CN1790653A - 电子元件的装配方法、电子装置的制造方法、电路基板及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子元件的装配方法、电子装置的制造方法、电路基板及电子设备。以有源面作为表侧在布线基板上接合电子元件(半导体芯片)(芯片焊接工序)。接着，在电子元件的周围，形成从布线基板的表面与电子元件的有源面连接的斜面(斜坡形成工序)，利用液滴喷出法，在该斜面的表面上形成连接有源面上的电极端子和布线基板上的布线图形的金属布线(金属布线形成工序)。在本发明中，在形成金属布线之前，在形成该金属布线的电子元件的有源面上形成由环氧树脂或聚氨酯树脂等构成的有机绝缘膜(绝缘墨处理工序)，提高密合性。

Description

电子元件的装配方法、电子装置的制造方法、电路基板及电子设备
技术领域
本发明涉及适合在布线基板上正装半导体芯片等电子元件时使用的装配方法及装配结构。
背景技术
现在，主要在便携式电话机、笔记本电脑、PDA(Personal data assistance)等具有便携性的电子设备中，为了小型化及轻量化，谋求设在内部的半导体芯片等各种电子部件(电子元件)的小型化。
为此，例如在半导体芯片中，努力研究其封装方法，现在可提供称为CSP(Chip Scale Package)的超小型的封装技术。
采用该CSP技术制造的半导体芯片，装配面积可与半导体芯片的面积相同，实现高密度装配(例如，参照日本国特开2000-216330号公报)。
如此的半导体芯片，装配在形成有再配置用的布线图形的基板(布线基板)上，装入电子设备。作为半导体芯片的装配方法，已知有朝基板侧装配半导体芯片的有源面的倒装法。但是，在倒装中，需要准备与半导体芯片的电极结构一致的专用基板，容易导致成本上升。此外，需要形成连接用的凸出电极等的多余的处理。另外，在以半导体芯片的有源面作为表侧装配的正装中，需要通过引线接合，逐根地连接半导体芯片的电极端子和布线基板的布线图形，在增加端子数量时难对应。此外，在引线接合中，由于长度有限制，因此不能采用通用基板。另外，有时因进行引线接合时的机械性的应力而发生不良。
发明内容
本发明是鉴于以上的事实而提出的，其目的在于提供一种电子元件的装配方法，能够降低在布线基板上装配电子元件时的机械性应力，能够以低成本实现高连接可靠性的装配结构。
为解决上述问题，本发明的电子元件的装配方法，是在布线基板上装配电子元件的电子元件的装配方法，其特征在于，具备：在所述布线基板上配置所述电子元件的工序；在所述电子元件的有源面上形成有机绝缘膜的工序；在所述电子元件的周围，形成从所述布线基板的表面与所述电子元件的所述有源面连接的斜面的工序；在所述斜面和所述有机绝缘膜的表面上，利用液滴喷出法，形成连接设在所述电子元件上的电极端子和设在所述布线基板上的布线图形的连接布线的工序。
在本方法中，作为装配电子元件的方法，采用正装方式，作为采用与布线基板导通的方法，代替以往的引线接合，采用使用通过液滴喷出方式形成的连接布线的方法。因此，与进行以往的引线接合的方法相比，能够减轻施加给电子元件的应力。此外，由于能够通过连接布线任意地来回(再配置)布线，所以能够采用成本更低的通用基板。
在如此的装配结构中，需要在电子元件的有源面上，直接利用液滴喷出法，进行布线描绘。在此种情况下，根据本发明者等的研究发现，如果不进行任何预处理地进行描绘，不能形成具有足够可靠性的布线。即，在电子元件即半导体芯片等的有源面上，通常，作为钝化膜形成SiO2或SiN等无机绝缘膜，如果在如此的绝缘膜的表面上，利用液滴喷出法进行布线描绘，布线和衬底的绝缘膜的密合性差，布线的可靠性降低。在最差的情况下，布线从衬底的绝缘膜剥离、断线，有时不能发挥作为布线的功能。此外，在利用液滴喷出法形成布线时，需要以适当的状态使进行布线形成的绝缘膜的表面均匀化。如果不这样，滴下的液滴不会在绝缘膜上均匀润湿扩展，发生布线不连接的断线或(扩展不足)、与相邻布线短路(过于扩展)，不能形成适当的布线。另外，实际的半导体芯片的表面不平坦，布线或电极端子等具有凹凸。
此外，在半导体芯片的表面端部，残留半导体芯片的制造工序所需的检测用电极(划片线TEG的电极垫片)的一部分。如果在未处理如此的凹凸的状态下直接进行布线描绘，滴下的液滴沿着凹凸图形扩展，不能形成所要求的布线图形。此外，如果在划片线TEG的电极垫片上形成布线，引起与IC本体的短路，IC不能正常工作。在采用本发明的装配结构的情况下，需要解决如此的问题。
在本发明中，为解决此问题，在进行布线描绘之前，预先在电子元件的有源面的所需部位形成有机绝缘膜。有机绝缘膜，与用作液滴的分散剂的有机溶剂等具有良好的相容性。因此，在有机绝缘膜上进行了布线描绘的情况下，能够在形成的布线和衬底的有机绝缘膜的之间得到足够的粘接力。如此，根据本发明的装配方法，通过用液滴喷出法形成连接布线，能够减轻装配时施加给电子元件的应力。另外，根据所述装配方法，通过作为形成接线布线时的衬底设置有机绝缘膜，能够防止连接布线的剥离，能够谋求提高可靠性。
在本发明的电子元件的装配方法，优选，所述有机绝缘膜由环氧树脂或聚氨酯树脂构成。
通过采用如此的材料，能够更加提高粘接性。例如，以SiO2或SiN作为衬底形成金属布线时的粘接力为1000g/mm2，而采用环氧树脂或聚氨酯树脂作为衬底，同样形成金属布线时的粘接力为5000g/mm2。此外，即使在剥离试验中，在前者时完全剥离，而在后者时不剥离，残留。
在本发明的电子元件的装配方法中，所述有机绝缘膜利用液滴喷出法形成。
根据该方法，能够有选择地只在所需的部分形成有机绝缘膜。
在本发明的电子元件的装配方法中，在所述电子元件的所述有源面上形成台阶部；所述有机绝缘膜的形成工序，可包括：利用液滴喷出法在所述台阶部的前后形成第1有机绝缘膜的工序、和利用液滴喷出法形成跨越在所述台阶部的前后的所述第1有机绝缘膜的第2有机绝缘膜的工序。
如上所述，实际的半导体芯片的表面不平坦，形成多种凹凸。如果存在如此的凹凸，有时液滴就沿着该凹凸的台阶面润湿扩展，或在相邻的布线彼此间产生短路。在本发明的方法中，为了防止在如此的台阶面的润湿扩展，分2次进行有机绝缘膜的描绘。即，在本方法中，首先在第1次中避开台阶部，喷出液滴，使其干燥，在台阶部的前后形成第1有机绝缘膜。在第2次，为了连接它们，以跨越台阶部地重叠在前后的第1有机绝缘膜的方式喷出液滴。在液滴上重叠描绘液滴时，由于上层侧的液滴容易固定在落着位置上，因此形成沿两侧固定第2次的液滴的状态，不会沿着台阶面形成大的润湿扩展。因而，能够几乎不受台阶部影响地形成所要求的图形。
