CN105609526A - 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器 - Google Patents

具有提高的开口率的有机发光二极管显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN105609526A
CN105609526A CN201510755190.2A CN201510755190A CN105609526A CN 105609526 A CN105609526 A CN 105609526A CN 201510755190 A CN201510755190 A CN 201510755190A CN 105609526 A CN105609526 A CN 105609526A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pixel
electrode
metal
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510755190.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105609526B (zh
Inventor
林敬伟
崔宰元
金民圭
张世昌
蔡宗廷
V·古普塔
朴英培
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apple Inc
Original Assignee
Apple Computer Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apple Computer Inc filed Critical Apple Computer Inc
Priority to CN201811211664.7A priority Critical patent/CN109300962B/zh
Publication of CN105609526A publication Critical patent/CN105609526A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105609526B publication Critical patent/CN105609526B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明涉及具有提高的开口率的有机发光二极管显示器。有机发光二极管显示器可以具有像素的阵列。每个像素可以具有有机发光二极管，该有机发光二极管具有阳极和阴极。阳极可以由图案化的金属层形成。像素中的薄膜晶体管电路可以包括晶体管，诸如驱动晶体管和切换晶体管。数据线可以将数据信号供应给像素并且水平控制线可以将控制信号供应给晶体管的栅极。切换晶体管可以被耦接在电压初始化线与每个阳极之间。可以使用与形成阳极的金属层不同的金属层来形成薄膜晶体管电路中的电容器结构和电压初始化线。

Description

具有提高的开口率的有机发光二极管显示器
本申请要求2014年11月17日提交的美国专利申请No.14/543,088的优先权，其整体通过参考被并入于此。
技术领域
本申请一般涉及显示器，并且，更特别地涉及有机发光二极管显示器。
背景技术
电子设备经常包括显示器。有机发光二极管显示器可以表现出期望的属性，诸如广视场、紧凑的尺寸以及低功率消耗。
有机发光二极管显示器具有像素阵列。每个像素可以包含有机发光二极管和控制流过有机发光二极管的电流的薄膜晶体管电路。存储电容器可以被用来存储连续的图像帧之间的数据。
形成有机发光二极管显示器可能是挑战性的。如果不小心处理，形成用于控制像素的薄膜晶体管电路的结构可能耗费比期望更多的面积，由此限制每个像素的发光面积的量(即，限制像素的开口率(apertureratio))。还可能难以在像素内不耗费比期望更多的面积的情况下形成存储电容器。
因此会期望的是，能够形成具有提高的开口率和存储电容器结构的有机发光二极管显示器。
发明内容
有机发光二极管显示器可以具有像素的阵列。每个像素可以具有有机发光二极管，该有机发光二极管具有阳极和阴极。阳极可以由图案化的金属层形成。
像素中的薄膜晶体管电路可以包括晶体管，诸如驱动晶体管和切换晶体管。数据线可以将数据信号供应给像素并且水平控制线可以将控制信号供应给晶体管的栅极。电压初始化线可以被用来将电压分配给像素列以在阈值电压补偿操作期间使用。
切换晶体管可以被耦接在电压初始化线与每个阳极之间。可以使用与形成阳极的金属层不同的金属层来形成薄膜晶体管电路中的电容器结构和电压初始化线。
附图说明
图1是根据一个实施例的具有显示器的示例性电子设备的图。
图2是根据一个实施例的示例性显示器的图。
图3是根据一个实施例的示例性有机发光二极管像素电路的图。
图4是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中金属层置于第一和第二缓冲层之间。
图5是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如初始化电压路径之类的信号路径已经由金属屏蔽层的一部分形成。
图6是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如电压初始化路径之类的信号路径已经由置于栅极绝缘体层与缓冲层之间的金属层形成。
图7是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如电压初始化路径之类的信号路径已经由栅极金属层的一部分形成。
图8是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中位于第一和第二层间电介质层之间的金属层被用于形成初始化电压路径。
图9是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中由源极-漏极金属层的一部分形成的金属层被用于形成初始化电压路径。
图10是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中位于源极-漏极金属层上方且在阳极层下方的金属层被用于形成初始化电压路径。
具体实施方式
图1中示出了可以设置有有机发光二极管显示器的类型的示例性电子设备。如图1所示，电子设备10可以具有控制电路16。控制电路16可以包括用于支持设备10的操作的存储和处理电路。存储和处理电路可以包括存储器，诸如硬盘驱动存储器、非易失性存储器(例如，闪速存储器或者被配置为形成固态驱动的其它可电编程的只读存储器)、易失性存储器(例如，静态的或者动态的随机存取存储器)等。控制电路16中的处理电路可以被用来控制设备10的操作。处理电路可以基于一个或更多个微处理器、微控制器、数字信号处理器、基带处理器、功率管理单元、音频芯片、专用集成电路等。
设备10中的输入-输出电路(诸如输入-输出设备12)可以被用来允许将数据供应给设备10并且允许将数据从设备10提供给外部设备。输入-输出设备12可以包括按钮、操纵杆、滚轮、触摸板、按键片、键盘、麦克风、扬声器、音频发生器、振动器、照相机、传感器、发光二极管和其它状态指示器、数据端口等。用户可以通过经由输入-输出设备12供应命令而控制设备10的操作并且可以使用输入-输出设备12的输出资源从设备10接收状态信息和其它输出。
