ES2198990T3 - Procedimientos para reducir parcialmente un oxido metalico de niobio y oxidos de niobio reducidos en su oxigeno. - Google Patents
Procedimientos para reducir parcialmente un oxido metalico de niobio y oxidos de niobio reducidos en su oxigeno.Info
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Abstract
Un procedimiento para reducir al menos parcialmente un óxido de niobio que comprende un tratamiento térmico del óxido de niobio en presencia de un material reductor y en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio hasta el material reductor, durante un tiempo y una temperatura suficientes para formar un óxido de niobio reducido en su oxígeno.
Description
Procedimientos para reducir parcialmente un óxido
metálico de niobio y óxidos de niobio reducidos en su oxígeno
La presente invención se refiere a niobio y a los
óxidos del mismo y más particularmente se refiere a óxidos de
niobio y a los procedimientos para reducir al menos parcialmente
el óxido de niobio y se refiere adicionalmente al niobio reducido
en su oxígeno.
De acuerdo con los propósitos de la presente
invención, como se incluye en las realizaciones descritas en la
presente invención, la presente invención se refiere a un
procedimiento para reducir al menos parcialmente un óxido de niobio
que incluye las etapas de calentar el óxido de niobio en presencia
de un material reductor y en una atmósfera que permita la
transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio hasta el
material reductor durante un tiempo y a una temperatura
suficientes para formar un óxido de niobio reducido en su
oxígeno.
La presente invención también se refiere a óxidos
de niobio reducidos en su oxígeno según se define en las
reivindicaciones 24 a 43 que preferiblemente tienen propiedades
beneficiosas, especialmente cuando se forman en un ánodo condensador
electrolítico, y a un procedimiento para reducir al menos
parcialmente un óxido de niobio según se define en las
reivindicaciones 1 a 23.
Por ejemplo, un condensador fabricado a partir de
un óxido de niobio reducido en su oxígeno de la presente invención
puede tener una capacitancia de hasta aproximadamente 200.000 CV/g
o más. Adicionalmente, los ánodos de los condensadores
electrolíticos fabricados a partir de óxidos de niobio reducidos en
su oxígeno de la presente invención pueden tener una fuga de CC
baja. Por ejemplo, un condensador tal puede presentar una fuga de
CC entre aproximadamente 0,5 nA/CV y aproximadamente 5,0 nA/CV.
Por consiguiente, la presente invención también
se refiere a los procedimientos para aumentar la capacitancia y
reducir las fugas de CC en los condensadores fabricados a partir
de óxidos de niobio, que implican la reducción parcial de un óxido
de niobio mediante un tratamiento térmico del óxido de niobio en
presencia de un material reductor y en una atmósfera que permita
la transferencia de los átomos de oxígeno desde el óxido de niobio
al material reductor, durante un tiempo y a una temperatura
suficientes para formar un óxido de niobio reducido en su oxígeno,
que al formarse en un ánodo de un condensador, presente unas fugas
de CC reducidas y/o una capacitancia aumentada.
Adicionalmente, la presente invención se refiere
a un procedimiento para fabricar un ánodo de un condensador según
se define en las reivindicaciones
\hbox{50 a 54.}
Se ha de entender que tanto la descripción
general anterior como la descripción detallada siguiente sirven
únicamente ejemplos y explicación y pretenden explicar más
detalladamente la presente invención, según las
reivindicaciones.
Las figuras 1-11 son SEMs de
diversos óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente
invención a diversos aumentos.
A continuación se describe con detalle la
presente invención.
En una realización de la presente invención, la
presente invención se refiere a procedimientos para reducir al
menos parcialmente un óxido de niobio. En general, el
procedimiento incluye las etapas de un tratamiento térmico de un
óxido de niobio de partida en presencia de un material reductor en
una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno
desde el óxido de niobio al material reductor durante un tiempo
suficiente y a una temperatura suficiente para formar un óxido de
niobio reducido en su oxígeno.
Para los propósitos de la presente invención, el
óxido de niobio puede ser al menos un óxido de niobio metálico y/o
aleaciones del mismo. Un ejemplo específico de un óxido de niobio
de partida es Nb_{2}O_{5}.
El óxido de niobio utilizado en la presente
invención puede tener cualquier forma y tamaño. Preferiblemente,
el óxido de niobio se encuentra en forma de un polvo o de una
pluralidad de partículas. Los ejemplos del tipo polvo que se puede
utilizar incluyen, pero no se limitan a, en forma de copos,
angulares, nodulares, y mezclas o variaciones de los mismos.
Preferiblemente, el óxido de niobio se encuentra en forma de un
polvo que da lugar, de forma más eficaz, al óxido de niobio
reducido en su oxígeno.
