CN1722452A - 薄膜晶体管阵列基板、使用该基板的显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示器以及制造该显示器的方法，该显示器包括基板，该基板包括图像显示部分、虚拟测试焊盘以及覆盖该虚拟测试焊盘的第一绝缘层，其中该图像显示部分包括多个像素。

Description

薄膜晶体管阵列基板、使用该基板的显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板以及使用该基板的显示器，尤其涉及具有用于测试薄膜晶体管电特性的测试焊盘(testing pad)的薄膜晶体管阵列基板、使用该基板的显示器及其制造方法。
背景技术
在诸如薄膜晶体管(TFT)发光显示器的显示器中，TFT设置在像素中，并且用于像素电极的开关控制。TFT由高或低温多晶硅、非晶硅构成，并且形成在诸如玻璃基板或石英基板的绝缘基板上。
称为TFT基板的基板包括具有TFT的电路，该电路设置在图像显示区域和/或与该图像显示区域相邻的区域中。
在TFT基板的每个像素电极上形成像素之前，测试TFT的电特性。使用用于测试相邻电路操作的阵列测试器进行TFT基板的测试过程。该阵列测试器分为电子束(e-beam)型、电容耦合型或直接接触型。
例如，在直接接触型阵列测试器中，通过与焊盘6直接接触的测试探针将电信号传输给该焊盘6、然后再通过测试探针读取电信号来电测试相应的TFT。如图1所示，焊盘6形成在TFT基板10的一侧上，并且通过信号线4连接到TFT(未示出)。
直接接触型阵列测试器适用于具有小尺寸像素的高分辨率显示器。
然而，在这种直接接触型阵列测试器中，由于该测试探针直接接触TFT基板的焊盘6，因此可能会在该焊盘6上形成划痕。当制造显示器时，这种划痕可能引起缺陷。即，由于直接接触型阵列测试器而形成在焊盘6上的划痕导致诸如焊盘6腐蚀、电路破坏等之类的缺陷。
发明内容
本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板以及使用该基板的电致发光显示器，该薄膜晶体管阵列基板包括测试薄膜晶体管电特性的测试焊盘。
在接下来的描述中将阐述本发明的附加特征，从这些描述中本发明的特征将逐步显而易见，或者通过本发明的实践可以了解本发明的附加特征。
本发明公开了一种显示器，其包括具有图像显示部分、虚拟测试焊盘(dummy testing pad)以及覆盖该虚拟测试焊盘的第一绝缘层的基板，其中该图像显示部分包括多个像素。
本发明还公开了一种薄膜晶体管阵列基板，其包括设置在薄膜晶体管阵列基板上的薄膜晶体管阵列、虚拟测试焊盘以及覆盖该虚拟焊盘部分的第一绝缘层，其中该薄膜晶体管阵列包括多个数据线、多个扫描线以及与数据线和扫描线耦合的薄膜晶体管。
本发明还公开了一种形成显示器的方法，包括：在基板上形成多个像素；形成与所述像素中的至少一个耦合的虚拟测试焊盘；使用该虚拟测试焊盘进行测试；用第一绝缘层覆盖该虚拟测试焊盘；以及形成与该像素电路耦合的发光器件。
可以理解，上述概略描述以及接下来的详细描述都是示例性的并且是解释性的，用来提供对本发明进一步的解释。
附图说明
被包括在内以提供对本发明进一步的理解、并包含在本说明书中且构成说明书一部分的附图，示出了本发明的实施例，并且与描述一起用于解释本发明的原理。
图1表示形成在传统薄膜晶体管阵列基板上的焊盘部分；
图2表示根据本发明实施例包括薄膜晶体管阵列基板的发光显示器；
图3是与图2的像素相关的像素的电路图；
图4是与图2的芯片设置部分相关的芯片设置部分的透视图；
图5是沿图4的线I-I’得到的芯片设置部分的截面图；
图6示出了根据本发明实施例的包括薄膜晶体管阵列基板的发光显示器；
图7是沿图6的线II-II’得到的截面图；
图8示出了根据本发明实施例包括薄膜晶体管阵列基板的发光显示器；
图9A、9B、9C和9D是表示制造图2、6和8所示的每个像素的薄膜晶体管和测试焊盘的方法的截面图。
具体实施方式
以下，将参考附图描述根据本发明的实施例，其中为了便于本领域技术人员更容易理解而提供本发明的实施例。
图2表示根据本发明实施例包括薄膜晶体管阵列基板的发光显示器。图3是与图2的图像显示部分的像素相关的像素的电路图。
参看图2和3，具有TFT阵列基板的发光显示器包括在基板110上形成的图像显示部分112、虚拟焊盘部分178以及绝缘层(未示出)。具有TFT阵列基板的该发光显示器可以进一步包括扫描驱动器120、数据驱动器130、第一电源线140、第二电源线142以及焊盘部分150。
该焊盘部分150包括至少一个TFT、由多个数据线D限定的多个像素121、多个扫描线S以及多个像素电源线VDD。
每个像素121包括发光器件LED和像素电路125。根据施加在扫描线S上的扫描信号对每个像素121进行选择，并且每个像素121根据施加在数据线D上的数据信号发光。
该发光器件(LED)包括与像素电路125连接的阳极电极以及与第二电源线142连接的阴极电极。该发光器件LED可以包括有机发光器件。
该有机发光器件(OLED)包括发射层、电子传输层以及空穴传输层，这些层设置在阳极电极和阴极电极之间。该发光显示器可以进一步包括电子注入层和空穴注入层。由此，例如当在阳极电极和阴极电极之间施加电压时，从阴极电极产生的电子经由电子注入层和电子传输层移动到发射层，并且从阳极电极产生的空穴经由空穴注入层和空穴传输层移动到发射层。然后，来自电子传输层的电子以及来自空穴传输层的空穴在发射层中复合，由此发光。
像素电路125设置有第一TFT M1、第二TFT M2以及电容C。
第一TFT M1包括与扫描线S连接的栅电极、与数据线连接的源电极以及与第一节点N1连接的漏电极。由此，例如第一TFT M1响应传输至扫描线S的扫描信号而将数据信号传送至第一节点N1。
第二TFT M2包括与第一节点N1连接的栅电极、与像素电源线VDD连接的源电极以及与LED的阳极电极连接的漏电极，其中该第一节点N1与第一TFT M1的漏电极和电容C连接。因此，例如该第二TFT M2根据施加至与第一节点N1相连接的第二TFT M2的栅电极的电压来调整从像素电源线VDD施加至LED的电流，由此使LED发光。
当扫描信号传输至扫描线S时，电容C经由第一TFT M1存储与施加至第一节点N1的数据信号相对应的电压，并且当第一TFT M1截止时，电容C使第二TFT M2导通而持续一帧。