输入-输出设备12可以包括一个或更多个显示器，诸如显示器14。显示器14可以是包括用于收集来自用户的触摸输入的触摸传感器的触摸屏显示器，或者显示器14可以对触摸不敏感。用于显示器14的触摸传感器可以基于电容性的触摸传感器电极的阵列、声学的触摸传感器结构、电阻性的触摸组件、基于力的触摸传感器结构、基于光的触摸传感器或者其它合适的触摸传感器布置。
控制电路16可以被用来在设备10上运行软件，诸如操作系统代码和应用程序。在设备10的操作期间，在控制电路16上运行的软件可以在显示器14上显示图像。
显示器14可以是有机发光二极管显示器。图2是示例性有机发光二极管显示器的图。如图2所示，显示器14可以具有用于为用户显示图像的像素22的阵列。像素22的阵列可以被布置为形成行和列。在像素22的阵列中可以存在任何合适数量的行和列(例如，十或更多、一百或更多、或者一千或更多)。每个像素22都可以包含不同颜色的子像素。作为一个例子，每个像素22可以具有发射红光的红色子像素、发射绿光的绿色子像素以及发射蓝光的蓝色子像素。如果需要，可以使用包括其它颜色的子像素的用于显示器14的配置。
显示驱动器电路可以被用来控制像素22的操作。显示驱动器电路可以由集成电路、薄膜晶体管电路或者其它合适的电路形成。图2的显示驱动器电路28可以包含用于经由路径26而与系统控制电路(诸如图1的控制电路16)通信的通信电路。路径26可以由柔性印制电路上的迹线或其它线缆形成。在操作期间，控制电路(例如，图1的控制电路16)可以将关于要在显示器14上显示的图像的信息供应给电路28。
为了在显示像素22上显示图像，显示驱动器电路28可以将图像数据供应给数据线D，而同时经由路径50将时钟信号和其它控制信号发给诸如栅极驱动器电路18之类的支持显示驱动器电路。如果需要，电路28还可以将时钟信号和其它控制信号供应给在显示器14的相对边缘上的栅极驱动器电路。
栅极驱动器电路18(有时被称为水平控制线控制电路)可以被实现为集成电路的一部分和/或可以使用薄膜晶体管电路来实现。显示器14中的水平控制线G可以是栅极线信号(扫描线信号)、发射启用控制信号以及用于控制每一行的像素的其它水平控制信号。对于每行像素22可以存在任何合适数量的水平控制信号(例如，一个或更多个、两个或更多个、三个或更多个、四个或更多个等)。
像素22的每一列优选地包括足够数量的数据线，以便供应用于该列的所有子像素的图像数据(例如，用于携带给红色子像素的红色数据信号的红色数据线、用于携带给绿色子像素的绿色数据信号的绿色数据线以及用于携带给蓝色子像素的蓝色数据信号的蓝色数据线)。
用于每个子像素的电路可以包括有机发光二极管、控制流过二极管的电流的驱动晶体管以及支持晶体管(例如，切换晶体管和发射启用控制晶体管)。在为驱动晶体管执行数据加载操作和阈值电压补偿操作中可以使用支持晶体管。每个子像素可以具有一个或更多个电容器。存储电容器可以被用来存储数据的连续帧之间的数据信号。
图3中示出了用于有机发光二极管子像素(像素)的示例性的电路的示意图。如图3所示，每个子像素22SUB可以包括有机发光二极管，诸如有机发光二极管38。发光二极管38可以发射有色光。例如，在其中子像素22SUB是红色子像素的情形中，有机发光二极管38可以发射红光。蓝色子像素可以具有发射蓝光的蓝色二极管38并且绿色子像素可以具有发射绿光的绿色二极管38。还可以使用其中子像素22SUB具有不同颜色(黄色、白色、浅蓝色、深蓝色等)的像素22的布置。
在每个子像素22SUB中，驱动晶体管TD的状态控制流过二极管38的驱动电流ID的量、且因此从子像素22SUB所发射的光40的量。每个二极管38具有阳极A和阴极CD。驱动电流ID在阳极A和阴极CD之间流动。二极管38的阴极CD耦接到接地端子36，因此二极管38的阴极端子CD有时可以被称为二极管38的接地端子。可以在多个二极管之间共享阴极CD(即，多个二极管的阴极CD可以被束缚到共享电压)。每个阳极A由各自的驱动晶体管TD分别地驱动。
为了确保在数据的连续帧之间晶体管38保持在期望状态，子像素22SUB可以包括存储电容器，诸如存储电容器Cst1。存储电容器Cst1上的电压在节点ND2处被施加到晶体管TD的栅极以便控制晶体管TD(即，以便控制驱动电流ID的幅度)。
可以使用一个或更多个切换晶体管将数据加载到存储电容器Cst1中。一个或更多个发射启用晶体管可以被用于控制通过驱动晶体管TD的电流流动。在图3的例子中，扫描信号SCAN1和SCAN2被施加到切换晶体管TS1和TS2的栅极。在阈值电压补偿操作和数据加载操作期间SCAN1和SCAN2信号被用于控制晶体管TS1和TS2。发射控制信号EM被用来控制发射启用晶体管TE(例如，用于在阈值电压补偿和数据加载操作期间禁用晶体管TD)。
显示驱动器电路28可以使用每个列中的垂直初始化电压线将初始化电压供应给像素列。如图3所示，初始化电压线Vini可以被用来在阈值电压补偿操作期间经由晶体管TS2将初始化电压(即，直流偏置电压Vini)供应给端子ND3。显示驱动器电路38可以使用数据线D来在阈值电压补偿操作期间将参考电压Vref供应给子像素22SUB。子像素22SUB可以接收正电源电压(诸如VDDEL)和地电源电压(诸如VSSEL)。稳定电容器Cst2可以被用来在阈值电压补偿操作期间帮助稳定节点ND3。
使用图3中示出的类型的像素电路，每个子像素(像素)22SUB可以被补偿像素之间的变化，诸如驱动晶体管TD中的晶体管阈值电压变化。补偿操作可以在包括初始化阶段和阈值电压产生阶段的补偿时段期间被执行。继补偿之后(即，在已经完成补偿时段的补偿操作之后)，可以将数据加载到像素中。可以在编程时段期间发生数据加载处理，其有时被称为数据编程。在彩色显示器中，编程可以包含多路分解数据并且将多路分解后的数据加载到红色、绿色以及蓝色子像素22SUB中(作为一个例子)。继补偿和编程之后(即，在补偿和编程时段告终之后)，该行像素可以被用来发光。其间像素正在用于发射光的时间段(即，在其间发光二极管38发射光40的时间段)有时被称为发射时段。
在初始化阶段期间，电路18可以断言(assert)SCAN1和SCAN2(即，SCAN1和SCAN2可以被设为高)。这使晶体管TS1和TS2导通，使得来自线D的参考电压信号Vref和来自初始化电压线的初始化电压信号Vini分别被施加到节点ND2和ND3。在补偿时段的阈值电压产生阶段期间，信号EM被断言使得晶体管TE被导通并且电流ID流过驱动晶体管TD以便在节点ND3处给电容充电。随着节点ND3处的电压增大，通过驱动晶体管TD的电流将减少，因为驱动晶体管TD的栅极-源极电压Vgs将接近驱动晶体管TD的阈值电压Vt。节点ND3处的电压因此将变为Vref-Vt。在补偿之后(即，在初始化和阈值电压产生之后)，数据被编程到经补偿的显示像素中。在编程期间，通过去断言信号EM使发射晶体管TE截止并且使用数据线D将期望的数据电压D施加到节点ND2。编程之后的节点ND2处的电压是显示数据电压Vdata。节点ND3处的电压由于与节点ND2耦合而升高。特别地，节点ND3处的电压成为Vref-Vt+(Vdata-Vref)*K，其中K等于Cst1/(Cst1+Cst2+Coled)，其中Coled是与二极管38关联的电容。
在已经完成补偿和编程操作之后，显示器14的显示驱动器电路将经补偿和编程的像素置于发射模式(即，发射时段开始)。在发射期间，对于每个经补偿和编程的子像素断言信号EM，以便使晶体管TE导通。节点ND3处的电压变为Voled，与二极管38关联的电压。节点ND2处的电压变为Vdata+(Voled-(Vref-Vt)-(Vdata-Vref)*K。对于驱动晶体管TD的Vgs-Vt的值等于节点ND2的电压Va与节点ND3的电压Vb之间的差。Va-Vb的值为(Vdata-Vref)*(1-K)，其与Vt无关。因此，已经针对阈值电压变化而补偿了显示器14中的像素阵列中的每个子像素22SUB，使得每个子像素22SUB发射的光40的量仅与用于那些子像素中的每一个的数据信号D的幅度成比例。
