, teniendo dicho ánodo una capacitancia comprendida entre 1.000 y 300.000 CV/g.
37. El óxido de niobio de la reivindicación 36, en el que dicha capacitancia está comprendida entre 60.000 y 200.000 CV/g.
38. El óxido de niobio de la reivindicación 36, en el que dicho ánodo tiene una fuga de CC comprendida entre 0,5 y 5 nA/CV.
39. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho niobio comprende partículas nodulares, en forma de copos, angulares o una combinación de las mismas.
40. El óxido de niobio de la reivindicación 24 con un área superficial específica entre 0,5 y 10,0 m^{2}/g.
41. El óxido de niobio de la reivindicación 24 con un área superficial específica entre 0,5 y 2,0 m^{2}/g.
42. El óxido de niobio de la reivindicación 24 con un área superficial específica entre 1,0 y 1,5 m^{2}/g.
43. El óxido de niobio de la reivindicación 24 con un área superficial específica entre 1,0 y 10,0 m^{2}/g.
44. Un condensador que comprende el óxido de niobio de una cualquiera de las reivindicaciones 24 a 43.
45. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho óxido de niobio se sinteriza a una temperatura comprendida entre 1.200ºC y 1.750ºC.
46. El óxido de niobio de la reivindicación 24, en el que dicho óxido de niobio se sinteriza a una temperatura comprendida entre 1.200ºC y 1.450ºC.
47. El condensador de la reivindicación 44, con una capacitancia comprendida entre 1.000 CV/g y 300.000 CV/g.
48. El condensador de la reivindicación 44, con una capacitancia comprendida entre 60.000 CV/g y 200.000 CV/g.
49. El condensador de la reivindicación 44 con una fuga de CC entre 0,5 y 5 nA/CV.
50. Un procedimiento para fabricar un ánodo para condensadores que comprende a) fabricar un pelet de óxido de niobio y someter a tratamiento térmico al pelet en presencia de un material reductor, y en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio hasta el material reductor, y durante un tiempo y temperatura suficientes para formar un cuerpo de electrodo que comprenda al pelet, en donde el pelet comprende un óxido de niobio reducido en su oxígeno, y b) anodizar dicho cuerpo de electrodo para formar dicho ánodo para condensadores.
51. El procedimiento de la reivindicación 50, en el que la atmósfera es una atmósfera de hidrógeno.
52. El procedimiento de la reivindicación 50, en el que el material reductor comprende tántalo, niobio o ambos.
53. El procedimiento de la reivindicación 50, en el que el material reductor es niobio.
54. El procedimiento de la reivindicación 50, en el que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene una proporción atómica de niobio a oxígeno de 1:menos de 2,5.
ES99969075T 1998-09-16 1999-09-15 Procedimientos para reducir parcialmente un oxido metalico de niobio y oxidos de niobio reducidos en su oxigeno. Expired - Lifetime ES2198990T3 (es)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US347990 1989-05-05
US154452 1998-09-16
US09/154,452 US6391275B1 (en) 1998-09-16 1998-09-16 Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US09/347,990 US6416730B1 (en) 1998-09-16 1999-07-06 Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2198990T3 true ES2198990T3 (es) 2004-02-01

Family

ID=26851462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES99969075T Expired - Lifetime ES2198990T3 (es) 1998-09-16 1999-09-15 Procedimientos para reducir parcialmente un oxido metalico de niobio y oxidos de niobio reducidos en su oxigeno.