在本发明的电子元件的装配方法中，包括在形成所述有机绝缘膜前，使所述电子元件的所述有源面亲液化的工序。形成有机绝缘膜的液滴的接触角优选90°以下，更优选20°以下。在使所述电子元件的所述有源面亲液化的情况下，最好接触角在此范围。此外，在本发明的电子元件的装配方法中，包括在形成所述连接布线前，使所述有机绝缘膜的表面亲液化的工序。形成连接布线的液滴的接触角优选90°以下，更优选60°～30°。在使所述有机绝缘膜的表面亲液化的情况下，最好接触角在此范围。
根据上述方法，在形成有机绝缘膜或连接布线时，能够形成良好的液滴固定性。
本发明的电子装置的制造方法，是在布线基板上装配电子元件而成的电子装置的制造方法，其特征在于：所述电子元件的装配工序，采用所述的本发明的电子元件的装配方法进行。
根据该方法，能够以低成本提供高连接可靠性的电子装置。
本发明的电路基板，其特征在于：利用所述的本发明的电子装置的制造方法制造。此外，本发明的电子设备，其特征在于：具备利用本发明的电子装置的制造方法制造的电子装置或所述的本发明的电路基板。
根据此构成，能够以低成本提供高连接可靠性的电路基板及电子设备。
附图说明
图1是根据第1实施方式的液晶显示装置的分解立体图。
图2是表示半导体IC的制造工序的流程图。
图3A是表示芯片焊接装置的简要构成的立体图，图3B是表示该装置的主要部位的侧剖面图。
图4A及图4B是表示芯片焊接工序的剖面模式图。
图5是表示芯片焊接后的状态的俯视模式图。
图6是表示绝缘墨处理后的状态的俯视模式图。
图7A及图7B是表示绝缘墨处理工序的俯视模式图。
图8是表示液滴喷出装置的一例即喷墨装置的立体图。
图9是液滴喷头的剖面模式图。
图10是表示斜坡形成工序的俯视模式图。
图11A及图11B是表示斜坡形成后的状态的模式图。
图12A及图12B是表示金属布线形成后的状态的模式图。
图13A、图13B及图13C是表示金属布线形成工序的俯视模式图。
图14A、图14B及图14C是表示金属布线形成工序的俯视模式图。
图15是表示金属布线形成工序的其它例的俯视模式图。
图16A及图16B是表示第2实施方式的芯片焊接工序的剖面模式图。
图17A及图17B是表示另一芯片焊接工序的剖面模式图。
图18A及图18B是表示凹部及贯通孔的形成位置的俯视模式图。
图19是表示第3实施方式的斜坡工序的俯视模式图。
图20是表示另一斜坡形成工序的俯视模式图。
图21是一例电子设备即便携式电话的立体图。
图22A及图22B是表示护圈附近的金属布线(连接布线)的样子的图示。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下，参照附图说明本发明的实施方式。在以下的附图中，为了便于理解附图，适当变化各构成要素的膜厚度或尺寸的比率等。
[液晶显示装置]
图1是根据本发明的一例电子设备即液晶显示装置的分解立体图。
图1的液晶显示装置100，具有液晶面板13和驱动用的电路基板10。此外，根据需要，在液晶面板13上附设背光灯等照明装置、其它附带结构。液晶面板13，具有利用密封材133相互粘接周边的一对基板131及132。在这些基板间形成的间隙即单元间隙内，封入如STN(Super TwistedNematic)型的液晶。基板131及132例如由玻璃或合成树脂等透明材料构成。在基板131及132的外侧粘贴偏光板140，至少在一方的基板131、132和偏光板140的之间插入相位差板(未图示)。在一方的基板131的内侧表面上形成显示用电极132a。这些显示用电极131a、132a形成条纹状或文字、数字、其它适宜的图形状。此外，这些显示用电极131a、132a，例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性导电材料形成。
液晶面板13，一方的基板131具有从另一方的基板132伸出的伸出部131T，在该伸出部131T上形成多个连接端子131b。这些连接端子131b，当在基板131上形成显示用电极131a时，与其同时形成，例如利用ITO形成。在这些连接端子131b中，包括与显示用电极131a连接的端子、和与显示用电极132a连接的端子。关于显示用电极132a，来自连接端子131b的布线，经由包含在密封材133内的导通材，与另一方的基板132上的显示用电极132a连接。另外，显示用电极131a、132a及连接端子131b，实际上按非常窄的间隔在基板131上及基板132上形成多根。在图1中，为了易于理解结构，放大地模式表示其间隔，另外图示表示它们中的根数，其它部分省略。此外，在图1中还省略了连接端子131b和显示用电极131a的连接状态、及连接端子131b和显示用电极132a的连接状态。
电路基板10，具备：基材即薄膜基板11、形成在薄膜基板11上的布线图形22a、输入端子部25、输出端子部26、半导体IC装配区域(元件装配区域)21及液晶驱动用IC(半导体装置)12。薄膜基板11，由厚55μm以下、尤其25μm以下的厚度薄的聚酰亚胺树脂形成，具有可在任意的部位折弯的可挠性和绝缘性。即，电路基板10，是在薄膜基板11的半导体IC装配区域21上装配液晶驱动用IC12的COF(Chip On Film)方式的可挠性基板。另外，薄膜基板11也不一定必须是聚酰亚胺树脂，只要是可在任意的部位折弯的树脂材料或有机材料等就可以。例如，也可以采用聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酯、液晶聚合物等。
电路基板10，通过各向异性导电膜(An-isotropic Conductive Film：ACF)135，与液晶面板13的基板131的伸出部131T连接。各向异性导电膜135，由粘接树脂及混入其中的导电性粒子形成。通过借助该粘接用树脂的压接，粘接固定电路基板10和基板131，经由导电性粒子，电连接电路基板10侧的输出端子部26的各端子和液晶面板13的连接端子131b。从外部经由输入用布线图形22a、22c，向液晶驱动用IC供给控制信号、影像信号、电源电位等。在液晶驱动用IC12中，生成液晶驱动用的驱动信号(输出信号)，将其供给液晶面板13。本实施方式的电路基板10，由于采用具有足够的可挠性的薄膜基板11形成，所以能够在半导体IC装配区域21以外的任意的位置上折弯。此外，由于全部的布线图形22a形成在薄膜基板11上，因此布线图形22a的强度不会不足，不会引起布线图形22a彼此间的短路。因此，所述电路基板10的可靠性高。