根据上述本发明的实施例，具有TFT阵列基板的该显示器可以包括用于每个像素121的每个像素电路125的至少两个TFT以及至少一个电容。
虚拟焊盘部分178与多个数据线D连接，测试焊盘176仅用于在TFT阵列测试过程中测试图像显示部分112上的TFT的电特性。
焊盘部分150由多个焊盘152形成。多个焊盘中的每一个可以以规则的间隔排列。该焊盘部分150可以与柔性印刷电路(FPC)(未示出)的焊盘耦合，其中FPC可以是柔性的。当与FPC耦合时，焊盘部分150的焊盘152接收用于控制扫描驱动器120的扫描控制信号、用于控制数据驱动器130的数据控制信号以及经由FPC传输至数据驱动器130的数据信号。焊盘部分150的焊盘152经由FPC从第一电源线140接收第一电源并且从第二电源线142接收第二电源。
第一电源线140具有通过第一电源连接线144a和144b与焊盘部分150的焊盘152中的至少一个相连的相对(opposite)端。例如，第一电源线140将第一电源从焊盘部分150提供给图像显示部分112上每个像素121的像素电源线VDD。
第二电源线142具有通过第二电源连接线146与焊盘部分150的焊盘152中的至少一个相连的一端。例如，第二电源线142可以覆盖或形成在基板110的表面上，并且与每个像素121耦合。此外，第二电源线142可以将第二电源从焊盘部分150提供给图像显示部分112的每个像素121。
扫描驱动器120响应从多个焊盘152中通过至少一个信号线135输入的扫描控制信号来产生用于按顺序驱动多个扫描线S的扫描信号。扫描驱动器120可以包括多个移位寄存器，以根据该扫描控制信号依次产生扫描信号。
在基板110的焊盘部分150和图像显示部分112之间设置数据驱动器130。该数据驱动器130根据从该焊盘部分150的多个焊盘152传输的数据控制信号将数据信号传输给多个数据线D。根据本发明的实施例，数据驱动器130可以通过各种不同的方法安装在芯片设置部分上，比如玻璃上芯片(chip-on-glass)法、引线键合法、倒装芯片法或梁式引线法。
芯片设置部分可以通过多个第一信号线134与数据线D连接，并且可以通过多个第二信号线132与焊盘152连接，其中数据信号和数据控制信号传输给该焊盘152。
图4是与图2的芯片设置部分A相关的芯片设置部分的透视图。
参看图4，芯片设置部分180包括第一芯片端子138，其具有与数据驱动器130的第一输出引脚(未示出)相耦合的第一端子136。芯片设置部分180进一步包括第二芯片端子188，其具有与数据驱动器130的第二输入引脚(未示出)相耦合的第二端子186。此外，芯片设置部分180形成有虚拟焊盘部分178。可以理解，随着具有第二端子186的第二芯片端子188的操作，可以转换(switch)具有第一端子136的第一芯片端子138的操作。
第一芯片端子138包括与数据线D相连接的第一信号线134，以及在第一信号线134的每一端以预定图案形成、比如以锯齿形图案排列的第一端子136。第一芯片端子138向数据线D提供输出信号、即数据驱动器130的数据信号。
第二芯片端子188包括与焊盘部分150的多个焊盘152相连接的第二信号线132，以及在第二信号线132的每一端以预定图案形成、比如以锯齿形图案排列的第二端子186。第二芯片端子188经由焊盘部分150向第一输入引脚提供来自柔性印刷电路的数据控制信号和数据信号。
此处，在TFT阵列测试过程之后，将数据驱动器130设置在芯片设置部分180的第一端子136和第二端子186上。例如，该数据驱动器130可以安装在其上或整体形成在其上。
虚拟焊盘部分178包括从第一芯片端子138的第一端子136延伸的虚拟信号线174以及在虚拟信号线174的每一端以预定图案形成、比如以锯齿形图案排列的多个测试焊盘176。
在TFT阵列测试过程中，测试探针接触多个测试焊盘176；因此，虚拟焊盘部分178用于接收来自该测试探针的测试信号，使得该测试探针不会接触该基板的其它部分。
更具体而言，例如，在基板110的TFT阵列测试过程中，TFT阵列测试器(未示出)接触焊盘部分150，由此将扫描控制信号传输给扫描驱动器120。测试探针接触虚拟焊盘部分178的测试焊盘176，并将测试信号传输给测试焊盘176，以确定形成在图像显示部分112的每个像素121中的TFT是否正确操作。
当TFT阵列测试过程完成时，在基板110的虚拟焊盘部分178之上形成绝缘膜，其优选覆盖虚拟焊盘部分178。
图5是沿图4的线I-I’得到的芯片设置部分的截面图。
参看图5，当该TFT阵列测试过程完成时，第一绝缘膜185形成在基板110的虚拟焊盘部分178上，优选覆盖虚拟焊盘部分178。该第一绝缘膜185覆盖测试焊盘176，以避免该测试焊盘176任何划痕的露出，由此避免在该TFT阵列测试过程完成之后由于划痕所引起的缺陷。
此外，可以在基板110和测试焊盘176之间形成至少一个绝缘膜。例如，可以在基板110上的图像显示部分112的TFT上形成绝缘层和钝化层，然后在其上形成TFT的源极/漏极金属层以及测试焊盘176。
根据本发明的实施例，在TFT阵列基板的测试过程期间，当阵列测试器(未示出)接触基板110的焊盘部分150时，扫描控制信号可以在初始被传输给扫描驱动器120。通过使测试探针接触虚拟焊盘部分178的测试焊盘176，使测试信号被传输给测试焊盘176，从而根据该测试信号确定形成在基板110上的每个TFT是否正确操作。
在用于像素和扫描驱动器120的TFT的电特性被测试之后，第一绝缘膜185形成在基板110的虚拟焊盘部分178之上。该第一绝缘膜185优选覆盖该虚拟焊盘部分178。
以上描述并表示的TFT阵列基板可以应用于平板显示器，诸如LCD、FED、PDP、OLED或发光显示器。
图6表示了包括根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示器(OLED)。图7是沿图6的线II-II’得到的截面图。
参看图6和图7，包括TFT阵列基板的显示器包括形成在基板110上的图像显示部分112、虚拟焊盘部分178以及绝缘层185。该显示器可以进一步包括扫描驱动器120、第一电源线140、第二电源线142以及焊盘部分150。
除了虚拟焊盘部分178和数据驱动器(未示出)以外，在图6和图7中所示的上述显示器具有和在图2、图3中所示的上述实施例大致相同的结构；因此，除非必要，将避免重复的描述。