Country Status (19)

Country Link
US (6) US6416730B1 (es)
EP (2) EP1115658B2 (es)
JP (1) JP5070533B2 (es)
KR (1) KR20010075153A (es)
CN (2) CN1320103A (es)
AT (1) ATE244685T1 (es)
AU (1) AU757379B2 (es)
BR (1) BR9913828B1 (es)
CZ (1) CZ298823B6 (es)
DE (1) DE69909494T3 (es)
DK (1) DK1115658T3 (es)
ES (1) ES2198990T3 (es)
HK (1) HK1040231B (es)
IL (1) IL142008A (es)
MX (1) MXPA01002775A (es)
PT (1) PT1115658E (es)
RU (1) RU2232720C2 (es)
TW (1) TW460414B (es)
WO (1) WO2000015555A1 (es)

Families Citing this family (170)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462934B2 (en) 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2001071738A2 (en) * 2000-03-23 2001-09-27 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
DE10041901A1 (de) * 2000-08-25 2002-03-07 Starck H C Gmbh Kondensatoranode auf Basis Niob
IL155746A0 (en) * 2000-11-06 2003-12-23 Cabot Corp Modified oxygen reduced valve metal oxides
AU2002224129A1 (en) 2000-11-30 2002-06-11 Showa Denko K K Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
JP4521849B2 (ja) * 2000-12-01 2010-08-11 昭和電工株式会社 コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ
US6663687B2 (en) 2000-12-01 2003-12-16 Showa Denko K.K. Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
US7210641B2 (en) * 2001-02-28 2007-05-01 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
US7149074B2 (en) * 2001-04-19 2006-12-12 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
US20030104923A1 (en) * 2001-05-15 2003-06-05 Showa Denko K.K. Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
AU2002307722B2 (en) * 2001-05-15 2007-10-18 Showa Denko K.K. Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body
JP3965300B2 (ja) * 2002-01-18 2007-08-29 Necトーキン株式会社 Nb固体電解コンデンサおよびその製造方法
DE10307716B4 (de) 2002-03-12 2021-11-18 Taniobis Gmbh Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
JP2004076063A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Kawatetsu Mining Co Ltd ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
BR0204587A (pt) 2002-11-04 2004-06-29 Cbmm Sa Processo de produção de pó de nióbio e/ou de tântalo de elevada área superficial
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
CN1541792B (zh) * 2003-03-28 2012-05-09 三菱综合材料株式会社 不重磨刀片的制造方法以及压粉体的排列装置
US7135141B2 (en) * 2003-03-31 2006-11-14 Hitachi Metals, Ltd. Method of manufacturing a sintered body
US7157073B2 (en) * 2003-05-02 2007-01-02 Reading Alloys, Inc. Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom
US20060275204A1 (en) * 2003-05-05 2006-12-07 Companhia Brasileira De Metalurgia E Mineracao Process for the production of niobium oxide powder for use in capacitors
US7445679B2 (en) * 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
EP2455340A1 (en) 2003-05-19 2012-05-23 Cabot Corporation Valve metal sub-oxide powders and capacitors and sintered anode bodies made therefrom
PT1498391E (pt) * 2003-07-15 2010-06-21 Starck H C Gmbh Pó de subóxido de nióbio
EP1505611B9 (de) * 2003-07-22 2012-12-05 H.C. Starck GmbH Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren
DE10333156A1 (de) * 2003-07-22 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Niobsuboxid
BR0304252B1 (pt) * 2003-09-25 2013-05-14 processo de produÇço de pà de monàxido de niàbio, monàxido de niàbio, e, capacitor.