[电子装置的制造方法]
下面，说明本发明的一例电子装置即液晶驱动用IC12(以下，只称为IC)。在本实施方式中，IC12，是通过在由玻璃环氧树脂2层基板构成的布线基板上装配电子元件即半导体芯片(双芯片)，在背面侧配置BGA，被封装的IC。
以下，说明其制造方法。
图2表示IC12的制造工序的简要构成。
本实施方式的IC12的制造方法，作为在布线基板上装配半导体芯片的方法，采用正装方式，作为布线连接的方式，代替以往的引线接合，采用使用通过液滴喷出方式形成的金属布线(连接布线)进行连接的方法。本实施方式的IC12的制造方法，具备(1)芯片焊接工序、(2)绝缘墨处理工序、(3)斜坡形成工序、(4)金属布线形成工序、(5)封装化工序，等5个工序。另外，制造方法也不局限于此，有时也可以根据需要，删除其中的工序，或追加工序。
(1)芯片焊接工序
首先，采用专用的夹具，在布线基板上接合半导体芯片(双芯片)。
图3A是表示芯片焊接装置的简要构成的立体图，图3B是表示该装置的主要部位的侧剖面图。
如图3A所示，芯片焊接装置50，如大致区分，由工作台部51和连接头部52构成。工作台部51，由移动工作台部53、基板保持座(基板载置台)54和半导体元件搭接部55构成。连接头部52，由头支持部56、上下移动机构57、工具旋转机构58和加热加压工具(加热加压装置)59构成。另外，移动工作台部53，由X载物台53x和Y载物台53y构成。
下面，说明各构成要素。
工作台部51，设在芯片焊接装置50主体的下方。由于移动工作台部53具备X载物台53x和Y载物台53y，所以基板保持座54能够在XY方向自由移动，并且能够固定在任意位置。另外，工作台部51具备半导体元件搭接部55。在所述半导体元件搭接部55上搭载装配前的多个半导体芯片3。在基板保持座54上，载置上述布线基板2。作为布线基板2，例如采用玻璃环氧树脂2层基板。在布线基板2上设置用于装配半导体芯片3的矩形的装配区域E。在该装配区域E的周围形成多个用于与半导体芯片3的电极端子连接的布线图形2a。在半导体芯片3上，在有源面侧形成电子电路(集成电路)。在形成有该电子电路的有源面上形成成为该电子电路的外部电极的电极端子。在本实施方式中，以该有源面作为表侧装配半导体芯片3。
连接头部52设在芯片焊接装置50主体的上方。通过设在头支持部56上的工具旋转机构58，定位半导体芯片3的Z轴周围的旋转位置。保持在加热加压工具59上的半导体芯片3，相对于布线基板2，被加热加压。通过上下移动机构57，将该半导体芯片3连接在布线基板2的任意位置上。
具体是，上下移动机构57通过气缸或电机等驱动装置，向图中Z周方向移动加热加压工具59。通过上下移动机构57的伸长运动，由加热加压工具59保持的半导体芯片3垂直地上下方向移动。通过上下移动机构57，相对于载置在基板保持座54的上面的布线基板2，借助粘合剂4加压半导体芯片3。该压力在1～3.5MPa范围。另外，随着所述加压，加热加压工具59加热半导体芯片3及粘合剂4。
加热加压工具59，在其内部设置加热器等加热机构。所述加热机构，采用恒温加热方式，在200～450℃的温度范围内，将加热加压工具59设定在规定的温度。平面状形成加热加压工具59的底面(与半导体芯片3的接触面)。另外，加热加压工具59的底面，优选能够安装用于规定与半导体芯片3的接触面的形状的夹具。所述夹具，能够根据与要制造的IC12相符的半导体芯片3的平面形状，从多个中选择使用。通过使用所述夹具，能够将与加热加压工具上的半导体芯片3的接触面，设定成例如正方形形状、细长的矩形形状、其它任意的形状。
如图3B所示，在加热加压工具59及基板保持座54上设置保持半导体芯片3的机构。具体是，在加热加压工具59上设置吸附保持半导体芯片3的吸附孔59a，在基板保持座54上设置吸附孔54a、54b。吸附孔59a、吸附孔54a、吸附孔54b与未图示的减压泵连接。通过所述减压泵的驱动控制，能够相对于加热加压工具59或基板保持座54，装卸半导体芯片3及布线基板2。
另外，在本实施方式中，采用利用驱动减压泵形成的吸引力固定布线基板2的构成，但本发明并不局限于此。例如，在基板保持座54上固定布线基板2的固定装置，也可以：在基板保持座54的一部分上配置强磁性体，例用作用于所述强磁性体和磁铁的之间的磁力的构成。
另外，所述固定装置，除所述第2吸附孔54b外，也可以是形成在基板保持座54上，并且具有与所述第2吸附孔54连通的凹部的构成。
下面，参照图4A及图4B，说明利用上述芯片焊接装置的半导体芯片3的接合工序。
图4A及图4B是表示接合过程的剖面图。
首先，如图4A所示，加热加压工具59吸附保持半导体芯片3，基板保持座54吸附固定布线基板2。具体是，驱动上下移动机构57及移动工作台部53(参照图3)，加热加压工具59吸附保持搭载在半导体元件搭载部55(参照图3)上的半导体芯片3。然后，所述半导体芯片3对置地配置在布线基板2上。布线基板2，通过吸附孔54a、54b吸附在基板保持座54上。
在布线基板2的连接范围即布线图形2a上预先粘贴粘合剂4。粘合剂4为小径化的多个点状，分散配置在接合范围内。如后述，在本实施方式的IC12中，在接合的半导体芯片的侧部形成斜坡6A，在该斜坡上形成连接用的金属布线(参照图12B)。此时，如果斜坡陡峭，容易在金属布线产生剥离或断线等。因此，需要尽量减薄含有粘接剂的半导体芯片的厚度。如通常，在以块状在接合部整体上配置粘合剂的时候，由于粘合层的厚度过厚，难形成平稳的斜坡。例如，在采用通常的芯片焊接用的DAF薄膜的情况下，粘接层的厚度比半导体芯片的厚度厚。因此，在本实施方式中，为了减薄粘合剂的厚度，在接合部配置多个小径化了的粘合剂4，
接着，如图4B所示，通过上下移动机构57延伸，加热加压工具59下降，半导体芯片3的背面侧与粘合剂4接触。然后，再次降下加热加压工具59，压挤粘合剂4，在加压的状态下加热粘合剂4，使其硬化。如此的加热及加压，例如为使粘合剂4的温度达到150～230℃的范围，以将加热加压工具59的温度调整到210～450℃范围内的温度的状态进行。此外，以加热加压工具59施加给布线基板2的压力达到1～3.5MPa范围的方式，进行气缸的设定。此外，加热加压工具59加热及加压布线基板2的时间为3～15秒。
如果结束以上的工序，就停止加热及加压，缩回上下移动机构57，使加热加压工具59脱离布线基板2。由此，以有源面作为表侧，将半导体芯片3接合在布线基板2的装配区域上。