根据本发明的实施例，包括TFT阵列基板的显示器进一步包括数据驱动器，其设置在基板110的外部，它通过柔性印刷电路(FPC)(未示出)将数据信号传输给焊盘部分150。该FPC优选是柔性的。
图像显示部分112包括与多个焊盘152耦合的多个数据线D。数据信号通过多个信号线134从多个焊盘152中数据驱动器传输。
虚拟焊盘部分178包括形成或设置在每个信号线134上的测试焊盘176。
在TFT阵列测试过程中，测试探针接触测试焊盘176。从该测试探针接收测试信号的测试焊盘176仅在该TFT阵列测试过程中使用。
更具体而言，例如，在包括TFT阵列基板的显示器的TFT阵列测试过程中，阵列测试器(未示出)接触基板110的焊盘部分150，并将扫描控制信号传输给扫描驱动器120。然后测试探针接触测试焊盘176，并将测试信号传输给测试焊盘176，以确定形成在图像显示部分112的每个像素121中的TFT是否正确操作。
参看图7，当TFT阵列测试过程完成时，在基板110的虚拟焊盘部分178之上形成第一绝缘膜185，其优选覆盖虚拟焊盘部分178。第一绝缘膜185覆盖测试焊盘176，以防止由测试探针的接触引起的测试焊盘176的任何划痕的露出，由此防止在TFT阵列测试过程完成之后由于划痕所引起的缺陷。
图8示出了根据本发明实施例具有薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示器。
参看图8，除了数据驱动器130以外，具有TFT阵列基板的显示器具有和在图2、图3、图4和图5中所示的上述实施例大致相同的结构；因此，除非必要，将避免重复的描述。
根据本发明的实施例，具有TFT阵列基板的显示器包括数据驱动器130，其设置在基板110上，并且耦合并设置在虚拟焊盘部分178和焊盘部分150之间。数据驱动器130优选直接安装或附着到基板110上。例如，数据驱动器130可以直接安装在基板110上，使得通过焊盘部分150传输的数据信号被提供给图像显示部分112的数据线D。
图9A、9B、9C和9D是剖面图，其表示根据图2、3、4、5、图6、7和8所示的上述本发明实施例制造TFT阵列基板以及使用该基板的显示器的方法。更具体而言，图9A、9B、9C和9D表示制造如图2、6和8所示的包括在像素电路125中的一个TFT以及虚拟焊盘部分的测试焊盘176的方法。
参看图9A，缓冲层210作为第一绝缘层而形成在基板110上。缓冲层210可以形成为单层，包括例如一层氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。可选择地，缓冲层210可以形成为多层，包括例如一层氧化硅(SiO2)和一层氮化硅(SiNx)。
接着将非晶硅淀积在缓冲层210上，并使其结晶成有源层221。随后栅极绝缘层230形成在有源层221上以作为第二绝缘层。栅极绝缘层230可以形成为单层，包括例如一层氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。可选择地，栅极绝缘层230可以形成为多层，包括例如一层氧化硅(SiO2)和一层氮化硅(SiNx)。
随后栅电极241形成在有源层221上。例如，栅电极241可以以预定面积与有源层221交叠。此外，可以在将扫描线形成在基板110上时形成栅电极241。
随后用离子掺杂基板110，由此用离子掺杂有源层221的源极区221s和漏极区221d。这样，有源层221形成有设置在源极区221s和漏极区221d之间的沟道221c。
层间绝缘体250随后形成在栅电极241上以作为第三绝缘层。层间绝缘体可以形成为具有单层或多层。
在层间绝缘体上形成接触孔之后，形成源/漏电极261，以通过接触孔连接、例如耦合有源层221的源极区221s和漏极区221d。像素电源线VDD、焊盘部分150以及虚拟焊盘部分178的测试焊盘176可以同时形成在其上。可以在基板110和测试焊盘176之间形成至少一个绝缘层。例如，可以在基板110的图像显示部分112的TFT上同时形成缓冲层210、栅极绝缘层230以及层间绝缘体250，并且TFT的源极/漏极金属层221s和221d以及测试焊盘176可以同时形成在其上。
根据图9B所示的本发明实施例，钝化层270可以形成在源/漏电极261上以作为第四绝缘层。随后平坦化层275可以形成在钝化层270上。钝化层270可以由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等制成。平坦化层275可以由诸如丙烯、聚酰亚胺或BCB的有机材料制成。
随后通过在钝化层270和平坦化层275上的光刻或钻孔操作来形成接触孔272和276。接着将第一电极280形成在平坦化层275上，并使其与源/漏电极261相耦合。
根据本发明的上述实施例，每个像素的像素电路以及信号线可以通过如图9A和9B所示的制造方法来形成，其中信号线诸如是扫描线、数据线以及像素电源线。
使用根据如图9A和9B所示的制造方法而形成的测试焊盘176对TFT的电特性进行测试。
根据本发明的实施例，在对TFT的电特性进行测试后，如图9C所示，像素定义层285可以形成在平坦化层275上以作为第二绝缘层，其不包括具有第一电极280的像素区域290。
由像素定义层285露出的第一电极280定义为像素区域290。像素定义层285形成在虚拟焊盘部分178的测试焊盘176之上，优选覆盖测试焊盘176。例如，通过与像素定义层285的制造工艺相同的工艺，虚拟焊盘部分178被非导电材料覆盖，该非导电材料具有足够的厚度和介电常数从而防止电信号从中传输。像素定义层285可以包括用于钝化层和绝缘层的有机材料或非导电材料。
接着在像素区域290上形成显示装置，其中显示装置根据每个像素121的TFT的开关而显示图像。例如，可以在像素区域290上形成液晶显示器的液晶层、发光显示器的LED等等。
根据本发明的实施例，发光显示器的LED如下所述形成在像素区域290上。
参看图9D，LED 292可以形成在第一电极280上以及包括像素区域290的像素定义层285侧面的开口上。接着第二电极295可以形成在LED 292之上，优选覆盖LED 292。