DE10347702B4 (de) * 2003-10-14 2007-03-29 H.C. Starck Gmbh Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid
ATE554490T1 (de) 2003-11-10 2012-05-15 Showa Denko Kk Niobpulver für einen kondensator, niob- gesinterter körper und kondensator
US7803235B2 (en) * 2004-01-08 2010-09-28 Cabot Corporation Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen
US7481864B2 (en) * 2004-01-14 2009-01-27 Cabot Corporation Conversion of Ta2O5 to Ta metal
US20050225927A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Tagusagawa Solon Y Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
EP1761352B1 (en) 2004-06-24 2008-08-13 H.C. Starck Inc. Production of valve metal powders with improved physical and electrical properties
WO2006057455A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Showa Denko K.K. Porous anode body for solid electrolytic capacitor, production mehtod thereof and solid electrolytic capacitor
JP2006206428A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ニオブ酸化物及びその製造方法
US7099143B1 (en) 2005-05-24 2006-08-29 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
GB0511321D0 (en) * 2005-06-03 2005-07-13 Starck H C Gmbh Inorganic compounds
ATE424371T1 (de) * 2005-06-03 2009-03-15 Starck H C Gmbh Niobiumsuboxide
EP1915764A1 (en) 2005-08-19 2008-04-30 Avx Limited Polymer based solid state capacitors and a method of manufacturing them
GB0517952D0 (en) * 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US7283350B2 (en) * 2005-12-02 2007-10-16 Vishay Sprague, Inc. Surface mount chip capacitor
US7480130B2 (en) * 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
US7511943B2 (en) * 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
JPWO2008001774A1 (ja) * 2006-06-26 2009-11-26 三井金属鉱業株式会社 ニオブ酸化物の製造方法及び一酸化ニオブ
DK2054901T3 (da) 2006-08-16 2020-01-20 H C Starck Tantalum And Niobium Gmbh Halvfærdige produkter med en struktureret sinteraktiv overflade og fremgangsmåde til fremstilling af disse
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US20080232032A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Avx Corporation Anode for use in electrolytic capacitors
US7649730B2 (en) * 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7554792B2 (en) * 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US8325465B2 (en) * 2007-04-13 2012-12-04 Kemet Electronics Corporation NbO capacitors with improved performance and higher working voltages
US20080254269A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Yuri Freeman NbO Capacitors With Improved Performance And Higher Working Voltages
JP2010533642A (ja) * 2007-07-18 2010-10-28 キャボット コーポレイション 高電圧ニオブ酸化物およびそれを含むキャパシター
KR101530727B1 (ko) * 2007-08-16 2015-06-22 하.체. 스타르크 게엠베하 밸브 금속 및 밸브 금속 아산화물로 이루어진 나노 크기 구조체 및 그 제조 방법
CN100577574C (zh) 2007-08-25 2010-01-06 宁夏东方钽业股份有限公司 低价氧化铌或铌粉的制备方法
US7760487B2 (en) 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
US7852615B2 (en) * 2008-01-22 2010-12-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound
US7768773B2 (en) 2008-01-22 2010-08-03 Avx Corporation Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
US7760488B2 (en) * 2008-01-22 2010-07-20 Avx Corporation Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
US7826200B2 (en) * 2008-03-25 2010-11-02 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly containing a resettable fuse
US8094434B2 (en) * 2008-04-01 2012-01-10 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8199462B2 (en) * 2008-09-08 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
EP2332429B1 (en) * 2008-09-09 2013-07-17 Ndc Corporation Glove and attachment therefor
JP2010064923A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 一酸化ニオブの製造方法及び一酸化ニオブ
US20100085685A1 (en) 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
US8203827B2 (en) 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
US8223473B2 (en) * 2009-03-23 2012-07-17 Avx Corporation Electrolytic capacitor containing a liquid electrolyte
GB2468942B (en) 2009-03-23 2014-02-19 Avx Corp High voltage electrolytic capacitors
US8405956B2 (en) * 2009-06-01 2013-03-26 Avx Corporation High voltage electrolytic capacitors
US8345406B2 (en) * 2009-03-23 2013-01-01 Avx Corporation Electric double layer capacitor
US8441777B2 (en) * 2009-05-29 2013-05-14 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with facedown terminations
US8279583B2 (en) 2009-05-29 2012-10-02 Avx Corporation Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste
US8199461B2 (en) * 2009-05-29 2012-06-12 Avx Corporation Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors
US8139344B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-20 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly and method with recessed leadframe channel
US8194395B2 (en) 2009-10-08 2012-06-05 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8125768B2 (en) 2009-10-23 2012-02-28 Avx Corporation External coating for a solid electrolytic capacitor