图3的示例性的像素电路使用四个晶体管和两个电容器并且因此可以有时被称为4T2C设计。如果需要，可以在显示器14中使用其它像素电路(例如，6T1C设计等)。图3的配置仅仅是示例性的。
有机发光二极管像素(诸如图3的子像素22SUB)可以使用图4中示出的类型的薄膜晶体管结构。如图4所示，像素电路72可以包括像素结构，诸如发光二极管阴极层42(例如，形成图3的阴极端子CD的透明的导电层，诸如氧化铟锡层)以及发光二极管阳极层44(例如，形成图3的阳极端子A的图案化的金属层)。有机发光二极管发射材料47可以置于阴极42与阳极44之间，由此形成发光二极管38。
电介质层46可以具有用来限定用于每个子像素的发光二极管的布局的开口(例如，发射材料47相对于阳极44的对准)，并且有时可以被称为像素限定层。平坦化层50(例如，有机聚合物层)可以被形成在薄膜晶体管结构52之上。薄膜晶体管结构52可以被形成在衬底24上。衬底24可以是刚性的或柔性的并且可以由玻璃、陶瓷、晶体材料(诸如蓝宝石)、聚合物(例如，聚酰亚胺的柔性层或其它聚合物材料的柔性片材)等形成。
薄膜晶体管结构52可以包括硅晶体管(诸如硅晶体管)或由其它半导体(例如，半导电的氧化物，诸如氧化铟镓锌)形成的薄膜晶体管。在图4的示例性的配置中，电路72包括切换晶体管200和驱动晶体管TD，其具有由多晶硅半导体层62形成的半导电的沟道区64。
由半导体层62形成的沟道区可以被栅极绝缘体层64(例如，硅氧化物层或其它无机层)覆盖。晶体管栅极66可以由诸如图案化的金属层(例如，钼，作为一个例子)之类的栅极层形成。栅极66可以被层间电介质层(例如，硅氧化物层68、硅氮化物层70、和/或其它氧化物和氮化物层或者其它有机层或无机层)覆盖。源极-漏极层74可以是被图案化以形成用于电路72中的晶体管(诸如晶体管200和TD)的晶体管源极-漏极端子的金属层。每个晶体管可以具有与该晶体管的沟道62的相对侧连接的一对源极-漏极端子。
电路72还可以包括电容器结构，诸如图3的电容器Cst1和Cst2。电容器结构可以具有由电路72中的导电层形成的电极。电极可以被居间的电介质层(例如，图4的电介质层中的一个或更多个)分离。
无机钝化层(诸如钝化层106)可以被置于聚合物(有机)钝化层50与源极-漏极层74(和电介质层70)之间。层106可以由硅氮化物或者其它电介质形成。
缓冲层122可以被形成在衬底24上。缓冲层122可以由一层或更多层无机电介质材料或者其它电介质形成。作为一个例子，缓冲层122可以包括在衬底24上的下部缓冲层122-1和在层122-1上的上部缓冲层122-2。层122-1和122-2可以由硅氧化物、硅氮化物、氧氮化物或者其它电介质材料形成。层122可以有助于阻挡来自衬底24的杂质(例如，玻璃杂质)并且由此防止这些杂质使薄膜晶体管电路52的薄膜晶体管的性能劣化。
可以在薄膜晶体管(例如，图4的例子中的晶体管200和TD)之下形成背侧金属层118，以用作为晶体管屏蔽缓冲层122中的电荷的屏蔽层。缓冲层120可以被形成在屏蔽层118之上并且可以由电介质(例如，有机或无机层)形成。
为了帮助提高显示器14的像素的开口率，阳极层44可以被专门地或几乎专门地用于形成阳极A。利用此类方法，用于显示器14的附加信号路径(诸如显示器14中的Vini线)可以使用其它金属层的部分形成并且不必由阳极层的金属形成。
在图4的例子中，例如，电路72已经设置有附加金属层202。金属层202被置于下部缓冲层122-1和上部缓冲层122-2之间并且是与用于形成显示器14中的阳极的材料层不同的材料层。因为层202不被形成在与阳极层44相同的材料层中，所以阳极层44中有额外的空间可用于形成有机发光二极管38。这允许开口(诸如像素限定层46中的开口204)的尺寸和由阳极层44形成的阳极A的横向尺寸被增大，而没有在阳极A与初始化电压线之间创建不期望的短路路径或其它信号路径的风险。开口204的增大的尺寸以及关联的二极管38中的阳极和发射层材料47的增大的尺寸增大了像素开口率(例如，显示器14中的子像素22SUB(诸如蓝色子像素和可能地其它子像素)可以具有提高的阳极尺寸和发射层尺寸，并且因此在给定像素区域中可以比否则可能的情形发射更多的光)。
如果需要，可以使用图4的导电层形成用于像素22的电容器(参见，例如图3的Cst1和Cst2)。作为一个例子，可以使用诸如层202之类的金属层的部分形成电容器电极。还可以使用半导体层62和/或栅极层66形成电容器电极。在一些电容器设计中，电容器具有由电介质层分隔的上电极和下电极。在其它电容器设计中，电容器具有由第一和第二分别居间的电介质层分隔的第一、第二和第三堆叠的电极。电容器中的电介质层可以包括一个或更多个子层。在图4中示出的类型的布置中，用于电容器的电介质层可以由诸如层122-2、120和64之类的层形成。例如，电容器可以具有由被电介质122-2和120分隔的层202和62形成的电极。作为另一个例子，电容器可以具有由被电介质122-2、120和64分隔的层202和66形成的电极。如果需要，其它电容器布置可以被使用。这些电极和电介质层配置仅仅是示例性的。
在图5的示例性的配置中，金属屏蔽层118的部分118’已经被图案化以形成分离的导电结构。由层118的部分118’形成的分离的导电结构可以例如被用来形成初始化电压线Vini。
如图5所示，可以使用通孔210将层118’短路到源极-漏极层74。单个通孔210可以穿过居间的电介质层以便将层74直接连接到层118’，或者如图5所示，栅极金属层66的部分66’可以被用于将层74和118’耦接在一起(例如，使得可使用两个较短通孔210来代替一个较高的通孔)。
图5的结构可以被用于形成电容器，诸如电容器Cst1和Cst2。例如，可以使用层118’的部分形成电容器电极。还可以使用半导体层62和/或栅极层66形成电容器电极。用于电容器的电介质层可以由诸如层120和64之类的层形成。例如，电容器可以具有由被电介质120分隔的层118’和62形成的电极，和/或电容器可以具有由被电介质120和64分隔的层118’和66形成的电极(作为例子)。
在图6的示例性的配置中，金属层212已经被用于形成用于显示器14的导电结构。例如，可以使用层212来形成诸如电压初始化线Vini之类的信号路径。如图6所示，金属层212可以置于缓冲层122-2与栅极绝缘体层64之间。通孔(诸如通孔214)可以被用来将层212电耦接到其它层(诸如金属源极-漏极层74)(例如，通孔214可以在层212和源极-漏极层74之间直接连接)。金属层212可以位于电路72的与半导体层62相同的层中。可以在完成层62的图案化和掺杂之后使金属层212图案化。
图6的结构可以被用于形成电容器，诸如电容器Cst1和Cst2。例如，可以使用层212的部分形成电容器电极。还可以使用金属层(诸如栅极层66)形成电容器电极。电容器例如可以具有由被电介质64分隔的层212和66形成的电极(作为一个例子)。
在图7的示例性的配置中，用于显示器14的导电结构(诸如电压初始化线Vini)已经由栅极层66的一部分(诸如部分66’)形成。如图7所示，金属栅极层66’可以置于电介质层64和电介质层68之间。通孔216可以穿过电介质层68和70并且可以将栅极层66’连接到源极-漏极层74。