LED 292具有与第一电极280耦合的阳极电极以及与第二电极295耦合的阴极电极。发光显示器可以包括有机发光器件(OLED)。OLED包括发射层、电子传输层以及空穴传输层，它们设置在阳极电极和阴极电极之间。发光显示器可以进一步包括电子注入层和空穴注入层。由此，当在阳极电极和阴极电极之间施加电压时，从阴极电极生成的电子通过电子注入层和电子传输层移动到发射层，从阳极电极生成的空穴通过空穴注入层和空穴传输层移动到发射层。来自电子传输层的电子和来自空穴传输层的空穴在发射层中复合，由此发光。
根据本发明的实施例，制造TFT阵列基板和具有该基板的显示器的方法包括：在基板110上形成TFT和信号线，然后测试TFT是否正确操作。在对TFT的电特性进行测试之后，虚拟焊盘部分178被第二绝缘层285覆盖，由此防止测试过程中的划痕所引起的缺陷。
根据上述本发明的实施例，本发明提供了TFT阵列基板、包括该基板的显示器以及其制造方法，其中具有由于阵列测试过程中测试探针的接触所致划痕的测试焊盘被绝缘层覆盖，由此避免了在随后的制造过程中诸如测试焊盘的腐蚀和像素电路损坏的缺陷。
此外，本发明提供了一种TFT阵列基板、包括该基板的显示器及其制造方法，其中用于覆盖测试焊盘的绝缘层由与形成在像素之间的绝缘层相同的材料形成，由此简化了结构和制造过程，并且降低了制造成本。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的前提下，可以对本发明进行各种不同的修改和变化。因此，本发明旨在覆盖本发明的这些修改和变化，只要其落入所附权利要求及其等同物的范围内。
本申请要求于2004年6月24日提交的韩国专利申请No.2004-47887的优先权，其全部内容在此引入作为参考。

Claims (18)

1.一种显示器，包括：
基板，该基板包括：
包括多个像素的图像显示部分；
虚拟测试焊盘；以及
覆盖该虚拟测试焊盘的第一绝缘层。
2.如权利要求1所述的显示器，其中每个像素包括：
发光器件；
像素电路，其包括薄膜晶体管并且与所述图像显示部分和所述发光器件耦合；以及
第二绝缘层，其设置在每个像素的发光器件之间。
3.如权利要求2所述的显示器，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由相同材料制成。
4.如权利要求1所述的显示器，还包括：
多个第一焊盘，其形成在所述基板上并通过多个相应信号线与多个像素的多个数据线耦合。
5.如权利要求4所述的显示器，其中所述虚拟测试焊盘形成在每个信号线上。
6.如权利要求1所述的显示器，还包括：
数据驱动器，其将数据信号传输到所述像素的多个数据线；以及
焊盘，其形成在所述基板上并与所述数据驱动器耦合。
7.如权利要求6所述的显示器，其中所述虚拟测试焊盘包括：
多个信号线，其与所述多个数据线和所述数据驱动器耦合；以及
在每个信号线上设置的测试焊盘。
8.如权利要求1所述的显示器，还包括：
扫描驱动器，其将扫描信号传输到所述像素的多个扫描线；以及
第三焊盘，其与该扫描驱动器耦合。
9.如权利要求1所述的显示器，还包括：
电源线，其向所述图像显示部分提供电压；以及
第四焊盘，其与所述电源线耦合。
10.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
薄膜晶体管阵列，其设置在所述薄膜晶体管阵列基板上；
虚拟测试焊盘；以及
第一绝缘层，其覆盖该虚拟焊盘部分，
其中该薄膜晶体管阵列包括多个数据线、多个扫描线以及与所述数据线和所述扫描线耦合的薄膜晶体管。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括：
第二绝缘层，其设置在由所述多个数据线和扫描线所限定的多个像素之间。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由相同材料制成。
13.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括：
多个第一焊盘，其形成在所述基板上并通过信号线与所述数据线耦合。
14.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述虚拟测试焊盘包括：
设置在每个信号线上的测试焊盘。
15.一种形成显示器的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上形成多个像素；
形成与所述像素中的至少一个耦合的虚拟测试焊盘；
使用该虚拟测试焊盘进行测试；
用第一绝缘层覆盖该虚拟测试焊盘；以及
形成与像素电路耦合的发光器件。
16.如权利要求15所述的方法，还包括：
在所述多个像素之间形成第二绝缘层。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由相同材料制成。
18.如权利要求15所述的方法，其中形成虚拟测试焊盘包括：
形成与多个相应数据线耦合的多个信号线；以及
在每个信号线上形成测试焊盘。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102043104A (zh) * 2009-10-14 2011-05-04 三星移动显示器株式会社 单片测试装置及其测试方法
CN104217672A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 三星显示有限公司 有机发光显示面板
CN104867430A (zh) * 2014-02-25 2015-08-26 三星显示有限公司 显示设备
CN105609526A (zh) * 2014-11-17 2016-05-25 苹果公司 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器
CN105679795A (zh) * 2015-12-31 2016-06-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN107644889A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 乐金显示有限公司 显示面板和包括该显示面板的显示装置
CN109901334A (zh) * 2019-03-11 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其绑定状态检测方法