图5是表示接合后的状态的俯视图。在图5中，符号2a是形成在布线基板2上的布线图形，符号3a是半导体芯片3的有源面。布线图形2a分别与半导体芯片3的电极端子5对应地设置。该布线图形2a，沿着半导体芯片3的边缘排列多个。通过这些布线图形2a形成布线组2A。在本实施方式的布线基板2上，在半导体芯片3的4个边全部设置如此的布线图形2a。因而，在该全部4个边上分别形成布线组2A。各布线组2A的布线图形2a，相对于该边缘垂直地或以倾斜的角度配置。另外，在图5中，虚线围住的部分是形成有电路部(集成电路)的区域。电极端子5，具有作为该电路部的外部电极的作用。
(2)绝缘墨处理工序
下面，如图6所示，通过向半导体芯片3的有源面3a喷出绝缘墨(含有绝缘性材料的液滴)，在该有源面3a上形成有机绝缘膜7。该有机绝缘膜7，作为形成后述的金属布线8的准备而设置。
如后述，在本实施方式的装配方法中，直接利用液滴喷出法在半导体芯片3的有源面3a上进行布线描绘。在此种情况下，本发明者等的研究表明，如果不进行任何预处理地进行描绘，不能形成具有充分的可靠性的金属布线8。即，在半导体芯片3的有源面3a上，通常，作为钝化膜形成SiO2或SiN等无机的绝缘膜，如果在如此的绝缘膜的表面上，利用液滴喷出法进行布线描绘，布线8和衬底的绝缘膜的密合性差，布线8的可靠性降低。在最差的情况下，布线8从衬底的绝缘膜剥离、断线，有时不能发挥作为布线的功能。此外，在利用液滴喷出法形成布线时，需要以适当的状态使进行布线形成的绝缘膜的表面均匀化。如果不这样，滴下的液滴不会在绝缘膜上均匀润湿扩展，会发生布线不连接的断线或(扩展不足)、与相邻布线短路(过于扩展)，不能形成适当的布线。另外，实际的半导体芯片的表面不平坦，布线或电极端子等具有凹凸。此外，在半导体芯片3的表面端部残留半导体芯片的制造工序所需的检测用电极(划片线TEG的电极垫片)的一部分。如果在未处理如此的凹凸的状态下直接进行布线描绘，滴下的液滴沿着凹凸图形扩展，不能形成所要求的布线图形。此外，如果在划片线TEG的电极垫片上形成布线，引起与IC本体的短路，IC不能正常工作。
在本发明中，为解决此问题，在进行布线描绘之前，预先在电子元件的有源面的所需部位(例如从电极端子5的附近到有源面3a的端部的区域)上形成有机绝缘膜7。有机绝缘膜7，与用作液滴的分散剂的有机溶剂等具有良好的相容性。因此，在有机绝缘膜7上进行了布线描绘的情况下，能够在形成的布线8和衬底的有机绝缘膜7的之间得到足够的粘接力。
作为有机绝缘膜7，优选环氧树脂或聚氨酯树脂。实际上，通过采用这些材料，能够形成密合性非常好的金属布线8。
例如，以SiO2或SiN作为衬底形成金属布线时的粘接力为1000g/mm2，而采用环氧树脂或聚氨酯树脂作为衬底，同样形成金属布线时的粘接力为5000g/mm2。此外，即使在剥离试验中，前者时完全剥离，后者时不剥离，残留。
下面，说明形成有机绝缘膜7所用的液滴喷出装置。
图8是表示该液滴喷出装置的一例即喷墨装置的立体图。在图8中，X方向是基座212的左右方向，Y方向是前后方向，Z方向是上下方向。液滴喷出装置210，主要由液滴喷头(以下，简称为喷头)220和载置布线基板2的工作台246构成。另外，液滴喷出装置210的工作由控制装置223控制。
载置布线基板2的工作台246，利用第1移动装置214向Y方向移动及定位，利用电机244向θz方向摆动及定位。另外，喷头220，利用第2移动装置214向X方向移动及定位，利用线性电机262向Z方向摆动及定位。此外喷头220，通过电机264、266、268，分别向α、β、γ方向摆动及定位。由此，在液滴喷出装置210中，能够准确调整喷头220的墨喷出面220P、和与工作台146上的布线基板2的相对位置及姿势。
下面，参照图9说明喷头220的结构例。图9是液滴喷头的侧面剖面图。喷头220，利用液滴喷出方式从喷嘴291喷出墨221。作为液滴喷出方式，能够应用作为压电体元件采用压电元件喷出墨的压电方式、或利用加热墨产生的气泡喷出墨的方式等公知的多种技术。
图9是用于说明利用压电方式喷出液体材料的原理的液滴喷头的简要构成图。在图9中，与收容液体材料(墨、功能液)的液体室297相邻地设置压电元件292。向液体室297内经由包括收容液体材料的材料盒的液体材料供给系统298供给液体材料。压电元件292与驱动电路299连接，通过经由该驱动电路299向压电元件292外加电压，压电元件292变形，液体室297也弹性变形。然后，根据该弹性变形时的内容积的变化，从喷嘴291喷出液体材料。在此种情况下，通过变化外加电压的值，控制压电元件292的变形量。此外，通过变化外加电压的频率，控制压电元件292的变形速度。由于利用压电方式的液滴喷出不对材料施加热，所以具有不易影响材料的组成的优点。
另外，图8所示的加盖单元222，为了防止喷头220上的墨喷出面220P的干燥，在液滴喷出装置210的待机时，对喷出面220P加盖。清洗单元224，为排除喷头220上的喷嘴的堵塞，吸引喷嘴的内部。此外，清洗单元224，为去除喷头220上的墨喷出面220P的污垢，还能够进行墨喷出面220P的擦拭。
下面，说明采用上述液滴喷出装置210的有机绝缘膜的形成工序。
在本实施方式中，首先，作为预处理，用UV处理装置(波长λ＝254nm)处理半导体芯片310分钟。通过该工序使半导体芯片3的有源面3a亲液化。作为使有源面亲液化的处理，也能够进行UV处理以外的干法处理或湿法处理。在这些处理中，有源面上的液滴的接触角优选在90°以下，更优选在20°以下。另外，在不进行亲液化处理也能达到上述接触角的情况下，不需要如此的处理。
接着，在有源面3a的必要的位置(形成金属布线8的范围)滴下含有环氧树脂等绝缘材料的液滴(绝缘墨)。作为液滴的溶剂或分散剂能够采用γ丁内酯等有机溶剂。
图7A及图7B是表示液滴的配置工序的图示。
在本实施方式中，分两次工序进行液滴的喷出。首先，在第1次的工序中，如图7A所示，以其滴下区域成为电极端子5和有源面3a的端部的之间的区域的方式，避开电极端子5或台阶部即护圈9，不残留地在半导体芯片3的有源面3a上滴下液滴61。液滴61的滴下图形，优选：以在液滴彼此间不产生间隙的方式，设为与相邻的落着液滴重叠1/3左右的间距。滴下位置的定位，利用有源面3a上的对准标记(未图示)进行。