Algunos ejemplos de tales polvos de niobio
reducidos incluyen los que tienen unos tamaños de malla entre
malla 60/100 y 100/325 y entre malla 60/100 y 200/325. Otro
intervalo de tamaños se encuentra entre malla -40 y malla -325. En
otras palabras, los polvos de óxido de niobio preferidos tienen
unos tamaños de partícula entre 150/250 y 45/150 \mum
(micrómetros) y entre 150/250 y 45/75 \mum (micrómetros). Otro
intervalo de tamaños preferido está comprendido entre 355 \mum
(micrómetros) y 45 \mum (micrómetros).
El material reductor para los propósitos de la
presente invención es cualquier material capaz de reducir el óxido
de niobio de partida específico al óxido de niobio reducido en su
oxígeno. Preferiblemente, el material reductor comprende tántalo,
niobio o ambos. Otros ejemplos incluyen, pero no se limitan a,
magnesio y similares. Se puede utilizar cualquier material
reductor que tenga más afinidad por el oxígeno que el óxido de
niobio. Más preferiblemente, el material reductor es niobio. El
material reductor de niobio para los propósitos de la presente
invención es cualquier material que contenga niobio metálico que
pueda eliminar o reducir al menos parcialmente el oxígeno del óxido
de niobio. Así pues, el material reductor de niobio puede ser una
aleación o un material que contenga mezclas de niobio metálico con
otros ingredientes. Preferiblemente, el material reductor de
niobio es predominantemente, si no de forma exclusiva, niobio
metálico. La pureza del material reductor de niobio no resulta
importante pero es preferible que el material reductor comprenda
niobio de alta pureza para evitar la introducción de otras
impurezas durante el procedimiento del tratamiento térmico. Por
consiguiente, preferiblemente el niobio metálico del material
reductor de niobio tiene una pureza de al menos 98% y más
preferiblemente al menos 99%. Los niveles del material reductor de
niobio pueden ser cualquier cantidad. Preferiblemente, las impurezas
que afectan a las fugas de CC, tales como hierro, níquel, cromo, y
carbono, están por debajo de 100 ppm. Lo más preferiblemente, el
material reductor es un metal de niobio en forma de copos con una
elevada capacidad de capacitancia, tal como mayor que 75.000 CV/g, y
más preferiblemente 100.000 CV/g o superior, tal como
aproximadamente 200.000 CV/g. El material reductor también tiene
preferiblemente una elevada área superficial, tal como una BET
entre 5 y 30 m^{2}/g y más preferiblemente entre 20 y
30 m^{2}/g.
30 m^{2}/g.
El material reductor puede ser de cualquier forma
o tamaño. Por ejemplo, el material reductor puede tener forma de
una bandeja que contiene el óxido de niobio a reducir o puede
tener un tamaño de partícula o de polvo. Preferiblemente, los
materiales reductores se encuentran en forma de polvo con el fin
de presentar el área superficial más eficaz para reducir el óxido
de niobio. Así pues, el material reductor puede tener forma de
copos, angular, nodular y mezclas o variaciones de los mismos, por
ejemplo, aglomerados gruesos, tales como aglomerados de malla
14/40 que se pueden separar fácilmente del producto de polvo
mediante tamizado.
De forma similar, el material reductor puede ser
tántalo y similares y pueden tener los mismos parámetros y/o
propiedades preferidos descritos anteriormente para el material
reductor de niobio. Otros materiales reductores se pueden utilizar
solos o en combinación con los materiales reductores de tántalo o
de niobio. De igual forma, otros materiales pueden formar parte
del material reductor.
El material reductor se puede retirar tras su uso
o puede permanecer. Preferiblemente, si el material reductor va a
permanecer en los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno,
entonces preferiblemente el material reductor es niobio,
preferiblemente con una forma y tamaño similares a los del óxido de
niobio de partida. Adicionalmente, preferiblemente se utiliza un
material reductor de alta pureza, alta área superficial y/o alta
porosidad (por ejemplo, material de calidad para condensadores) dado
que tal material obtendrá el mismo estado de óxido, o similar, que
el óxido de niobio reducido en su oxígeno y por tanto el
procedimiento logrará un rendimiento de 100% del óxido de niobio
reducido en su oxígeno. Así pues, el material reductor puede actuar
como el material reductor y también permanecer pasando a formar
parte del óxido de niobio reducido en su oxígeno.