CN110618567A (zh) * 2018-06-18 2019-12-27 三星显示有限公司 显示设备
CN110767838A (zh) * 2018-07-23 2020-02-07 乐金显示有限公司 使用有机发光二极管的照明装置
CN110827732A (zh) * 2019-12-17 2020-02-21 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110970467A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 乐金显示有限公司 显示装置
CN111883575A (zh) * 2020-09-03 2020-11-03 云谷（固安）科技有限公司 显示屏、显示屏检测系统及显示屏检测方法
CN112424676A (zh) * 2018-07-16 2021-02-26 三星电子株式会社 显示面板
CN114355690A (zh) * 2022-03-16 2022-04-15 惠科股份有限公司 阵列基板及显示装置
WO2022082631A1 (zh) * 2020-10-22 2022-04-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN114706238A (zh) * 2022-03-03 2022-07-05 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板母板及其制备方法、显示面板母板
WO2022166296A1 (zh) * 2021-02-03 2022-08-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
WO2022252112A1 (zh) * 2021-06-01 2022-12-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN117037727A (zh) * 2023-08-31 2023-11-10 惠科股份有限公司 显示调节方法、电子纸显示面板及存储介质

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7369111B2 (en) * 2003-04-29 2008-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
US8013816B2 (en) * 2004-06-30 2011-09-06 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Light emitting display
KR101096722B1 (ko) * 2004-11-10 2011-12-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
KR101300683B1 (ko) * 2006-02-06 2013-08-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101294847B1 (ko) * 2006-06-23 2013-08-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
KR20080008562A (ko) * 2006-07-20 2008-01-24 삼성전자주식회사 어레이 기판의 제조방법, 어레이 기판 및 이를 갖는표시장치
KR101272332B1 (ko) * 2006-07-26 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100812023B1 (ko) * 2006-08-23 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 모기판
JP4254851B2 (ja) * 2006-12-06 2009-04-15 セイコーエプソン株式会社 表示装置、集積回路装置及び電子機器
US8188942B2 (en) * 2007-03-08 2012-05-29 Lg Electronics Inc. Light emitting device
US8115506B2 (en) * 2007-05-14 2012-02-14 Applied Materials, Inc. Localization of driver failures within liquid crystal displays
FR2922308B1 (fr) * 2007-10-11 2012-03-16 Mauna Kea Technologies Dispositif d'imagerie modulaire, module pour ce dispositif et procede mis en oeuvre par ce dispositif
KR101413578B1 (ko) 2007-12-04 2014-07-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US8427819B1 (en) * 2010-12-09 2013-04-23 Amazon Technologies, Inc. Substrate interconnect routing
WO2012090817A1 (ja) 2010-12-27 2012-07-05 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
KR101802845B1 (ko) * 2011-02-23 2017-11-30 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이를 갖는 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9293073B2 (en) * 2011-12-14 2016-03-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Testing system