图7的结构可以被用于形成电容器，诸如电容器Cst1和Cst2。例如，栅极金属层的部分可以用于形成电容器电极，有源的半导体层62可以形成电容器电极，并且电介质层64可以置于这些电极之间(作为一个例子)。
在图8的示例性的配置中，用于显示器14的导电结构(诸如电压初始化线Vini)已经由金属层218形成。金属层218可以置于电介质层68和70之间并且可以通过穿过层70的通孔220而电连接到源极-漏极层74。
层218可以被用于形成用于电路72的电容器，诸如电容器Cst1和Cst2。例如，层218可以形成电容器电极并且来自栅极金属层66的金属可以形成电容器电极。由层218和66形成的电极可以被居间的电介质层68分隔。还可以使用层218的部分和源极-漏极层74的部分作为被居间的电介质层70分隔的电极，来形成电容器。
在图9的示例性的配置中，用于显示器14的导电结构(诸如电压初始化线Vini)已经由源极-漏极金属层74的部分74’形成。
如果需要，源极-漏极层74的部分(诸如部分74’)可以被用于形成用于电路72的电容器，诸如电容器Cst1和Cst2。例如，层74’可以形成电容器电极并且来自栅极金属层66的金属可以形成电容器电极。由层74’和层66形成的电极可以被居间的层间电介质层68和70分隔。
在图10的示例性的配置中，用于显示器14的导电结构(诸如电压初始化线Vini)已经由金属层222形成。金属层222可以置于电介质层50和106之间。通孔(诸如通孔224)可以穿过层106以便将层222电耦接到源极-漏极层74。如果需要，层222的部分可以被用于形成用于电路72的电容器，诸如电容器Cst1和Cst2。例如，层222可以形成电容器电极并且来自源极-漏极层74的金属可以形成电容器电极。由层74和222形成的电极可以被居间的电介质层106分隔。
根据一个实施例，提供一种显示器，包括：像素的阵列，其中每个像素具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极和阴极，并且每个像素具有薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管；水平控制线，耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行；数据线，与所述阵列中的像素列关联；以及初始化电压线，与所述阵列中的像素列关联，其中在每个像素中，所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极，其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极-漏极端子的源极-漏极层、在所述源极-漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层。
根据另一个实施例，所述附加金属层置于电介质层与有机钝化层之间。
根据另一个实施例，所述显示器包括通孔，所述通孔穿过所述电介质层并且将所述附加金属层电连接到所述源极-漏极层。
根据另一个实施例，所述电介质层包括硅氮化物层。
根据另一个实施例，每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
根据另一个实施例，所述源极-漏极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分，并且所述电介质层置于所述附加金属层的被图案化以形成用于所述电容器的所述电极的所述部分与所述源极-漏极层的形成所述附加电极的所述部分之间。
根据另一个实施例，所述显示器包括置于源极-漏极层与栅极层之间的层间电介质。
根据另一个实施例，所述附加金属层具有在所述晶体管之下形成屏蔽层的部分。
根据另一个实施例，所述显示器包括置于半导体层与附加金属层之间的缓冲层。
根据另一个实施例，每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
根据另一个实施例，所述栅极层具有形成用于每个像素中的电容器的附加电极的部分。
根据另一个实施例，所述半导体层具有形成用于每个像素中的电容器的附加电极的部分。
根据另一个实施例，所述附加金属层置于栅极层与源极-漏极层之间。
根据另一个实施例，所述显示器包括置于源极-漏极层与栅极层之间的第一和第二层间电介质层，附加金属层置于第一和第二层间电介质层之间。
根据另一个实施例，每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
根据另一个实施例，所述栅极层具有形成用于每个像素中的电容器的附加电极的部分。
根据另一个实施例，所述源极-漏极层具有形成用于每个像素中的电容器的附加电极的部分。
根据另一个实施例，所述显示器包括在所述晶体管之下的金属屏蔽层、第一电介质缓冲层以及第二电介质缓冲层，第一电介质缓冲层置于金属屏蔽层与半导体层之间，第二电介质缓冲层置于附加金属层与金属屏蔽层之间。
根据另一个实施例，所述显示器包括在所述晶体管之下的金属屏蔽层、第一电介质缓冲层以及第二电介质缓冲层，第一电介质缓冲层置于金属屏蔽层与半导体层之间，金属屏蔽层置于第一和第二电介质缓冲层之间，并且所述附加金属层置于第一电介质缓冲层与栅极绝缘体层之间。
根据另一个实施例，所述显示器包括在源极-漏极层与栅极层之间的层间电介质层，附加金属层置于层间电介质层与栅极绝缘体层之间并且由栅极层的一部分形成。
根据另一个实施例，附加金属层由源极-漏极层的一部分形成。
根据一个实施例，提供一种显示器，包括：像素的阵列，其中每个像素具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极和阴极，并且每个像素具有薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管；水平控制线，耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行；数据线，与所述阵列中的像素列关联；以及初始化电压线，与所述阵列中的像素列关联，其中在每个像素中，所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极，其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极-漏极端子的源极-漏极层、在所述源极-漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层，并且其中所述附加金属层具有在所述晶体管之下形成屏蔽层的部分，所述屏蔽层与所述初始化电压线分离。
根据一个实施例，提供一种显示器，包括：像素的阵列，其中每个像素具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极和阴极，并且每个像素具有薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管；水平控制线，耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行；数据线，与所述阵列中的像素列关联；以及初始化电压线，与所述阵列中的像素列关联，其中在每个像素中，所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极，其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极-漏极端子的源极-漏极层、在所述源极-漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层，其中所述附加金属层置于所述栅极层与所述源极-漏极层之间，并且其中所述附加金属层置于第一无机电介质层和第二无机电介质层之间。