该对准标记设在不配置液滴的位置上。如果结束第1次的工序，如图7B所示，就干燥液滴61，形成第1干燥膜(第1有机绝缘膜)61a。然后，作为第2次的工序，对台阶部即护圈9滴下液滴62，使其干燥，形成跨越护圈9前后的干燥膜61a的第2干燥膜(第2有机绝缘膜)61。
如前所述，实际的半导体芯片的表面不平坦，形成多种凹凸。如果存在如此的凹凸或台阶，落在该台阶部分上的液滴不固定在台阶上，向台阶的两侧分离，或向台阶的前后任何一方偏置。在本实施方式中，为了防止在如此的问题，分2次进行有机绝缘膜7的描绘。在本方法中，首先在第1次中避开台阶部9，排除液滴61，使其干燥，在台阶部9的前后形成第1有机绝缘膜61a。然后在第2次中，以跨越它们的方式，在台阶部9上喷出液滴62。在液滴上重叠描绘液滴时，上层侧的液滴容易固定在落着位置上。即，由第1次的液滴形成的液膜，相对于上层侧的液滴，起到相容面的作用(模拟相容面)，发挥良好的固定性。在本实施方式中，第1有机绝缘膜61a是模拟相容面，相对于该模拟相容面形成第2干燥膜。在该方法中，由于滴在台阶部9上的液滴62的两端部固定在为模拟相容面的第1有机绝缘膜61a上，所以该液滴62不像以往那样，沿着台阶面大面积润湿扩展，或在台阶的两侧分断。因此，即使有台阶等，也能够形成连续的膜图形。
如果结束上述工序，就用烘箱焙烧干燥膜，形成有机绝缘膜。在该焙烧工序中，例如加热温度为180℃，加热时间为15分钟。另外，在本工序中，一次焙烧液滴61的干燥膜61a和液滴62的干燥膜，但也可以单个进行。例如，也可以在焙烧干燥膜61a后，进行液滴62的滴下。
另外，在图6中，只在有源面3a的外周部形成有机绝缘膜7，但本发明也不局限于此。也能够在去除电极端子5的有源面整体上形成有机绝缘膜7。
(3)斜坡形成工序
下面，在半导体芯片3的周围涂布树脂材料，形成从布线基板2的表面与半导体芯片3的有源面3a连接的斜坡(斜面)6A(参照图11A及图11B)。该斜坡6A，用于缓和半导体芯片3的厚度(包含粘接层)形成的台阶，简化其后的金属布线8的形成。
在本工序中，需要以不覆盖半导体芯片3的电极端子5并且不从半导体芯片3的有源面3a附加间隙及陡峭的台阶的方式形成斜坡。为此，作为树脂材料的涂布方法，采用能够准确调整树脂材料的喷出量或喷出位置的分配器方式。
另外，作为树脂材料，例如能够采用环氧系的热硬化性树脂。该树脂材料，通过预焙烧处理(90℃、30分钟)及后焙烧处理(150℃、2小时)硬化。一般树脂材料在热硬化工序中引起体积收缩。因此，在本工序中，为了从有源面3a到布线基板表面形成平稳的斜坡，进行2～3次的树脂涂布。在进行多次涂布的情况下，在涂布时进行预焙烧，一并进行后焙烧。
图10是表示树脂材料的涂布工序的俯视图。在图10中，符号D1～D4表示分配器在半导体芯片3的各边缘上的移动路径，符号SP和符号EP，分别表示分配器在其路径上的喷出开始位置和喷出结束位置。在本实施方式中，相对于半导体芯片3的各边缘分别单独进行斜坡6A的形成。此外，在各斜坡6A的形成工序中，分配器的喷出开始位置SP和喷出结束位置EP设在脱离半导体芯片3的位置上。形成斜坡6A的树脂材料，相对于从喷出开始位置SP朝半导体芯片3的第1路径R1、通过半导体芯片3的边缘附近的第2路径R2、从半导体芯片3至喷出结束位置EP的第3路径，连续地喷出。更具体地讲，分配器的喷出开始位置SP和喷出结束位置EP，配置在从半导体芯片3的角部，即使对于包含该角部的2个边缘的哪个边都成为钝角的方向。各边缘上的树脂材料的喷出工序，沿着从其喷出开始位置SP朝该边缘的一方的第1路径R1、从一方的角部沿着该边缘朝另一方的角部的第2路径R2、从所述另一方的角部至相对于该边缘位于与所述喷出开始位置SP的相同侧的所述喷出结束位置EP的第3路径，连续地进行。
在以分配器方式，在半导体芯片3的4个边上形成斜坡6A的情况下，如果分配器的喷嘴沿着半导体芯片3的4个边喷出树脂材料，同时移动，应该能够形成希望的形状。但是，实际上，由于树脂材料的粘度高，在树脂喷出开始时，从喷嘴的树脂喷出延迟，喷出量不足(喷出开始点延迟)，在树脂喷出结束时，喷出的树脂材料拉出喷嘴内的树脂材料，导致喷出量过量。由此，在喷出不足的部位，在斜坡6A和半导体芯片3的端部形成间隙。此外，在喷出量过量的情况下，产生树脂材料覆盖电极端子5等问题。在此种情况下，如果试验通过降低树脂粘度来解决所述问题，就不能控制喷出的树脂材料的润湿扩展，出现覆盖电极端子5的问题。此外，如果采用低粘度树脂，斜面形状不能达到平稳，形成陡峭的斜面。
为此，在本实施方式中，为解决该问题，将分配器的喷出开始位置SP和喷出结束位置EP，设定在离开半导体芯片3的位置上，在从喷出开始位置SP到芯片附近的路径R1、从芯片附近到喷出结束位置EP的路径R3上，进行预备喷出。根据该方法，不会在半导体芯片3的附近(第2路径R2)产生喷出不足或过剩供给，能够确实形成所要求形状的斜坡6A。此外，在本工序中，喷出开始位置SP和喷出结束位置EP，配置在相对于该边缘部成为钝角的方向。因此，预备喷出的树脂材料不会覆盖配置在半导体芯片3的周围的布线组2A的布线图形2a。另外，由于相对于各边缘分别进行斜坡6A的形成，因此例如不会像一笔书写式喷出树脂材料时那样，树脂材料在边缘的角部进入到内侧，覆盖电极端子5。
另外，在本工序中，为了解决分配器的喷出延迟的问题而进行预备喷出。因此，不需要那么增加喷出量。索性，最好通过将喷出量设定在所需最小量(至少设定在小于沿着半导体芯片3的边缘进行的本体喷出的喷出量)，以避免布线图形2a的覆盖的问题或避免无用的喷出。
另外，在本实施方式中，如图10所示，以半导体芯片3为中心，以在顺时针方向或逆时针方向一致的方式，分别设定各边缘上的分配器的移动方向。在如此的情况下，在半导体芯片3的各角部附近接近地配置相对于一方的边缘的喷出结束位置EP、和相对于另一边缘的喷出开始位置SP。如前所述，在喷出开始位置SP，喷出量容易不足，在喷出结束位置EP喷出量容易增多。假使，在采用与本方法不同的构成时，即，如果相对于一方的边缘将分配器的移动方向规定为顺时针方向，相对于另一边缘将分配器的移动方向设定为逆时针方向，就在所述角部的附近，接近地配置两边缘的喷出开始位置SP相互间或喷出结束位置EP相互间。在喷出结束位置EP相互间接近的情况下，有该部分的树脂材料增多，覆盖布线图形2a的顾虑。在喷出开始位置SP相互间接近的情况下，由于在其它角部产生喷出结束位置EP相互间接近的部分，所以出现相同的问题。对此，在本实施方式的方法中，由于相对于各角部相同地配置树脂材料，所以不会产生所述的问题。