En general, una cantidad suficiente del material
reductor está presente para reducir al menos parcialmente el óxido
de niobio que se va a tratar térmicamente. Además, la cantidad del
material reductor depende de la cantidad de reducción deseada del
óxido de niobio. Por ejemplo, si se desea una ligera reducción del
óxido de niobio, entonces el material reductor estará presente en
una cantidad estequiométrica. De forma similar, si se ha de
reducir el óxido de niobio de forma notable con respecto a su
presencia de oxígeno, entonces el material reductor está presente
en una cantidad entre 2 y 5 veces la cantidad estequiométrica. En
general, la cantidad del material reductor presente (por ejemplo,
basado en el material reductor de tántalo que es 100% tántalo)
puede estar presente basado en la siguiente proporción de material
reductor a la cantidad de óxido de niobio presente de entre 2 a 1
y 10 a 1. Preferiblemente el material reductor se amalgama o mezcla
con el óxido de niobio de partida en una atmósfera que permita la
transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio al
material reductor (por ejemplo, una atmósfera de hidrógeno), y
preferiblemente a una temperatura entre 1.100ºC y 1.500ºC.
Además, la cantidad del material reductor también
puede depender del tipo de óxido de niobio que se va a reducir.
Por ejemplo, cuando el óxido de niobio que se va a reducir es
Nb_{2}O_{5}, la cantidad de material reductor es preferiblemente
5 a 1. De igual forma, cuando se parte de Nb_{2}O_{5}, se
utiliza una cantidad estequiométrica del material reductor,
preferiblemente un metal de niobio en forma de copos, para lograr un
óxido que es preferiblemente 0,89 partes de metal y 1 parte de
óxido.
El tratamiento térmico al que se somete el óxido
de niobio de partida puede llevarse a cabo en cualquier
dispositivo u horno de tratamiento térmico utilizado comúnmente en
el tratamiento térmico de metales, tales como niobio y tántalo. El
tratamiento térmico del óxido de niobio en presencia del material
reductor se lleva a cabo a una temperatura suficiente y durante un
tiempo suficiente para formar un óxido de niobio reducido en su
oxígeno. La temperatura y el tiempo del tratamiento térmico pueden
depender de una variedad de factores tales como la cantidad de
reducción del óxido de niobio, la cantidad de material reductor, y
el tipo de material reductor así como del tipo del óxido de niobio
de partida. En general, el tratamiento térmico del óxido de niobio
se llevará a cabo a una temperatura menor que o aproximadamente
entre 800ºC y 1.900ºC, y más preferiblemente entre 1.000ºC y
1.400ºC, y lo más preferiblemente entre 1.100ºC y 1.250ºC. De forma
más detallada, las temperaturas del tratamiento térmico estarán
entre 1.000ºC y 1.300ºC, y más preferiblemente entre 1.100ºC y
1.250ºC durante un tiempo de entre 5 minutos y 100 minutos, y más
preferiblemente entre 30 minutos y 60 minutos. Las pruebas de
rutina en vistas de la presente solicitud permitirán a un experto
en la materia controlar fácilmente los tiempos y las temperaturas
del tratamiento térmico con el fin de obtener la reducción adecuada
o deseada del óxido de niobio.
El tratamiento térmico ocurre en una atmósfera
que permita la transferencia de átomos de oxígeno desde el óxido de
niobio al material reductor. El tratamiento térmico tiene lugar
preferiblemente en una atmósfera que contenga hidrógeno que sea
preferiblemente sólo hidrógeno. Otros gases también pueden estar
presentes con el hidrógeno, tales como gases inertes, siempre que
los otros gases no reaccionen con el hidrógeno. Preferiblemente,
la atmósfera de hidrógeno está presente durante el tratamiento
térmico a una presión de entre 1,333 kPa (10 Torr) y 266,6 kPa
(2.000 Torr), y más preferiblemente entre 13,33 kPa (100 Torr) y
133,3 kPa (1.000 Torr), y más preferiblemente desde 13,33 kPa (100
Torr) hasta 123,97 kPa (930 Torr). Se pueden utilizar mezclas de
H_{2} y un gas inerte como Ar. De igual forma, se pueden utilizar
H_{2} y N_{2} para efectuar el control del nivel de N_{2}
del óxido de niobio.
Durante el procedimiento de tratamiento térmico,
se puede utilizar una temperatura de tratamiento térmico constante
durante todo el procedimiento de tratamiento térmico o se pueden
utilizar variaciones de la temperatura o de las etapas de
temperatura. Por ejemplo, se puede admitir inicialmente hidrógeno
a 1.000ºC seguido de un aumento de la temperatura hasta 1.250ºC
durante 30 minutos seguido de una reducción de la temperatura hasta
1.000ºC y mantenimiento ahí hasta la eliminación del gas H_{2}.
Tras eliminar el H_{2} u otra atmósfera, la temperatura del horno
se puede disminuir. Se pueden utilizar variaciones de estas etapas
para adecuarse a cualquier preferencia de la industria. El tamaño
de los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno se puede reducir
posteriormente por ejemplo mediante molienda. Los óxidos de niobio
reducidos en su oxígeno se pueden aglomerar y moler o procesarse
de cualquier otro modo en el que se puedan procesar los metales de
válvulas.
