JP4850436B2 - 表示装置及びそれを用いた電子機器 - Google Patents
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Classifications
-
- Y02B20/42—
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
(実施の形態3)
(実施の形態4)
(実施の形態5)
(実施の形態6)
発光素子を含む画素領域を備えた電子機器として、テレビジョン装置(単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置(単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ)、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図9を参照して説明する。
(実施の形態7)
(実施の形態8)
J=S・Vn・・・(1)
ここで、Jは電流密度、Vは電圧、Sは発光素子の材料や構造で決まる値、nは2以上の数値である。
logJ=n・logV+logS・・・(2)
式(2)は、対数目盛で表す電流・電圧特性において傾きnの直線で示され、logSの値が小さい程、その直線は高電圧側にシフトすることとなる。
n=f(t)・・・(3)
nはダイオード特性の急峻さを表すものであることから、発光素子のダイオード特性は、電流を流す、流さないにかかわらず、時間の経過と共に変化する(nの値が小さくなり、傾きが小さくなる)ことを示している。
S=g(Q)・・・(4)
なお、Sは発光素子に電流を流すことで減少していくことから、g(Q)は単調減少の関数と考えられる。Sはダイオード特性のしきい値と考えることが出来るので、発光素子のダイオード特性のしきい値は、電流を流すことで高電圧側にシフトすると説明できる。
Jo=g(Qm)・Vf(t)・・・(5)
Jp=g(Qp)・Vf(t)・・・(6)
ここで、Joはモニター用発光素子の電流密度(一定)、Jpは画素の電流密度、Qmはモニター用発光素子に流れた総電荷量、Qpは画素に流れた総電荷量、Vは電圧、tは時間である。
Jp=Jo・g(Qp)/g(Qm)・・・(7)
ここで、g(Q)は単調減少の関数なので、モニター用発光素子と表示用の発光素子の電流を変えることにより、JoとJpは異なる値をとる。例えば、表示用の発光素子よりもモニター用発光素子の方により多くの電流を流せば(つまりQm>Qp)、常にJpはJoよりも大きくなる。
L=η・Jp・・・(8)
また、初期輝度をLo、初期の電流密度をJoとすると、電流効率ηは、
η=(Lo/Jo)・exp{−(k・t)β}・・・(9)
という劣化曲線となる。ここで、kは速度定数、βは初期劣化を表すパラメータである。
L=Jp・(Lo/Jo)・exp{−(k・t)β}・・・(10)
ここで、輝度を一定にするためには、L=Lo(一定)とならなければいけないため、式(10)にL=Loを代入することにより、次の式(11)が得られる。
Jp=Jo・exp{(k・t)β}・・・(11)
g(Qp)/g(Qm)=exp{(k・t)β}・・・(12)
が得られるため、「g(Qp)/g(Qm)」がexp{(k・t)β}に近くなるようにQpとQmを制御することで、CL駆動をすることができる。
η(t)=L0/J0×f(t)・・・(1)
f(t)=exp{−(t/α)β}・・・(2)
なお、αは中・長期的な劣化を表すパラメータであり、βは初期劣化を表すパラメータであり、実験的に求めることができる。
L=η(t)×J(t)・・・(3)
L0=η(t)×J(t)・・・(4)
J(t)=J0/f(t)・・・(5)
J(t)=C×Vx(t)・・・(6)
である。xは素子で決まるべき乗であり、Cは定数である。
V(t)=Const.×[exp(t/α)β]1/x・・・(7)
Claims (13)
- 第1の発光素子と、
前記第1の発光素子に電気的に接続された第1のトランジスタと、
第2の発光素子と、
前記第2の発光素子に電気的に接続された第2のトランジスタと、
前記第2の発光素子に一定の電流を供給する定電流源と、
入力された電位と等しい電位を出力する回路と、を有し、
前記第1の発光素子の第1の電極は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1の発光素子の第2の電極は、第1の電源に電気的に接続され、
前記第2の発光素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2の発光素子の第2の電極は、前記第1の電源に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記回路の出力端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記回路の入力端子及び前記定電流源に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の電源に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのチャネル長L1とチャネル幅W1と、前記第2のトランジスタのチャネル長L2とチャネル幅W2は、L1/W1:L2/W2=1:2乃至1:10を満たすことを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
ゲートはゲート線に、ソース又はドレインの一方はソース線に、ソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続された第3のトランジスタを有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1または請求項2において、
ゲートは前記回路の入力端子に、ソース又はドレインの一方は前記回路の入力端子に、ソース又はドレインの他方は第3の電源に電気的に接続された第4のトランジスタを有し、
前記第4のトランジスタがオンになると、前記第2の発光素子に逆方向バイアスの電圧が印加されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
容量素子、第1のスイッチ素子、第2のスイッチ素子、第3のスイッチ素子、第4のスイッチ素子、第5のスイッチ素子及び制御回路を有し、
前記容量素子は、前記回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第1のスイッチ素子は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記回路の出力端子の間に設けられ、
前記第2のスイッチ素子は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方と第4の電源の間に設けられ、
前記第3のスイッチ素子は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第5のスイッチ素子の間に設けられ、
前記第4のスイッチ素子は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第4の電源の間に設けられ、
前記第5のスイッチ素子は、前記第3のスイッチ素子と前記回路の入力端子の間に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項4において、前記第1のスイッチ素子と前記第3のスイッチ素子と前記第5のスイッチ素子を導通状態にし、前記第2のスイッチ素子と前記第4のスイッチ素子を非導通状態にして、前記第1の発光素子と前記第2の発光素子に順方向バイアスの電圧を印加する制御回路を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項4において、前記第1のスイッチ素子と前記第3のスイッチ素子と前記第5のスイッチ素子を非導通状態にし、前記第2のスイッチ素子と前記第4のスイッチ素子を導通状態にして、前記第1の発光素子と前記第2の発光素子に逆方向バイアスの電圧を印加する制御回路を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記定電流源は、ゲートは第5の電源に、ソース又はドレインの一方は前記第2の発光素子の第1の電極に、ソース又はドレインの他方は第6の電源に電気的に接続された第5のトランジスタを有することを特徴とする表示装置。 - 請求項7において、
前記第5のトランジスタは、飽和領域で動作することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか1項において、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記回路の入力端子の間に設けられた抵抗素子を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
ゲートはゲート線に、ソース又はドレインの一方は前記第2の発光素子の第1の電極に、ソース又はドレインの他方は第7の電源に電気的に接続された第6のトランジスタを有し、
前記第5のトランジスタがオンになると、前記第2の発光素子に順方向バイアスの電圧が印加されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか1項において、
前記回路はバッファアンプであることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか1項において、
前記第1の発光素子、前記第1のトランジスタ、前記第2の発光素子及び前記第2のトランジスタは、同一の基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の前記表示装置を用いた電子機器。
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