CN110783470B - 使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法。根据本公开的一方面，一种使用有机发光二极管的照明装置被划分为第一区域和第二区域并且包括：基板；辅助线，其设置在基板上的第一区域中；多个阻挡层，其设置在基板上的第二区域中；第一电极，其设置在其上设置有辅助线和多个阻挡层的基板的整个表面上；以及设置在第一电极上的有机层和设置在有机层上的第二电极。因此，可以改善照明装置的可靠性。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年7月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第2018-0086403号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法，并且更具体地，涉及一种具有改善的可靠性的使用有机发光二极管的照明装置。
背景技术
目前，荧光灯或白炽灯主要用作照明装置。其中，白炽灯具有良好的显色指数(CRI)，但具有非常低的能量效率。此外，荧光灯具有良好的效率，但显色指数低并且包含汞，这可能引起环境问题。
显色指数是表示颜色再现的指数。换言之，显色指数表示由特定光源照射的物体的颜色的感觉与由参考光源照射的物体的颜色的感觉相似的程度。太阳光的CRI是100。
为了解决相关技术的照明装置的问题，近来，建议将发光二极管(LED)作为照明装置。发光二极管由无机发光材料制成。发光二极管的发光效率在红色波长范围内最高，并且其发光效率朝向红色波长范围和具有最高可见度的绿色波长范围降低。因此，存在如下缺点：当红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管被组合以发射白光时，发光效率降低。
作为另一可替选方案，已经开发出使用有机发光二极管(OLED)的照明装置。有机发光二极管由依次形成在基板上的阳极、多个有机层和阴极配置。
包括在有机发光二极管中的多个有机层易受水分影响，使得当水分从外部渗透至有机层上时，在有机层中引起单元(cell)收缩。因此，有机发光二极管的可靠性劣化。
发明内容
本公开要实现的目的是提供一种抑制水分从外部渗透的使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法。
本公开要实现的另一目的是提供一种具有简化的结构的使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法。
本公开要实现的又一目的是提供一种在不添加掩模工艺的情况下通过剥离工艺在发光区域中形成多个阻挡层的使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法。
本公开的目的不限于上面提到的目的，并且本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解上面未提及的其他目的。
为了解决上述问题，根据本公开的一方面，一种使用有机发光二极管的照明装置被划分为第一区域和第二区域并且包括：基板；辅助线，其设置在基板上的第一区域中；多个阻挡层，其设置在基板上的第二区域中；第一电极，其设置在其上设置有辅助线和多个阻挡层的基板的整个表面上；以及设置在第一电极上的有机层和设置在有机层上的第二电极。因此，可以改善照明装置的可靠性。
为了解决上述问题，根据本公开的另一方面，一种使用有机发光二极管的照明装置的制造方法包括：提供被划分为第一区域和第二区域的基板；在基板上的第一区域中形成辅助线和感光膜图案；在形成有辅助线和感光膜图案的基板的整个表面上沉积第一无机阻挡层；在沉积有第一无机阻挡层的基板上的第二区域中涂覆有机阻挡层；在涂覆有有机阻挡层的基板的整个表面上沉积第二无机阻挡层；通过去除设置在第一区域中的感光膜图案来剥离沉积在感光膜图案上的第一无机阻挡层和第二无机阻挡层；在其上设置有辅助线、第一无机阻挡层、有机阻挡层和第二无机阻挡层的基板的整个表面上形成第一电极，以与在第一区域中露出的辅助线接触；在形成有第一电极的基板的整个表面上沉积有机层；以及在其上形成有有机层的基板的整个表面上沉积第二电极。因此，用于仅在第二区域中设置多个阻挡层的单独工艺不是必需的，使得制造工艺可以被简化。
示例性实施方案的其他详细内容包括在详细描述和附图中。
根据本公开，在特定区域中设置多个阻挡层以抑制从外部的水分渗透，从而改善照明装置的可靠性。
根据本公开，在阳极上没有设置单独的绝缘层，使得减小了照明装置的厚度并且提高了柔性。
根据本公开，通过剥离方法(lift-off method)去除多个阻挡层中的仅一些阻挡层，使得用于在发光区域中设置多个阻挡层的单独工艺不是必需的，并且因此制造工艺被简化。
根据本公开的效果不限于上面例举的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。
附图说明
从以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是示出根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的截面图；
图2A至图2C是示出根据本公开的一个示例性实施方案的有机层的堆叠体结构的截面图；
图3A是根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的前视图；
图3B是根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的照明单元的放大图；
图4是沿图3A的线I-I′截取的截面图；
图5A至图5K是依次示出根据图4中示出的本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法的平面图；
图6是根据本公开的另一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的截面图；以及
图7A至图7K是依次示出根据图6中示出的本公开的另一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法的平面图。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方案，本公开的优点和特性以及实现优点和特性的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方案，而是将以各种形式实现。示例性实施方案仅通过实施例的方式提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。
用于描述本公开的示例性实施方案的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例性的，并且本公开不限于此。遍及说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由......组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何引用可以包括复数，除非另有明确说明。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“紧靠”的术语描述两个部分之间的位置关系时，一个或更多个部分可以被定位在这两个部分之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接置于另一元件上或其间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种各样的部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与其他部件。因此，下面提到的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。