Los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno
también pueden contener niveles de nitrógeno, por ejemplo, entre
100 ppm y 30.000 ppm de N_{2}.
El óxido de niobio reducido en su oxígeno es
cualquier óxido de niobio que tenga un bajo contenido de oxígeno
en el óxido metálico en comparación con el óxido de niobio de
partida. Los óxidos de niobio reducidos típicos comprenden NbO,
NbO_{0,7}, NbO_{1,1}, NbO_{2}, y cualquier combinación de
los mismos con otros óxidos presentes. En general, el óxido de
niobio reducido en su oxígeno de la presente invención tiene una
relación atómica de niobio a oxígeno de 1:menos de 2,5, y
preferiblemente de 1:2, y más preferiblemente 1:1,1, 1:1 ó 1:0,7.
Dicho de otro modo, el óxido de niobio reducido preferiblemente
tiene la fórmula Nb_{x}O_{y}, en la que Nb es niobio, x es 2 o
menos e y es menos de 2,5x. Más preferiblemente, x es 1 e y es
menor de 2, tal como 1,1, 1,0, 0,7 y similares.
Los óxidos de niobio de partida se pueden
preparar mediante calcinación a 1.000ºC hasta la eliminación de
cualquier componente volátil. El tamaño de los óxidos se puede
definir mediante tamizado. El pretratamiento térmico de los óxidos
de niobio se puede utilizar para crear una porosidad controlada de
las partículas de óxido.
Los óxidos de niobio reducidos de la presente
invención también tienen preferiblemente una superficie microporosa
y preferiblemente tienen una estructura de tipo esponja, donde las
partículas primarias tienen un tamaño preferiblemente de 1
micrómetro o menos. Las SEMs describen adicionalmente el tipo de
óxido de niobio reducido preferido de la presente invención. Como
se puede observar en estas micrografías, los óxidos de niobio
reducidos de la presente invención pueden tener una elevada área
superficial específico, y una estructura porosa con aproximadamente
50% de porosidad. Además, los óxidos de niobio de la presente
invención se pueden caracterizar por tener un área superficial
específica entre 0,5 y 10,0 m^{2}/g, más preferiblemente entre 0,5
y 2,0 m^{2}/g, e incluso más preferiblemente entre 1,0 y 1,5
m^{2}/g. La densidad aparente preferida del polvo de los óxidos
de niobio es menor de 2,0 g/cm^{3}, más preferiblemente menor de
1,5 g/cm^{3}, e incluso más preferiblemente entre 0,5 g/cm^{3}
y 1,5 g/cm^{3}. De igual forma, el polvo de los óxidos de niobio
puede tener densidades de Scott, tales como entre 0,31 g/cm^{3}
(5 g/in^{3}) y 2,14 g/cm^{3} (35 g/in^{3}).
La presente invención tiene la capacidad de
obtener propiedades similares a, si no mejores que, el niobio y
aún así utilizar menos niobio en el producto, dado que se forma y
utiliza un óxido de niobio reducido en su oxígeno. Así pues, la
presente invención aumenta la cantidad de niobio de los productos,
tales como ánodos de condensadores, dado que se pueden fabricar
más ánodos u otros productos utilizando la misma cantidad de
niobio.
Los diversos óxidos de niobio reducidos en su
oxígeno de la presente invención se pueden caracterizar
adicionalmente mediante sus propiedades eléctricas resultantes de
la formación de un ánodo para condensadores utilizando los óxidos
de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención. En
general, se pueden examinar las propiedades eléctricas de los
óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente invención
prensando polvos del óxido de niobio reducido en su oxígeno en un
ánodo y sinterizando el polvo prensado a temperaturas apropiadas y
a continuación anodizando el ánodo para producir un ánodo para
condensadores electrolíticos cuyas propiedades eléctricas se pueden
examinar seguidamente.
Por consiguiente, otra realización de la presente
invención se refiere a ánodos para condensadores formados a partir
de óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente
invención. Los ánodos se pueden preparar a partir de la forma en
polvo de los óxidos reducidos en un procedimiento similar al
utilizado para la fabricación de ánodos metálicos, es decir,
prensando pelets porosos con cables de plomo embebidos u otros
conectores seguidos de una sinterización y anodización opcional. El
conector de plomo se puede embeber o unir en cualquier momento
antes de la anodización. Los ánodos fabricados a partir de algunos
de los óxidos de niobio reducidos en su oxígeno de la presente
invención pueden tener una capacitancia de entre 1.000 CV/g o menor
y 300.000 CV/g o más, y otros intervalos de capacitancia pueden
estar entre 20.000 CV/g y 300.000 CV/g o entre 62.000 CV/g y
200.000 CV/g y preferiblemente entre 60.000 y 150.000 CV/g. Para
formar los ánodos para condensadores de la presente invención, se
puede utilizar una temperatura que permita la formación de un
ánodo para condensadores con las propiedades deseadas. La
temperatura de sinterización estará basada en el óxido de niobio
reducido en su oxígeno utilizado. Preferiblemente, la temperatura
de sinterización varía entre 1.200ºC y 1.750ºC y más
preferiblemente entre 1.200ºC y 1.400ºC y lo más preferiblemente
entre 1.250ºC y 1.350ºC cuando el óxido de niobio reducido en su
oxígeno es un óxido de niobio reducido en su oxígeno.