KR20130070723A (ko) * 2011-12-20 2013-06-28 삼성디스플레이 주식회사 테스트 패드를 구비하는 유기발광 표시장치
KR101915754B1 (ko) 2012-05-08 2018-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치
KR101959976B1 (ko) * 2012-05-16 2019-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 단락 불량 검출 방법
KR102092703B1 (ko) * 2012-05-18 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
US20130308335A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Corning Incorporated Modular optical fiber illumination systems
JP6238588B2 (ja) * 2012-06-29 2017-11-29 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ハプティック表示装置
KR101984831B1 (ko) * 2013-01-31 2019-05-31 삼성전자 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP6207341B2 (ja) * 2013-10-24 2017-10-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2015163941A (ja) 2014-01-29 2015-09-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
KR102212323B1 (ko) * 2014-02-10 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104111549A (zh) * 2014-07-16 2014-10-22 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制备方法
CN105742199B (zh) * 2014-12-30 2018-09-21 震扬集成科技股份有限公司 导线架单元的电性测试方法
WO2017127563A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 Groturbel Research Llc Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
KR20180007738A (ko) * 2016-07-13 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102620018B1 (ko) * 2016-09-30 2024-01-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 오픈 쇼트 검사방법
TWI621900B (zh) * 2017-04-28 2018-04-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置與其製作方法
KR102543054B1 (ko) * 2017-12-27 2023-06-14 엘지디스플레이 주식회사 케이블, 컨넥터, 그를 이용한 인쇄회로기판 및 표시장치
KR102549000B1 (ko) * 2018-11-08 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널, 전자 패널의 검사 장치 및 그것의 검사 방법
KR20200073349A (ko) * 2018-12-13 2020-06-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102626707B1 (ko) * 2018-12-27 2024-01-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN109658855B (zh) * 2019-01-25 2021-03-23 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板、显示模组及其测试方法、显示面板
KR20200108200A (ko) * 2019-03-08 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 셀, 이의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 표시 장치
KR20200121414A (ko) * 2019-04-15 2020-10-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210018724A (ko) * 2019-08-09 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210053376A (ko) 2019-11-01 2021-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 기판의 검사 방법, 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치
CN110993649A (zh) * 2019-11-18 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US20230127776A1 (en) * 2021-08-31 2023-04-27 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device
