CN103426399A - 电光装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电光装置以及电子设备。其中，电光装置具有相互交叉的扫描线以及数据线；与上述扫描线和上述数据线的交叉对应地设置的像素电路；和供给规定的电位的电源布线。上述像素电路具备发光元件和对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管，上述驱动晶体管的栅极电极经由第1中继电极与规定的节点电连接。上述第1中继电极与上述电源布线以及上述数据线形成于同一层，并且上述第1中继电极的至少三侧被上述电源布线包围。

Description

电光装置以及电子设备
技术领域
本发明例如涉及能够降低伴随数据线电位变动的画质恶化的电光装置以及电子设备。
背景技术
近些年，提出各种使用了有机发光二极管（Organic Light EmittingDiode，以下称“OLED”）元件等发光元件的电光装置。在该电光装置中，一般构成为与扫描线和数据线的交叉对应地，并且与应显示的图像的像素对应地设置包括上述发光元件、晶体管等的像素电路。使用了OLED的像素电路一般具备：写入晶体管，其决定能否输入经由数据线供给的数据信号；驱动晶体管，其基于数据信号决定向OLED供给的电流量；和保持电容，其保持从数据线供给的数据信号。并且，有以高画质化为目的，而利用了更多元件的技术（例如参照专利文献1）。
专利文献1：日本特开2002-341790号公报
然而，若以上述那样的像素电路的构成进行实际驱动，则会由于数据线的电位变动而产生噪声。向OLED供给的电流由驱动晶体管的栅极/源极间的电压而决定，所以若该噪声给驱动晶体管的栅极节点带来影响，则无法显示准确的亮度，从而产生不均等。尤其是在无法使与栅极节点连接的保持电容增大的情况下，会成为严重的问题。
在现有的构造中，数据线的噪声经由寄生电容侵入驱动晶体管的栅极节点。由此，积蓄于保持电容的数据信号变化，经由驱动晶体管向OLED元件供给的电流也同样变化。该变化量被视觉识别为亮度不均，导致显示品质降低。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而完成的，将降低数据线的电位变动引起的画质恶化作为解决课题之一。
为了解决上述课题，本发明的电光装置的特征在于，具有：相互交叉的扫描线以及数据线；与上述扫描线和上述数据线的交叉对应地设置的像素电路；和供给规定的电位的电源布线，上述像素电路具备发光元件和对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管，上述驱动晶体管的栅极电极经由第1中继电极与规定的节点电连接，上述第1中继电极与上述电源布线以及上述数据线形成于同一层，并且述第1中继电极的至少三侧被上述电源布线包围。
为了解决上述课题，本发明的电光装置的特征在于，具有：相互交叉的多条扫描线以及多条数据线；多个像素电路，其被设置成与上述扫描线和上述数据线的交叉对应；和电源布线，其被设置成与上述多个像素电路分别对应，并且供给规定的电位，上述多个像素电路分别具备发光元件和对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管，上述驱动晶体管的栅极电极经由第1中继电极与规定的节点电连接，上述第1中继电极与上述电源线以及上述数据线形成于同一层，并且上述第1中继电极的至少三侧被上述电源布线包围。
根据本发明，使驱动晶体管的栅极电极与规定的节点电连接的多个中继电极中与数据线形成于同一层的第1中继电极的至少三侧被电源布线包围，所以降低噪声从数据线向驱动晶体管栅极电极的连接部的侵入。其结果，驱动晶体管的栅极电极的电位变动被抑制，经由驱动晶体管向发光元件供给的电流也不产生变化，可进行准确的亮度显示。
在上述的电光装置中，上述电源布线可以使用初始化用的电源布线或者电源的低电位侧的电源布线。由于这些电源布线与在扫描线驱动电路或者数据线驱动电路等中使用的电源布线相比为低阻抗，所以屏蔽效果进一步提高。
在上述的电光装置中，优选形成为上述电源布线位于上述第1中继电极和上述数据线之间，通过该电源布线包围上述第1中继电极。由于包围上述第1中继电极的上述电源布线位于上述第1中继电极和上述数据线之间，所以从数据线辐射出的噪声被电源布线屏蔽。由此，抑制噪声从数据线向驱动晶体管栅极电极的连接部的侵入，能够提高显示品质。
在上述的电光装置中，优选上述第1中继电极的四侧被形成于上述电源布线的开口部包围。第1中继电极形成于开口部，四侧被包围，所以屏蔽效果进一步提高。
在上述的电光装置中，优选具有第2中继电极，该第2中继电极形成于与上述第1中继电极不同的层，将上述驱动晶体管的栅极电极和上述规定的节点电连接起来，上述第2中继电极的至少三侧被与上述第2中继电极形成于同一层的电源的高电位侧的电源布线包围。根据该发明，第2中继电极的三侧被高电位侧的电源布线包围，所以得到高屏蔽效果。