遍及说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于示出的部件的尺寸和厚度。
本公开的各种不同的实施方案的特征可以部分地或完整地彼此附接或组合，并且可以在技术上以各种不同的方式互锁和操作，并且所述实施方案可以彼此独立地执行或彼此相关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方案的照明装置。
图1是示出根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的截面图。
在本公开中，提供了使用由有机材料制成的有机发光二极管的照明装置，而不是使用由无机材料制成的无机发光二极管的照明装置。
由有机发光材料制成的有机发光二极管的绿色和红色的发光效率相对好于无机发光二极管的绿色和红色的发光效率。此外，与无机发光二极管相比，有机发光二极管具有相对较宽的红色、绿色和蓝色的发光峰的宽度，使得改善了显色指数(color renderingindex，CRI)，使得照明装置的光更类似于太阳光。
参照图1，根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置100包括执行表面发光的有机发光二极管单元110和封装有机发光二极管单元110的封装单元120。
具体地，有机发光二极管单元110可以从较下侧依次包括基板111、内部光提取层112、平坦化层113、阻挡层114、第一电极115、有机层116和第二电极117。
可以在有机发光二极管单元110下方另外提供用于增加雾度的外部光提取层118。然而，本公开不限于此并且本公开的照明装置100可以不包括外部光提取层。在此，外部光提取层118配置成使得诸如TiO2的散射颗粒被分散在树脂中，并且可以借助于粘结剂层(未示出)的方式附接在基板111下方。
另外，如下面将参照图3B描述的那样，有机发光二极管单元110还可以包括用于补偿第一电极115的导电性的辅助线AL。
基板111可以由透明玻璃制成。此外，基板111可以由具有柔性的聚合物材料诸如聚酰亚胺制成。
在此，发光的有机层116和设置在有机层116上和下方以向有机层116供应电荷的第一电极115和第二电极117形成有机发光二极管(OLED)。
例如，第一电极115可以是向有机层116供应空穴的阳极，而第二电极117可以是向有机层116供应电子的阴极，但不限于此，以及第一电极115和第二电极117的功能可以切换。
通常，第一电极115可以由是薄金属膜或具有高的功函数和良好导电性的透明金属氧化物材料的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成，以容易地注入空穴。在此，薄金属膜的具体具体示例可以由金属诸如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(A1)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)或其合金制成。第一电极115可以由单堆叠体配置，或者也可以由上面提到的材料制成的多堆叠体配置。
此外，第二电极117期望地由具有低的功函数的导电材料制成，以容易地将电子注入到有机层116。用于第二电极117的材料的具体实施例可以由金属诸如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)或其合金制成。第二电极117也可以由单堆叠体配置，以及由上面提到的材料制成的多堆叠体配置。
有机层116可以由包括红色有机发光层EML的单堆叠体结构配置，或者形成为具有包括多个红色有机发光层EML的多堆叠体串联结构，或包括红绿色有机发光层EML和天蓝色有机发光层EML的多堆叠体串联结构。
此外，有机层116可以包括：分别向有机发光层EML注入电子和空穴的电子注入层EIL和空穴注入层HIL；以及分别向发光层传输注入的电子和空穴的电子传输层ETL和空穴传输层HTL；以及生成电荷诸如电子和空穴的电荷生成层CGL。下面将参照图2A至图2C描述其具体结构。
当向第一电极115和第二电极117施加电流时，电子从第二电极117注入到有机层116，而空穴从第一电极115注入到有机层116。其后，在有机层116中生成激子。随着激子衰变，生成与发光层的最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)的能量差相对应的光。
在此，根据第一电极115和第二电极117的透射率和反射率，确定在有机层116中生成的光是向前表面发射还是向后表面发射。
在本公开的示例性实施方案中，如上所述，第一电极115是透明电极，而第二电极117用作反射电极。因此，从有机层116发射的光被第二电极117反射以传输通过第一电极115，使得光生成到有机发光二极管单元110的下部。也就是说，根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光二极管单元110可以执行底部发光。然而，本公开不限于此，而第一电极115用作反射电极，而第二电极117用作透明电极，使得有机发光二极管单元110可以执行顶部发光。
此外，阻挡层114设置在第一电极115下方，以阻挡水分、空气或微粒从基板111和内部光提取层112渗透。
为了抑制水分和空气的渗透，阻挡层114可以包括多个无机阻挡层，并且为了阻挡微粒，阻挡层114可以包括多个有机阻挡层。
具体地，如下面将参照图4描述的那样，根据本公开的阻挡层114可以仅设置在辅助线AL之间的区域，即，除设置辅助线AL的区域(即作为非发光区域的第一区域A1)外的作为发光区域的第二区域A2中。依次层叠第一无机阻挡层114a、有机阻挡层114b和第二无机阻挡层114c，并且第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c可以形成为以围绕有机阻挡层114b。下面将参照图4描述其细节。
内部光提取层112设置在基板111与阻挡层114之间，以增加从执行底部发光的有机发光二极管生成的光的外部提取效率。
内部光提取层112将钛氧化物TiO2颗粒嵌入到树脂中以增加内部光散射并增加表面粗糙度，从而增加光学提取效率。具体地，内部光提取层112可以通过喷墨涂覆法形成为具有450nm的厚度，钛氧化物TiO2颗粒的直径可以为200nm至300nm。然而，具体值可以根据照明装置100的设计的需要而变化为各种不同的值。
平坦化层113设置在内部光提取层112上，以补偿内部光提取层112的表面粗糙度，从而改善有机发光二极管单元110的可靠性。
平坦化层113通过将氧化锆颗粒嵌入到树脂中来配置并且补偿内部光提取层112的表面粗糙度。具体地，平坦化层113可以通过喷墨涂覆法形成为具有150nm的厚度，氧化锆颗粒的直径可以为50nm。然而，具体值可以根据照明装置100的设计的需要而变化为各种不同的值。
封装单元120覆盖有机发光二极管单元110，以通过阻挡来自外部的影响来保护有机发光二极管单元110。封装单元120包括：与第二电极117接触的粘结剂层121；与粘结剂层121接触的金属膜122；以及附接至金属膜122上的保护膜123。
粘结剂层121可以由压敏粘结剂(PSA)制成，其接合金属膜122和有机发光二极管单元110。粘结剂层121的厚度可以为30μm，但不限于此，可以根据照明装置100的设计的需要而变化为各种不同的值。
金属膜122设置在粘结剂层121上以保持照明装置100的刚性。为此，金属膜122可以由厚度为20μm的铜(Cu)制成，但不限于此，并且可以根据照明装置100的设计的需要而以各种不同的形式变化。
保护膜123设置在金属膜122上以吸收照明装置100的外部冲击并保护照明装置100。为此，保护膜123可以由是厚度为100μm的聚合物膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜制成，但不限于此，并且可以根据照明装置100的设计的需要而以各种不同的形式变化。
