CN110767838B - 使用有机发光二极管的照明装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及使用有机发光二极管的照明装置。通过将栅格形状的辅助线改变为线形状，照明装置具有改善的开口率。另外，在整个表面上形成具有高电阻的导电层以控制由于短路引起的过电流，并且在发光区中形成岛状的阳极以减小像素中的电阻，从而防止亮度降低。

Description

使用有机发光二极管的照明装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年7月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0085280号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种照明装置，更具体地涉及一种使用有机发光二极管的照明装置。
背景技术
荧光灯或白炽灯目前用作照明装置。白炽灯具有良好的显色指数(colorrendering index，CRI)，但能量效率非常低。荧光灯具有良好的能量效率，但具有低CRI并含有汞，这导致环境问题。
CRI是与理想或自然光源相比光源忠实地显示各种对象的颜色的能力的定量度量。太阳光的CRI是100。
为了克服现有照明装置的这些问题，最近提出了发光二极管(LED)作为照明装置。发光二极管由无机发光材料制成，并且在红色波长范围内具有最高的发光效率，并且发光效率朝向具有最高发光因子的绿色波长范围减小。因此，当通过组合红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管发射白光时，发光效率降低。
作为另一替选方案，正在开发使用有机发光二极管(OLED)的照明装置。在使用有机发光二极管的照明装置中，在玻璃基板上形成由ITO制成的阳极。然后，在阳极上形成有机层和阴极，并在其上形成钝化层和层压膜。
这种使用有机发光二极管的照明装置的缺点在于，当因像素中的颗粒产生短路时，像素以及面板的整体亮度由于电流下降而降低。
发明内容
本公开的一个目的是提供一种使用有机发光二极管的照明装置，其防止在发生短路时面板的整体亮度降低的现有问题。
本公开的另一个目的是提供一种使用有机发光二极管的照明装置，其在不损害开口率的情况下防止该问题。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
根据本公开的一个方面，提供了一种使用有机发光二极管的照明装置，包括：导电层，其设置在基板上；辅助线，其以线形状布置在导电层上；阳极，其设置在辅助线之间的像素的每一个中，并且由电阻低于导电层的电阻的导电材料制成；钝化层，其设置在辅助线上；有机层和阴极，其设置在基板的其中设置有钝化层的发光区中；以及金属膜，其设置在基板的发光区中。
根据本发明的另一方面，提供一种使用有机发光二极管的照明装置，包括：导电层，其设置在基板上；辅助线，其以线形状布置在导电层上；阳极，其设置在辅助线之间的像素的每一个中，并且由电阻低于导电层的电阻的导电材料制成；钝化层，其设置在辅助线上；有机层和阴极，其设置在基板的其中设置有钝化层的发光区中；以及金属膜，其设置在基板的发光区中。通过调整像素的每一个中的辅助线和阳极之间的距离来补偿由面板中的像素的位置引起的电流差。
示例性实施方案的其他详细内容包括在详细描述和附图中。
根据本公开的一个示例性实施方案，通过采用具有高电阻的导电层，可以消除短路减少图案以及垂直辅助线，因此可以增加发光区。结果，可以改善亮度。
另外，根据本公开的一个示例性实施方案，通过增加开口率，可以延长照明装置的寿命。
根据本公开的效果不限于上面例举的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：
图1是示出根据本公开第一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的示例的截面图。
图2是示出根据本公开第一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的示例的平面图。
图3是根据第一示例性实施方案的照明装置沿着图2的线I-I′截取的截面图。
图4A和图4B是示出图2中所示的照明装置的一部分的放大图。
图5A至图5C是示意性地示出根据本公开第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的平面图。
图6是示出了根据第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置沿着图5A的线II-II′截取的截面图。
图7A至图7C是示出根据本公开一个示例性实施方案的有机层的堆叠结构的示例的截面图。
图8是示出根据图5A中所示的第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置中的发光区的一部分的视图。
图9是示出根据本公开第三示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置中的发光区的一部分的平面图。
图10A至图10F是用于示出制造图5A所示的根据第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的方法的平面图。
图11A至图11F是用于依次示出制造图6所示的根据第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的方法的截面图。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方案，本公开的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方案，而是将以各种形式实现。示例性实施方案仅作为示例提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
用于描述本公开的示例性实施方案的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。这里使用的诸如“包括”、“具有”和“由......构成”之类的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“旁边”的术语描述两个部分之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部分可以位于这两个部分之间。
当一个元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接插入在另一元件上或插入在其之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与其他部件。因此，下面提到的第一部件可以是本公开的技术构思中的第二部件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施方案的特征可以部分地或完全地彼此结合或组合，并且可以以技术上的各种方式互锁和操作，并且这些实施方案可以彼此独立地执行或相互关联地执行。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的各种实施方案。
图1是示出根据本公开第一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的示例的截面图。
图2是示出根据本公开第一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的示例的平面图。
图3是示出根据第一示例性实施方案的照明装置沿图2中的线I-I′截取的截面图。
图4A和图4B是示出图2中所示的发光区的一部分的放大图。图4B是示出图4A的单个像素的放大图。
根据本公开的一个示例性实施方案，提供了一种使用由有机材料制成的有机发光二极管的照明装置，而不是使用由无机材料制成的无机发光二极管的照明装置。
由有机发光材料制成的有机发光二极管相比于无机发光二极管呈现更好的绿光和红光发光效率。另外，由于有机发光二极管相比于无机发光二极管具有更大的红光、绿光和蓝光的发射峰宽度，因此CRI得到提高，使得具有从照明装置发射的光变得更像太阳光的优点。
在以下描述中，作为示例，柔性照明装置被描述为根据本公开示例性实施方案的照明装置。然而，应该理解，本公开也可以同样地应用于典型的照明装置。
参照图1至图4A和图4B，根据本公开第一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置100可以包括发生表面发光的有机发光二极管单元101，以及用于封装有机发光二极管单元101的封装单元102。
还可以在有机发光二极管单元101下方设置外部光提取层145以增加雾度。然而，应理解，本公开不限于此，并且可以消除外部光提取层。
外部光提取层145可以通过将诸如TiO2的散射颗粒分散在树脂中来形成，并且可以通过粘结剂层(未示出)附接在基板110下面。
有机发光二极管单元101可以包括设置在基板110上的有机发光二极管，并且还可以在基板110和有机发光二极管之间设置内部光提取层146。然而，应理解，本公开不限于此，并且可以消除内部光提取层。
还可以在内部光提取层146上设置平坦化层(未示出)。
具体地，参照图3，根据本公开示例性实施方案的照明装置100可以包括：发光区EA，其中光实际被发射并输出至外部；以及焊盘区域PA1和PA2，其中焊盘电极127和128分别连接至外部装置，以将信号施加至发光区EA。
焊盘区域PA1和PA2未被金属膜170和/或保护膜175的密封装置覆盖，因此可以分别通过焊盘电极127和128电连接至外部装置。因此，除了焊盘区域PA1和PA2之外，金属膜170和/或保护膜175可以附接至基板110的发光区EA的整个表面。然而，应理解，本公开不限于此。
也就是说，在发光区EA外部的焊盘区域PA1和PA2中没有形成钝化层115、有机层130和阴极126，因此焊盘电极127和128可以暴露于外部。虽然在附图中未示出，但是还可以在发光区EA中形成有机材料的第二钝化层和无机材料的第三钝化层，以覆盖有机层130和阴极126。然而，应理解，本公开不限于此。
可以移除位于发光区EA中的第二焊盘电极128上的钝化层115的一部分，使得可以形成用于使第二焊盘电极128露出的接触孔114。因此，阴极126可以通过接触孔114电连接至第二焊盘电极128。
焊盘区域PA1和PA2可以位于发光区EA的外部。尽管在图2所示的示例中第二焊盘区域PA2位于第一焊盘区域PA1之间，但是本公开不限于此。
另外，图2示出了焊盘区域PA1和PA2仅位于发光区EA的一个外侧上的示例，但是本公开不限于此。在其他实施方式中，焊盘区域PA1和PA2可以位于发光区EA的两个外侧。另外，根据本公开的另一示例性实施方案，第一焊盘区域PA1可以位于发光区EA的一个外侧，第二焊盘区域PA2可以位于发光区EA的另一侧。
将详细描述有机发光二极管单元101。阳极116和阴极126设置在基板110上，并且有机层130设置在阳极116和阴极126之间，以形成有机发光二极管(OLED)。
此外，有机发光二极管单元还可以包括：辅助线111，用于补充阳极116的导电性；以及钝化层115，用于防止阳极116和阴极126之间的短路。
在具有上述结构的照明装置100中，当电流施加至有机发光二极管的阳极116和阴极126时，有机层130通过发光区EA发光。
基板110可以由透明玻璃制成。另外，基板110可以由具有柔性的聚合物材料制成。
阳极116可以向有机层130提供空穴，而阴极126可以向有机层130提供电子。然而，应当理解，本公开不限于此。阳极116和阴极126可以具有不同的作用。
阳极116可以由铟锡氧化物(TO)或铟锌氧化物(IZO)形成，其是具有高功函数和高导电性以便于将空穴注入有机层130中的透明金属氧化物材料。
阳极116可以分成发光区105中的第一阳极116a和除发光区105之外的非发光区中的第二阳极116b。
第二阳极116b可以设置在辅助线111上以覆盖辅助线111。第一阳极116a可以形成在由辅助线111以栅格形式限定的发光区105中。
阴极126可以由具有低功函数以便于将电子注入有机层130的导电材料制成。阴极126的材料的示例可以包括诸如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(A1)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)或其合金的金属。
有机层130可以由包括红色有机发光层的单个堆叠结构、包括复数个红色有机发光层的多堆叠串叠结构、或包括红色/绿色有机发光层和天蓝色有机发光层的多堆叠串叠结构构成。然而，应该理解，本公开的有机层130不限于上述结构，并且可以采用各种结构。
有机层130还可以包括分别用于将电子和空穴注入有机发光层的电子注入层和空穴注入层、分别用于将注入的电子和空穴传输至有机发光层的电子传输层和空穴传输层、和用于产生诸如电子和空穴的电荷的电荷产生层。
当电流被施加至阳极116和阴极126时，电子从阴极126注入有机层130，同时空穴从阳极116注入有机层130中。此后，在有机层130中产生激子。随着激子衰变，产生光，其等于最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)之间的能量差。
根据阳极116和阴极126的透射率和反射率，在有机层130中产生的光可以向上行进(顶部发光)或向下行进(底部发光)。
例如，当阳极116是透明电极而阴极126是反射电极时，有机层130中产生的光被阴极126反射以透射穿过阳极116，从而光通过有机发光二极管单元101的底部出射。也就是说，有机发光二极管单元101是底部发光型。然而，应理解，本公开不限于此。当阳极116是反射电极而阴极126是透明电极时，有机发光二极管单元101可以是顶部发光型。
可以在阳极116下方设置缓冲层(未示出)，以阻挡水分和空气渗透通过基板110和内部光提取层146。为此，根据需要，缓冲层可以由诸如硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的无机材料的单个层或无机材料和有机材料的复合层组成。
内部光提取层146可以设置在基板110和缓冲层之间，以提高将从有机发光装置产生的光提取到外部的效率。
内部光提取层146可以通过将二氧化钛(TiO2)颗粒埋置在树脂中的方式来增加内部光散射并增加表面粗糙度，从而提高光提取效率。例如，内部光提取层146可以通过喷墨涂覆使得其具有450nm的厚度，并且TiO2颗粒的直径可以在200nm至300nm的范围内。应注意，这些具体数值可以根据照明装置100的设计选择而变化。
可以在内部光提取层146上设置平坦化层，以补偿内部光提取层146的表面粗糙度并且提高有机发光二极管单元101的可靠性。
平坦化层通过将锆氧化物颗粒埋置在树脂中来形成，并且可以补偿内部光提取层146的表面粗糙度。作为示例，平坦化层可以通过喷墨涂覆形成，使得其具有150nm的厚度，并且锆氧化物颗粒的直径可以为50nm。应注意，这些具体数值可以根据照明装置100的设计选择而变化。
封装单元102可以覆盖有机发光二极管单元101并阻挡外部影响以保护有机发光二极管单元101。封装单元102可以包括与阴极126接触的粘结剂层160、与粘结剂层160接触的金属膜170、和附接至金属膜170的保护膜175。
粘结剂层160可以实施为用于将金属膜170附接至有机发光二极管单元101的压敏粘结剂(PSA)。粘结剂层160的厚度可以为约30μm。然而，应该理解，本公开不限于此，并且厚度可以根据照明装置100的设计选择而变化。
金属膜170设置在粘结剂层160上并用于保持照明装置100的刚性。为此，金属膜170可以由厚度约为20μm的铜(Cu)形成。然而，应该理解，本公开不限于此，而是厚度可以根据照明装置100的设计选择而变化。
保护膜175可以设置在金属膜170上以吸收外部冲击从而保护照明装置100。为此，保护膜175可以实施为作为聚合物膜的厚度为约100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。然而，应当理解，本公开不限于此，而是可以根据照明装置100的设计选择来修改保护膜175。
顺便提及，在使用有机发光二极管的照明装置100中，当因颗粒而在阳极116和阴极126之间发生短路时，在整个面板上发生电流下降，使得出现短路的面板以及像素的整体亮度可以降低。
鉴于以上所述，在根据本公开的第一示例性实施方案的照明装置100中，通过形成窄的路径而在像素中的每一个中的被提供电流的阳极116上形成短路减少图案SR。使用钝化层115覆盖短路减少图案SR，以防止整个面板中的短路。也就是说，短路减少图案SR围绕像素中的每一个的发光区105。通过以这种方式在像素中的每一个中添加电阻来限制以短路流动的电流。
然而，随着在像素的每一个中添加短路减少图案SR，与现有装置相比，总开口率减小了大约8.5％。也就是说，随着短路减少图案SR被添加到发光区105的边界，覆盖短路减少图案SR的钝化层115的最小裕度增加，使得开口率降低。
鉴于上述，根据本公开的第二和第三示例性实施方案，辅助线形成为线形状而不是栅格形状，并且高电阻导电层形成在基板的整个表面上，以代替短路减少图案的功能。通过这样做，可以改善开口率。
此外，根据本公开的第二和第三示例性实施方案，仅在发光区中另外形成岛状阳极以减小电阻，从而防止亮度因具有高电阻的导电层而降低。
图5A至图5C是示意性地示出根据本公开第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的平面图。
图5B是有机层、阴极和封装单元从其中被部分地移除的照明装置的平面图。图5C是有机层、阴极和封装单元从其中被完全移除的照明装置的平面图。
图6是示出根据第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置沿图5A的线II-II′截取的截面图。
根据本公开的示例性实施方案，照明装置使用由有机材料制成的有机发光二极管。在使用有机发光二极管的照明装置中，可以不在像素的每一个中设置用于驱动的TFT。
如上所述，根据本公开第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置可以包括发生表面发光的有机发光二极管单元，以及对有机发光二极管单元进行封装的封装单元。
还可以在有机发光二极管单元下方设置外部光提取层以增加雾度。然而，应理解，本公开不限于此，并且可以消除外部光提取层。
外部光提取层145可以通过将诸如TiO2的散射颗粒分散在树脂中而形成，并且可以通过粘结剂层附接在基板下方。
有机发光二极管单元可以包括设置在基板上的有机发光二极管，并且还可以在基板和有机发光二极管之间设置内部光提取层。然而，应理解，本公开不限于此，并且可以消除内部光提取层。
还可以在内部光提取层上设置平坦化层。
特别地，参照图5A至图5C和图6，根据本公开第二示例性实施方案的照明装置200可以包括：发光区EA，其中光实际被发射并输出至外部；以及焊盘区域PA1和PA2，其中焊盘电极227和228分别连接至外部装置，以将信号施加至发光区EA。
焊盘区域PA1和PA2未被金属膜270和/或保护膜275的密封装置覆盖，因此可以分别通过焊盘电极227和228电连接至外部装置。焊盘电极227和228可以分别通过开孔OP1和OP2暴露于外部。因此，金属膜270和/或保护膜275可以附接至除了焊盘区域PA1和PA2之外的基板210的发光区EA的整个表面。然而，应理解，本公开不限于此。
具体地，在发光区EA外部的焊盘区域PA1和PA2中没有形成有机层230和阴极226，并且钝化层215被部分地移除以形成开孔OP1和OP2。因此，焊盘电极227和228可以通过开孔OP1和OP2暴露于外部。虽然在附图中未示出，但是在发光区EA中还可以形成有机材料的第二钝化层和无机材料的第三钝化层，以覆盖有机层230和阴极226。然而，应理解，本公开不限于此。
另外，可以移除钝化层215的位于发光区EA中的第二焊盘电极228上的一部分，使得可以形成用于使第二焊盘电极228露出的接触孔214。因此，阴极226可以通过接触孔214电连接至第二焊盘电极228。
焊盘区域PA1和PA2可以位于发光区EA的外部。尽管在图5A至图5C所示的示例中第二焊盘区域PA2位于第一焊盘区域PA1之间，但是本公开不限于此。
另外，图5A至图5C示出了焊盘区域PA1和PA2仅位于发光区EA的一个外侧上的示例，但是本公开不限于此。在其他实施方式中，焊盘区域PA1和PA2可以位于发光区EA的两个外侧。另外，根据本公开的另一示例性实施方案，第一焊盘区域PA1可以位于发光区EA的一个外侧，并且第二焊盘区域PA2可以位于发光区EA的另一侧。
接下来，将详细描述有机发光二极管单元。阳极216和阴极226设置在基板210上，并且有机层230设置在阳极216和阴极226之间以形成有机发光二极管。
此外，有机发光二极管单元还可以包括：辅助线211，用于补充阳极216的导电性；以及钝化层215，用于防止阳极216和阴极226之间的短路。
在具有上述结构的照明装置200中，当电流施加至有机发光二极管的阳极216和阴极226时，有机层230通过发光区EA发光。
基板210可以由透明玻璃制成。另外，基板210可以由具有柔性的聚合物材料制成。
缓冲层240可以设置在基板210上。然而，应该理解，本公开不限于此。
在缓冲层240上，可以设置根据第二示例性实施方案的具有高电阻的导电层213。
导电层213可以由具有大约104Ω/□至10５Ω/□的高电阻的透明导电材料制成。
导电层213可以包括设置在发光区EA和第一焊盘区域PA1中的第一导电层213a，以及设置在第二焊盘区域PA2中的第二导电层213b。第一导电层213a和第二导电层213b可以在发光区EA中彼此分开。
具有高电阻的导电层213可以限制以短路流动的电流，因此可以消除根据本公开的第一示例性实施方案的短路减少图案。另外，辅助线211具有线形状而不是现有的栅格形状，因此也可以改善开口率。此外，由于可以消除用于在像素中形成非发光区的垂直辅助线，所以可以使发光区显著加宽。辅助线211可以包括在水平方向上的复数条第一辅助线211a和在第一辅助线211a的端部之间连接的垂直方向上的第二辅助线211b。然而，应理解，本公开不限于此。根据本公开的一些示例性实施方案的辅助线211可以不包括第二辅助线211b。
另外，在根据第二示例性实施方案的照明装置200中，复数条连接线219；219a、219b和219c设置在其边缘上，使得第一焊盘电极227连接至辅助线211，因此电流被垂直和水平地提供以补充亮度均匀性。例如，连接线219；219a，219b和219c可以包括：第一连接线219a，用于连接在第一焊盘电极227与位于上侧的第一辅助线211a之间以从上方提供电流；第二连接线219b，用于连接在第一焊盘电极227与位于左侧和右侧的第二辅助线211b之间以从左侧和右侧提供电流；以及第三连接线219c，用于连接在第一焊盘电极227与位于下侧的第一辅助线211a之间以从下方提供电流。
连接线219；219a、219b和219c可以形成在第一导电层213a上。
连接线219；219a、219b和219c可以由与阳极216相同的材料在相同层中制成。然而，应该理解，本公开不限于此。
还可以在第一焊盘电极227和第二焊盘电极228下方设置由与辅助线211相同的材料制成的第一辅助焊盘电极217和第二辅助焊盘电极218。然而，应理解，本公开不限于此。
另外，根据本公开的第二和第三示例性实施方案，在发光区中另外形成岛状阳极216，以减小发光区的电阻，从而防止亮度因具有高电阻的导电层而降低。
如上所述，阳极216可以向有机层230提供空穴，而阴极226可以向有机层230提供电子。然而，应该理解，本公开不限于此。阳极216和阴极226可以具有不同的作用。
阳极216可以由铟锡氧化物(TO)或铟锌氧化物(IZO)形成，其是具有高功函数和比导电层213高的导电率以便于将空穴注入有机层230中的透明金属氧化物材料。
根据第二示例性实施方案的阳极216可以形成为大致矩形的岛状以限定发光区。也就是说，阳极216和阴极226彼此交叠的区域可以被定义为在设置在阳极216和阴极226之间的有机层230中产生光的发光区。然而，应理解，本公开不限于此。
阴极226可以由具有低功函数以便于将电子注入有机层230的导电材料制成。阴极226的材料的示例可以包括诸如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(A1)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)或其合金的金属。
有机层230可以由包括红色有机发光层的单个堆叠结构、包括复数个红色有机发光层的多堆叠串叠结构、或包括红色/绿色有机发光层和天蓝色有机发光层的多堆叠串叠结构形成。然而，应该理解，本公开的有机层230不限于上述结构，并且可以采用各种结构。
图7A至图7C是示出根据本公开一个示例性实施方案的有机层的堆叠结构的示例的截面图。
具体地，图7A示出了单个堆叠体的有机层230，图7B示出了包括双堆叠体的串叠结构的有机层230，图7C示出了包括三个堆叠体的串叠结构的有机层230。
参照图7A，有机层230可以包括依次彼此堆叠的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、有机发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。
空穴注入层HIL是有助于将空穴从阳极216注入有机发光层EML中的有机层。空穴注入层HIL可以由包括选自由以下组成的组中的至少一种的材料制成：HAT-CN(二吡嗪并[2，3-f：2′，3′-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六腈)、CuPc(铜酞菁)、F4-TCNQ(2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基-醌二甲烷)和NPD(N，N′-双(萘-1-基)-N，N′-双(苯基)-2，2′-二甲基联苯胺)，但不限于此。
空穴传输层HTL是有助于将空穴从空穴注入层HIL转移到有机发光层EML中的有机层。空穴传输层HTL可以由包括选自由以下组成的组中的至少一种的材料制成：NPD(N，N′-双(萘-1-基)-N，N′双(苯基)-2，2′-二甲基联苯胺)、TPD(N，N′-双-(3-甲基苯基)-N，N′-双(苯基)-联苯胺)、s-TAD(2，2′，7，7′-四(N，N-二甲基氨基)-9，9-螺芴)和MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)，但不限于此。
电子阻挡层是抑制注入有机发光层EML的电子溢流到空穴传输层HTL的有机层。电子阻挡层可以通过抑制电子的移动来改善有机发光层EML中的空穴和电子的结合，并且可以提高有机发光层EML的发光效率。电子阻挡层EBL可以由与空穴传输层HTL相同的材料制成。尽管空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL可以形成为单独的层，但是本公开不限于此。空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL可以形成为单件。
在有机发光层EML中，从阳极216提供的空穴和从阴极226提供的电子复合以产生激子。产生激子的区域可以称为发光区或复合区。
有机发光层EML可以设置在空穴传输层HTL和电子传输层ETL之间，并且可以包括可以发射特定颜色的光的材料。有机发光层EML可以包括可发射红光的材料。
有机发光层EML可以具有主体-掺杂剂体系，其中发光掺杂剂材料掺杂到占据大重量比的主体材料中，使得发光掺杂剂材料具有小的重量比。
有机发光层EML可以包括复数种主体材料或单一主体材料。包含复数种主体材料或单一主体材料的有机发光层EML可以掺杂有红色磷光掺杂剂材料。也就是说，有机发光层EML可以是红色发光层，并且从有机发光层EML发射的光的波长范围可以在大约600nm至660nm的范围内。
红色磷光掺杂剂材料是能够发射红光的物质。从掺杂有红色磷光掺杂剂材料的有机发光层EML发射的光的EL光谱可以具有红色波长或其附近的峰。
红色磷光掺杂剂材料可以由(但不限于)包括以下中的至少之一的材料形成：铱(Ir)配体配合物，包括Ir(ppy)3(面式三(2-苯基吡啶)铱)、PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)、Ir(piq)3(三(1-苯基异喹啉)铱)和Ir(piq)2(acac)(双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱)，PtOEP(八乙基卟啉铂)PBD：Eu(DBM)3(Phen)和苝。
电子传输层ETL从电子注入层EIL接收电子。电子传输层ETL将提供的电子传输至有机发光层EML。
另外，电子传输层ETL可以用作空穴阻挡层HBL。空穴阻挡层可以抑制未参与有机发光层EML中的复合的空穴泄漏。
电子传输层ETL可以由(但不限于)选自由以下组成的组中的至少一种制成：Liq(8-羟基喹啉锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-
Figure GDA0003534970460000141
二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑)、BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)和BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)。
电子注入层EIL是促进电子从阴极226注入有机发光层EML的层。电子注入层EIL可以由(但不限于)包括离子形式的碱金属或碱土金属中的至少一种的材料(例如，LiF、BaF2和CsF)制成。
根据使用有机发光二极管的照明装置200的结构和特性，可以消除电子注入层EIL和电子传输层ETL。
参照图7B，有机层230可以包括：第一堆叠体ST1，其包括第一有机发光层EML1；第二堆叠体ST2，其包括第二有机发光层EML2；以及电荷产生层CGL，其设置在第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间。
第一堆叠体ST1可以包括电子注入层EIL、第一电子传输层ETL1、第一有机发光层EML1、第一电子阻挡层EBL1和第一空穴传输层HTL1。第二堆叠体ST2可以包括第二电子传输层ETL2、第二有机发光层EML2、第二电子阻挡层EBL2、第二空穴传输层HTL2和空穴注入层HIL。上面已经描述了层的功能和配置。
电荷产生层CGL可以设置在第一堆叠体ST1和第二堆叠体ST2之间。电荷产生层CGL可以向第一堆叠体ST1和第二堆叠体ST2提供电荷以平衡第一堆叠体ST1和第二堆叠体ST2之间的电荷。
电荷产生层CGL可以包括n型电荷产生层N-CGL和p型电荷产生层P-CGL。n型电荷产生层N-CGL可以与第二电子传输层ETL2接触。p型电荷产生层P-CGL可以设置在n型电荷产生层N-CGL和第一空穴传输层HTL1之间。虽然电荷产生层CGL可以由包括n型电荷产生层N-CGL和p型电荷产生层P-CGL的多个层形成，但是本公开不限于此。电荷产生层CGL可以由单层构成。
n型电荷产生层N-CGL可以将电子注入第一堆叠体ST1。n型电荷产生层N-CGL可以包括n型掺杂剂材料和n型主体材料。n型掺杂剂材料可以是周期表中I族和II族的金属、可以被注入电子的有机材料、或其混合物。例如，n型掺杂剂材料可以是碱金属或碱土金属。也就是说，n型电荷产生层N-CGL可以由(但不限于)诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)和铯(Cs)的碱金属或诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)和镭(Ra)的碱土金属制成。例如，n型主体材料可以由能够传递电子的包括但不限于Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、Liq(8-羟基喹啉醇-锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-
Figure GDA0003534970460000151
二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑)、螺-PBD和BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)、SAlq、TPBi(2，2′，2″-(1，3，5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、
Figure GDA0003534970460000152
二唑、三唑、菲咯啉、苯并
Figure GDA0003534970460000153
唑或苯并噻唑中的至少一种的材料制成。
p型电荷产生层P-CGL可以将空穴注入到第二堆叠体ST2中。p型电荷产生层P-CGL可以包括p型掺杂剂材料和p型主体材料。p型掺杂剂材料可以由但不限于金属氧化物、诸如四(氟)-四(氰基)醌二甲烷(F4-TCNQ)、HAT-CN(六氮杂苯并菲-六腈)和六氮杂苯并菲的有机材料、或诸如V2O5、MoOx和WO3的金属材料制成。p型主体材料可以由能够传递空穴的材料制成，包括但不限于NPD(N，N-二萘基-N，N′-二苯基联苯胺)(N，N′-双(萘-1-基)-N，N′-双(苯基)-2，2′-二甲基联苯胺)、TPD(N，N′-双-(3-甲基苯基)-N，N′-双-(苯基)-联苯胺)和MTDATA(4，4′，4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)中的至少一种。
参照图7C，有机层230可以包括：第一堆叠体ST1，其包括第一有机发光层EML1；第二堆叠体ST2，其包括第二有机发光层EML2；第三堆叠体ST3，其包括第三有机发光层EML3；设置在第一堆叠体ST1和第二堆叠体ST2之间的第一电荷产生层CGL1；以及设置在第二堆叠体ST2和第三堆叠体ST3之间的第二电荷产生层CGL2。
第一堆叠体ST1可以包括电子注入层EIL、第一电子传输层ETL1、第一有机发光层EML1、第一电子阻挡层EBL1和第一空穴传输层HTL1。第二堆叠体ST2可以包括第二电子传输层ETL2、第二有机发光层EML2、第二电子阻挡层EBL2和第二空穴传输层HTL2。第三堆叠体ST3可以包括第三电子传输层ETL3、第三有机发光层EML3、第三电子阻挡层EBL3、第三空穴传输层HTL3和空穴注入层HIL。上面已经描述了各层的功能和配置。
第一电荷产生层CGL1可以包括第一n型电荷产生层N-CGL1和第一p型电荷产生层P-CGL1。第一n型电荷产生层N-CGL1可以与第二电子传输层ETL2接触。第一p型电荷产生层P-CGL1可以设置在第一n型电荷产生层N-CGL1和第一空穴传输层HTL1之间。
第二电荷产生层CGL2可以包括第二n型电荷产生层N-CGL2和第二p型电荷产生层P-CGL2。第二n型电荷产生层N-CGL2可以与第三电子传输层ETL3接触。第二p型电荷产生层P-CGL2可以设置在第二n型电荷产生层N-CGL2和第二空穴传输层HTL2之间。第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2的功能和配置与上述相同。
第一有机发光层EML1和第三有机发光层EML3可以是红色-绿色有机发光层，并且从第一有机发光层EML1和第三有机发光层EML3发射的光的波长范围可以从约520nm至580nm。另外，第二有机发光层EML2是天蓝色发光层，并且从第二有机发光层EML2发射的光的波长范围可以在约450nm至480nm的范围内。
如上所述，当在阳极216和阴极226之间施加电流时，电子被从阴极226注入有机层230，同时空穴被从阳极216注入有机层230。此后，在有机层230中产生激子。随着激子衰变，产生光，其等于最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)之间的能量差。
根据导电层213、阳极216和阴极226的透射率和反射率，在有机层230中产生的光可以向上行进(顶部发光)或向下行进(底部发光)。
例如，当导电层213和阳极216是透明电极而阴极226是反射电极时，在有机层230中产生的光被阴极226反射以透射穿过导电层213和阳极216，使得光通过有机发光二极管单元101的底部出射。也就是说，有机发光二极管单元是底部发光型。然而，应理解，本公开不限于此。当导电层213和阳极216是反射电极而阴极226是透明电极时，有机发光二极管单元101可以是顶部发光型。
返回参照图5A至5C和图6，根据本公开第二示例性实施方案的导电层213还可以用作内部光提取层。因此，缓冲层240可以设置在导电层213下方。缓冲层240可以阻挡水分和空气渗透通过基板210。为此，缓冲层240可以由诸如硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的无机材料的单层形成。如果需要，缓冲层240可以由无机材料和有机材料的复合层形成。
例如，可以增加导电层213的与缓冲层240接触的表面的粗糙度，从而提高将从有机发光二极管产生的光提取到外部的效率。然而，应理解，本公开不限于此。
封装单元可以覆盖有机发光二极管单元101并阻挡外部影响以保护有机发光二极管单元101。封装单元102可以包括与阴极226接触的粘结剂层260、与粘结剂层260接触的金属膜270、附接至金属膜270的保护膜275。
粘结剂层260可以实施为用于将金属膜270附接至有机发光二极管单元200的压敏粘结剂(PSA)。粘结剂层260的厚度可以为约30μm。然而，应该理解，本公开不限于此，并且厚度可以根据照明装置200的设计选择而变化。
金属膜270设置在粘结剂层260上并用于保持照明装置200的刚性。为此，金属膜270可以由厚度约为20μm的铜(Cu)形成。然而，应理解，本公开不限于此，而是厚度可以根据照明装置200的设计选择而变化。
保护膜275可以设置在金属膜270上以吸收外部冲击从而保护照明装置200。为此，保护膜275可以实施为作为聚合物膜的厚度约为100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。然而，应当理解，本公开不限于此，而是可以根据照明装置200的设计选择来修改保护膜275。
顺便提及，根据本公开的第二示例性实施方案，即使由于颗粒而在阳极216和阴极226之间发生短路，在基板210的整个表面上形成具有高电阻的导电层213，从而可以防止整个面板中的短路。
也就是说，具有高电阻的导电层213形成在基板210的整个表面上，使得电阻被添加到整个面板，从而限制以短路流动的电流。
图8是示出根据图5A中所示的第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置中的发光区的一部分的视图。
参照图8，在根据第二示例性实施方案的照明装置200中，辅助线形成为线形状而不是栅格形状，并且高电阻导电层形成在基板的整个表面上代替短路减少图案的功能。通过这样做，可以改善开口率。
另外，在根据本公开第二示例性实施方案的照明装置200中，在发光区205中另外形成岛状阳极216，其未被钝化层215覆盖以减小电阻，从而防止亮度因具有高电阻的导电层213而降低。通过将阳极216形成为岛状，当因颗粒而在像素中发生短路时，仅该像素熄灭。
也就是说，阳极216以岛状设置在第一辅助线211a之间的像素的每一个中，并且可以由具有比导电层213的电阻低的电阻的导电材料制成。
在第一辅助线211a和阳极216之间具有高电阻的导电层213可以用作电流路径，从而可以省略短路减少图案。因此，开口率可以因短路减少图案的宽度而增加。
另外，由于移除了岛状阳极216之间的垂直辅助线，所以开口率可以因垂直辅助线的宽度而增加。
结果，可以看出，开口率提高到大约95.3％，与第一示例性实施方案(即大约81.9％相比)提高大约13.4％。
例如，岛状阳极216之间的距离D2可以减小到4μm或更小。然而，为了实现短路减少图案，第一辅助线211a和阳极216之间的距离D1可以大于距离D2。然而，应理解，本公开不限于此。
如上所述，通过采用高电阻导电层213，可以消除短路减少图案以及垂直辅助线，增加发光区205，从而防止亮度降低。
另外，根据本公开的示例性实施方案，通过增加开口率，可以提高照明装置的寿命。
返回参照图1至图8，由此形成的阳极216可以延伸到发光区的一个外侧上的第一焊盘区域PA1，以形成第一焊盘电极227。与阳极216电绝缘的第二焊盘电极228可以形成在第二焊盘区域PA2中。也就是说，第二焊盘电极228可以与阳极216设置在相同层中，并且可以与阳极216间隔开并电隔离。另外，第一焊盘电极227下方的第一导电层213a和第二焊盘电极228下方的第二导电层213b也可以彼此电绝缘。
例如，在图5A至图5C中，第一导电层213a可以大致形成为矩形形状，其中上部中心部分被移除以形成凹部，并且第二导电层213b可以被设置在凹部中。然而，应理解，本公开不限于此。
辅助线211和第一辅助焊盘电极217分别设置在基板210的发光区EA和第一焊盘区域PA1中，并且辅助线211和第一辅助焊盘电极217可以通过第一导电层213a和连接线219彼此电连接。
阳极216和导电层213由透明导电材料制成并且具有使发射光透射的优点，但是与不透明金属相比具有高电阻的缺点。因此，当制造具有大面积的照明装置200时，由于相对大的电阻，施加至宽发光区的电流不均匀分布，并且这种不均匀的电流分布使得来自照明装置200的光的亮度不均匀。
为了克服这一点，由不透明导电材料制成的复数条第一辅助线211a在整个发光区EA上以线形状设置，并且垂直第二辅助线211b设置在其两端。因此，均匀电流被施加至发光区EA的整个发光区205的阳极216，使得具有较大面积的照明装置200能够发出均匀亮度的光。
辅助线211可以由具有良好导电性的金属(例如，Al、Au、Cu、Ti、W和Mo、或其合金)制成。辅助线211可以具有上辅助线和下辅助线的双层结构。然而，本公开不限于此。辅助线211可以由单层组成。
钝化层215可以堆叠在基板210的焊盘区域PA1和PA2的一部分和发光区EA中。钝化层215可以在发光区205中被移除，使得其形成为线形状以覆盖以线形状布置的辅助线211。然而，应理解，本公开不限于此。
设置在发光区EA中的钝化层215可以覆盖辅助线211并且可以与阳极216保持预定距离。特别地，发光区EA中的钝化层215围绕辅助线211以减少辅助线211的水平差，使得可以在不断裂的情况下可靠地形成待在后续工艺中形成的各种层。
钝化层215可以由诸如SiOx和SiNx的无机材料制成。然而，钝化层215可以由诸如光丙烯的有机材料制成，或者可以由无机材料和有机材料的多层制成。
有机层230和阴极226可以设置在于基板210上设置的阳极216和钝化层215上。位于发光区EA中的第二焊盘电极228上的钝化层215的一部分可以被移除，使得可以形成用于使第二焊盘电极228露出的接触孔214。阴极226可以通过接触孔214电连接至其下方的第二焊盘电极228。
由于钝化层215设置在发光区EA中的辅助线211上，因此辅助线211上方的有机层230不与辅助线211接触，使得在辅助线211上方不形成有机发光二极管。换句话说，在发光区EA中，有机发光二极管仅形成在例如线形状的辅助线211之间的大致矩形形状的发光区205中。
尽管在附图中未示出，但是可以在其上形成有阴极226的基板210上设置第二钝化层和第三钝化层。
第二钝化层形成为覆盖发光区EA中的有机层230和阴极226，并且可以防止水分渗透到发光区EA中的有机层230中。
换句话说，根据本公开的示例性实施方案，除了粘结剂层260和金属膜270的密封装置之外，第二钝化层和第三钝化层也形成为覆盖发光区EA中的有机层230和阴极226，使得可以防止水分渗透到照明装置200的实际发射和输出光的有机层230中。
第二钝化层可以由诸如光丙烯的有机材料制成。第三钝化层可以由诸如SiOx和SiNx的无机材料制成。然而，应理解，本公开不限于此。
封装剂可以设置在第三钝化层上。这种封装剂可以包括环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸类化合物等。
如上所述，在基板210的第一焊盘区域PA1中，电连接至阳极216的第一焊盘电极227可以通过第一开孔OP1暴露于外部。在基板210的第二焊盘区域PA2中，通过接触孔214电连接至阴极226的第二焊盘电极228可以通过第二开孔OP2暴露于外部。因此，第一焊盘电极227和第二焊盘电极228电连接至外部电源，以分别向阳极216和阴极226施加电流。
诸如压敏粘结剂(PSA)的粘结剂层260可以设置在第三钝化层上，并且金属膜270可以设置在粘结剂层260上，使得金属膜270附接至第三钝化层。结果，可以密封照明装置200。
粘结剂层260和金属膜270的密封装置可以被附接，使得第二钝化层和第三钝化层被充分覆盖。
另外，除了焊盘区域PA1和PA2之外，金属膜270可以附接至基板210的发光区EA的整个表面。
粘结剂层260可以由光固化性粘结剂或热固性粘结剂形成。
尽管在根据本公开的第二示例性实施方案的照明装置200中各自在相应像素中的阳极216具有基本相同的尺寸，但是本公开不限于此。根据本公开的第三示例性实施方案，不同的像素可以具有不同尺寸的阳极或不同的阳极和辅助线之间的距离。下面将描述本公开的第三示例性实施方案。
除了阳极的尺寸之外，根据本公开的第三示例性实施方案的照明装置与根据第二示例性实施方案的照明装置基本相同；因此，将省略多余的描述。
图9是示出根据本公开第三示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置中的发光区的一部分的平面图。
参照图9，在根据第三示例性实施方案的照明装置中，第一辅助线311a形成为线形状而不是栅格形状，并且与上述第一示例性实施方案类似，形成高电阻的导电层313以代替短路减少图案的功能。通过这样做，可以改善开口率。
此外，在根据本公开第三示例性实施方案的照明装置中，在发光区305中另外形成岛状阳极316，其未被钝化层315覆盖以减小电阻，从而防止亮度因具有高电阻的导电层而降低。通过将阳极316形成为岛状，当因颗粒而在像素中发生短路时，仅该像素熄灭。
在第一辅助线311a和阳极316之间的具有高电阻的导电层313可以用作电流路径，从而可以形成短路减少图案。因此，开口率可以因短路减少图案的宽度而增加。
另外，由于移除在岛状阳极316之间的垂直辅助线，所以开口率可以因垂直辅助线的宽度而增加。
例如，岛状阳极316之间的距离D2可以减小到4μm或更小。然而，为了实现短路减少图案，第一辅助线311a和阳极316之间的距离d1、d2和d3可以大于距离D2。然而，应理解，本公开不限于此。
如上所述，通过采用高电阻导电层313，可以消除短路减少图案以及垂直辅助线，增加发光区305，从而防止亮度降低。
另外，根据本公开的示例性实施方案，通过增加开口率，可以延长照明装置的寿命。
另外，根据本公开的第三示例性实施方案，不同像素在第一辅助线311a和阳极316(即，不同尺寸的阳极316)之间具有不同的距离，从而抵消由面板中像素的位置引起的电流差。尽管在图9所示的示例中，第一辅助线311a和阳极316之间的距离d1、d2和d3从面板的一侧到另一侧变得更大，但是本公开不限于此。
如上所述，根据本公开的示例性实施方案，通过借助复数条连接线将第一焊盘电极与辅助线311a连接以从上方、下方、左侧和右侧提供电流来补偿亮度均匀性。然而，一行中的像素之间(和/或不同列中的像素之间)的电流也可能存在轻微差异。例如，位于一行中左侧和右侧的像素比位于中心的像素更靠近连接线，因此受电流下降的影响较小。因此，为了增加亮度均匀性，第一辅助线311a和阳极316之间的距离可以从位于中心的像素到位于左边缘和右边缘的像素变大。第一辅助线311a和阳极316之间的距离可以逐渐增加。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开第二示例性实施方案的照明装置的制造方法。由于除了阳极的尺寸之外，根据本公开的第三示例性实施方案的照明装置与根据本公开的第二示例性实施方案的照明装置基本相同，因此制造根据第二示例性实施方案的照明装置的方法可以同样地应用于制造根据第三示例性实施方案的照明装置。
图10A至图10F是用于示出制造根据图5A中所示的第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的方法的平面图。
图11A至图11F是用于依次示出制造根据图6中所示的第二示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的方法的截面图。
参照图10A和图11A，可以在基板210的包括发光区和焊盘区域的整个表面上形成缓冲层240。然而，应该理解，本公开不限于此，并且可以消除缓冲层240。
基板210可以由透明玻璃制成。另外，基板210可以由具有柔性的聚合物材料制成。
缓冲层240可以阻挡水分和空气渗透过基板210。缓冲层240可以由诸如硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)的无机材料的单层形成。如果需要，缓冲层240可以由无机材料和有机材料的复合层构成。
随后，可以在形成在基板210上的缓冲层240上形成导电层213。
导电层213可以由具有大约104Ω/□到10５Ω/□的高电阻的透明导电材料制成。
导电层213可以包括设置在发光区和第一焊盘区域中的第一导电层213a，以及设置在第二焊盘区域上的第二导电层213b。第一导电层213a和第二导电层213b可以在发光区中彼此分开。
例如，第一导电层213a可以大致形成为矩形形状，其中上部中心部分被移除以形成凹部，并且第二导电层213b可以被设置在凹部中。然而，应理解，本公开不限于此。
通过具有高电阻的导电层213，可以限制以短路流动的电流，使得可以移除短路减少图案。
例如，可以增加导电层213的与缓冲层240接触的表面的粗糙度，从而提高将从有机发光二极管产生的光提取到外部的效率。在这种情况下，根据第二示例性实施方案的导电层213可以用作内部光提取层。然而，应理解，本公开不限于此。
随后，参照图10B和图11B，在导电层213上沉积诸如Al、Au、Cu、Ti、W和Mo的金属或其合金，并进行蚀刻。通过这样做，可以在发光区以及第一焊盘区域和第二焊盘区域中形成作为单层或多层的辅助线211以及第一辅助焊盘电极217和第二辅助焊盘电极218。
例如，辅助线211可以包括水平方向上的复数条第一辅助线211a和连接在第一辅助线211a的端部之间的垂直方向上的第二辅助线211b。然而，应理解，本公开不限于此。根据本公开的一些示例性实施方案的辅助线211可以不包括第二辅助线211b。
这样，根据第二示例性实施方案，第一辅助线211a形成为线形状而不是栅格形状，并且形成高电阻导电层以代替短路减少图案的功能。通过这样做，可以改善开口率。
由与辅助线211相同的材料制成的第一辅助焊盘电极217和第二辅助焊盘电极218可以形成在第一焊盘区域和第二焊盘区域中的基板210上。然而，应理解，本公开不限于此。
接下来，参照图10C和图11C，在整个基板210上堆叠透明低电阻导电层。
随后，选择性地蚀刻透明低电阻导电层，以在发光区以及第一焊盘区域和第二焊盘区域中形成阳极216以及第一焊盘电极227和第二焊盘电极228。
阳极216可以由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，其是具有高功函数和比导电层213具有更高导电性以便于将空穴注入有机层的透明金属氧化物材料。
作为示例，阳极216可以限定为矩形岛状以限定发光区。然而，应理解，本公开不限于此。
例如，岛状阳极216之间的距离D2可以减小到4μm或更小。然而，为了实现短路减少图案，第一辅助线211a和阳极216之间的距离D1可以大于距离D2。然而，应理解，本公开不限于此。
由此形成的阳极216可以延伸到发光区的外侧上的第一焊盘区域以形成第一焊盘电极227，并且可以在第二焊盘区域中形成与阳极216电绝缘的第二焊盘电极228。也就是说，第二焊盘电极228可以与阳极216设置在相同层中，并且可以与阳极216间隔开并电隔离。另外，第一焊盘电极227下方的第一导电层213a和第二焊盘电极228下方的第二导电层213b也可以彼此电绝缘。
尽管根据第二示例性实施方案，各自设置在相应像素中的阳极216具有相同的尺寸，但是本公开不限于此。在一些实施方案中，阳极的尺寸或阳极与辅助线之间的距离可以在像素与像素之间不同。
另外，复数条连接线219；219a、219b和219c可以与第一焊盘电极227和第二焊盘电极228一起设置在其边缘上，使得第一焊盘电极227连接至辅助线211，从而垂直和水平地提供电流以补充亮度均匀性。例如，连接线219；219a、219b和219c可以包括：第一连接线219a，用于连接在第一焊盘电极227与位于上侧的第一辅助线211a之间以从上方提供电流；第二连接线219b，用于连接在第一焊盘电极227与位于左侧和右侧的第二辅助线211b之间以从左侧和右侧提供电流；以及第三连接线219c，用于连接在第一焊盘电极227与位于下侧的第一辅助线211a之间以从下方提供电流。
连接线219；219a、219b和219c可以形成在第一导电层213a上。
连接线219；219a、219b和219c可以由与阳极216相同的材料制成在相同层中。然而，应该理解，本公开不限于此。
随后，参照图10D和图11D，在整个基板210上设置诸如SiNx和SiOx的无机材料或诸如光丙烯的有机材料。
随后，蚀刻无机材料或有机材料以在发光区以及第一焊盘区域和第二焊盘区域中的辅助线211的上部和侧部上形成钝化层215，并且可以形成用于使第二焊盘电极228的一部分露出的接触孔214，和打开第一焊盘电极227和第二焊盘电极228的一部分的第一开孔OP1和第二开孔OP2。
钝化层215覆盖辅助线211，但不形成在光实际出射的发光区中。钝化层215围绕辅助线211以减小通过辅助线211的水平差，从而在后续工艺中要形成的各种层可以可靠地形成而不断裂。
因此，在基板210的第一焊盘区域PA1中，电连接至阳极216的第一焊盘电极227可以通过第一开孔OP1暴露于外部。在基板210的第二焊盘区域PA2中，通过接触孔214电连接至阴极226的第二焊盘电极228可以通过第二开孔OP2暴露于外部。
随后，参照图10E和图11E，可以在基板210的发光区中形成由有机材料制成的有机层230和由金属制成的阴极226。
具体地，可以在基板210的发光区中形成由有机材料制成的有机层230。
有机层230可以由包括红色有机发光层的单个堆叠结构、包括复数个红色有机发光层的多堆叠串叠结构、或包括红色/绿色有机发光层和天蓝色有机发光层的多堆叠串叠结构形成。然而，应该理解，本公开的有机层230不限于上述结构，并且可以采用各种结构。有机层230可以包括用于分别将电子和空穴注入有机发光层的电子注入层和空穴注入层、用于分别将注入的电子和空穴传输至有机发光层的电子传输层和空穴传输层、以及用于产生诸如电子和空穴的电荷的电荷产生层。
具体地，由金属制成的阴极226可以形成在基板210的发光区中以覆盖有机层230。
阴极226可以通过接触孔214电连接至其下方的第二焊盘电极228。
阴极226可以由金属(例如，镁、钙、钠、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或其合金)制成。
发光区中的阳极216、有机层230和阴极226可以形成有机发光二极管。
由于钝化层215设置在发光区中的辅助线211上，所以有机发光二极管不形成在辅助线211上方。
虽然在附图中未示出，但是可以在基板210的发光区中形成由有机材料制成的第二钝化层，以覆盖有机层230和阴极226。然而，应该理解，本公开不限于此。
如上所述，第二钝化层形成为覆盖发光区中的有机层230和阴极226，并且可以防止水分渗透到发光区中的有机层230中。
有机层230、阴极226和第二钝化层可以由辊对辊设备经由在线(in-line)处理形成，但不限于此。
随后，可以在基板210的发光区中形成第三钝化层以覆盖第二钝化层。然而，应理解，本公开不限于此。
第三钝化层可以由另一种辊对辊设备形成。
第三钝化层可以由诸如SiOx和SiNx的无机材料制成。然而，应理解，本公开不限于此。
还可以在第三钝化层上设置封装剂。这种封装剂可以包括环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸化合物等。
随后，参照图10F和图11F，可以通过施加光固化性粘结剂或热固性粘结剂在发光区中在基板210上形成粘结剂层260。然后，将金属膜270放置在其上，使粘结剂层260固化，从而将金属膜270附接在其上。
第一焊盘区域和第二焊盘区域未被金属膜270的密封装置覆盖，并且可以通过第一焊盘电极227和第二焊盘电极228电连接至外部。
随后，保护膜275可以附接至基板210的在发光区中的整个表面，不包括第一焊盘区域和第二焊盘区域，从而完成照明装置。
本公开的示例性实施方案还可以描述如下：
根据本公开的一个方面，提供了一种使用有机发光二极管的照明装置。使用有机发光二极管的照明装置包括：导电层，其被设置在基板上；辅助线，其以线形状布置在导电层上；阳极，其设置在辅助线之间的像素的每一个中，并且由电阻低于导电层的电阻的导电材料制成；钝化层，其设置在辅助线上；有机层和阴极，其设置在基板的其中设置有钝化层的发光区中；以及金属膜，其设置在基板的发光区中。
导电层可以包括设置在基板的发光区和第一焊盘区域中的第一导电层，以及设置在基板的第二焊盘区域中的第二导电层，并且第一导电层可以与第二导电层绝缘。
导电层可以由具有大约104Ω/□到10５Ω/□的电阻的透明导电材料制成。
辅助线可以包括沿一个方向以线形状布置的复数个第一辅助线，以及沿另一个方向设置并且将第一辅助线的端部彼此连接的第二辅助线。
使用有机发光二极管的照明装置还可以包括设置在第一焊盘区域中的第一辅助焊盘电极；和设置在第二焊盘区域中的第二辅助焊盘电极，其中第一辅助焊盘电极和第二辅助焊盘电极可以与辅助线设置在相同层中，并由相同的材料制成。
使用有机发光二极管的照明装置还可以包括设置在第一焊盘区域中的第一焊盘电极；和设置在第二焊盘区域中的第二焊盘电极，其中第一焊盘电极和第二焊盘电极可以与阳极设置在相同层中并由相同的材料制成。
第一辅助焊盘电极和第二辅助焊盘电极可以分别设置在第一导电层和第二导电层上。
第一辅助焊盘电极和第二辅助焊盘电极可以分别设置在第一焊盘电极层和第二焊盘电极层下方。
使用有机发光二极管的照明装置还可以包括设置在第一导电层上以将第一焊盘电极与辅助线连接的连接线。
连接线可以包括：第一连接线，用于连接在第一焊盘电极与位于上侧的第一辅助线之间以从上方提供电流；第二连接线，用于连接在第一焊盘电极与位于左侧和右侧的第二辅助线之间以从左侧和右侧提供电流；以及第三连接线，用于连接在第一焊盘电极与位于下侧的第一辅助线之间以从下方提供电流。
连接线可以与阳极设置在相同层上并且由与阳极相同的材料制成。
钝化层可以覆盖第一辅助线并且可以与阳极保持预定距离。
阳极和另一阳极之间的距离可以小于第一辅助线和阳极之间的距离。
根据本公开的另一方面，提供了一种使用有机发光二极管的照明装置。使用有机发光二极管的照明装置包括：导电层，其设置在基板上；辅助线，其以线形状布置在导电层上；阳极，其设置在辅助线之间的像素的每一个中，并且由电阻低于导电层的电阻的导电材料制成；钝化层，其设置在辅助线上；有机层和阴极，其设置在基板的形成有钝化层的发光区中；以及金属膜，其设置在基板的发光区中，其中通过调节像素的每一个中的辅助线和阳极之间的距离来补偿由面板中的像素的位置引起的电流差。
辅助线和阳极之间的距离可以从面板的一侧到另一侧变大。
辅助线和阳极之间的距离可以从位于中心部分的像素朝向位于左边缘和右边缘的像素变大，并且其中距离从中心部分到左边缘和右边缘逐渐增加。
本公开还涉及以下方面。
1.一种使用有机发光二极管的照明装置，包括：
导电层，其设置在基板上；
辅助线，其以线形状布置在所述导电层上；
阳极，其设置在所述辅助线之间在像素的每一个中，并且由电阻低于所述导电层的电阻的导电材料制成；
钝化层，其设置在所述辅助线上；
设置在所述基板的设置有所述钝化层的发光区中的有机层和阴极；以及
金属膜，其设置在所述基板的所述发光区中。
2.根据项1所述的装置，其中所述导电层包括设置在所述基板的所述发光区和第一焊盘区域中的第一导电层，以及设置在所述基板的第二焊盘区域中的第二导电层，以及
其中所述第一导电层绝缘于所述第二导电层。
3.根据项1所述的装置，其中所述导电层由电阻为104Ω/□到10５Ω/□的透明导电材料制成。
4.根据项1所述的装置，其中所述辅助线包括在一个方向上以线形状布置的复数条第一辅助线，以及在另一个方向上设置并且将所述第一辅助线的端部彼此连接的第二辅助线。
5.根据项2所述的装置，还包括：第一辅助焊盘电极，其设置在所述第一焊盘区域中；第二辅助焊盘电极，其设置在所述第二焊盘区域中，其中所述第一辅助焊盘电极和所述第二辅助焊盘电极设置在与所述辅助线相同的层中，并且由相同的材料制成。
6.根据项5所述的装置，还包括：第一焊盘电极，其设置在所述第一焊盘区域中；第二焊盘电极，其设置在所述第二焊盘区域中，其中所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极设置在与所述阳极相同的层中，并且由相同的材料制成。
7.根据项5所述的装置，其中所述第一辅助焊盘电极和所述第二辅助焊盘电极分别设置在所述第一导电层和所述第二导电层上。
8.根据项6所述的装置，其中所述第一辅助焊盘电极和所述第二辅助焊盘电极分别设置在第一焊盘电极和第二焊盘电极层下方。
9.根据项6所述的装置，还包括：连接线，其设置在所述第一导电层上以将所述第一焊盘电极与所述辅助线连接。
10.根据项9所述的装置，其中所述连接线包括：第一连接线，用于在所述第一焊盘电极与位于上侧的所述第一辅助线之间连接以从上方提供电流；第二连接线，用于在所述第一焊盘电极与位于左侧和右侧的所述第二辅助线之间连接以从左侧和右侧提供电流；以及第三连接线，用于在所述第一焊盘电极与位于下侧的所述第一辅助线之间连接以从下方提供电流。
11.根据项9所述的装置，其中所述连接线设置在与所述阳极相同的层上，并且由相同的材料制成。
12.根据项4所述的装置，其中所述钝化层覆盖所述第一辅助线并且与所述阳极保持预定距离。
13.根据项4所述的装置，其中所述阳极与另一阳极之间的距离小于所述第一辅助线与所述阳极之间的距离。
14.一种使用有机发光二极管的照明装置，包括：
导电层，其设置在基板上；
辅助线，其以线形状布置在所述导电层上；
阳极，其设置在所述辅助线之间在像素的每一个中，并且由电阻低于所述导电层的电阻的导电材料制成；
钝化层，其设置在所述辅助线上；
设置在所述基板的设置有所述钝化层的发光区中有机层和阴极；以及
金属膜，其设置在所述基板的所述发光区中，
其中通过调节所述像素的每一个中的所述阳极与所述辅助线之间的距离来补偿由面板中的所述像素的位置引起的电流差。
15.根据项14所述的装置，其中所述辅助线和所述阳极之间的距离从所述面板的一侧到另一侧变大。
16.根据项14所述的装置，其中所述辅助线和所述阳极之间的距离从位于中心部分的像素朝向位于左边缘和右边缘的像素变大，以及其中所述距离从所述中心部分到所述左边缘和右边缘逐渐增加。
尽管已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施方案，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施方案仅用于说明目的，而不是旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应该理解，上述示例性实施方案在所有方面都是说明性的，并不限制本公开。本公开的保护范围应基于以下权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开的范围内。

Claims (16)

1.一种使用有机发光二极管的照明装置，包括：
导电层，其设置在基板上；
辅助线，其以线形状布置在所述导电层上；
岛状阳极，其设置在所述辅助线之间在像素的每一个中，并且由电阻低于所述导电层的电阻的导电材料制成；
钝化层，其设置在所述辅助线上；
设置在所述基板的设置有所述钝化层的发光区中的有机层和阴极；以及
金属膜，其设置在所述基板的所述发光区中，
其中所述阳极相对于所述钝化层间隔开并且没有被所述钝化层覆盖，
其中所述辅助线和所述钝化层沿第一方向设置在所述岛状阳极之间，
其中所述辅助线和所述钝化层沿第二方向未设置在所述岛状阳极之间，以及
其中沿第一方向所述岛状阳极之间的距离大于沿第二方向所述岛状阳极之间的距离；其中所述第一方向是所述照明装置平面图中的竖直方向，所述第二方向是所述照明装置平面图中的水平方向。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述导电层包括设置在所述基板的所述发光区和第一焊盘区域中的第一导电层，以及设置在所述基板的第二焊盘区域中的第二导电层，以及
其中所述第一导电层绝缘于所述第二导电层。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述导电层由电阻为104Ω/□到10５Ω/□的透明导电材料制成。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述辅助线包括在一个方向上以线形状布置的复数条第一辅助线，以及在另一个方向上设置并且将所述第一辅助线的端部彼此连接的第二辅助线。
5.根据权利要求2所述的装置，还包括：第一辅助焊盘电极，其设置在所述第一焊盘区域中；第二辅助焊盘电极，其设置在所述第二焊盘区域中，其中所述第一辅助焊盘电极和所述第二辅助焊盘电极设置在与所述辅助线相同的层中，并且由相同的材料制成。
6.根据权利要求5所述的装置，还包括：第一焊盘电极，其设置在所述第一焊盘区域中；第二焊盘电极，其设置在所述第二焊盘区域中，其中所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极设置在与所述阳极相同的层中，并且由相同的材料制成。
7.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一辅助焊盘电极和所述第二辅助焊盘电极分别设置在所述第一导电层和所述第二导电层上。
8.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一辅助焊盘电极和所述第二辅助焊盘电极分别设置在第一焊盘电极和第二焊盘电极层下方。
9.根据权利要求6所述的装置，还包括：连接线，其设置在所述第一导电层上以将所述第一焊盘电极与所述辅助线连接。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述辅助线包括在一个方向上以线形状布置的复数条第一辅助线，以及在另一个方向上设置并且将所述第一辅助线的端部彼此连接的第二辅助线；以及
其中所述连接线包括：第一连接线，用于在所述第一焊盘电极与位于上侧的所述第一辅助线之间连接以从上方提供电流；第二连接线，用于在所述第一焊盘电极与位于左侧和右侧的所述第二辅助线之间连接以从左侧和右侧提供电流；以及第三连接线，用于在所述第一焊盘电极与位于下侧的所述第一辅助线之间连接以从下方提供电流。
11.根据权利要求9所述的装置，其中所述连接线设置在与所述阳极相同的层上，并且由相同的材料制成。
12.根据权利要求4所述的装置，其中所述钝化层覆盖所述第一辅助线。
13.根据权利要求4所述的装置，其中所述阳极与另一阳极之间的距离小于所述第一辅助线与所述阳极之间的距离。
14.一种使用有机发光二极管的照明装置，包括：
导电层，其设置在基板上；
辅助线，其以线形状布置在所述导电层上；
岛状阳极，其设置在所述辅助线之间在像素的每一个中，并且由电阻低于所述导电层的电阻的导电材料制成；
钝化层，其设置在所述辅助线上；
设置在所述基板的设置有所述钝化层的发光区中有机层和阴极；以及
金属膜，其设置在所述基板的所述发光区中，
其中通过调节所述像素的每一个中的所述阳极与所述辅助线之间的距离来补偿由面板中的所述像素的位置引起的电流差；以及
其中所述阳极与所述钝化层间隔开并且没有被所述钝化层覆盖，
其中所述辅助线和所述钝化层沿第一方向设置在所述岛状阳极之间，
其中所述辅助线和所述钝化层沿第二方向未设置在所述岛状阳极之间，以及
其中沿第一方向所述岛状阳极之间的距离大于沿第二方向所述岛状阳极之间的距离，其中所述第一方向是所述照明装置平面图中的竖直方向，所述第二方向是所述照明装置平面图中的水平方向。
15.根据权利要求14所述的装置，其中所述辅助线和所述阳极之间的距离从所述面板的一侧到另一侧变大。
16.根据权利要求14所述的装置，其中所述辅助线和所述阳极之间的距离从位于中心部分的像素朝向位于左边缘和右边缘的像素变大，以及其中所述距离从所述中心部分到所述左边缘和右边缘逐渐增加。
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