此外，本发明除了涉及电光装置外，还能够涉及电光装置的驱动方法、具有该电光装置的电子设备。作为电子设备，典型地可列举头戴式显示器（HMD）、电子取景器等显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的电光装置的构成的立体图。
图2是表示该电光装置的构成的框图。
图3是表示该电光装置的像素电路的图。
图4是表示该电光装置的动作的时序图。
图5是表示该电光装置的像素电路的构成的俯视图。
图6是表示该电光装置的像素电路的构成的俯视图。
图7是表示该电光装置的像素电路的构成的俯视图。
图8是表示图5～图7中沿A－A’线剖开的构成的局部剖视图。
图9是表示图5～图7中沿B－B’线剖开的构成的局部剖视图。
图10是表示使用了实施方式等所涉及的电光装置的HMD的立体图。
图11是表示HMD的光学构成的图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。
<实施方式>
图1是表示本发明的实施方式的电光装置10的构成的立体图。
电光装置10例如是在头戴式显示器中显示图像的微型显示器(micro display)。后面叙述电光装置10的详细内容，但是多个像素电路、驱动该像素电路的驱动电路等例如是形成于硅基板的有机EL装置，可作为发光元件的一个例子的OLED用于像素电路。
电光装置10被收纳于在显示部开口的框状的壳体72，并且与FPC（Flexible Printed Circuits：柔性印刷电路板）基板74的一端连接。通过COF（Chip On Film：覆晶薄膜）技术在FPC基板74上安装半导体芯片的控制电路5，且设置有多个端子76，与图示省略的上位电路连接。从该上位电路经由多个端子76与同步信号同步地供给图像数据。同步信号包括垂直同步信号、水平同步信号、点时钟信号。另外，图像数据例如以8位规定应显示的图像的像素的灰度等级。
控制电路5兼具电光装置10的电源电路和数据信号输出电路的功能。即，控制电路5除了将根据同步信号生成的各种控制信号、各种电位供给至电光装置10之外，还将数字图像数据转换为模拟数据信号，供给至电光装置10。
图2是表示实施方式的电光装置10的构成的图。如该图所示，电光装置10大致被分为扫描线驱动电路20、数据线驱动电路30、显示部100。
其中，在显示部100上矩阵状地排列有与应显示的图像的像素对应的像素电路110。详细而言，在显示部100中，将m行扫描线12设置成在图中沿横向延伸，另外，将n列数据线14设置成在图中沿纵向延伸，并且与各扫描线12相互保持电绝缘。而且，与m行扫描线12和n列数据线14的交叉部对应地设置有像素电路110。因此，在本实施方式中，将像素电路110以纵m行×横n列排列成矩阵状。
这里，m、n均是自然数。为了区别扫描线12以及像素电路110的矩阵中的行（low），有时在图中从上到下按顺序称作1、2、3、…、（m－1）、m行。同样，为了区别数据线14以及像素电路110的矩阵的列（Column），有时在图中从左向右按顺序称作1、2、3、…、n－1、n列。
在本实施方式中，沿数据线14分别按照每列设置有初始化用的电源线16。向各电源线16共通地供给作为初始化用的复位电位的电位Vorst。
然后，通过控制电路5将以下这样的控制信号供给至电光装置10。详细而言，向电光装置10供给用于控制扫描线驱动电路20的控制信号Ctr1、和用于控制数据线驱动电路30的控制信号Ctr2。
扫描线驱动电路20根据控制信号Ctr1生成用于在整个帧期间针对各行按照顺序扫描扫描线12的扫描信号。这里，将分别向第1、2、3、…、（m－1）、m行的扫描线12供给的扫描信号记作Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）。
此外，扫描线驱动电路20除了生成扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）之外，还按照每行生成与该扫描信号同步的各种控制信号，并供给至显示部100，但在图2中省略图示。另外，所谓帧期间是指电光装置10显示与1个镜头（画面）对应的图像所需要的期间，例如若同步信号所包含的垂直同步信号的频率为120Hz，则是与该1个周期对应的8.3毫秒的期间。
另外，数据线驱动电路30通过控制电路5针对位于被扫描线驱动电路20选择出的行的像素电路110，将与该像素电路110的灰度数据对应的电位的数据信号Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）供给至第1、2、…、n列数据线14。
参照图3，对像素电路110进行说明。此外，图3示出与第i行扫描线12和第j列数据线14的交叉对应的1个像素的像素电路110。这里，i是一般性表示像素电路110所排列的行时的符号，为1以上m以下的整数。同样，j是一般性表示像素电路110所排列的列时的符号，是1以上n以下的整数。