Los ánodos formados a partir de los óxidos de
niobio de la presente invención se forman preferiblemente a una
tensión de aproximadamente 35 voltios y preferiblemente entre 6 y
70 voltios. Cuando se utiliza un óxido de niobio reducido en su
oxígeno, preferiblemente, las tensiones de formación entre 6 y 50
voltios, y más preferiblemente entre 10 y 40 voltios. Se pueden
utilizar otras tensiones de formación altas. Los ánodos de los
óxidos de niobio reducido se pueden preparar fabricando un pelet de
Nb_{2}O_{5} con un cable de acero seguido de sinterización en
atmósfera de H_{2} u otra atmósfera adecuada en la proximidad de
un material reductor del mismo modo que con los óxidos de polvo. En
esta realización, la partícula anódica producida se puede producir
directamente, por ejemplo, formando el óxido de metal de válvulas
reducido en su oxígeno y un ánodo al mismo tiempo. De igual forma,
los ánodos formados a partir de los óxidos de niobio de la
presente invención presentan preferiblemente una fuga de CC menor de
5,0 nA/CV. En una realización de la presente invención, los ánodos
formados a partir de algunos de los óxidos de niobio reducidos en
su oxígeno de la presente invención tienen una fuga de CC de entre
5,0 nA/CV y 0,50 nA/CV.
La presente invención también se refiere a un
condensador según la presente invención con una película de óxido
de niobio sobre la superficie del condensador. Preferiblemente, la
película es una película de pentóxido de niobio. Los expertos en la
materia conocen los medios para la fabricación del polvo metálico
en ánodos para condensadores y tales procedimientos se encuentran
descritos en las patentes de EE.UU. nº 4.805.074, 5.412.533,
5.211.741, y 5.245.514, y las solicitudes europeas nº 0634762A1 y
0634761A1.
Los condensadores de la presente invención se
pueden utilizar en una variedad de usos finales tales como
elementos electrónicos para automoción, teléfonos celulares,
computadores, tales como monitores, placas madre, y similares,
elementos electrónicos para consumidores tales como TVs y CRTs,
impresoras/copiadoras, suministros de corriente, módems,
ordenadores portátiles y unidades de disco.
La presente invención se clarificará
adicionalmente mediante los siguientes ejemplos, que pretenden
ilustrar la presente invención.
Fabricación del
ánodo
- tamaño - 0,197'' día (0,5 cm)
- 3,5 Dp
- peso del polvo = 341 mg
Sinterización del
ánodo
- 1.300ºC*10'
- 1.450ºC*10'
- 1.600ºC*10'
- 1.750ºC*10'
Anodización 30V
Ef
- 30V Ef a 60ºC/Electrolito de H_{3}PO_{4} al 0,1%
- Corriente constante de 20 mA/g
Fuga de
CC/Capacitancia-Pruebas
ESR
- Pruebas de fugas CC - - -
- Voltaje de prueba 70% Ef (21 VDC)
- Tiempo de carga 60 segundos
- H_{3}PO_{4} al 10% a 21ºC
- Capacitancia-Pruebas DF
- H_{2}SO_{4} al 18% a 21ºC
- 120 Hz
Anodización de reforma 50V
Ef
- 50V Ef a 60ºC/Electrolito de H_{3}PO_{4} al 0,1%
- Corriente constante de 20 mA/g
Fuga de
CC/Capacitancia-Pruebas
ESR
- Pruebas de fugas CC - - -
- Voltaje de prueba 70% Ef (21 VDC)
- Tiempo de carga 60 segundos
- H_{3}PO_{4} al 10% a 21ºC
- Capacitancia-Pruebas DF
- H_{2}SO_{4} al 18% a 21ºC
- 120 Hz
Anodización de reforma 75V
Ef
- 75V Ef a 60ºC/Electrolito de H_{3}PO_{4} al 0,1%
- Corriente constante de 20 mA/g
Fuga de
CC/Capacitancia-Pruebas
ESR
- Pruebas de fugas CC - - -
- Voltaje de prueba 70% Ef (21 VDC)
- Tiempo de carga 60 segundos
- H_{3}PO_{4} al 10% a 21ºC
- Capacitancia-Pruebas DF
- H_{2}SO_{4} al 18% a 21ºC
- 120 Hz
Se determinó la densidad de Scott, el análisis de
oxígeno, el análisis poroso y el análisis BET según los
procedimientos expuestos en las patentes de EE.UU. nº 5.011.742;
4.960,471; y 4.964.906.