另外，在本工序中，路径D1～D4的涂布工序，先进行哪一个都可以。此外，与序号无关。在本实施方式中，例如也可以按D1、D3、D2、D4的顺序进行此序列。
图11A及图11B是表示成为斜坡6A的树脂层6形成后的状态的俯视图。
在本实施方式中，树脂层6，具有沿着半导体芯片3的边缘配置的第1树脂层6a、和从该树脂层6a突出的第2树脂层6b。第1树脂层6a，通过本体喷出(第2路径R2上的喷出)而形成，为沿着半导体芯片3的边缘的大致矩形框状。第2树脂层6b，通过预备喷出(第1路径R1及第3路径R3上的喷出)而形成，为从第1树脂层6a的角部，向即使对于包含该角部的2个边缘的哪个都成为钝角的方向突出的形状。第2树脂层6b设在第1树脂层的全部的角部。这些第2树脂层6b以半导体芯片3为中心向4方扩展地配置。本实施方式的树脂层6，除设置用于形成金属布线8的斜面的作用外，还具有作为在布线基板2上固定半导体芯片3的固定层的作用。在一笔书写式形成树脂层的情况下，形成的树脂层只成为第1树脂层6a。与此相比，在本实施方式中，由于通过预备喷出形成第2树脂层6b，因此，相应地芯片的固定力强。此外，由于第1树脂层6a和第2树脂层6b，以半导体芯片3为中心，大致对称地配置，因此树脂层6对半导体芯片3的影响均匀。
(4)金属布线形成工序
接着，如图12A及图12B所示，利用液滴喷出法，在斜坡6A和有机绝缘膜7的表面上形成金属布线8。该金属布线8，是连接设在有源面3a上的电极端子5和设在所述布线基板2上的布线图形2a的连接布线。
在本实施方式中，首先作为预处理，使有机绝缘膜7的表面及树脂层6的表面(斜坡6A的表面)亲液化。在该处理中，与有机绝缘膜7上及树脂层6上的液滴的所述金属墨的接触角，优选90°以下，更优选60°～30°。另外，在即使在不进行亲液化处理有机绝缘膜7也能达到所述接触角的情况下，不需要如此的处理。
接着，从液滴喷头喷出含有导电性微粒子的液滴(金属墨)，滴在要形成金属布线8的地方，即滴在从电极端子5到布线图形2a的规定的区域(膜形成区域)上。在该工序中，能够采用与所述的液滴喷出装置210相同的装置。
作为导电性微粒子，优选采用银。除此以外，除含有金、铜、钯、镍中的任何一种的金属微粒子外，也能够采用导电性聚合物或超导体的微粒子等。导电性微粒子，为提高其分散性，也能够以在其表面涂敷有机物等的方式使用。作为涂敷在导电性微粒子的表面上的涂敷材，可列举诱发立体障碍或静电排斥的聚合物。此外，导电性微粒子的粒径，优选在5nm以上、0.1μm以下。如果大于0.1μm，容易引起喷嘴的堵塞，液滴喷头的喷出困难。此外，如果小于5nm，涂敷剂相对于导电性微粒子的体积比增大，得到的膜中的有机物的比例过大。
作为使用的分散剂，只要是能够分散所述导电性微粒子，不引起凝聚的，不特别限定。作为分散剂，除水以外，能够列举出：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类；正庚烷、正辛烷、癸烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、均四甲苯、茚、二聚戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃系化合物；或乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二甲基乙基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二噁烷等醚系化合物；另外碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等极性化合物。其中，从微粒子的分散性和分散液L2的稳定性，以及在液滴喷出方式中的易应用的角度考虑，优选水、醇类、烃系化合物、醚系化合物。作为特别优选的分散剂，能够列举水、烃系化合物。这些分散剂，可以单独使用，也可以作为2种以上的混合物使用。
图13A～C及图14A～C是表示液滴的配置工序的图示。
图13A是模式表示电极端子5附近的俯视图。在该图中，符号70是要形成膜图形的线状的膜形成区域，符号B表示半导体芯片3和树脂层6的交界部。在交界部B的前后，喷出液滴的喷出面的表面性不同。此外，在交界部B和电极端子5的之间配置台阶部即护圈9。在本工序中，经由这些护圈9及交界部B形成连续的线状的膜图形。
在本实施方式中，在形成金属布线8时，为了形成缩颈更小的均匀线宽的膜图形，分3次进行液滴的喷出。第1次和第2次的工序，是形成与膜形成区域70连接的衬底的膜图形(下层膜图形)的工序，第3次的工序，是在该下层膜图形上重叠描绘上层膜图形的工序。
首先，在第1次的工序中，如图13B所示，以不相互连接的方式间隔地滴下多个液滴71。此时，液滴71以不落在护圈9或交界部B上的方式，避开它们地滴下。接着，干燥该液滴71，形成断点状的多个第1干燥膜(第1膜图形)71a。然后，作为第2次的工序，如图13C所示，以填埋第1干燥膜71a的之间的方式滴下液滴72。在护圈9及交界部B，以跨越它们地重叠在其前后的干燥膜71a上的方式滴下液滴72。在液滴上重叠描绘液滴时，由于上层侧的液滴容易固定在落着位置，所以形成第2次的液滴72沿两侧固定的状态，不会沿着台阶面或交界部B形成大的润湿扩展。因此，即使对于护圈9及交界部B，也形成液滴尺寸微细的膜图形。此外，由于第1次的液滴71成为干燥膜71a，所以不会因与第2次的液滴72的接触而形成积液(鼓胀)。因此，能够形成符合滴下的液滴的尺寸的线宽。
如果滴下液滴72，在使其干燥后，形成第2干燥膜(第2膜图形)72a。图14A是表示形成干燥膜72a后的状态的图示。干燥膜72a以跨越前后的干燥膜71a的方式配置，通过这些干燥膜72a及干燥膜71a，在膜形成区域70上形成点状连续的线状的下层膜图形73。该下层膜图形73是金属布线8的衬底图形。在所述工序中，由于喷出的液滴以其原形状被干燥，所以在得到的下层膜图形73中，在各干燥膜71a、72a的连接点部分产生与液滴的形状相符的界面或缩颈73A。因此，在直接焙烧下层膜图形73作为金属布线8的情况下，其界面或缩颈部分73A有可能严重影响电阻或高频特性等。因此，在本实施方式中，如图14B所示，作为第3次的工序，对下层膜图形73再次滴下液滴74，形成上层膜图形。滴下的液滴74，由于良好地固定在下层膜图形73上，所以即使相互接触地连续滴下也不形成鼓胀。此外，由于通过液滴74消除下层膜图形73的缩颈73A或界面，所以如果在使其干燥后形成上层膜图形75，就形成几乎没有图14C那样的缩颈等的均匀的线宽的膜图形。