如图3所示，像素电路110包括P沟道型的晶体管121～125、OLED130以及保持电容132。各像素电路110彼此构成相同，所以以位于i行j列的像素电路为代表进行说明。
在i行j列的像素电路110中，晶体管122作为写入晶体管发挥功能，其栅极节点与第i行扫描线12连接，其漏极或者源极节点的一方与第j列数据线14连接，另一方与晶体管121的栅极节点g、保持电容132的一端和晶体管123的漏极节点分别连接。这里，为了与其他节点进行区别，将晶体管121的栅极节点记作g。
向第i行扫描线12，换句话说向晶体管122的栅极节点供给扫描信号Gwr（i）。
晶体管121作为驱动晶体管发挥功能，其源极节点与高位侧电源线160连接，其漏极节点与晶体管123的源极节点和晶体管124的源极节点分别连接。这里，向高位侧电源线160供给在像素电路110中成为电源的高位侧的基板电位Vel。
晶体管123作为补偿用晶体管发挥功能，其栅极节点被供给控制信号Gcmp（i）。
晶体管124作为发光控制晶体管发挥功能，其栅极节点被供给控制信号Gel（i），其漏极节点与晶体管125的源极节点和OLED130的阳极分别连接。
晶体管125作为初始化用晶体管发挥功能，其栅极节点被供给控制信号Gorst（i），其漏极节点与和第j列对应的初始化用的电源线16连接，被保持于电位Vorst。
保持电容132的另一端与高位侧电源160连接。因此，保持电容132对晶体管121的源极、漏极间的电压进行保持。此外，作为保持电容132，也可以使用寄生于晶体管121的栅极节点g的电容，还可以使用由相互不同的导电层夹持绝缘层而形成的电容。
在本实施方式中，电光装置10形成于硅基板，所以将晶体管121～125的基板电位设为电位Vel。
OLED130的阳极是按照每个像素电路110分别独立地设置的像素电极。与此相对，OLED130的阴极是在全部像素电路110中共用地设置的共用电极118，被保持于在像素电路110中成为电源的低位侧的电位Vct。
OLED130是在上述硅基板中由阳极和具有透光性的阴极夹持产生白色光的有机EL层而成的元件。而且，在OLED130的射出侧（阴极侧）重叠有与RGB的任意一个对应的彩色滤光片。
在这样的OLED130中，若电流从阳极流向阴极，则从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在有机EL层再次结合而生成激子，产生白色光。构成为此时产生的白色光透过与硅基板侧（阳极）相反的一侧的阴极，经由基于彩色滤光片的着色，在观察者侧被视觉识别。
<电光装置的动作>
接下来，参照图4对电光装置10的动作进行说明。图4是用于说明电光装置10的各部的动作的时序图。
如该图所示，依次将扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）切换为L电平(level)，在1个帧期间，针对每个水平扫描期间（H）按照顺序扫描第1～m行扫描线12。
在1个水平扫描期间（H）的动作在各行的像素电路110中共用。因此以下，着眼于水平扫描第i行的扫描期间，尤其是着眼于i行j列的像素电路110来对动作进行说明。
在本实施方式中第i行扫描期间被大致区分为，图4中以（b）所表示的初始化期间、以（c）所表示的补偿期间和以（d）所表示的写入期间。而且，在（d）的写入期间后，间隔一段时间成为以（a）所表示的发光期间，经过1个帧的期间后再次至第i行扫描期间。因此，若按时间顺序来说，则成为（发光期间）→初始化期间→补偿期间→写入期间→（发光期间）这样的周期的反复。
<发光期间>
为便于说明，从成为初始化期间的前提的发光期间进行说明。如图4所示，在第i行发光期间，扫描信号Gwr（i）是H电平，控制信号Gel（i）是L电平。另外，在作为逻辑信号的控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）中，控制信号Gel（i）为L电平，控制信号Gcmp（i）、Gorst（i）是H电平。
因此，在图3所示的i行j列的像素电路110中，晶体管124导通，另一方面，晶体管122、123、125截止。因此，晶体管121将与栅极、源极间的电压Vgs对应的电流Ids供给至OLED130。如后所述，在本实施方式中，在发光期间的电压Vgs是根据数据信号的电位从晶体管121的阈值电压电平移位后的值。因此，在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下，将与灰度等级对应的电流供给至OLED130。
此外，第i行发光期间是水平扫描第i行以外的期间，所以数据线14的电位适当地变动。其中，在第i行像素电路110中，晶体管122截止，所以这里不考虑数据线14的电位变动。
<初始化期间>
接下来，若进入第i行扫描期间，则首先开始作为第1期间（b）的初始化期间。在初始化期间中，与发光期间进行比较，控制信号Gel（i）变为H电平，控制信号Gorst（i）变为L电平。
因此，在图3所示的i行j列像素电路110中，晶体管124截止，晶体管125导通。由此，向OLED130供给的电流的路径被切断，并且，OLED130的阳极被复位为电位Vorst。
如上所述，OLED130是由阳极和阴极夹持有机EL层而成的构成，所以在阳极、阴极间电容并列地寄生。在发光期间，在电流流过OLED130时，该OLED130的阳极、阴极间的两端电压被该电容保持，但该保持电压因晶体管125的导通而被复位。因此，在本实施方式中，在后面的发光期间中，在电流再次流过OLED130时，不易受到被该电容保持的电压的影响。
详细而言，例如若是在从高亮度的显示状态转为低亮度的显示状态时是不进行复位的构成，则在亮度高（流过大电流）时的高电压被保持，所以接下来，即便流过小电流，也流过过剩的电流，不能使其为低亮度的显示状态。与此相对，在本实施方式中，OLED130的阳极的电位因晶体管125的导通而被复位，所以低亮度侧的再现性被提高。
此外，在本实施方式中，将电位Vorst设定为该电位Vorst和共用电极118的电位Vct的差低于OLED130的发光阈值电压。因此，在初始化期间（接下来进行说明的补偿期间以及写入期间）中，OLED130是截止（非发光）状态。
<补偿期间>
在第i行扫描期间中，接下来为第2期间成为（c）的补偿期间。在补偿期间，与初始化期间进行比较，扫描信号Gwr（i）以及控制信号Gcmp（i）成为L电平。另一方面，在补偿期间，在控制信号Gref被维持在H电平的状态下，控制信号／Gini成为H电平。
在补偿期间，晶体管123导通，所以晶体管121成为二极管连接。因此，漏极电流流过晶体管121，对栅极节点g以及数据线14进行充电。详细而言，电流按照高位侧电源线160→晶体管121→晶体管123→晶体管122→第j列的数据线14这样的路径流过。因此，因晶体管121的导通而处于相互连接状态的数据线14以及栅极节点g的电位上升。
但若将晶体管121的阈值电压设为｜Vth｜，则流过上述路径的电流随着栅极节点g接近电位（Vel－｜Vth｜）而变得不易流动，所以在到达补偿期间的结束之前，数据线14以及栅极节点g在电位（Vel－｜Vth｜）饱和。因此，保持电容132在到达补偿期间的结束之前，保持晶体管121的阈值电压｜Vth｜。
<写入期间>
在补偿期间后，为第3期间进入（d）的写入期间。在写入期间中，控制信号Gcmp（i）成为H电平，所以晶体管121的二极管连接被解除。从第j列数据线14至到达i行j列的像素电路110的栅极节点g的路径的电位被保持电容132维持在（Vel－｜Vth｜）。
<发光期间>
在第i行写入期间结束后，间隔1个水平扫描期间的时间到达发光期间。在该发光期间中，如上述那样，控制信号Gel（i）成为L电平，所以在i行j列像素电路110中，晶体管124导通。在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下，将与灰度等级对应的电流供给至OLED130。
在第i行扫描期间中，在第j列像素电路110以外的第i行其他的像素电路110中也在时间上并列地执行这样的动作。并且，实际在1个帧期间中，按照第1、2、3、…、（m－1）、m行的顺序执行这样的第i行的动作，并且按照每个帧反复进行。
在以上的像素电路110中，在数据线14与像素电路110中的栅极节点g之间会实际上寄生寄生电容。因此，若数据线14的电位变化幅度大，则经由该寄生电容传递至栅极节点g，产生所谓的串扰、不均等，使显示品质降低。该寄生电容的影响在像素电路110被微细化时显著展现。
然而，在本实施方式中，如后所述，晶体管121的栅极电极和其他晶体管或保持电容的连接部的四侧被初始化用的电源线16包围，所以即便因数据线14的电位变动等而产生噪声，晶体管121的栅极电极和其他晶体管或保持电容的连接部也不会受到噪声的影响，抑制了晶体管121的栅极电极的电位变动。其结果，实现良好的显示品质。后面进行详细叙述。
根据本实施方式，作为使晶体管125导通的期间，即作为OLED130的复位期间，能够确保比扫描期间长的期间，例如能够确保2个水平扫描期间，所以在发光期间中，能够充分初始化OLED130的寄生电容所保持的电压。
另外，根据本实施方式，由晶体管121向OLED130供给的电流Ids抵消阈值电压的影响。因此，根据本实施方式，即便晶体管121的阈值电压按照每个像素电路110产生偏差，也能补偿该偏差，向OLED130供给与灰度等级对应的电流，所以抑制损坏显示画面的同样性这样的显示不均的产生，其结果是能够进行高品质的显示。
并且，根据本实施方式，晶体管121的栅极电极和其他晶体管或保持电容之间的连接部的四侧被初始化用的电源线16包围，所以即便因数据线14的电位变动等而产生噪声，晶体管121的栅极电极和其他晶体管或保持电容的连接部也不会受到噪声的影响，抑制了晶体管121的栅极电极的电位变动。其结果，能够降低显示不均等显示不良。
<像素电路的构造>
接下来，参照图5至图9对该像素电路110的构造进行说明。
图5是表示从一个像素电路110的基板至第2层间绝缘膜的构成的俯视图，图6是表示从一个像素电路110的基板至第3层间绝缘膜的构成的俯视图。另外，图7是表示在图6的第3层间绝缘膜上形成了电源线的状态的构成的俯视图。图8是图5～图7中以A－A’线剖开的局部剖视图，图9是图5～图7中以B－B’线剖开的局部剖视图。
此外，图5示出从观察侧俯视顶部发光的像素电路110时的布线构造，为使简单化，省略与供给基板电位Vel的电源线相比形成于上层的构造体。另外，在以下的各图中，为了使各层、各部件、各区域等成为可识别的大小，而改变了比例尺。
首先，如图5所示，设置有成为基础的基板2。将基板2设置成平板状，但在图5中，为了能够容易理解各晶体管的位置，表示成岛状。
在基板2上设置有用于形成晶体管的能动区域143。这里，所谓能动区域是用于形成MOS型晶体管的区域，相当于源极/漏极区域。能动区域143构成晶体管124。另外，与该能动区域143相同，如图5所示，在基板2上设置有能动区域140、141、142。能动区域140构成晶体管122以及晶体管123，能动区域141构成晶体管121，能动区域142构成晶体管125。
如图8所示，以覆盖能动区域140的整个面的方式设置有栅极绝缘膜17。如图5所示，该能动区域140是晶体管122以及晶体管123的源极或者漏极，在与该能动区域140同一层上形成有作为晶体管121的源极或者漏极的能动区域141、作为晶体管124的源极或者漏极的能动区域143以及作为晶体管125的源极或者漏极的能动区域142。而且，以覆盖能动区域141～143的几乎整个面的方式设置有图8所示的栅极绝缘膜17。在栅极绝缘膜17的表面设置铝、多晶硅等栅极布线层，并且例如如图8所示，通过图案化该栅极布线层而设置有栅极电极144。栅极电极144是晶体管121的栅极电极，如图5所示，在与该栅极电极144同一层上设置有晶体管122的栅极电极145、晶体管123的栅极电极146、晶体管124的栅极电极148、晶体管125的栅极电极147。
在图8中，以覆盖栅极电极144或者栅极绝缘膜17的方式形成有第1层间绝缘膜18。在第1层间绝缘膜18的表面成膜有导电性的布线层，并且通过该布线层的图案化形成有中继电极41。如图5所示，在与该中继电极41同一层上分别形成有中继电极42、43、44、45、46。
其中，中继电极41经由对第1层间绝缘膜18进行开孔的接触孔31与晶体管121的栅极电极144连接。另外，中继电极41经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17进行开孔的接触孔32与晶体管122以及晶体管123的能动区域140连接。
此外，在图5中，在不同种类的布线层彼此重合的部分中，在“□”标记上附加了“×”标记的部分是接触孔。
在图5中，中继电极42的一端经由对第1层间绝缘膜18进行开孔的接触孔33与晶体管122的能动区域140连接，另一方面，中继电极42的另一端经由对后述的第2层间绝缘膜19进行开孔的接触孔34与数据线14连接。
中继电极43的一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17进行开孔的接触孔36与晶体管123的能动区域140连接，另一方面，中继电极43的另一端经由对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17进行开孔的接触孔35与晶体管121的能动区域141连接。
中继电极44的一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17进行开孔的接触孔37与晶体管125的能动区域142连接，另一方面，中继电极44的另一端经由对后述的第2层间绝缘膜19进行开孔的接触孔38与初始化用的电源线16连接。
中继电极45的一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17进行开孔的接触孔39与晶体管124的能动区域143连接，另一方面，中继电极45的另一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17进行开孔的接触孔50与晶体管125的能动区域142连接。
中继电极46的一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17进行开孔的接触孔40与晶体管124的能动区域143连接，另一方面，中继电极46的另一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17进行开孔的接触孔35与晶体管121的能动区域141连接。
另外，如图5所示，在与上述的中继电极41、42、43、44、45、46同一层上形成有扫描线12、控制线114、115、118、中继电极116、以及屏蔽布线117。
扫描线12经由对第1层间绝缘膜18进行开孔的接触孔51与晶体管122的栅极电极145连接。
控制线118经由对第1层间绝缘膜18进行开孔的接触孔52与晶体管123的栅极电极146连接。
控制线114经由对第1层间绝缘膜18进行开孔的接触孔54与晶体管125的栅极电极147连接。
控制线115经由对第1层间绝缘膜18进行开孔的接触孔53与晶体管124的栅极电极148连接。
中继电极116经由对后述的第2层间绝缘膜19以及第3层间绝缘膜15进行开孔的接触孔57与后述的高位侧电源线160连接。
并且，将屏蔽布线117从俯视时的、图5所示的像素的右邻像素中的初始化用的电源线16的下方延伸配置至到图5所示的像素的数据线14（在图6中示出数据线14）的下方位置，如图5所示，形成为数据线14在长度方向的宽度也变宽。
将在图5所示的晶体管121的栅极电极144上所示出的屏蔽布线117延伸配置至图5所示的像素的左邻像素的数据线14。
如图8所示，屏蔽布线117经由对后述的第2层间绝缘膜19进行开孔的接触孔55与初始化用的电源线16连接。
如图8所示，以覆盖中继电极41、42、43、44、45、46以及扫描线12、控制线118、114、115、中继电极116、屏蔽布线117或者第1层间绝缘膜18的方式形成有第2层间绝缘膜19。在第2层间绝缘膜19的表面成膜导电性的布线层，并且，通过该布线层的图案化分别形成有数据线14以及初始化用的电源线16。
图6是俯视在第2层间绝缘膜19的表面形成了数据线14以及初始化用的电源线16的状态的图。
如图6所示，以覆盖晶体管121以及晶体管124的整个面的方式形成初始化用的电源线16，但在初始化用的电源线16上形成有开口部170，构成为包围从晶体管121的栅极电极144到接触孔31以及中继电极41的连接部的四侧。
此外，在图6中省略图示，如图8以及图9所示，在从晶体管121的栅极电极144到接触孔31以及中继电极41的连接部的上层位置经由对第2层间绝缘膜19进行开孔的接触孔60形成有中继电极61。
初始化用的电源线16经由对第2层间绝缘膜19进行开孔的接触孔38与中继电极44连接，经由中继电极44与晶体管124的能动区域142连接。
另外，如图8所示，初始化用的电源线16经由对第2层间绝缘膜19进行开孔的接触孔55与屏蔽布线117连接。
并且，在本实施方式中，在初始化用的电源线16上形成有开口部171，构成为包围从晶体管124的能动区域143与上层连接的连接部的周围。在该连接部上，且在上层连接有OLED130的阳极。
在与初始化用的电源线16相同的层上形成有数据线14，数据线14经由对第2层间绝缘膜19进行开孔的接触孔34与中继电极42连接。
在使像素间距变窄的情况下，如图6所示，数据线14和晶体管121向栅极电极144上层连接的连接部靠近，如上所述，该连接部的四侧被初始化用的电源线16包围，所以栅极电极144向上层的连接部不会受到数据线14的电位变动引起的噪声的影响。
如图8以及图9所示，以覆盖初始化用的电源线16、数据线14以及中继电极61的整个面的方式形成第3层间绝缘层15。
如图8以及图9所示，在第3层间绝缘层15的表面形成高电位电源线160。
图7是俯视在第3层间绝缘膜15的表面形成了高电位电源线160的状态的图。
如图7所示，以覆盖像素整体的方式形成高电位电源线160，但在高电位电源线160上形成有开口部172，构成为包围从晶体管121的栅极电极144至接触孔31以及中继电极41，进而至接触孔60以及中继电极61的连接部的四侧。
此外，在图7中省略图示，但如图8以及图9所示，在从晶体管121的栅极电极144至接触孔31以及中继电极41，进而至接触孔60以及中继电极61的连接部的上层位置经由对第3层间绝缘膜15进行开孔的接触孔62形成有中继电极63。
另外，在本实施方式中，在高电位电源线160上形成有开口部173，构成为包围从晶体管124的能动区域143与上层连接的连接部的周围。在该连接部，且在上层连接OLED130的阳极。
并且，高电位电源线160经由对第2层间绝缘膜19以及第3层间绝缘膜15进行开孔的接触孔57与中继电极116连接。通过该连接线（line）向晶体管121的源极节点或者漏极节点供给基板电位Vel。
此外，图示省略作为电光装置10的以后的构造，但在通过初始化用的电源线16的开口部171以及高电位电源线160的开口部173将OLED130的阳极连接至连接部，其中，该连接部被初始化用的电源线16和高电位电源线160包围并且从晶体管124的能动区域143与上层连接，在该阳极上按照每个像素电路110层叠有由有机EL材料构成的发光层，且在各像素电路110整体上设有共用的透明电极作为兼任阴极的共用电极118。由此，发光元件150成为由相互对置的阳极和阴极夹持发光层而成的OLED，以与从阳极流向阴极的电流对应的亮度发光，朝向与基板2相反的方向被观察（顶部发光构造）。除此而外，设置用于将发光层从大气隔离的密封玻璃等，但省略说明。
另外，在从晶体管121的栅极电极144至接触孔31以及中继电极41，接触孔60以及中继电极61，进而至接触孔62以及中继电极63的连接部的上层形成栅极节点电极，在该栅极节点电极的下层和高电位电源线160之间形成图3所示的保持电容132。但为使简单化，省略图8以及图9中的图示。
如以上所述，从晶体管121的栅极电极144至上层部的栅极节点电极的连接部中，形成于与数据线14同一层的中继电极61的四侧被初始化用的电源线16的开口部170包围。另外，上述连接部中，形成于中继电极61的上层的中继电极63的四侧被高电位电源线160的开口部172包围。
因此，即便因数据线14的电位变动而产生噪声，也通过初始化用的电源线16以及高电位电源线160防止数据线14的噪声侵入作为驱动晶体管发挥功能的晶体管121的栅极电极的连接部。其结果，积蓄于保持电容的数据信号不会发生变化，经由作为驱动晶体管发挥功能的晶体管121向OLED130供给的电流也不会发生变化，进行基于准确亮度的显示。
并且，在本实施方式中，与OLED130的阳极连接的连接部的四侧也被初始化用的电源线16以及高电位电源线160包围，所以数据线14的电位变动引起的噪声不会侵入OLED130的阳极，进一步可靠地进行基于准确亮度的显示。
并且，在本实施方式中，将与相邻像素中的初始化用的电源线16连接的屏蔽布线117延伸配置至与该像素的数据线14交叉的位置，在该交叉部形成有并行平板电容。通过该并行平板电容，从数据线14向晶体管121的栅极布线的电场强度减弱，寄生电容被大幅度削减。其结果，能够进一步抑制数据线14的噪声给晶体管121的栅极布线带来的影响。
另外，虽产生对屏蔽布线117自身的噪声施加，但由于从接下来写入映像信号的相邻的像素延伸配置屏蔽图案117，所以对自身像素的显示品质没有影响。另外，即便相邻的像素受到噪声引起的变动，由于在下一定时写入正规的映像信号，所以不影响显示品质。
应用/变形例
本发明不限于上述实施方式、应用例等实施方式等，例如能够进行下述各种变形。另外，也能够对任意地选择出的一个或者多个下述的变形方式进行适当地组合。
<控制电路>
在实施方式中，将供给数据信号的控制电路5与电光装置10独立设置，但也可以将控制电路5与扫描线驱动电路20、多路输出选择器(demultiplexer)30、电平移位电路40一起集成在硅基板上。
<基板>
在实施方式中，为将电光装置10集成于硅基板的构成，但也可以为集成于其他半导体基板的构成。另外，也可以应用多晶硅加工工艺形成于玻璃基板等上。无论哪一种，都在对像素电路110进行微细化，在晶体管121中针对栅极电压Vgs的变化，使漏极电流按照指数函数大幅变化的构成中有效。
<控制信号Gcmp（i）>
在实施方式等中，若以第i行来说，在写入期间将控制信号Gcmp（i）设为H电平，但也可以设为L电平。即，也可以为并行执行使晶体管123导通带来的阈值补偿和对节点栅极g的写入的构成。
<晶体管的沟道型>
在上述的实施方式等中，以P沟道型统一了像素电路110中的晶体管121～125，但也可以以N沟道型进行统一。另外，也可以适当地组合P沟道型以及N沟道型。
<驱动晶体管的栅极电极的连接部中的屏蔽>
在上述的实施方式中，对处于与数据线14同一层的中继电极61，即从作为驱动晶体管发挥功能的晶体管121的栅极电极144向上层的连接部中，以初始化用的电源线16包围与数据线14处于同一层的连接部的四侧的构成的例子进行了说明，但本发明并不局限于这样的构成。包围连接部的布线也可以是被保持在成为电源的低位侧的电位Vct的布线。
这些布线与在扫描线驱动电路20或者数据线驱动电路30等中使用的电源布线相比均为低阻抗，在作为屏蔽线进行使用的情况下，屏蔽效果进一步提高。
另外，在上述的实施方式中，不仅利用初始化用的电源线16包围与数据线14处于同一层的连接部的四侧，还利用高位侧电源线160包围从晶体管121的栅极电极144向上层的连接部中的、与高位侧电源线160处于同层的中继电极63的四侧，但也可以利用初始化用的电源线16或者高位侧电源线160的任意一方包围连接部。
另外，在上述的实施方式中，对利用电源布线包围从晶体管121的栅极电极144向上层的连接部的四侧的例子进行了说明，但本发明并不局限于这样的构成，包围至少三侧即可。例如，即便与图6所示的开口部170或者开口部171，或图7所示的开口部172或者开口部173连续的狭缝形成于初始化用的电源线16或者高位侧电源线160，若从晶体管121的栅极电极144向上层的连接部的大部分被初始化用的电源线16或者高位侧电源线160包围，就能够得到所希望的屏蔽效果。
<其他>
在实施方式等中，作为电光元件例示了作为发光元件的OLED，但例如是无机发光二极管、LED（Light Emitting Diode：发光二极管）等以与电流对应的亮度发光的元件即可。
<电子设备>
接下来，对应用了实施方式等、应用例所涉及的电光装置10的电子设备进行说明。电光装置10面向像素为小尺寸且高精细的显示的用途。因此，作为电子设备以头戴式显示器为例进行说明。
图10是表示头戴式显示器的外观的图，图11是表示其光学构成的图。
首先，如图10所示，头戴式显示器300在外观上与一般的眼镜一样，具有眼镜腿310、鼻架320、镜片301L、301R。另外，如图11所示，在头戴式显示器300中，在鼻架320附近且在镜片301L、301R的内侧（在图中下侧）设置有左眼用的电光装置10L和右眼用的电光装置10R。
将电光装置10L的图像显示面配置为在图11中为左侧。由此，基于电光装置10L的显示图像经由光学透镜302L在图中向9点的方向射出。半反射镜303L使基于电光装置10L的显示图像向6点的方向反射，另一方面，使从12点的方向入射的光透过。
将电光装置10R的图像显示面配置为与电光装置10L相反的右侧。由此，基于电光装置10R的显示图像经由光学透镜302R在图中向3点的方向射出。半反射镜303R使基于电光装置10R的显示图像向6点方向反射，另一方面，使从12点方向入射的光透过。
在该构成中，头戴式显示器300的佩戴者能够在与外面的状况重叠的透视状态下观察基于电光装置10L、10R的显示图像。
另外，在该头戴式显示器300中，若使伴有视差的两眼图像中左眼用图像显示于电光装置10L，使右眼用图像显示于电光装置10R，则能够使佩戴者感觉显示的图像具有纵深感、立体感（3D显示）。
此外，除了将电光装置10应用于头戴式显示器300之外，还能够应用于摄像机、透镜交换式的数码照相机等中的电子式取景器。
附图标记说明
10…电光装置，12…扫描线，14…数据线，16…初始化用的电源线，20…扫描线驱动电路，30…数据线驱动电路，30～39…接触孔，41～46…中继电极，50～56…接触孔，60、62…接触孔，62、63…中继电极，100…显示部，110…像素电路，114、115…控制线供电线，116…供电线，117…屏蔽布线，118…控制线，121～125…晶体管，130…OLED，132…保持电容，140～143…能动区域，144～148…栅极电极，160…高位侧电源线，170～173…开口部，300…头戴式显示器。

Claims (8)

1.一种电光装置，其特征在于，具有：
相互交叉的扫描线以及数据线；
与所述扫描线和所述数据线的交叉对应地设置的像素电路；和
供给规定的电位的电源布线，
所述像素电路具备发光元件和对流过所述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管，
所述驱动晶体管的栅极电极经由第1中继电极与规定的节点电连接，
所述第1中继电极与所述电源布线以及所述数据线形成于同一层，并且所述第1中继电极的至少三侧被所述电源布线包围。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述像素电路被供给低位侧的电源电位，
所述电源布线被供给初始化所述像素电路的复位电位，或所述低位侧的电源电位。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，
所述电源布线以所述电源布线位于所述第1中继电极和所述数据线之间的方式包围所述第1中继电极。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电光装置，其特征在于，
所述第1中继电极的四侧被形成于所述电源布线的开口部包围。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的电光装置，其特征在于，
所述像素电路还具有保持电容，
所述保持电容的一方电极与所述第1中继电极电连接。
6.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，
所述像素电路经由高电位电源线被供给高位侧的电源电位，
所述保持电容的另一方电极与所述高电位电源线电连接。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的电光装置，其特征在于，
具有第2中继电极，所述第2中继电极被形成于与所述第1中继电极不同的层，并将所述驱动晶体管的栅极电极和所述规定的节点电连接起来，
所述像素电路被供给高位侧的电源电位，
所述第2中继电极的至少三侧被第2电源布线包围，其中，所述第2电源布线被形成于与所述第2中继电极同一层，
所述第2电源布线被供给所述高位侧的电源电位。
8.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1至7中任意一项所述的电光装置。
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