Se mezclaron aglomerados de hidruro de Ta de
malla +10 (99,2 g) con aproximadamente 50 ppm de oxígeno con 22
gramos de Nb_{2}O_{5} y se colocaron en bandejas de Ta. Las
bandejas se colocaron en un horno de tratamiento térmico al vacío y
se calentaron hasta 1.000ºC. Se introdujo gas H_{2} al horno a
una presión de +20,685 kPa (+3 psi). La temperatura se aumentó en
forma de rampa adicionalmente hasta 1.240ºC y se mantuvo durante
30 minutos. La temperatura se disminuyó hasta 1.050ºC durante 6
minutos hasta que se eliminó todo el H_{2} del horno. Manteniendo
aún 1.050ºC, se vació el gas argón del horno hasta conseguir una
presión de 5 x 10^{-4} Torr (66,65 mPa). En este punto se volvió
a introducir argón a 93,31 kPa (700 mm) a la cámara y el horno se
enfrió hasta 60ºC.
El material se pasivó con varias exposiciones
cíclicas a presiones parciales de oxígeno progresivamente mayores
antes de la eliminación del horno como sigue: el horno se llenó
con argón a 93,31 kPa (700 mm) seguido de llenado a una atmósfera
con aire. Tras 4 minutos, la cámara se vació hasta 1,33 Pa
(10^{-2} Torr). A continuación la cámara se llenó con argón a
79,98 kPa (600 mm) con argón seguido de aire a 101 kPa (una
atmósfera) y se mantuvo durante 4 minutos. La cámara se vació hasta
1,33 Pa (10^{-2} Torr). A continuación la cámara se llenó con
argón a 53,32 kPa (500 mm) con argón seguido de aire a 101 kPa
(una atmósfera). Tras 4 minutos la cámara se vació hasta 1,33 Pa
(10^{-2} Torr). A continuación la cámara se llenó con argón a
26,66 kPa (500 mm) con argón seguido de aire a 101 kPa (una
atmósfera) y se mantuvo durante 4 minutos. La cámara se vació hasta
1,33 Pa (10^{-2} Torr). A continuación la cámara se llenó hasta
101 kPa (una atmósfera) con aire y se mantuvo durante 4 minutos.
La cámara se vació hasta 1,33 Pa (10^{-2} Torr). La cámara se
llenó hasta 101 kPa (una atmósfera) con argón y se abrió para
retirar la muestra.
El producto en polvo se separó del reductor de
aglomerado de tántalo tamizando a través de un tamiz de malla 40.
Se examinó el producto, obteniéndose los siguientes
resultados.
- CV/g de los pelets sinterizados a 1.300ºC X 10 minutos y formados a 35 voltios = 81.297
- nA/CV (fugas de CC) = 5,0
- Densidad sinterizada de los pelets = 2,7 g/cm^{3}
- Densidad de Scott = 0,9 g/cm^{3}
- Análisis químico (ppm)
\hskip5mm C | = | \hskip-6mm 70 | ||||
\hskip5mm H_{2} | = | \hskip-6mm 56 | ||||
\hskip5mm Ti | = | \hskip-6mm 25 | \hskip-8mm Fe | \hskip-12mm = | \hskip-18mm 25 | |
\hskip5mm Mn | = | \hskip-6mm 10 | \hskip-8mm Si | \hskip-12mm = | \hskip-18mm 25 | |
\hskip5mm Sn | = | \hskip-6mm 5 | \hskip-8mm Ni | \hskip-12mm = | \hskip-18mm 5 | |
\hskip5mm Cr | = | \hskip-6mm 10 | \hskip-8mm Al | \hskip-12mm = | \hskip-18mm 5 | |
\hskip5mm Mo | = | \hskip-6mm 25 | \hskip-8mm Mg | \hskip-12mm = | \hskip-18mm 5 | |
\hskip5mm Cu | = | \hskip-6mm 50 | \hskip-8mm B | \hskip-12mm = | \hskip-18mm 2 | |
\hskip5mm Pb | = | \hskip-6mm 2 | \hskip-8mm todos los demás < límites |
Las muestras 1 a 20 son ejemplos siguiendo etapas
similares a las anteriores con Nb_{2}O_{5} según se indica en
la tabla. Para la mayor parte de los ejemplos, los tamaños de
malla del material de partida se presentan en la tabla, por ejemplo
60/100 significa menor que malla 60 pero mayor que malla 100. De
forma similar, el tamaño de tamizado de algunos de los reductores
de Ta se proporciona como 14/40. Los reductores marcados como
"aglomerado de hidruro de Ta" son malla +40 sin límite superior
de tamaño de partícula.