如果结束这些工序，用烘箱焙烧干燥膜，形成金属布线8。此焙烧工序，例如在加热温度200℃、加热时间2小时的条件下进行。另外，在本工序中，一次焙烧下层膜图形73和上层膜图形75，但也可以分别进行。例如，也可以在焙烧下层膜图形73后，进行液滴72的滴下。
另外，在图14C中，作为覆盖下层膜图形73的表面整体的连续的图形，形成上层膜图形75，但本工序也不一定局限于此。例如，如图15所示，也可以在干燥膜71a和干燥膜72a的连接点部分(缩颈部分)滴下液滴74，形成在该部分断续的多个上层膜图形75。由此，至少能消除膜图形的缩颈。
此外，在本实施方式中，不产生鼓胀地以在第1次及第2次的工序中不使液滴相互接触的方式喷出。但是，由于在相邻的膜图形(金属布线)不接触的范围内允许鼓胀，所以在这些工序中，也能够几滴几滴地连续滴下液滴。在此种情况下，连续滴下的液滴的数量，在连接配置该液滴时，需要设定在通过液滴形成的液状膜的宽度能够达到成为对象的膜图形的间距(在本工序时，为线状图形即金属布线8的排列间距)以下的数量。在如此连接多个液滴地形成图形的情况下，能够形成某种程度的宽度的线状图形。
(5)封装工序
在形成金属布线8后，根据需要模压装配布线基板2的半导体芯片3的面。然后，在布线基板2的背面侧搭载钎球，在经过回流工序、清洗工序、片贴装工序后，进行基板切断，形成单片基板。
通过以上工序，结束IC12的制造。
如上所述，在本实施方式中，作为在布线基板2上装配半导体芯片3的方法，采用正装方式，作为布线连接的方法，代替以往的引线接合，采用通过采用由液滴喷出方式形成的金属布线8进行连接的方法。因此，与进行以往的引线接合的方法相比，能够减轻施加给半导体芯片3的应力。此外，由于能够通过连接布线8任意地来回(再配置)布线，所以能够采用成本更低的通用基板。
此外，在本实施方式中，由于在形成金属布线8之前，预先形成由环氧树脂或聚氨酯树脂等构成的有机绝缘膜7，所以能够形成密合性良好的金属布线8。此外，由于液滴的固定好，因此例如能够防止液滴经由护圈等台阶面过度扩展，能够防止在布线间产生短路等。
图22A及图22B是表示护圈附近的金属布线的样子的图示。图22A是表示作为衬底膜形成有机绝缘膜7时的金属布线的样子的图示(采用本实施方式的方法的例子)，图22B是表示不形成有机绝缘膜7，在SiO2等钝化膜的表面直接进行布线描绘时的金属布线的样子的图示。在图22B中，经由护圈的台阶面扩展液滴，金属布线相互间在由图中的圆围住的部分短路，与此相反，在图22A中，液滴的扩展保留在由图中的圆围住的部分的范围内，以均匀的宽度形成金属布线。
此外，在本实施方式中，由于通过重叠描绘下层膜图形73和上层膜图形75形成金属布线8，所以形成缩颈或界面小的均匀布线。此外，在形成有机绝缘膜7或金属布线8的时候，由于进行考虑台阶等的液滴的喷出，所以即使是微细形状的膜图形，也能够不产生断线或短路等地正确形成。
此外，在本实施方式中，在形成斜坡6A时，分配器的喷出开始位置SP和喷出结束位置EP设在脱离半导体芯片3的位置上，在从喷出开始位置SP到半导体芯片3附近的路径R1、从半导体芯片3附近到喷出结束位置EP的路径R3上，进行预备喷出。因此，不会在半导体芯片3的附近(路径R2)产生喷出不足，能够确实形成所要求形状的斜坡6A。
此外，由于避开布线组2A地配置通过预备喷出形成的第2树脂层6b，所以在形成金属布线8时不会产生不适合。当然，有利于与第1树脂层6a一同在布线基板2上固定半导体芯片3。
此外，在本实施方式中，在接合半导体芯片3和布线基板2时，使粘合剂4小径化，在粘合部内配置多个，通过加压使其延伸，形成粘合层。因此，能够形成比以往薄的粘合层。所以，在形成斜坡6A时，能够形成倾斜更平稳的锥状的斜坡。
以上，参照附图说明了根据本发明的优选的实施方式例，当然本发明不局限于上述例。在上述的例中，所示的各构成部件的诸形状或组合等只是一例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能够基于设计要求进行多种变更。
例如，在本实施方式中，作为本发明的电子元件，举例半导体芯片3，但也不局限于电子元件，也能够采用电容器或电阻等半导体元件以外的元件。此外，前面所示的制造工序(1)～(5)，在工序中不产生矛盾的范围内，也可以部分地调换顺序号。例如，能够替换(2)的绝缘墨处理工序和(3)的斜坡形成工序。此外，在本实施方式中，规定为相对于半导体芯片3的全部边缘配置布线图形2a，但本发明也不一定局限于此。例如，也能够只规定为2个边或3个边。
此外，在本实施方式中，规定为在IC12上封装双芯片后，装配在薄膜基板11上的构成，但也可以形成不封装双芯片，直接安装在薄膜基板11的构成。在此种情况下，薄膜基板11为本发明的布线基板。
关于电子元件即双芯片的(1)芯片焊接工序、(2)绝缘墨处理工序、(3)斜坡形成工序、(4)金属布线形成工序、(5)封装化工序等，能够采用与所述的工序相同的工序。
此外，在本实施方式中，将金属布线8的形成工序分为下层膜图形73的形成工序和上层膜图形75的形成工序。其目的在于，通过形成下层膜图形73，提高形成上层膜图形75时的液滴的固定性。通过将配置液滴的基板的表面规定为相容面或粗糙面，也能够实现同样的目的。此处，相容面是能够浸润液成分地形成的面，由在其内部具有微小的空隙的多孔质面或能膨润液成分的有机物面等形成。粗糙面是表面上形成微细的凹凸的面，是通过与多孔质面相同的作用可浸润液成分地构成的面。如此的相容面或粗糙面，呈现能吸收液滴成分的极好的亲液性。供给上述面的液滴良好地保持在该面上，因而不会在基板上的其它区域(不滴下液滴的区域)残留液成分。如此，通过相对于相容面或粗糙面配置液滴，形成膜图形，能够不产生断线或短路地正确形成微细形状的膜图形。
[第2实施方式]
下面，说明本发明的第2实施方式。
在本实施方式中，与第1实施方式不同的地方只在于半导体芯片3的接合工序。因而，以下只说明该工序。另外，在本实施方式中，对于与第1实施方式相同的部件或部位，附加相同的符号，省略详细的说明。
图16A及图16B是表示根据本实施方式的半导体芯片3的接合工序的图示。