图2A至图2C是示出根据本公开的一个示例性实施方案的有机层的堆叠体结构的截面图。
具体地，图2A(并参考图1)示出了具有单堆叠体的有机层116，图2B示出了具有包括双堆叠体的串联结构的有机层116，以及图2C示出了具有包括三堆叠体的串联结构的有机层116。
参照图2A，有机层116由依次层叠的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、有机发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)配置。
空穴注入层HIL是将空穴从第一电极115流畅地注入到有机发光层EML的有机层。空穴注入层HIL可以由包括以下中的任何一种或更多种的材料制成：HAT-CN(二吡嗪并[2，3-f：2′，3′-h]喹喔啉-2，3，6，7，10.11-六腈)、CuPc(酞菁)、F4-TCNQ(2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基-醌二甲烷)以及NPD(N，N′-双(萘-1-基)-N，N′-双(苯基)-2，2′二甲基联苯胺)，但不限于此。
空穴传输层HTL是将空穴从空穴注入层HIL流畅地传送到有机发光层EML的有机层。例如，空穴传输层HTL可以由包括以下中的任何一种或更多种的材料制成：NPD(N，N′-双(萘-1-基)-N，N′-双(苯基)-2，2′-二甲基联苯胺)、TPD(N，N′-双-(3-甲基苯基)-N，N′-双-(苯基)-联苯胺)、s-TAD(2，2′，7，7′-四(N，N-二甲基氨基)-9，9-螺芴)以及MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)，但不限于此。
电子阻挡层EBL是阻挡穿越空穴传输层HTL的电子注入到有机发光层EML的有机层。电子阻挡层EBL阻挡电子的移动，以改善有机发光层EML中的空穴和电子的结合并改善有机发光层EML的发光效率。即使电子阻挡层EBL可以由与空穴传输层HTL相同的材料制成并且空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL可以形成为不同的层，但不限于此。可以结合空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL。
在有机发光层EML中，通过第一电极115供应的空穴和通过第二电极117供应的电子复合以生成激子。在此，生成激子的区域被称为发光区域(或发光区)或复合区。
有机发光层(EML)设置在空穴传输层HTL与电子传输层ETL之间，并且包括发射具有特定颜色的光的材料。在这种情况下，有机发光层EML可以包括发射红光的材料。
有机发光层EML可以具有主体-掺杂剂系统，即具有大重量比率的主体材料掺杂有具有小重量比率的发光掺杂剂材料的系统。
在这种情况下，有机发光层EML可以包括多种主体材料或者包括单个主体材料。包括多种主体材料或单个主体材料的有机发光层EML掺杂有红色磷光掺杂剂材料。也就是说，有机发光层EML是红色发光层，并且从有机发光层EML发射的光的波长范围可以是600nm至660nm。
红色磷光掺杂剂材料是能够发射红光的材料。从掺杂有红色磷光掺杂剂材料的有机发光层EML发射的光的EL光谱在红色波长区域中具有峰值或者在对应于红色的波长区域中具有峰值。
红色磷光掺杂剂材料可以由包括以下中的任何一种或更多种的材料制成：包括Ir(ppy)3(fac三(2-苯基吡啶)铱)(三(2-苯基吡啶)铱)、PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)Ir(piq)3(三(1-苯基异喹啉)铱)、Ir(piq)2(acac)(二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱)的铱(Ir)配位络合物、PtOEP(八乙基卟啉吗啡铂)PBD：Eu(DBM)3(Phen)以及二萘嵌苯，但不限于此。
从电子注入层EIL向电子传输层ETL供应电子。电子传输层ETL将供应的电子传送到有机发光层EML。
此外，电子传输层ETL执行与空穴阻挡层HBL相同的功能。空穴阻挡层可以抑制不参与复合的空穴从有机发光层EML泄漏。
例如，电子传输层ETL可以由以下中的任何一种或更多种制成：Liq(8-羟基喹啉内酯-锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑)、BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)以及BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)，但不限于此。
电子注入层EIL是将电子从第二电极117流畅地注入到有机发光层EML的层。例如，电子注入层EIL可以由包括碱金属或碱土金属离子形式诸如LiF、BaF2和CsF中的任何一种或更多种的材料制成，但不限于此。
根据使用有机发光二极管的照明装置100的结构或特性，可以省略电子注入层EIL和电子传输层ETL。
参照图2B，有机层116包括：第一堆叠体ST1，其包括第一有机发光层EML1；第二堆叠体ST2，其包括第二有机发光层EML2；以及电荷生成层CGL，其设置在第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间。
在此，第一堆叠体ST1包括电子注入层EIL、第一电子传输层ETL1、第一有机发光层EML1、第一电子阻挡层EBL1以及第一空穴传输层HTL1。第二堆叠体ST2包括第二电子传输层ETL2、第二有机发光层EML2、第二电子阻挡层EBL2、第二空穴传输层HTL2以及空穴注入层HIL，并且每个层的功能和配置如上所述。
同时，电荷生成层CGL设置在第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间。电荷生成层CGL向第一堆叠体ST1和第二堆叠体ST2供应电荷，以控制第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间的电荷平衡。
电荷生成层CGL包括N型电荷生成层N-CGL和P型电荷生成层P-CGL。N型电荷生成层N-CGL与第二电子传输层ETL2接触，P型电荷生成层P-CGL设置在N型电荷生成层N-CGL与第一空穴传输层HTL1之间。电荷生成层CGL可以由包括N型电荷生成层N-CGL和P型电荷生成层P-CGL的多个层配置，但不限于此，并且可以由单堆叠体配置。
N型电荷生成层N-CGL将电子注入到第一堆叠体ST1。N型电荷生成层N-CGL可以包括N型掺杂剂材料和N型主体材料。N型掺杂剂材料可以是元素周期表上第1族和第2族的金属、可以注入电子的有机材料或其混合物。例如，N型掺杂剂材料可以是碱金属和碱土金属中的任何一种。也就是说，N型电荷生成层N-CGL可以由掺杂有碱金属诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)或碱土金属诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)的有机层116制成，但不限于此。N型主体材料可以由能够传送电子的材料制成，例如可以由以下中的任何一种或更多种制成：Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、Liq(8-羟基喹啉内酯-锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4恶二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑)、螺-PBD、以及BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)、SAlq、TPBi(2，2′，2-(1，3，5-苯甲酸三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑))、恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑和苯并噻唑，但不限于此。