La muestra 18 utilizó Nb como material reductor
(disponible comercialmente como Nb en copos N200 de CPM). El
material reductor para la muestra 18 fue polvo de Nb de grano fino
que no se separó del producto final. La difracción de rayos X mostró
que algo del material reductor permaneció como Nb, pero la mayor
parte se convirtió a NbO_{1,1} y NbO mediante el procedimiento
al igual que el material de óxido de niobio Nb_{2}O_{5} de
partida.
La muestra 15 fue un pelet de Nb_{2}O_{5}
prensado hasta una densidad cercana a la de un sólido, y hecho
reaccionar con H_{2} muy cerca del material reductor de Ta. El
procedimiento convirtió el pelet de óxido sólido en una mazarota
porosa de subóxido de NbO. Esta escoria se sinterizó para formar
una lámina de Nb metálico para crear una conexión anódica de plomo
y se anodizó hasta 35 voltios utilizando procedimientos de formado
eléctrico similares a los utilizados para los pelets de mazarota en
polvo. Esta muestra demuestra la capacidad única de este
procedimiento para producir una mazarota lista para anodizar en
una única etapa a partir del material de partida de
Nb_{2}O_{5}.
La tabla muestra la capacidad de alta
capacitancia y baja fuga de CC de los ánodos fabricados a partir
de los polvos/pelets prensados y sinterizados de la presente
invención. Se tomaron microfotografías (SEMs) de diversas muestras.
Estas fotografías muestran la estructura porosa del óxido de
niobio reducido en su oxígeno de la presente invención. En
particular, la figura 1 es una fotografía de la superficie exterior
de un pelet tomada a 5.000 X (muestra 15). La figura 2 es una
fotografía del interior del pelet del mismo pelet tomada a 5.000
X. Las figuras 3 y 4 son fotografías de la superficie exterior del
mismo pelet tomada a 1.000 X. La figura 5 es una fotografía de la
muestra 11 a 2.000 X y las figuras 6 y 7 son fotografías tomadas
de la muestra 4 a 5.000 X. La figura 8 es una fotografía tomada de
la muestra 3 a 2.000 X y la figura 9 es una fotografía de la
muestra 6 a 2.000 X. Finalmente, la figura 10 es una fotografía de
la muestra 6, tomada a 3.000 X y la figura 11 es una fotografía de
la muestra 9 tomada a 2.000 X.
Claims (54)
1. Un procedimiento para reducir al menos
parcialmente un óxido de niobio que comprende un tratamiento
térmico del óxido de niobio en presencia de un material reductor y
en una atmósfera que permita la transferencia de átomos de oxígeno
desde el óxido de niobio hasta el material reductor, durante un
tiempo y una temperatura suficientes para formar un óxido de
niobio reducido en su oxígeno.
2. Un procedimiento de la reivindicación 1, en el
que el óxido de niobio es un pentóxido de niobio.
3. Un procedimiento de la reivindicación 1, en el
que el óxido de niobio reducido en su oxígeno es un subóxido de
niobio.
4. El procedimiento de la reivindicación 1, en el
que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene una proporción
atómica de niobio a oxígeno de 1:menos de 2,5.
5. El procedimiento de la reivindicación 1, en el
que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene unos niveles
de oxígeno que son menores de los estequiométricos para un niobio
totalmente oxidado.
6. El procedimiento de la reivindicación 1, en el
que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene una estructura
microporosa.
7. El procedimiento de la reivindicación 1, en el
que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene un volumen de
poros de aproximadamente 50%.
8. El procedimiento de la reivindicación 1, en el
que la atmósfera es hidrógeno, presente en una cantidad entre 1,333
kPa y 266,6 kPa (entre 10 Torr y 2.000 Torr).
9. El procedimiento de la reivindicación 1, en el
que el material reductor es un material reductor de niobio capaz
de una capacitancia de al menos 75.000 CV/g cuando se forma en un
ánodo.
10. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que la atmósfera es una atmósfera de hidrógeno.
11. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que el material reductor es un material reductor de niobio
capaz de una capacitancia de entre 100.000 CV/g y 200.000 CV/g
cuando se forma en un ánodo.
12. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que dicho tratamiento térmico se lleva a cabo a una temperatura
entre 1000ºC y 1500ºC y durante entre 10 y 90 minutos.
13. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que dicho material reductor se homogeneiza con el óxido de
niobio antes de o durante la etapa de tratamiento térmico.
14. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que el material reductor es un material reductor de niobio en
forma de copos.
15. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que el material reductor, tras el tratamiento térmico, forma un
óxido de niobio reducido en su oxígeno.
16. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que el material reductor es un material reductor que contiene
magnesio.
17. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que el material reductor comprende partículas de hidruro de
tántalo.
18. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que el material reductor comprende tántalo, niobio o ambos.
19. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que el material reductor son partículas de hidruro de tántalo
de malla 14/40.
20. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que dicho material reductor es un material adecuado para
condensadores.
21. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que dicho óxido de niobio reducido en su oxígeno es NbO y dicho
material reductor es niobio.
22. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que dicho óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene un área
superficial entre 0,5 y 10,0 m^{2}/g.
23. El procedimiento de la reivindicación 1, en
el que dicho óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene un área
superficial entre 1,0 y 2,0 m^{2}/g.
24. Un óxido de niobio con una proporción atómica
de niobio a oxígeno de 1:menos de 2,5.
25. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que la proporción atómica es 1:menos de 2,0.
26. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que la proporción atómica es 1:menos de 1,5.
27. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que la proporción atómica es 1:1,1.
28. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que la proporción atómica es 1:0,7.
29. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que la proporción atómica es 1:0,5.
30. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho óxido de niobio tiene una estructura porosa.
31. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho óxido de niobio tiene una estructura porosa con
poros de entre 0,1 y 10 micrómetros.
32. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho óxido de niobio comprende NbO, NbO_{0,7},
NbO_{1,1} o combinaciones de los mismos.
33. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho óxido de niobio está formado en el ánodo de un
condensador electrolítico con una capacitancia de hasta 300.000
CV/g.
34. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
que comprende adicionalmente nitrógeno.
35. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho nitrógeno está presente en una cantidad
comprendida entre 100 ppm y 30.000 ppm de N_{2}.
36. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho óxido de niobio está formado en el ánodo de un
condensador electrolítico, teniendo dicho ánodo una capacitancia
comprendida entre 1.000 y 300.000 CV/g.
37. El óxido de niobio de la reivindicación 36,
en el que dicha capacitancia está comprendida entre 60.000 y
200.000 CV/g.
38. El óxido de niobio de la reivindicación 36,
en el que dicho ánodo tiene una fuga de CC comprendida entre 0,5 y
5 nA/CV.
39. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho niobio comprende partículas nodulares, en forma de
copos, angulares o una combinación de las mismas.
40. El óxido de niobio de la reivindicación 24
con un área superficial específica entre 0,5 y 10,0 m^{2}/g.
41. El óxido de niobio de la reivindicación 24
con un área superficial específica entre 0,5 y 2,0 m^{2}/g.
42. El óxido de niobio de la reivindicación 24
con un área superficial específica entre 1,0 y 1,5 m^{2}/g.
43. El óxido de niobio de la reivindicación 24
con un área superficial específica entre 1,0 y 10,0 m^{2}/g.
44. Un condensador que comprende el óxido de
niobio de una cualquiera de las reivindicaciones 24 a 43.
45. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho óxido de niobio se sinteriza a una temperatura
comprendida entre 1.200ºC y 1.750ºC.
46. El óxido de niobio de la reivindicación 24,
en el que dicho óxido de niobio se sinteriza a una temperatura
comprendida entre 1.200ºC y 1.450ºC.
47. El condensador de la reivindicación 44, con
una capacitancia comprendida entre 1.000 CV/g y 300.000 CV/g.
48. El condensador de la reivindicación 44, con
una capacitancia comprendida entre 60.000 CV/g y 200.000 CV/g.
49. El condensador de la reivindicación 44 con
una fuga de CC entre 0,5 y 5 nA/CV.
50. Un procedimiento para fabricar un ánodo para
condensadores que comprende a) fabricar un pelet de óxido de niobio
y someter a tratamiento térmico al pelet en presencia de un
material reductor, y en una atmósfera que permita la transferencia
de átomos de oxígeno desde el óxido de niobio hasta el material
reductor, y durante un tiempo y temperatura suficientes para
formar un cuerpo de electrodo que comprenda al pelet, en donde el
pelet comprende un óxido de niobio reducido en su oxígeno, y b)
anodizar dicho cuerpo de electrodo para formar dicho ánodo para
condensadores.
51. El procedimiento de la reivindicación 50, en
el que la atmósfera es una atmósfera de hidrógeno.
52. El procedimiento de la reivindicación 50, en
el que el material reductor comprende tántalo, niobio o ambos.
53. El procedimiento de la reivindicación 50, en
el que el material reductor es niobio.
54. El procedimiento de la reivindicación 50, en
el que el óxido de niobio reducido en su oxígeno tiene una
proporción atómica de niobio a oxígeno de 1:menos de 2,5.
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