上述内容仅仅是示例性的，本领域技术人员可以在不脱离所述实施例的精神和范围的情况下进行各种修改。上述实施例可以被分别地或者以任何组合方式实现。

Claims (20)

1.一种显示器，包括：
像素的阵列，其中每个像素具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极和阴极，并且每个像素具有薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管；
水平控制线，耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行；
数据线，与所述阵列中的像素列关联；以及
初始化电压线，与所述阵列中的像素列关联，其中在每个像素中，所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极，其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极-漏极端子的源极-漏极层、在所述源极-漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中所述附加金属层置于所述电介质层与所述有机钝化层之间。
3.根据权利要求2所述的显示器，还包括通孔，所述通孔穿过所述电介质层并且将所述附加金属层电连接到所述源极-漏极层。
4.根据权利要求3所述的显示器，其中所述电介质层包括硅氮化物层。
5.根据权利要求2所述的显示器，其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
6.根据权利要求5所述的显示器，其中所述源极-漏极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分，并且其中所述电介质层置于所述附加金属层的所述被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分与所述源极-漏极层的所述形成附加电极的部分之间。
7.根据权利要求1所述的显示器，其中所述附加金属层具有在所述晶体管之下形成屏蔽层的部分。
8.根据权利要求7所述的显示器，还包括在所述半导体层与所述附加金属层之间的缓冲层，其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
9.根据权利要求8所述的显示器，其中所述栅极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。
10.根据权利要求8所述的显示器，其中所述半导体层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。
11.根据权利要求1所述的显示器，其中所述附加金属层置于所述栅极层与所述源极-漏极层之间。
12.根据权利要求10所述的显示器，还包括置于所述源极-漏极层与所述栅极层之间的第一层间电介质层和第二层间电介质层，其中所述附加金属层置于所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层之间，其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器，并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
13.根据权利要求12所述的显示器，其中所述栅极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。
14.根据权利要求12所述的显示器，其中所述源极-漏极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。
15.根据权利要求1所述的显示器，还包括：
在所述晶体管之下的金属屏蔽层；
第一电介质缓冲层，其中所述第一电介质缓冲层置于所述金属屏蔽层与所述半导体层之间；以及
第二电介质缓冲层，其中所述第二电介质缓冲层置于所述附加金属层与所述金属屏蔽层之间。
16.根据权利要求1所述的显示器，还包括：
在所述晶体管之下的金属屏蔽层；
第一电介质缓冲层，其中所述第一电介质缓冲层置于所述金属屏蔽层与所述半导体层之间；以及
第二电介质缓冲层，其中所述金属屏蔽层置于所述第一电介质缓冲层和所述第二电介质缓冲层之间，并且其中所述附加金属层置于所述第一电介质缓冲层与所述栅极绝缘体层之间。
17.根据权利要求1所述的显示器，还包括：
在所述源极-漏极层与所述栅极层之间的层间电介质层，其中所述附加金属层置于所述层间电介质层与所述栅极绝缘体层之间并且由所述栅极层的一部分形成。
18.根据权利要求1所述的显示器，其中所述附加金属层由所述源极-漏极层的一部分形成。
19.一种显示器，包括：
像素的阵列，其中每个像素具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极和阴极，并且每个像素具有薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管；
水平控制线，耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行；
数据线，与所述阵列中的像素列关联；以及
初始化电压线，与所述阵列中的像素列关联，其中在每个像素中，所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极，其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极-漏极端子的源极-漏极层、在所述源极-漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层，并且其中所述附加金属层具有在所述晶体管之下形成屏蔽层的部分，所述屏蔽层与所述初始化电压线分离。
20.一种显示器，包括：
像素的阵列，其中每个像素具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有阳极和阴极，并且每个像素具有薄膜晶体管电路，所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管；
水平控制线，耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行；
数据线，与所述阵列中的像素列关联；以及
初始化电压线，与所述阵列中的像素列关联，其中在每个像素中，所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极，其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极-漏极端子的源极-漏极层、在所述源极-漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层，其中所述附加金属层置于所述栅极层与所述源极-漏极层之间，并且其中所述附加金属层置于第一无机电介质层和第二无机电介质层之间。