CN116114067A (zh) * 2021-09-09 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62183134A (ja) 1986-02-07 1987-08-11 Hitachi Ltd 半導体装置
US4951098A (en) * 1988-12-21 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electrode structure for light emitting diode array chip
US5825894A (en) * 1994-08-17 1998-10-20 Decibel Instruments, Inc. Spatialization for hearing evaluation
JP3767154B2 (ja) * 1997-06-17 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置
TW561297B (en) * 1997-11-25 2003-11-11 Toshiba Corp Electrode wiring board subjected to counter measure against static electricity and display device using the same
US6437596B1 (en) 1999-01-28 2002-08-20 International Business Machines Corporation Integrated circuits for testing a display array
JP2000321591A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Nec Corp 液晶表示装置
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP4345153B2 (ja) * 1999-09-27 2009-10-14 ソニー株式会社 映像表示装置の製造方法
JP2001176657A (ja) 1999-12-16 2001-06-29 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子
JP2002066113A (ja) 2000-08-23 2002-03-05 Heiwa Corp 遊技機用ゲージ盤の保管方法
KR100759965B1 (ko) * 2000-10-27 2007-09-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US6359342B1 (en) 2000-12-05 2002-03-19 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Flip-chip bumping structure with dedicated test pads on semiconductor chip and method of fabricating the same
KR100769160B1 (ko) * 2000-12-29 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 테스트 패드
JP2002268078A (ja) * 2001-03-14 2002-09-18 Nec Corp 液晶表示装置
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP3901004B2 (ja) 2001-06-13 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
GB0116071D0 (en) * 2001-06-30 2001-08-22 Hewlett Packard Co Improvements in audio reproduction
KR100771906B1 (ko) 2001-12-31 2007-11-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널의 검사 장비
KR100864922B1 (ko) * 2002-04-20 2008-10-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP3778176B2 (ja) 2002-05-28 2006-05-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US6943066B2 (en) * 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
JP4054861B2 (ja) 2002-08-08 2008-03-05 三菱電機株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
KR20040026007A (ko) 2002-09-17 2004-03-27 삼성전자주식회사 Ｌｃｄ 패널의 그로스 테스트 장치
US6940301B2 (en) * 2003-12-12 2005-09-06 Au Optronics Corporation Test pad array for contact resistance measuring of ACF bonds on a liquid crystal display panel
US7564979B2 (en) * 2005-01-08 2009-07-21 Robert Swartz Listener specific audio reproduction system