P型电荷生成层P-CGL将空穴注入到第二堆叠体ST2。P型电荷生成层P-CGL可以包括P型掺杂剂材料和P型主体材料。P型掺杂剂材料可以由金属氧化物、有机材料诸如四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)、HAT-CN(六氮杂苯并菲-六腈)或六氮杂苯并菲或金属材料诸如V2O5、MoOx和WO3制成，但不限于此。P型主体材料可以由能够传送空穴的材料制成，例如可以由包括以下中的任何一种或更多种的材料制成：NPD(N，N-二萘基-N，N′-二苯基联苯胺)(N，N′-双(萘-1-基)-N，N′-双(苯基)-2，2′-二甲基联苯胺)、TPD(N，N′-双-(3-甲基苯基)-N，N′-双-(苯基)-联苯胺)以及MTDATA(4，4′，4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)，但不限于此。
参照图2C，有机层116包括：第一堆叠体ST1，其包括第一有机发光层EML1；第二堆叠体ST2，其包括第二有机发光层EML2；第三堆叠体ST3，其包括第三有机发光层EML3；第一电荷生成层CGL1，其被设置在第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间；以及第二电荷生成层CGL2，其被设置在第二堆叠体ST2与第三堆叠体ST3之间。
在此，第一堆叠体ST1包括电子注入层EIL、第一电子传输层ETL1、第一有机发光层EML1、第一电子阻挡层EBL1以及第一空穴传输层HTL1。第二堆叠体ST2包括第二电子传输层ETL2、第二有机发光层EML2、第二电子阻挡层EBL2以及第二空穴传输层HTL2。第三堆叠体ST3包括第三电子传输层ETL3、第三有机发光层EML3、第三电子阻挡层EBL3、第三空穴传输层HTL3以及空穴注入层HIL。每个层的功能和配置如上所述。
第一电荷生成层CGL1包括第一N型电荷生成层N-CGL1和第一P型电荷生成层P-CGL1，第一N型电荷生成层N-CGL1与第二电子传输层ETL2接触。第一P型电荷生成层P-CGL1设置在第一N型电荷生成层N-CGL1与第一空穴传输层HTL1之间。
第二电荷生成层CGL2包括第二N型电荷生成层N-CGL2和第二P型电荷生成层P-CGL2，并且第二N型电荷生成层N-CGL2与第三电子传输层ETL3接触。第二P型电荷生成层P-CGL2设置在第二N型电荷生成层N-CGL2与第二空穴传输层HTL2之间。第一和第二电荷生成层CGL1和CGL2的功能和配置如上所述。
在此，第一有机发光层EMLl和第三有机发光层EML3是红绿色有机发光层，并且从第一有机发光层EMLl和第三有机发光层EML3发射的光的波长范围可以是520nm至580nm。第二有机发光层EML2是天蓝色有机发光层，并且从第二有机发光层EML2发射的光的波长范围可以是450nm至480nm。
图3A是根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的前视图。图3B是根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的照明单元的放大图。
图4是沿图3A的线I-I′截取的截面图。具体地，图3A示出了第一电极115、第二电极117和封装单元120的布置。图4不仅示出了第二电极117和第二接触电极117p的连接关系以及第一电极115和第一接触电极115p的连接关系，而且还示出了第一区域A1和第二区域A2中的部件的布置。
如图3A和图4中所示，第一电极115设置在基板111上，第二电极117设置在第一电极115上，并且封装单元120被设置成以覆盖第二电极117。
在此，第一电极115和第二电极117的交叠区域可以被定义为照明单元EA，在照明单元EA处从设置在第一电极115与第二电极117之间的有机层116生成光。
换言之，根据本公开的照明装置100可以被划分为实际向外部发射光的照明单元EA和通过第一和第二接触电极115p和117p电连接至外部以向照明单元EA施加信号的焊盘单元PA1和PA2。
焊盘单元PA1和PA2不被诸如金属膜122的封装单元阻挡，使得焊盘单元PA1和PA2可以通过第一和第二接触电极115p和117p电连接至外部。因此，金属膜122可以附接至除焊盘单元PA1和PA2外的基板111的照明单元EA的整个表面上。然而，本公开不限于此。
也就是说，在照明单元EA的外边缘处的焊盘单元PA1和PA2中，没有形成有机层116、第二电极117、粘结剂层121和金属膜122，使得第一和第二接触电极115p和117p露出到外部。
焊盘单元PA1和PA2可以位于照明单元EA的外侧。在图3A中，尽管示出了第二焊盘单元PA2位于第一焊盘单元PA1之间，但本公开不限于此。
此外，在图3A中，尽管示出了焊盘单元PA1和PA2仅位于照明单元EA的一个外侧处，但本公开不限于此。因此，本公开的焊盘单元PA1和PA2可以设置在照明单元EA的一个外侧和另一外侧中。此外，本公开的第一焊盘单元PA1可以位于照明单元EA的一个外侧处，而第二焊盘单元PA2可以位于照明单元EA的另一外侧处。
对此，设置在第一焊盘单元PA1中的第一接触电极115p在同一层上由与设置在照明单元EA中的第一电极115相同的材料制成。因此，第一接触电极115p在形成第一电极115时通过相同的工艺形成以电连接至第一电极115。
设置在第二焊盘单元PA2中的第二接触电极117p在同一层上由与通过相同工艺设置在照明单元EA中的第一电极115相同的材料制成。然而，第二接触电极117p与第一电极115和电连接至第一电极115的辅助线AL分离并且通过接触部电连接至第二电极117。
因此，设置在第一焊盘单元PA1中的第一接触电极115p可以将从外部施加的信号传送到第一电极115。此外，设置在第二焊盘单元PA2中的第二接触电极117p可以将从外部施加的信号传送到第二电极117。
同时，第一电极115由透明导电层制成，以具有发射的光透射第一电极的优点，但是也具有与不透明金属相比电阻非常高的缺点。因此，当制造大尺寸照明装置100时，施加到大型照明单元EA的电流的分布由于透明高电阻导电层的高电阻而不均匀。因此，大尺寸照明装置由于不均匀的电流分布而不能发射具有均匀亮度的光。
因此，如图3B和图4中所示，为了以大尺寸照明装置100的均匀亮度发射的目的，可以设置电连接至第一电极115的辅助线AL，第一电极115使施加到照明单元EA的电流的分布均匀。
辅助线AL以具有小厚度的网状(net shape)、网格形状(mesh shape)、六边形或八边形形状或圆形形状设置在整个照明单元EA上方。辅助线AL可以由具有良好导电性的金属诸如铝(A1)、金(Au)、铜(Cu)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)或其合金制成。即使在附图中未示出，但辅助线AL可以配置成具有上辅助线AL和下辅助线AL的双堆叠体结构，但本公开不限于此，并且辅助线可以由单堆叠体配置。
在此，在图4中，示出了电连接至第一电极115的辅助线AL设置在第一电极115下方以与第一电极115电接触。然而，本公开不限于此并且辅助线AL可以设置在第一电极115上方。
此外，如图3B和图4中所示，在向其供应电流的第一电极115中形成短路减少图案SR以形成窄路径，并且多个有机层116覆盖短路减少图案SR以抑制整个板的短路。也就是说，短路减少图案SR形成为围绕各个像素的发光区域A2的外边缘，并且向各个像素添加电阻(resistor)以限制电流在生成短路的区域中流动。
在下文中，将参照图4详细描述根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的特定堆叠体结构。
如图4中所示，根据本公开的示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置100包括：发光区域A2，其中，在多个有机层116中生成的光被发射到下部；以及非发光区域A1，其中，到下部的光被不透明的辅助线阻挡。
在此，如图3B中所示，多个发光区域A2可以形成以配置各个像素，而非发光区域A1可以形成为以矩阵形状围绕发光区域A2。
为了便于描述，在下面的描述中将非发光区域定义为第一区域A1并且将发光区域定义为第二区域A2。
在第一区域A1中，辅助线AL设置在基板111上，并且第一电极115设置在辅助线AL上。
在第二区域A2中，多个阻挡层114a、114b和114c设置在基板111上，并且第一电极115设置在多个阻挡层114a、114b和114c上。
在此，如上所述，在设置在第二区域A2中的第一电极115中，可以形成在第二区域A2的外边缘实现窄路径的短路减少图案SR。如上所述，在整个面板中，短路减少图案SR形成为围绕作为各个像素的发光区域的第二区域A2的外边缘并向各个像素添加电阻以限制电流在生成短路的区域中流动。
此外，形成在第一区域A1中的第一电极115和设置在第二区域A2中的第一电极115由相同的材料制成并且设置在同一层上以彼此电连接。
如上所述，在第一区域A1和第二区域A2中，多个有机层116、第二电极117、粘结剂层121和金属膜122可以设置在第一电极115上。
在此，设置在第二区域A2的基板111上的多个阻挡层114a、114b和114c可以由从下部依次层叠的第一无机阻挡层114a、有机阻挡层114b和第二无机阻挡层114c来构造。
具体地，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c可以形成为围绕有机阻挡层114b的包括上表面、下表面、左表面和右表面的所有表面。
此外，如上所述，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c执行防水分功能，而有机阻挡层114b用于阻挡微粒。因此，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c可以由为无机绝缘材料的A12O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx中的一种制成。此外，有机阻挡层114b可以由丙烯酸树脂或环氧树脂制成，并且具体地可以由光压克力(PAC)制成。
此外，多个阻挡层114a、114b和114c可以使用由有机和无机组分制成的基于硅氧烷的混合材料来改善阻挡性。
通常，当第一和第二无机阻挡层114a和114c是通过化学气相沉积(CVD)方法形成的薄膜时，厚度为约
至
此外，当第一和第二无机阻挡层是通过原子层沉积(ALD)工艺形成的膜时，厚度为约
至
在有机阻挡层114b的情况下，使用喷墨工艺或狭缝涂覆工艺来施加1μm至5μm的厚度。然而，厚度可以根据工艺或环境而减小或增加到预定水平。也就是说，有机阻挡层114b的厚度可以比第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c的厚度中的每一个厚度厚。
如上所述，辅助线AL设置在第一区域A1中，而多个阻挡层114a、114b和114c设置在第二区域A2中。此外，第一电极115和多个有机层116设置在第一区域A1和第二区域A2的整个表面中，以围绕辅助线和多个阻挡层。
与本公开的示例性实施方案不同，当在第一区域A1和第二区域A2的所有表面上形成多个阻挡层114a、114b和114c之后形成辅助线AL时，在分别形成在第一区域A1和第二区域A2中的第一电极115与有机层116之间形成台阶。因此，有机层116由于弱的外力而被损坏，使得第一电极115和第二电极117短路。为了解决上面提到的问题，可以在第一电极115与多个有机层116之间设置绝缘层以抑制有机层116的短路，这会增加照明装置的厚度。
因此，在本公开的一个示例性实施方案中，仅辅助线AL设置在第一区域A1中，并且仅多个阻挡层114a、114b和114c设置在第二区域A2中。因此，设置在第一区域A1和第二区域A2中的第一电极115与有机层116之间的台阶减小。更具体地，多个阻挡层114a、114b和114c的厚度之和比辅助线AL的厚度厚，以减小第一电极115和有机层116的台阶。在此，厚度是指在竖直方向上的堆叠体厚度。
因此，有机层116不会被外部冲击损坏，使得可以改善根据本公开的示例性实施方案的包括有机发光二极管的照明装置100不受外部冲击的可靠性。
此外，由于改善了在第一区域A1和第二区域A2中生成的有机层116的可靠性，因此用于增强可靠性的上述绝缘层对于多个有机层116不是必需的。因此，根据本公开的一个示例性实施方案的包括有机发光二极管的照明装置100的厚度被减小以促进小的厚度。此外，照明装置100变薄，使得改善了柔性。
此外，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c可以形成为覆盖有机阻挡层114b的包括上表面、下表面、左表面和右表面的所有表面。
也就是说，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c不仅在水平方向上延伸，而且在竖直方向上延伸，使得不仅阻挡水分从下部渗透，而且阻挡水分从侧表面渗透。因此，根据本公开的一个示例性实施方案的包括有机发光二极管的照明装置100不仅包括竖直水分渗透阻挡功能，而且包括来自外部的侧向的水分渗透阻挡功能，使得水分不会施加到有机层116。因此，有机层116的单元(cell)收缩可以被抑制。因此，包括有机发光二极管的照明装置100的扭曲(warpage)被抑制，以改善照明装置100的可靠性。
图5A至图5K是依次示出根据图4中示出的本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法的平面图。
在下文中，将参考根据图1至图4中示出的本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置。
参照图5A，可以在被划分为照明单元EA和焊盘单元PA1和PA2的基板111的整个表面上沉积金属膜ME。
基板111可以由透明玻璃制成。此外，基板111可以由具有柔性的聚合物材料诸如聚酰亚胺制成。
层叠在基板111上的金属膜ME可以由具有良好导电性的金属诸如铝(A1)、金(Au)、铜(Cu)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)或其合金制成。尽管未示出，但金属膜ME可以具有双堆叠体结构，但是本公开不限于此并且可以配置成具有单堆叠体。
接下来，参照图5B和图5C，仅在设置在作为非发光区域的第一区域A1中的金属膜ME上形成感光膜图案PR，并且使用感光膜图案PR作为掩模来蚀刻金属膜ME以在第一区域A1中形成辅助线AL。
在此，当使用感光膜图案PR作为掩模蚀刻金属膜ME时，可以使用各种不同的蚀刻方法。然而，为了便于处理，可以执行使用蚀刻剂的湿法蚀刻方法。
接下来，参照图5D，在其上形成有辅助线AL和感光膜图案PR的基板111的整个表面上沉积第一无机阻挡层114a。在此，第一无机阻挡层114a可以通过原子层沉积方法形成，但不限于此并且可以使用诸如物理气相沉积方法和化学气相沉积方法的各种不同的沉积方法。
在此，第一无机阻挡层114a可以由作为无机绝缘材料的Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx中的一种制成。
当第一无机阻挡层114a是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第一无机阻挡层可以被沉积成具有约
至
的厚度。此外，当第一无机阻挡层是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第一无机阻挡层可以被沉积成具有约
至
的厚度。然而，厚度可以根据工艺或环境而减小或增加到预定水平。
接下来，参照图5E，在其上沉积有第一无机阻挡层114a的基板111上的第二区域A2中涂覆有机阻挡层114b。在使用涂覆方法时，可以在使用狭缝涂覆法涂覆整个表面之后使用光学处理仅保留期望的区域，或者可以使用喷墨涂覆法仅在期望的区域中仅形成有机膜。
在此，有机阻挡层114b可以由丙烯酸树脂或环氧树脂制成，并且具体地，可以由光压克力(photoacryl，PAC)制成。
可以使用喷墨工艺或狭缝涂覆工艺将有机阻挡层114b形成为具有1μm至5μm的厚度，并且厚度可以根据工艺或环境而减小或增加到预定水平。
接下来，参照图5F，在其上沉积有有机阻挡层114b的基板111的整个表面上沉积第二无机阻挡层114c。在此，第二无机阻挡层114c可以如第一无机阻挡层114a的沉积一样通过原子层沉积方法形成，但不限于此，并且可以使用诸如物理气相沉积方法和化学气相沉积方法的各种不同的沉积方法。
在此，第二无机阻挡层114c可以由Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx中的一种制成。
当第二无机阻挡层114c是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第二无机阻挡层可以被沉积成具有约
至
的厚度。此外，当第二无机阻挡层是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第二无机阻挡层可以被沉积成具有约
至
的厚度。然而，厚度可以根据工艺或环境而减小或增加到预定水平。
接下来，参照图5G，设置在第一区域A1中的感光膜图案PR被去除，以剥离沉积在感光膜图案PR上的第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c。
具体地，如图5F中所示，在第一区域A1中，辅助线AL、感光膜图案PR、第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c沉积在基板111上。
因此，当去除设置在第一区域A1中的感光膜图案PR时，也去除了沉积在感光膜图案PR上的第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c。该方法被称为剥离方法。
通过这样做，设置在第一区域A1中的辅助线AL露出到外部。
在此，存在用于去除感光膜图案PR的各种各样的方法。然而，在根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法中，作为用于去除感光膜图案PR的方法，将强脉冲光(IPL)照射至感光膜图案PR上或者可以在向感光膜图案PR添加光解催化剂之后将紫外线照射至包括光解催化剂的感光膜图案PR上。
具体地，当将强脉冲光(IPL)照射至感光膜图案PR上时，照射约360J的激光短时间的2ms以去除感光膜图案PR。
光解催化剂可以是二氧化钛TiO2或硬脂酸铈，并且在将紫外线照射至包括光解催化剂的感光膜图案PR上之后，对光分解的感光膜图案PR进行漂洗(rinse)或吹气以将其去除。
如上所述，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c通过剥离方法被去除，使得第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c可以仅在第二区域A2中被图案化。也就是说，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c在不使用单独的掩模工艺的情况下被图案化，使得这是有利的，因为该工艺被简化。
此外，使用感光膜图案PR作为掩模来图案化辅助线AL，并且去除感光膜图案PR以剥离第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c。因此，设置在第一区域A1中的辅助线AL和设置在第二区域A2中的第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c可以是自对准的。因此，辅助线AL和第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c的图案可以更精确地对准，使得还可以提高工艺的准确度。
接下来，参照图5H，诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的氧化物材料或薄金属膜被沉积成被图案化以形成第一电极115、第一接触电极115p和第二接触电极117p。
换言之，第一电极115、第一接触电极115p和第二接触电极117p可以通过相同的图案化工艺由相同的材料制成，例如薄金属膜或作为氧化物材料的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。
在此，薄金属膜的具体实施例可以由金属诸如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)或其合金制成。第一电极115可以由单堆叠体配置，或者也可以由上面提到的材料制成的多堆叠体配置。
具体地，如上所述，在照明单元EA中形成的第一电极115中，可以形成在第二区域A2的外边缘实现窄路径的短路减少图案SR。
在一些示例性实施方案中，为了抑制第一电极115和第二电极117的短路，还可以包括在其上形成有辅助线和短路减少图案SR的第一电极115上形成的绝缘层。
绝缘层设置在第一电极115与第二电极117之间，以抑制由于有机层116的损坏而引起的第一电极115和第二电极117的短路。
具体地，绝缘层被配置成覆盖形成在辅助线AL和第一电极115上的短路减少图案SR。如上所述，绝缘层形成为以围绕辅助线AL以减小由于辅助线AL而引起的台阶。因此，可以在不被短路的情况下稳定地形成其后在绝缘层上形成的各种不同的层。
在此，绝缘层可以由诸如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的无机材料制成。此外，绝缘层可以由诸如光压克力(PAC)的有机层配置，以及还由无机层和有机层的多个层配置。
此外，第一接触电极115p形成在第一焊盘单元PA1中，以电连接至第一电极115和辅助线AL。第二接触电极117p形成在第二焊盘单元中，以相对于第一电极115和辅助线AL电短路。
接下来，参照图5I，在第一电极115上沉积多个有机层116。在此，多个有机层116被沉积以覆盖所有第一电极115和辅助线AL，使得第二接触电极117p相对于第一电极115和辅助线AL电短路。
在一些示例性实施方案中，为了限制沉积有机层116的范围并改善沉积的有机层116的侧边缘可靠性，还可以在沉积在照明单元EA上的有机层116的侧边缘处形成坝结构以与有机层116接触。
坝结构可以由诸如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的无机材料或诸如光压克力(PAC)的有机材料制成或者由无机材料或有机材料的多个层配置，以抑制第一电极115与第二电极117之间的电接触。
接下来，参照图5J，第二电极117被沉积以覆盖多个有机层116。
在此，第二电极117可以由金属诸如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)或其合金制成。此外，第二电极117可以形成为单堆叠体，或者也可以形成为由上面提到的材料制成的多堆叠体。第二电极117的一侧形成为通过接触孔CNT电连接至第二接触电极117p。
接下来，参照图5K，在除第一和第二焊盘单元PA1和PA2外的基板111的照明单元的整个表面上，形成压敏粘结剂(PSA)层121和金属膜122。此外，从上部到下部对金属膜122施加压力以接合金属膜122，从而完成照明装置。
如上所述，根据本公开的一个示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c在不使用单独的掩模工艺的情况下被图案化，使得该工艺可以被简化。此外，设置在第一区域A1中的辅助线AL和设置在第二区域A2中的第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c是自对准的，使得辅助线AL和第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c的图案可以更精确地对准。因此，还可以改善工艺的准确度。
在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置。本公开的示例性实施方案与本公开的另一示例性实施方案之间的不同在于多个阻挡层214a、214b和214c的边缘形状。因此，省略对本公开的示例性实施方案和本公开的另一示例性实施方案的相同部分的描述，并且将主要描述多个阻挡层214a、214b和214c的边缘形状。
图6是根据本公开的另一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的截面图。
在根据本公开的另一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置200中，多个阻挡层214a、214b和214c具有圆化的(round)边缘。
具体地，在图6的边缘区域EG中，邻接在第一电极115上的第二无机阻挡层214c的边缘具有圆化形状(round shape)，并且邻接在具有圆化的边缘的第二无机阻挡层214c上的有机阻挡层214b也可以具有圆化的边缘。
如上所述，根据本公开的另一示例性实施方案，多个阻挡层214a、214b和214c具有圆化的边缘，使得第一电极115和多个阻挡层214a、214b和214c的接触特性得到改善以抑制第一电极115的开裂。
当第一电极115的开裂被抑制时，邻接在第一电极115上的有机层116的可靠性改善。因此，与本公开的所述示例性实施方案相比，本公开的另一示例性实施方案可以改善照明装置200的可靠性。
图7A至图7K是依次示出根据图6中示出的本公开的另一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法的平面图。
接下来，将参照图7A至图7K描述根据本公开的另一示例性实施方案的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法。
如上所述，本公开的示例性实施方案与本公开的另一示例性实施方案之间的不同在于多个阻挡层214a、214b和214c的边缘形状。因此，将详细描述形成多个阻挡层214a、214b和214c的边缘形状的制造方法。
如图7A至图7D中所示，在基板上形成辅助线AL、感光膜图案PR和第一无机阻挡层214a的过程与图5A至图5D涉及根据本公开的示例性实施方案的有机发光二极管的照明装置的制造方法的内容相同，使得将省略多余的描述。
在此，当第一无机阻挡层214a是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第一无机阻挡层214a可以被沉积成具有约
至
的厚度。此外，当第一无机阻挡层是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第一无机阻挡层可以被沉积成具有约
至
的厚度。然而，厚度可以根据工艺或环境而减小或增加到预定水平。
接下来，参照图7E，在其上沉积有第一无机阻挡层214a的基板111上的第二区域A2中涂覆有机阻挡层214b。在使用涂覆方法时，可以在使用狭缝涂覆法涂覆整个表面之后使用光学处理仅保留期望的区域，或者可以使用喷墨涂覆法仅在期望的区域中仅形成有机膜。
在此，有机阻挡层214b可以由丙烯酸树脂或环氧树脂制成，并且具体地，可以由光压克力(PAC)制成。
此外，在本公开的另一示例性实施方案中，有机阻挡层214b的边缘可以具有圆化的形状。
如上所述，可以使用喷墨工艺或狭缝涂覆工艺将有机阻挡层214b形成为具有1μm至5μm的厚度，并且厚度可以根据工艺或环境而减小或增加到预定水平。
接下来，参照图7F，在其上沉积有有机阻挡层214b的基板111的整个表面上沉积第二无机阻挡层214c。在此，第二无机阻挡层214c可以如第一无机阻挡层214a的沉积一样通过原子层沉积方法形成，但不限于此，并且可以使用诸如物理气相沉积方法和化学气相沉积方法的各种各样的沉积方法。
在此，第二无机阻挡层214c可以由Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx中的一种制成。
当第二无机阻挡层214c是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第二无机阻挡层214c可以被沉积成具有约
至
的厚度。此外，当第二无机阻挡层是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第二无机阻挡层可以被沉积成具有约
至
的厚度。然而，厚度可以根据工艺或环境而减小或增加到预定水平。
根据本公开的另一示例性实施方案，有机阻挡层214b的边缘具有圆化的形状，使得第二无机阻挡层214c也可以包括根据包括圆化的边缘的有机阻挡层214b的形状的圆化的边缘。
接下来，如图7G中所示，设置在第一区域A1中的感光膜图案PR被去除，以剥离沉积在感光膜图案PR上的第一无机阻挡层214a和第二无机阻挡层214c。
接下来，如图7H中所示，在其上形成有辅助线AL和多个阻挡层214a、214b和214c的基板的整个表面上形成包括短路减少图案SR的第一电极115。第一接触电极115p形成在第一焊盘单元PA1中以电连接至第一电极115和辅助线AL。此外，第二接触电极117p形成在第二焊盘单元中以与第一电极115和辅助线AL电短路。
接下来，参照图7I，在第一电极115上沉积多个有机层116。在此，多个有机层116沉积以覆盖所有第一电极115和辅助线AL，使得第二接触电极117p相对于第一电极115和辅助线AL电短路。
接下来，参照图7J，第二电极117被沉积以覆盖多个有机层116。
接下来，参照图7K，在除第一和第二焊盘单元PA1和PA2外的基板111的照明单元的整个表面上，形成压敏粘结剂(PSA)层121和金属膜122。此外，从上部到下部对金属膜122施加压力以接合金属膜122，从而完成照明装置。
如上所述，根据本公开的另一示例性实施方案，如从边缘区域EG看到的，多个阻挡层214a、214b和214c被制造成具有圆化的边缘，使得第一电极115和多个阻挡层214a、214b和214c的接触特性得到改善以抑制第一电极115的开裂。
当第一电极115的开裂被抑制时，邻接在第一电极115上的有机层116的可靠性改善，使得与本公开的示例性实施方案相比，本公开的另一示例性实施方案可以改善照明装置200的可靠性。
本公开的示例性实施方案还可以描述如下：
根据本公开的一方面，一种使用有机发光二极管的照明装置被划分为第一区域和第二区域并且包括：基板；辅助线，其设置在基板上的第一区域中；多个阻挡层，其设置在基板上的第二区域中；第一电极，其设置在其上设置有辅助线和多个阻挡层的基板的整个表面上；以及设置在第一电极上的有机层和设置在有机层上的第二电极。因此，可以改善照明装置的可靠性。
第一无机阻挡层和第二无机阻挡层可以围绕有机阻挡层。
有机阻挡层的厚度可以比第一无机阻挡层和第二无机阻挡层中的任何一个的厚度更厚。
有机阻挡层可以由光压克力(PAC)制成。
有机阻挡层和第二无机阻挡层可以包括圆化的边缘。
多个阻挡层的厚度之和可以比辅助线的厚度更厚。
第一电极可以包括在第二区域的外边缘实现窄路径的短路减少图案。
第一区域可以是非发光区域，以及第二区域是发光区域。
设置在第一区域中的辅助线可以通过剥离工艺被露出。
使用有机发光二极管的照明装置还可以包括：第一接触电极，其电连接至第一电极并且在第一焊盘单元中露出到外部；以及第二接触电极，其电连接至第二电极并且在第二焊盘单元中露出到外部。
根据本公开的另一方面，一种使用有机发光二极管的照明装置的制造方法包括：提供被划分为第一区域和第二区域的基板；在基板上的第一区域中形成辅助线和感光膜图案；在其上形成有辅助线和感光膜图案的基板的整个表面上沉积第一无机阻挡层；在其上沉积有第一无机阻挡层的基板上的第二区域中涂覆有机阻挡层；在其上涂覆有有机阻挡层的基板的整个表面上沉积第二无机阻挡层；通过去除设置在第一区域中的感光膜图案来剥离沉积在感光膜图案上的第一无机阻挡层和第二无机阻挡层；在其上设置有辅助线、第一无机阻挡层、有机阻挡层和第二无机阻挡层的基板的整个表面上形成第一电极，以与在第一区域中露出的辅助线接触；在其上形成有第一电极的基板的整个表面上沉积有机层；以及在其上形成有有机层的基板的整个表面上沉积第二电极。因此，用于仅在第二区域中设置多个阻挡层的单独工艺不是必需的，使得制造工艺可以被简化。
辅助线和感光膜图案的形成可以包括：在基板的整个表面上沉积金属层；在其上沉积有金属层的基板的第一区域中形成感光膜图案；以及使用感光膜图案作为掩模来蚀刻沉积在基板的第二区域中的金属层。
在第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的沉积中，可以通过原子层沉积(ALD)方法沉积第一无机阻挡层和第二无机阻挡层。
在第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的剥离中，可以将强脉冲光(IPL)照射至感光膜图案上以去除感光膜图案。
在第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的剥离中，感光膜图案可以添加有光解催化剂，可以将紫外线照射至感光膜图案上以活化光解催化剂并去除感光膜图案。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方案，但本公开不限于此并且可以在不脱离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施方案仅用于说明目的，而不是旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方案在所有方面都是说明性的，并不限制本公开。本公开的保护范围应当基于以下权利要求书来解释，并且在其等同范围内的所有技术概念应当被解释为落入本公开的范围内。
Claims (15)
1.一种使用有机发光二极管的照明装置，所述照明装置被划分为第一区域和第二区域，所述照明装置包括：
基板；
辅助线，其设置在所述基板上的所述第一区域中；
多个阻挡层，其设置在所述基板上的所述第二区域中；
第一电极，其设置在其上设置有所述辅助线和所述多个阻挡层的所述基板的整个表面上；
有机层，其设置在所述第一电极上；
第二电极，其设置在所述有机层上；以及
其中所述多个阻挡层包括依次层叠的第一无机阻挡层、有机阻挡层和第二无机阻挡层，
其中所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层围绕所述有机阻挡层。
2.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述有机阻挡层的厚度比所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层中的任何一个的厚度更厚。
3.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中，所述有机阻挡层由光压克力制成。
4.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中，所述有机阻挡层和所述第二无机阻挡层包括圆化的边缘，其中所述圆化的边缘指所述边缘具有圆化的形状。
5.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述多个阻挡层的厚度之和比所述辅助线的厚度更厚。
6.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述第一电极包括在所述第二区域的外边缘的短路减少图案，所述短路减少图案形成为围绕所述第二区域的外边缘。
7.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述第一区域是非发光区域，以及所述第二区域是发光区域。
8.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中设置在所述第一区域中的所述辅助线通过剥离工艺被露出。
9.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，还包括：
第一接触电极，其电连接至所述第一电极并且在第一焊盘单元中露出到外部，以及
第二接触电极，其电连接至所述第二电极并且在第二焊盘单元中露出到外部。
10.一种使用有机发光二极管的照明装置的制造方法，包括：
提供被划分为第一区域和第二区域的基板；
在所述基板上的所述第一区域中形成辅助线和感光膜图案；
在其上形成有所述辅助线和所述感光膜图案的所述基板的整个表面上沉积第一无机阻挡层；
在其上沉积有所述第一无机阻挡层的所述基板上的所述第二区域中涂覆有机阻挡层；
在其上涂覆有所述有机阻挡层的所述基板的整个表面上沉积第二无机阻挡层；
通过去除设置在所述第一区域中的所述感光膜图案来剥离沉积在所述感光膜图案上的所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层；
在其上设置有所述辅助线、所述第一无机阻挡层、所述有机阻挡层和所述第二无机阻挡层的所述基板的整个表面上形成第一电极，以与在所述第一区域中露出的所述辅助线接触；
在其上形成有所述第一电极的所述基板的整个表面上沉积有机层；以及
在其上形成有所述有机层的所述基板的整个表面上沉积第二电极；以及
其中，所述形成辅助线和感光膜图案的步骤包括：
在所述基板的所述整个表面上沉积金属层；
在其上沉积有所述金属层的所述基板的所述第一区域中形成所述感光膜图案；以及
使用所述感光膜图案作为掩模来蚀刻沉积在所述基板的所述第二区域中的所述金属层。
11.根据权利要求10所述的制造方法，
其中在所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层的沉积的步骤中，
通过原子层沉积(ALD)方法沉积所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层。
12.根据权利要求10所述的制造方法，
其中在所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层的剥离的步骤中，
将强脉冲光照射至所述感光膜图案上以去除所述感光膜图案。
13.根据权利要求10所述的制造方法，
其中在所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层的剥离的步骤中，
所述感光膜图案中添加有光解催化剂，将紫外线照射至所述感光膜图案上以活化所述光解催化剂并去除所述感光膜图案。
14.根据权利要求10所述的制造方法，
其中，所述有机阻挡层由光压克力制成。
15.根据权利要求10所述的制造方法，
其中，所述有机阻挡层和所述第二无机阻挡层包括圆化的边缘，其中所述圆化的边缘指所述边缘具有圆化的形状。
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