CN201510755190.2A 2014-11-17 2015-11-09 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器 Active CN105609526B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811211664.7A CN109300962B (zh) 2014-11-17 2015-11-09 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/543,088 2014-11-17
US14/543,088 US9472605B2 (en) 2014-11-17 2014-11-17 Organic light-emitting diode display with enhanced aperture ratio

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811211664.7A Division CN109300962B (zh) 2014-11-17 2015-11-09 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105609526A true CN105609526A (zh) 2016-05-25
CN105609526B CN105609526B (zh) 2018-10-19

Family

ID=54293365

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811211664.7A Active CN109300962B (zh) 2014-11-17 2015-11-09 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器
CN201520886146.0U Withdrawn - After Issue CN205081121U (zh) 2014-11-17 2015-11-09 显示器
CN201510755190.2A Active CN105609526B (zh) 2014-11-17 2015-11-09 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811211664.7A Active CN109300962B (zh) 2014-11-17 2015-11-09 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器
CN201520886146.0U Withdrawn - After Issue CN205081121U (zh) 2014-11-17 2015-11-09 显示器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9472605B2 (zh)
EP (1) EP3221896A1 (zh)
JP (1) JP6457086B2 (zh)
KR (1) KR101990226B1 (zh)
CN (3) CN109300962B (zh)
WO (1) WO2016081066A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111095076A (zh) * 2017-07-12 2020-05-01 脸谱科技有限责任公司 具有校准补偿的像素的多层制造
CN111092105A (zh) * 2018-10-24 2020-05-01 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN112951830A (zh) * 2021-02-01 2021-06-11 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 集成电路器件、存储器和电子设备

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102327085B1 (ko) * 2014-10-20 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9472605B2 (en) * 2014-11-17 2016-10-18 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with enhanced aperture ratio
KR102659044B1 (ko) * 2015-12-31 2024-04-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
CN108352151B (zh) * 2016-03-28 2020-12-01 苹果公司 发光二极管显示器
US10224386B2 (en) 2016-09-23 2019-03-05 Apple Inc. Display with power supply mesh
KR102349279B1 (ko) * 2017-09-08 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101972574B1 (ko) * 2017-10-20 2019-04-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107799579B (zh) * 2017-11-29 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 用于有机发光显示器件的背板及其制备方法、显示装置
US11508804B2 (en) 2017-11-29 2022-11-22 Ordos Yuansheng Optoelectronics, Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP7086582B2 (ja) * 2017-12-11 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN207781601U (zh) * 2017-12-14 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
KR102173434B1 (ko) * 2017-12-19 2020-11-03 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US10763323B2 (en) 2018-06-22 2020-09-01 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
KR20200087368A (ko) * 2019-01-10 2020-07-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2021102905A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
US11468842B2 (en) * 2021-01-21 2022-10-11 Sharp Kabushiki Kaisha Fast 1H OLED pixel circuit applying data to anode