在第1实施方式中，为了减薄粘合层的厚度，使粘合剂4小径化，在接合部内分散配置。与此相反，在本实施方式中，不使粘合剂4小径化，而是以块配置。作为其代替，在布线基板2上形成贯通孔2H，向该贯通孔2H内喷出多余的粘合剂。在用加热加压工具59加压粘合剂4时，经由贯通孔2H喷出到布线基板2的背面侧。此时，为了能够流畅地进行喷出，也可以采用配置在布线基板2的背面侧的吸引装置(例如吸附孔54a、54b)吸引。根据此方法，假设即使多配置粘合剂4，也不会增加粘合层的厚度。因此，能够形成比以往薄的粘合层。
图17A及图17B是表示本实施方式的另一半导体芯片3的接合工序的图示。
在本实施方式中，在布线基板2上形成凹部2D，向该凹部2D喷出多余的粘合剂4。即，在本实施方式中，一边向凹部2D喷出多余的粘合剂4，一边进行半导体芯片3的粘接。因此，假使多配置粘合剂4，多余的粘合剂4也被收容在凹部2D内，不会增加粘合层的厚度。
图16A及图16B所示的贯通孔2H以及图17A及图17B所示的凹部2D，优选配置在半导体芯片3的外周附近。半导体芯片3，通常在中央部形成电路部，在外周部形成电极端子。因此，为了将粘合剂的影响抑制在更小的限度，比其它部分多地配置粘合剂4的贯通孔2H或凹部2D的位置，最好配置在形成电极端子的半导体芯片3的外周部。具体是，如图18A及图18B所示，能够采用沿着半导体芯片3的外周，环状配置1个或多个所述贯通孔2H或凹部2D的结构。另外，也能够形成并用贯通孔2H或凹部2D的结构。
[第3实施方式]
下面，说明本发明的第3实施方式。
在本实施方式中，与第1实施方式不同的地方，只是斜坡的形成工序。因而，以下只说明该工序。另外，在本实施方式中，对于与第1实施方式相同的部件或部位，附加相同的符号，省略详细的说明。
图19是表示根据本实施方式的斜坡的形成工序的图示。
在第1实施方式中，将分配器的喷出开始位置SP和喷出结束位置EP，配置在从半导体芯片3的角部，相对于该边缘倾斜偏移的位置上，将有关预备喷出的路径R1和R3，作为从半导体芯片3的角部相对于本体喷出的径路R2弯曲的路径。与此相反，在本实施方式中，在一条直线上配置这些路径R1～R3。本方法是在布线图形2a不配置到半导体芯片3的边缘极限时可使用的方法。
关于此方法，与第1实施方式时同样，以半导体芯片3为中心，以在顺时针方向或逆时针方向一致的方式，分别设定各边缘上的分配器的移动方向。由此，能够防止偏存树脂量大的部分或树脂量小的部分。
图20是表示本实施方式的另一斜坡的形成工序的图示。
在本实施方式中，接近半导体芯片3的角部地配置分配器的喷出开始位置SP和喷出结束位置EP。在此种情况下，在喷出开始位置SP附近，有树脂材料的喷出量减少的倾向。因此，在本实施方式中，在对各边缘的树脂材料的涂布工序中，以半导体芯片3为中心，以在顺时针方向或逆时针方向一致的方式，分别设定所有这些边缘上的分配器的移动方向。根据本方法，由于在半导体芯片3的各角部，配置一方的边缘上的喷出开始位置SP、和另一方的边缘上的喷出结束位置EP的双方，因此能够用在对另一方的边缘的涂布工序中喷出过多的部分，弥补在对一方的边缘的涂布工序中喷出不足的部分。从而能够在各边缘上均匀涂布。
另外，在本实施方式中，接近半导体芯片地配置喷出开始位置SP，将喷出结束位置EP配置在远离半导体芯片3的位置上，但也可以采用与此相反的构成。
在此种情况下，通过采用相同的涂布方法，也能够得到相同效果。
此外，在本实施方式中，在分配器的喷出开始位置SP和喷出结束位置EP中的设在脱离半导体芯片3的位置上的位置，最好配置在从半导体芯片3的角部，即使相对于包括该角部的2各边缘的哪个都成钝角的方向。由此能够避免与布线组2A的干涉。
[电子设备]
下面，参照图21说明具有本实施方式的电子装置或电路基板的电子设备。图21式便携式电话的立体图。在图21中，符号1000表示便携式电话，符号1001表示显示部。在该便携式电话1000的显示部1001中，采用具有本实施方式的电子装置或电路基板的光电装置(例如所述的液晶显示装置)。因此，能够提供电连接的可靠性优异的小型便携式电话1000。
本发明，不局限于上述便携式电话，还能够适合用作电子图书、个人电脑、数码相机、液晶电视、取景器型或监视直视型的磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子笔记本、台式电子计算器、文字处理机、工作站、可视电话、POS终端、触摸屏等电子设备的图像显示装置，无论在哪种情况下，都能够提供电连接的可靠性优异的小型的电子设备。
以上，说明了本发明的优选的实施例，但是本发明并不局限于上述实施例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能够进行构成的附加、省略、置换及其它变更。本发明不受上述说明的限定，只受附加的权利要求的范围的限定。

Claims (9)

1.一种电子元件的装配方法，是在布线基板上装配电子元件的电子元件的装配方法，具备：
在所述布线基板上配置所述电子元件的工序；
在所述电子元件的有源面上形成有机绝缘膜的工序；
在所述电子元件的周围形成从所述布线基板的表面与所述电子元件的所述有源面连接的斜面的工序；
在所述斜面和所述有机绝缘膜的表面上，利用液滴喷出法，形成连接设在所述电子元件上的电极端子和设在所述布线基板上的布线图形的连接布线的工序。
2.如权利要求1所述的电子元件的装配方法，其中，所述有机绝缘膜由环氧树脂或聚氨酯树脂构成。
3.如权利要求1或2所述的电子元件的装配方法，其中，所述有机绝缘膜利用液滴喷出法形成。
4.如权利要求3所述的电子元件的装配方法，其中：
在所述电子元件的所述有源面上形成台阶部；
所述有机绝缘膜的形成工序，包括：利用液滴喷出法在所述台阶部的前后形成第1有机绝缘膜的工序、和利用液滴喷出法形成跨越在所述台阶部的前后的所述第1有机绝缘膜上的第2有机绝缘膜的工序。
5.如权利要求3或4所述的电子元件的装配方法，其中，
包括：在形成所述有机绝缘膜之前，使所述电子元件的所述有源面亲液化的工序。
6.如权利要求1～5中任何一项所述的电子元件的装配方法，其中，
包括：在形成所述连接布线之前，使所述述有机绝缘膜的表面亲液化的工序。
7.一种电子装置的制造方法，是在布线基板上装配电子元件而成的电子装置的制造方法，其中：
所述电子元件的装配工序，采用权利要求1～6中任何一项所述的电子元件的装配方法进行。
8.一种电路基板，其中：
具备利用权利要求7所述的方法制造的电子装置。
9.一种电子设备，其中：
具备利用权利要求7所述的方法制造的电子装置或权利要求8所述的电路基板。
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