US8339771B2 (en) * 2010-02-19 2012-12-25 Avx Corporation Conductive adhesive for use in a solid electrolytic capacitor
KR20130076793A (ko) * 2010-04-07 2013-07-08 도요 알루미늄 가부시키가이샤 전극 구조체의 제조 방법, 전극 구조체 및 콘덴서
US8619410B2 (en) 2010-06-23 2013-12-31 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications
US8512422B2 (en) 2010-06-23 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an improved manganese oxide electrolyte
US8125769B2 (en) 2010-07-22 2012-02-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly with multiple cathode terminations
US8259436B2 (en) 2010-08-03 2012-09-04 Avx Corporation Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly
US8279584B2 (en) 2010-08-12 2012-10-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
US8968423B2 (en) 2010-09-16 2015-03-03 Avx Corporation Technique for forming a cathode of a wet electrolytic capacitor
US8824121B2 (en) 2010-09-16 2014-09-02 Avx Corporation Conductive polymer coating for wet electrolytic capacitor
US8605411B2 (en) 2010-09-16 2013-12-10 Avx Corporation Abrasive blasted conductive polymer cathode for use in a wet electrolytic capacitor
US8199460B2 (en) 2010-09-27 2012-06-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved anode termination
US8259435B2 (en) 2010-11-01 2012-09-04 Avx Corporation Hermetically sealed wet electrolytic capacitor
US8824122B2 (en) 2010-11-01 2014-09-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications
US8514547B2 (en) 2010-11-01 2013-08-20 Avx Corporation Volumetrically efficient wet electrolytic capacitor
US8355242B2 (en) 2010-11-12 2013-01-15 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor element
US8848342B2 (en) 2010-11-29 2014-09-30 Avx Corporation Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors
US8576543B2 (en) 2010-12-14 2013-11-05 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt
US8493713B2 (en) 2010-12-14 2013-07-23 Avx Corporation Conductive coating for use in electrolytic capacitors
US8477479B2 (en) 2011-01-12 2013-07-02 Avx Corporation Leadwire configuration for a planar anode of a wet electrolytic capacitor
US8687347B2 (en) 2011-01-12 2014-04-01 Avx Corporation Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor
US8514550B2 (en) 2011-03-11 2013-08-20 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a cathode termination with a slot for an adhesive
US8582278B2 (en) 2011-03-11 2013-11-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved mechanical stability
US8451588B2 (en) 2011-03-11 2013-05-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion
US8947857B2 (en) 2011-04-07 2015-02-03 Avx Corporation Manganese oxide capacitor for use in extreme environments
US9767964B2 (en) 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
US8379372B2 (en) 2011-04-07 2013-02-19 Avx Corporation Housing configuration for a solid electrolytic capacitor
US8300387B1 (en) 2011-04-07 2012-10-30 Avx Corporation Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability
US8451586B2 (en) 2011-09-13 2013-05-28 Avx Corporation Sealing assembly for a wet electrolytic capacitor
US9105401B2 (en) 2011-12-02 2015-08-11 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a gelled working electrolyte
US9275799B2 (en) 2011-12-20 2016-03-01 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing an improved anode
US9576743B2 (en) 2012-01-13 2017-02-21 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with integrated fuse assembly
DE102013101443A1 (de) 2012-03-01 2013-09-05 Avx Corporation Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor
US9053861B2 (en) 2012-03-16 2015-06-09 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a colloidal suspension
US8971019B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
US8971020B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive copolymer
US9129747B2 (en) 2012-03-16 2015-09-08 Avx Corporation Abrasive blasted cathode of a wet electrolytic capacitor
US9076592B2 (en) 2012-03-16 2015-07-07 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a microemulsion
JP2013219362A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Avx Corp 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ
US8760852B2 (en) 2012-04-24 2014-06-24 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing multiple sinter bonded anode leadwires
US8947858B2 (en) 2012-04-24 2015-02-03 Avx Corporation Crimped leadwire for improved contact with anodes of a solid electrolytic capacitor
GB2502703B (en) 2012-05-30 2016-09-21 Avx Corp Notched lead for a solid electrolytic capacitor
US9776281B2 (en) 2012-05-30 2017-10-03 Avx Corporation Notched lead wire for a solid electrolytic capacitor
DE102013213723A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität
US9548163B2 (en) 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
CN103578768B (zh) 2012-07-19 2017-10-31 Avx公司 用在电解电容器固体电解质中的非离子表面活性剂
DE102013213720A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
GB2512480B (en) 2013-03-13 2018-05-30 Avx Corp Solid electrolytic capacitor for use in extreme conditions
US9324503B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor
GB2512486B (en) 2013-03-15 2018-07-18 Avx Corp Wet electrolytic capacitor
GB2512481B (en) 2013-03-15 2018-05-30 Avx Corp Wet electrolytic capacitor for use at high temperatures
US9240285B2 (en) 2013-04-29 2016-01-19 Avx Corporation Multi-notched anode for electrolytic capacitor
US9824826B2 (en) 2013-05-13 2017-11-21 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
GB2516529B (en) 2013-05-13 2018-08-29 Avx Corp Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
US9892862B2 (en) 2013-05-13 2018-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
US9236192B2 (en) 2013-08-15 2016-01-12 Avx Corporation Moisture resistant solid electrolytic capacitor assembly
US9269499B2 (en) 2013-08-22 2016-02-23 Avx Corporation Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor
US9236193B2 (en) 2013-10-02 2016-01-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions
US9589733B2 (en) 2013-12-17 2017-03-07 Avx Corporation Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite
TWI560781B (en) * 2014-09-10 2016-12-01 Au Optronics Corp Method for fabricating thin film transistor and apparatus thereof
US9916935B2 (en) 2014-11-07 2018-03-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with increased volumetric efficiency
US9620293B2 (en) 2014-11-17 2017-04-11 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor for an implantable medical device
US9892860B2 (en) 2014-11-24 2018-02-13 Avx Corporation Capacitor with coined lead frame
US9837216B2 (en) 2014-12-18 2017-12-05 Avx Corporation Carrier wire for solid electrolytic capacitors
US9620294B2 (en) 2014-12-30 2017-04-11 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a recessed planar anode and a restraint
US10297393B2 (en) 2015-03-13 2019-05-21 Avx Corporation Ultrahigh voltage capacitor assembly
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US9842704B2 (en) 2015-08-04 2017-12-12 Avx Corporation Low ESR anode lead tape for a solid electrolytic capacitor
US9905368B2 (en) 2015-08-04 2018-02-27 Avx Corporation Multiple leadwires using carrier wire for low ESR electrolytic capacitors
DE102015216964A1 (de) * 2015-09-04 2017-03-09 Robert Bosch Gmbh Asymmetrischer Hybridsuperkondensator
US9545008B1 (en) 2016-03-24 2017-01-10 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board
US9907176B2 (en) 2016-03-28 2018-02-27 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor module with improved planarity
US9870869B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
US9870868B1 (en) 2016-06-28 2018-01-16 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor for use in a subcutaneous implantable cardioverter-defibrillator
MX2019003260A (es) 2016-09-22 2019-07-04 Avx Corp Capacitor electrolitico que contiene un metal de valvula proveniente de un sitio de mina libre de conflictos y un metodo para formarlo.
US10431389B2 (en) 2016-11-14 2019-10-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for high voltage environments
CN106732326B (zh) * 2016-11-18 2019-02-26 湖南稀土金属材料研究院 吸气材料及其制备方法和吸气剂
US11077497B2 (en) 2017-06-07 2021-08-03 Global Titanium Inc. Deoxidation of metal powders
WO2019060303A1 (en) 2017-09-21 2019-03-28 Avx Corporation ELECTRONIC PART CONTAINING A METALLIC CONSTITUENT FROM A CONFLICT-FREE MINING SITE AND METHOD OF FORMING THE SAME
CN108046323B (zh) * 2017-12-20 2019-08-02 广东省稀有金属研究所 一种铌氧化物的制备方法
US10553673B2 (en) 2017-12-27 2020-02-04 Micron Technology, Inc. Methods used in forming at least a portion of at least one conductive capacitor electrode of a capacitor that comprises a pair of conductive capacitor electrodes having a capacitor insulator there-between and methods of forming a capacitor
KR102389784B1 (ko) 2018-03-05 2022-04-22 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터
KR102503996B1 (ko) 2018-03-05 2023-03-02 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. 구형 탄탈럼 분말, 그를 함유하는 생성물, 및 그의 제조 방법
US11081288B1 (en) 2018-08-10 2021-08-03 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic
US11380492B1 (en) 2018-12-11 2022-07-05 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
US11915886B2 (en) 2019-04-25 2024-02-27 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
JP7406569B2 (ja) 2019-05-17 2023-12-27 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 固体電解コンデンサ
US11756742B1 (en) 2019-12-10 2023-09-12 KYOCERA AVX Components Corporation Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures
US11763998B1 (en) 2020-06-03 2023-09-19 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US135973A (en) * 1873-02-18 Improvement in seats for chairs
US114722A (en) * 1871-05-09 Improvement in extension tables
US104923A (en) * 1870-07-05 Improved instep-stretcher for boots and shoes
US28175A (en) * 1860-05-08 Frog for bayonet-scabbards
US1123015A (en) 1914-09-03 1914-12-29 Jacob Samuels Stocking attachment.
US1415516A (en) 1919-05-29 1922-05-09 Bridge Arthur Method of and apparatus for reducing metals, etc.
US1906184A (en) 1931-02-27 1933-04-25 Heraeus Vacuumschmelze Ag Method of reducing metal oxides
US2183517A (en) 1937-03-19 1939-12-12 Metallurg De Hoboken Soc Gen Treatment of materials containing tantalum and niobium
GB489742A (en) 1937-03-22 1938-08-03 Metallurg De Hoboken Soc Gen Improvements in and relating to the treatment of substances containing tantalum and/or niobium
GB485318A (en) 1937-03-23 1938-05-18 Metallurg De Hoboken Soc Gen Improvements in and relating to the treatment of materials containing tantulum and niobium
US2242759A (en) 1938-03-02 1941-05-20 Walter H Duisberg Reduction of difficultly reducible oxides
US2443254A (en) * 1945-12-07 1948-06-15 Electro Metallargical Company Separation of columbium and tantalum oxides
US2621137A (en) 1948-07-13 1952-12-09 Charles Hardy Inc Reducing metal powders
US2700606A (en) 1951-08-01 1955-01-25 Harley A Wilhelm Production of vanadium metal
US2761776A (en) 1956-03-29 1956-09-04 Bichowsky Foord Von Process for the manufacture of particulate metallic niobium
GB835316A (en) 1957-07-24 1960-05-18 Johnson Matthey Co Ltd Improvements in and relating to the refining of metals
US2861882A (en) 1957-11-12 1958-11-25 Bichowsky Foord Von Process for reducing niobium oxides to metallic state
US2992095A (en) 1958-01-17 1961-07-11 Wah Chang Corp Process of separating niobium and tantalum values in oxidic ores and of producing pure niobium
US2937939A (en) 1958-11-10 1960-05-24 Harley A Wilhelm Method of producing niobium metal
CH377325A (de) * 1959-12-04 1964-05-15 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von Niob- und Tantalpentoxyd
GB1123015A (en) 1964-08-07 1968-08-07 Union Carbide Corp A process for producing sintered anodes
US3421195A (en) 1965-12-23 1969-01-14 Dale Electronics Capacitor and method of making same
US3418106A (en) * 1968-01-31 1968-12-24 Fansteel Inc Refractory metal powder
CH515996A (de) 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3849124A (en) * 1969-12-05 1974-11-19 Norton Co Capacitor powder
US3665260A (en) * 1970-06-01 1972-05-23 Trw Inc Alloy capacitor porous anodes
FR2142203A5 (en) 1971-06-16 1973-01-26 Korotkevich Maria Nitrides, oxides and oxy-nitrides of refractory metals - - in the form of a homogeneous powder
IT963874B (it) 1972-08-10 1974-01-21 Getters Spa Dispositivo getter perfezionato contenente materiale non evapora bile
DE2240658A1 (de) 1972-08-18 1974-02-28 Degussa Verfahren zur desoxydation refraktaerer metalle, insbesondere zur desoxydation von niob und tantal
US3962715A (en) 1974-12-03 1976-06-08 Yeshiva University High-speed, high-current spike suppressor and method for fabricating same
US4032328A (en) 1975-10-23 1977-06-28 University Of Minnesota, Inc. Metal reduction process
US4059442A (en) 1976-08-09 1977-11-22 Sprague Electric Company Method for making a porous tantalum pellet
DE2743842C2 (de) * 1976-10-01 1982-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
US4201798A (en) 1976-11-10 1980-05-06 Solarex Corporation Method of applying an antireflective coating to a solar cell
US4118727A (en) 1977-09-09 1978-10-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army MOX multi-layer switching device comprising niobium oxide
US4406699A (en) 1981-06-09 1983-09-27 Beck David E High-temperature electrically conductive ceramic composite and method for making same
DE3130392C2 (de) 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
JPS5950604B2 (ja) * 1981-11-27 1984-12-10 三菱マテリアル株式会社 酸化チタン粉末の製造法
US4428856A (en) 1982-09-30 1984-01-31 Boyarina Maya F Non-evaporable getter
US4748737A (en) 1985-11-27 1988-06-07 Westinghouse Electric Corp. Method of removing surface oxidation from particulates
JPS62188956A (ja) * 1985-12-03 1987-08-18 コンダクタ ゲゼルシヤフト フユア メス−ウント レゲルテヒニク ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニ− 化学半電池
CN86107657B (zh) * 1986-11-11 1988-01-13 北京有色金属研究总院 球状五氧化二铌的生产方法
US4722756A (en) 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US4805074A (en) * 1987-03-20 1989-02-14 Nitsuko Corporation Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same
US5211741A (en) * 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
DE3819779A1 (de) * 1988-06-10 1989-12-21 Bayer Ag Verbessertes chromoxidgruen, verfahren zu seiner herstellung und dessen verwendung
US5022935A (en) 1988-09-23 1991-06-11 Rmi Titanium Company Deoxidation of a refractory metal
US4923531A (en) 1988-09-23 1990-05-08 Rmi Company Deoxidation of titanium and similar metals using a deoxidant in a molten metal carrier
DE3918691A1 (de) 1989-06-08 1990-12-13 Starck Hermann C Fa Nioboxidpulver (nb(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)o(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)) sowie verfahren zu dessen herstellung
US5011742A (en) * 1989-09-26 1991-04-30 Fife James A Article for controlling the oxygen content in tantalum material
US4964906A (en) 1989-09-26 1990-10-23 Fife James A Method for controlling the oxygen content of tantalum material
US4960471A (en) 1989-09-26 1990-10-02 Cabot Corporation Controlling the oxygen content in tantalum material
US5013357A (en) 1989-10-26 1991-05-07 Westinghouse Electric Corp. Direct production of niobium titanium alloy during niobium reduction
JP2973499B2 (ja) 1990-09-13 1999-11-08 松下電器産業株式会社 チップ型固体電解コンデンサ
JP3005319B2 (ja) * 1990-10-19 2000-01-31 石原産業株式会社 針状あるいは板状低次酸化チタンおよびその製造方法
US5173215A (en) * 1991-02-21 1992-12-22 Atraverda Limited Conductive titanium suboxide particulates
US5171379A (en) 1991-05-15 1992-12-15 Cabot Corporation Tantalum base alloys
US5245514A (en) * 1992-05-27 1993-09-14 Cabot Corporation Extruded capacitor electrode and method of making the same
US5284531A (en) * 1992-07-31 1994-02-08 Cabot Corporation Cylindrical metal fibers made from tantalum, columbium, and alloys thereof
US5369547A (en) * 1993-03-22 1994-11-29 The Evans Findings Co., Ltd. Capacitor
FR2703348B1 (fr) * 1993-03-30 1995-05-12 Atochem Elf Sa Procédé de préparation de poudre pour céramique en oxynitrure d'aluminium gamma optiquement transparente et la poudre ainsi obtenue.
US5448447A (en) 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5412533A (en) 1993-06-22 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
US5470525A (en) 1994-07-01 1995-11-28 H. C. Starck, Inc. Removal of binder from Ta products
US6338832B1 (en) * 1995-10-12 2002-01-15 Cabot Corporation Process for producing niobium and tantalum compounds
CN1097094C (zh) * 1996-03-26 2002-12-25 卡伯特公司 从含不溶氟化物的Ta-Nb金属矿中增溶金属成分的方法
US5993513A (en) * 1996-04-05 1999-11-30 Cabot Corporation Method for controlling the oxygen content in valve metal materials
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
US5825611A (en) 1997-01-29 1998-10-20 Vishay Sprague, Inc. Doped sintered tantalum pellets with nitrogen in a capacitor
US6007597A (en) 1997-02-28 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Electron-beam melt refining of ferroniobium
US6051326A (en) 1997-04-26 2000-04-18 Cabot Corporation Valve metal compositions and method
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP4202609B2 (ja) 1998-05-06 2008-12-24 エイチ・シー・スタルク・インコーポレーテツド 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末
US6171363B1 (en) * 1998-05-06 2001-01-09 H. C. Starck, Inc. Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
DE19831280A1 (de) 1998-07-13 2000-01-20 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern
US6001281A (en) * 1998-09-04 1999-12-14 Kemet Electronics Corporation Preparation of conductive polymers from stabilized precursor solutions
US6391275B1 (en) * 1998-09-16 2002-05-21 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6462934B2 (en) * 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6322912B1 (en) * 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6416730B1 (en) * 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US6072694A (en) * 1998-09-30 2000-06-06 Kemet Electronics Corporation Electrolytic capacitor with improved leakage and dissipation factor
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19953946A1 (de) 1999-11-09 2001-05-10 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
WO2001071738A2 (en) 2000-03-23 2001-09-27 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
US6576099B2 (en) * 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
DE10030387A1 (de) 2000-06-21 2002-01-03 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US20030104923A1 (en) * 2001-05-15 2003-06-05 Showa Denko K.K. Niobium oxide powder, niobium oxide sintered body and capacitor using the sintered body
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000015555A1 (en) 2000-03-23
US6592740B2 (en) 2003-07-15
ATE244685T1 (de) 2003-07-15
EP1115658A1 (en) 2001-07-18
HK1040231A1 (en) 2002-05-31
BR9913828B1 (pt) 2009-01-13
CZ298823B6 (cs) 2008-02-13
US6373685B1 (en) 2002-04-16
PT1115658E (pt) 2003-11-28
AU6041299A (en) 2000-04-03
BR9913828A (pt) 2001-12-18
MXPA01002775A (es) 2002-06-04
EP1357086A1 (en) 2003-10-29
TW460414B (en) 2001-10-21
KR20010075153A (ko) 2001-08-09
IL142008A0 (en) 2002-03-10
DE69909494T3 (de) 2011-12-01
DE69909494T2 (de) 2004-05-27
HK1040231B (zh) 2004-02-13
CN1320103A (zh) 2001-10-31
JP2002524378A (ja) 2002-08-06
IL142008A (en) 2004-09-27
US6416730B1 (en) 2002-07-09
DE69909494D1 (de) 2003-08-14
US20040033183A1 (en) 2004-02-19
US20030003044A1 (en) 2003-01-02
JP5070533B2 (ja) 2012-11-14
EP1115658B2 (en) 2011-07-20
RU2232720C2 (ru) 2004-07-20
US6759026B2 (en) 2004-07-06
CZ2001952A3 (cs) 2002-02-13
US20050084445A1 (en) 2005-04-21
DK1115658T3 (da) 2003-10-27
AU757379B2 (en) 2003-02-20
US20020135973A1 (en) 2002-09-26
US7445762B2 (en) 2008-11-04
EP1115658B1 (en) 2003-07-09
CN102603002A (zh) 2012-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2198990T3 (es) Procedimientos para reducir parcialmente un oxido metalico de niobio y oxidos de niobio reducidos en su oxigeno.
US6391275B1 (en) Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6322912B1 (en) Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6462934B2 (en) Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6576099B2 (en) Oxygen reduced niobium oxides
AU2005293876B2 (en) Method for the production of valve metal powders
JP4754755B2 (ja) 酸素が減少した酸化ニオブ
AU2001247714A1 (en) Oxygen reduced niobium oxides
MXPA01002770A (es) Metodos para reducir en forma parcial ciertos oxidos de metal y oxidos de metal reducidos por oxigeno
KR20020091147A (ko) 산소 환원된 니오븀 산화물