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1722452A (zh) * 2004-06-24 2006-01-18 三星Sdi株式会社 薄膜晶体管阵列基板、使用该基板的显示器及其制造方法
CN103426400A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 精工爱普生株式会社 光电装置及电子设备
CN103426399A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 精工爱普生株式会社 电光装置以及电子设备
CN103886823A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 乐金显示有限公司 显示设备
CN205081121U (zh) * 2014-11-17 2016-03-09 苹果公司 显示器

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4588833B2 (ja) * 1999-04-07 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置および電子機器
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4712198B2 (ja) * 2000-02-01 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP4836339B2 (ja) * 2000-03-06 2011-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置及びその作製方法
JP2002094078A (ja) * 2000-06-28 2002-03-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP3695308B2 (ja) * 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP4075505B2 (ja) * 2001-09-10 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電子装置、及び電子機器
US7167169B2 (en) 2001-11-20 2007-01-23 Toppoly Optoelectronics Corporation Active matrix oled voltage drive pixel circuit
KR100845557B1 (ko) * 2002-02-20 2008-07-10 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100892945B1 (ko) * 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101057206B1 (ko) 2004-04-30 2011-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
JP4850436B2 (ja) * 2004-05-21 2012-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びそれを用いた電子機器
KR100700648B1 (ko) 2005-01-31 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 전면발광 유기전계발광표시장치
JP4661557B2 (ja) 2005-11-30 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP5715063B2 (ja) 2008-12-09 2015-05-07 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッドＩｇｎｉｓ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 発光型表示装置用の低電力回路及び駆動方法
JP2011164133A (ja) * 2010-02-04 2011-08-25 Toshiba Mobile Display Co Ltd Ｅｌ表示装置
CN101976545A (zh) * 2010-10-26 2011-02-16 华南理工大学 Oled显示器的像素驱动电路及其驱动方法
JP5821226B2 (ja) * 2010-11-17 2015-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器および電気光学装置の駆動方法
CN102646386B (zh) 2011-05-13 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元电路、像素阵列、面板及面板驱动方法
KR101486038B1 (ko) * 2012-08-02 2015-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101528961B1 (ko) * 2012-08-30 2015-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 구동방법
KR101975957B1 (ko) * 2012-10-04 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102000642B1 (ko) * 2012-12-12 2019-07-17 엘지디스플레이 주식회사 고 휘도 유기발광 다이오드 표시장치
KR102206412B1 (ko) 2012-12-27 2021-01-22 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치
KR101970574B1 (ko) 2012-12-28 2019-08-27 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치
JP6251955B2 (ja) * 2013-01-22 2017-12-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR102037455B1 (ko) * 2013-01-31 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 유기전계 발광 표시장치
KR102018284B1 (ko) 2013-02-28 2019-09-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102096051B1 (ko) * 2013-03-27 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102114315B1 (ko) * 2013-08-21 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 장치, 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR102053444B1 (ko) * 2013-11-06 2019-12-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 이동도 보상방법