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102043104B (zh) * 2009-10-14 2015-12-16 三星显示有限公司 单片测试装置及其测试方法
CN102043104A (zh) * 2009-10-14 2011-05-04 三星移动显示器株式会社 单片测试装置及其测试方法
CN104217672B (zh) * 2013-05-31 2018-07-24 三星显示有限公司 有机发光显示面板
CN104217672A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 三星显示有限公司 有机发光显示面板
CN108806602A (zh) * 2013-05-31 2018-11-13 三星显示有限公司 有机发光显示面板
CN104867430A (zh) * 2014-02-25 2015-08-26 三星显示有限公司 显示设备
CN104867430B (zh) * 2014-02-25 2020-09-11 三星显示有限公司 显示设备
CN105609526B (zh) * 2014-11-17 2018-10-19 苹果公司 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器
CN105609526A (zh) * 2014-11-17 2016-05-25 苹果公司 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器
CN105679795B (zh) * 2015-12-31 2018-11-09 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN105679795A (zh) * 2015-12-31 2016-06-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN107644889A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 乐金显示有限公司 显示面板和包括该显示面板的显示装置
CN107644889B (zh) * 2016-07-21 2020-12-25 乐金显示有限公司 显示面板和包括该显示面板的显示装置
CN110618567A (zh) * 2018-06-18 2019-12-27 三星显示有限公司 显示设备
US11888101B2 (en) 2018-07-16 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Display panel
CN112424676A (zh) * 2018-07-16 2021-02-26 三星电子株式会社 显示面板
CN110767838A (zh) * 2018-07-23 2020-02-07 乐金显示有限公司 使用有机发光二极管的照明装置
CN110767838B (zh) * 2018-07-23 2022-07-01 乐金显示有限公司 使用有机发光二极管的照明装置
CN110970467A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 乐金显示有限公司 显示装置
CN110970467B (zh) * 2018-09-28 2023-10-24 乐金显示有限公司 显示装置
CN109901334A (zh) * 2019-03-11 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其绑定状态检测方法
CN109901334B (zh) * 2019-03-11 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其绑定状态检测方法
CN110827732A (zh) * 2019-12-17 2020-02-21 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111883575A (zh) * 2020-09-03 2020-11-03 云谷（固安）科技有限公司 显示屏、显示屏检测系统及显示屏检测方法
WO2022082631A1 (zh) * 2020-10-22 2022-04-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2022166296A1 (zh) * 2021-02-03 2022-08-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
WO2022252112A1 (zh) * 2021-06-01 2022-12-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN114706238A (zh) * 2022-03-03 2022-07-05 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板母板及其制备方法、显示面板母板
CN114706238B (zh) * 2022-03-03 2024-04-26 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板母板及其制备方法、显示面板母板
CN114355690A (zh) * 2022-03-16 2022-04-15 惠科股份有限公司 阵列基板及显示装置
US11966134B2 (en) 2022-03-16 2024-04-23 HKC Corporation Limited Array substrate and display device
CN117037727A (zh) * 2023-08-31 2023-11-10 惠科股份有限公司 显示调节方法、电子纸显示面板及存储介质
CN117037727B (zh) * 2023-08-31 2024-05-28 惠科股份有限公司 显示调节方法、电子纸显示面板及存储介质

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