KR102156774B1 (ko) * 2013-12-30 2020-09-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치의 리페어 방법
US9337247B2 (en) * 2014-01-21 2016-05-10 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
US9721502B2 (en) * 2014-04-14 2017-08-01 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with compensation for transistor variations
US20160063921A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Apple Inc. Organic Light-Emitting Diode Display With Reduced Capacitive Sensitivity
US9847051B2 (en) * 2014-11-04 2017-12-19 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with minimized subpixel crosstalk

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1722452A (zh) * 2004-06-24 2006-01-18 三星Sdi株式会社 薄膜晶体管阵列基板、使用该基板的显示器及其制造方法
EP1610389B1 (en) * 2004-06-24 2014-06-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, display using the same, and fabrication method thereof
CN103426400A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 精工爱普生株式会社 光电装置及电子设备
CN103426399A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 精工爱普生株式会社 电光装置以及电子设备
CN103886823A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 乐金显示有限公司 显示设备
CN205081121U (zh) * 2014-11-17 2016-03-09 苹果公司 显示器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111095076A (zh) * 2017-07-12 2020-05-01 脸谱科技有限责任公司 具有校准补偿的像素的多层制造
CN111095076B (zh) * 2017-07-12 2022-05-24 脸谱科技有限责任公司 具有校准补偿的像素的多层制造
CN111092105A (zh) * 2018-10-24 2020-05-01 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN112951830A (zh) * 2021-02-01 2021-06-11 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 集成电路器件、存储器和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR101990226B1 (ko) 2019-06-17
KR20170073625A (ko) 2017-06-28
JP6457086B2 (ja) 2019-01-23
JP2018502314A (ja) 2018-01-25
US20160141348A1 (en) 2016-05-19
CN109300962B (zh) 2019-11-12
US9472605B2 (en) 2016-10-18
EP3221896A1 (en) 2017-09-27
WO2016081066A1 (en) 2016-05-26
CN205081121U (zh) 2016-03-09
CN105609526B (zh) 2018-10-19
CN109300962A (zh) 2019-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105609526A (zh) 具有提高的开口率的有机发光二极管显示器
US11411061B2 (en) Display device having an emission layer
CN105513539B (zh) 像素电路及其驱动方法以及显示装置
US9397124B2 (en) Organic light-emitting diode display with double gate transistors
US11696485B2 (en) Display device with driving voltage line overlapping gate electrode to form storage capacitor
US9847051B2 (en) Organic light-emitting diode display with minimized subpixel crosstalk
CN104376813B (zh) 显示器像素单元
TWI555182B (zh) 用於顯示像素臨限電壓補償電路之電容結構
CN104282257B (zh) 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备
TW201731095A (zh) 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器
CN104393018B (zh) 具有底部屏蔽的有机发光二极管显示器
JP2020519912A (ja) 画素回路及びその駆動方法、ディスプレイパネル
US20210242292A1 (en) Light emitting apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus, illumination apparatus, and mobile apparatus
JP6835090B2 (ja) 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
US20220139313A1 (en) Display device and electronic apparatus
US20230267885A1 (en) Pixel and display device including the same
CN115803884A (zh) 阵列基板和显示装置
CN116264850A (zh) 像素电路、驱动方法、显示基板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant