CN112785981B - 显示器面板、显示器模块及移动设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示器面板、显示器模块及移动设备。该显示器面板包括：被形成在所述显示器面板的阴极区中的阴电极，阴电极完全覆盖显示器面板的有源区；以列和行位于显示器面板的有源区中的多个像素单元；被形成在阴电极的环形边缘部分中并被配置为供应负电源电压到阴电极的环形边缘负电压线；以及被连接到环形边缘负电压线的多条补偿负电压线，补偿负电压线沿显示器面板的列方向延伸并且沿显示器面板的行方向布置。

Description

显示器面板、显示器模块及移动设备
本申请是申请日为2015年6月15日、申请号为201510328810.4、名称为“显示器面板、显示器模块及移动设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明实施例的方面涉及显示器，并且更具体地说，涉及被配置为补偿负电源电压的显示器面板、包括该显示器面板的显示器模块和移动设备。
背景技术
近来，诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器和电致发光显示器的各种显示器设备已经得到普及。在这些显示器中，电致发光显示器可使用通过电子和空穴的再结合而发光的发光二极管(LED)或有机发光二极管(OLED)、以快速的响应速度和降低的功耗来驱动。电致发光显示器设备的亮度由作为各个像素驱动电流的总和的全局驱动电流来确定(或控制)。换句话说，当所显示的图像具有较高的亮度时，供应(或需要)较高的全局驱动电流。
随着沿电源电压线的电阻降(或IR降)降低，所显示的图像的质量可以提高，并且功耗可以降低。为了降低电阻降，电源电压线的横截面面积可以增加。但是，因为诸如电源电压线、数据线、栅极线、初始电压线等的各种信号和电压线被集成在显示器面板中，因此横截面面积的增加受限于设计余量的限制。
发明内容
本发明实施例的至少一方面提供了一种能够补偿负电源电压的显示器设备。
本发明实施例的至少一方面提供了一种包括能够补偿负电源电压的显示器设备的显示器模块。
本发明实施例的至少一方面提供了一种包括能够补偿负电源电压的显示器设备的移动设备。
根据一个实施例，一种显示器面板包括：被形成在显示器面板的阴极区中的阴电极，阴电极完全覆盖显示器面板的有源区；以列和行位于显示器面板的有源区中的多个像素单元；被形成在阴电极的环形边缘部分中并被配置为供应负电源电压到阴电极的环形边缘负电压线；以及被连接到环形边缘负电压线的多条补偿负电压线，补偿负电压线沿显示器面板的列方向延伸并沿显示器面板的行方向布置。
显示器面板可以进一步包括多条正电压线和多条初始化电压线。正电压线可以被形成在第一金属层中并可以被配置为提供正电源电压到像素单元，并且正电压线可以沿列方向延伸并沿行方向布置。显示器面板可以进一步包括被形成在第一金属层中并被配置为提供初始化电压到像素单元的多条初始化电压线。初始化电压线可以沿列方向延伸并可以沿行方向布置。
补偿负电压线可以通过与正电压线和初始化电压线的制造工艺相同的制造工艺被形成在第一金属层中。
初始化电压线可以包括每两列像素单元的一条初始化电压线，并且补偿负电压线可以包括每两列像素单元的一条补偿负电压线。
补偿负电压线可以通过与正电压线和初始化电压线的制造工艺不同的制造工艺被形成在第一金属层上方的第二金属层中。
补偿负电压线可以包括每列像素单元的两条补偿负电压线，并且初始化电压线可以包括每列像素单元的一条初始化电压线。
补偿负电压线中的每条可以在正电压线中的对应正电压线的上方，使得每一列像素单元可以布置有两条补偿负电压线。
补偿负电压线中的每条可以在初始化电压线中的对应初始化电压线的上方，使得每一列像素单元可以布置有一条补偿负电压线。
补偿负电压线中的每条可以在正电压线中的每条和初始化电压线中的每条的上方，使得每一列像素单元可以布置有三条补偿负电压线。
补偿负电压线可以通过与正电压线和初始化电压线的制造工艺不同的制造工艺被形成在第一金属层上方的阳极层中，其中阳极层中形成有像素单元中的发光二极管的阳极。
显示器面板可以进一步包括：被形成在第一金属层中并被配置为提供正电源电压到像素单元的多条正电压线，正电压线沿列方向延伸并沿行方向布置，正电压线通过与补偿负电压线相同的制造工艺形成，其中补偿负电压线被进一步配置为供应初始化电压到像素单元，初始化电压具有等于负电源电压的电压。
补偿负电压线中的每条可以联接到列中对应一列的像素单元。
环形边缘负电压线和补偿负电压线可以被形成在相同的金属层中。
环形边缘负电压线和补偿负电压线可以通过相同的制造工艺被图案化，并可以被直接彼此连接。
环形边缘负电压线和补偿负电压线可以被形成在不同的金属层中。
环形边缘负电压线和补偿负电压线可以通过多个垂直触点被彼此连接。
环形边缘负电压线可以包括：沿阴电极的顶边缘部分的顶边缘线，顶边缘线沿行方向延伸；沿阴电极的底边缘部分的底边缘线，底边缘线沿行方向延伸；沿阴电极的左边缘部分的左边缘线，左边缘线沿列方向延伸；以及沿阴电极的右边缘部分的右边缘线，右边缘线沿列方向延伸。
沿列方向延伸的补偿负电压线可以被连接到沿行方向延伸的顶边缘线和底边缘线。
根据一个实施例，一种显示器模块包括显示器面板和被配置为驱动显示器面板的驱动电路。显示器面板包括阴电极、环形边缘负电压线和多条补偿负电压线。阴电极在显示器面板的阴极区中，并且阴电极覆盖多个像素单元位于其中的整个有源区。环形边缘负电压线在阴电极的环形边缘部分中并被配置为施加负电源电压到阴电极。补偿负电压线被连接到环形边缘负电压线。补偿负电压线沿列方向延伸并沿行方向布置。
根据一个实施例，一种移动设备包括应用处理器、显示器面板和被配置为由应用处理器控制以驱动显示器面板的驱动电路。显示器面板包括阴电极、环形边缘负电压线和多条补偿负电压线。阴电极被形成在显示器面板的阴极区中，并且阴电极覆盖多个像素单元位于其中的整个有源区。环形边缘负电压线被形成在阴电极的环形边缘部分中并被配置为施加负电源电压到阴电极。补偿负电压线被连接到环形边缘负电压线。补偿负电压线沿列方向延伸并沿行方向布置。
显示器面板、包括显示器面板的显示器模块和移动设备可以使用补偿负电压线降低(或有效降低)负电源电压的电阻降，因此可以在不过度改变已经建立的制造工艺的情况下降低功耗。
附图说明
通过结合附图的下列详细描述，本发明的示例实施例将被更清楚地理解。
图1是示出了根据本发明示例实施例的显示器面板中的负电压线的布局的图。
图2是示出了根据本发明示例实施例的显示器设备的框图。
图3A和图3B是示出了根据本发明一个实施例的边缘负电压线和补偿负电压线的示例连接的图。
图4A和图4B是示出了根据本发明一个实施例的边缘负电压线和补偿负电压线的另一示例连接的图。
图5A和图5B是示出了根据本发明一个实施例的边缘负电压线和补偿负电压线的又一示例连接的图。
图6是示出了根据本发明一个实施例的被包括在图2的显示器设备中的像素的一个示例的电路图。
图7是用于描述根据本发明一个实施例的被包括在图2的显示器设备中的显示器面板的垂直结构的剖视图。
图8A和图8B是示出了根据本发明示例实施例的电压线的布局的图。
图9是用于描述阴电极中的电压分布的图。
图10A和图10B是示出了根据本发明另一示例实施例的电压线的布局的图。
图11A和图11B是示出了根据本发明又一示例实施例的电压线的布局的图。
图12A和图12B是示出了根据本发明又一示例实施例的电压线的布局的图。
图13是示出了根据本发明又一示例实施例的电压线的布局的剖视图。
图14是示出了被包括在图2的显示器设备中的像素的示例的电路图。
图15A和图15B是示出了根据本发明又一示例实施例的电压线的布局的图。
图16是示出了根据本发明示例实施例的移动设备的框图。
图17是示出了根据本发明示例实施例的采用示例接口的移动设备的框图。
图18是示出了根据本发明示例实施例的便携式终端的框图。
具体实施方式
在下文中参考附图更充分地描述示例实施例。贯穿全文，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元件。
图1是示出了根据本发明示例实施例的显示器面板中的负电压线的布局的图。
参考图1，显示器面板110中的负电压线包括环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL以及多条补偿负电压线CL1至CLk。补偿负电压线CL1至CLk的数量可根据显示器面板110的设计和分辨率变化。用于施加负电源电压ELVES的引线IL1和IL2被一起示出在图1中，并且诸如正电压线、数据线、栅极线等的其它信号和电压线在图1中被省略。
如将参考图2、图6和图7所描述的，多个像素单元以行和列的矩阵形式被形成在显示器面板110的有源区ACTR中，并且阴电极CE被形成在阴极区CTHR中，使得阴电极CE覆盖整个有源区ACTR。
环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL被形成在阴电极CE的环形边缘部分中，以驱动(或施加)负电源电压ELVSS到阴电极CE。补偿负电压线CL1至CLk被连接到环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL，并且补偿负电压线CL1至CLk在列方向Y上延伸并沿行方向X布置(例如重复布置或彼此隔开)。
如图1所示，环形边缘负电压线可具有包括顶边缘线TEL、底边缘线BEL、左边缘线LEL和右边缘线REL的矩形形状。顶边缘线TEL被形成在阴电极CE的顶边缘部分中，并且顶边缘线TEL在行方向X上延伸。底边缘线BEL被形成在阴电极CE的底边缘部分中，并且底边缘线BEL在行方向X上延伸。左边缘线LEL被形成在阴电极CE的左边缘部分中，并且左边缘线LEL在列方向Y上延伸。右边缘线REL被形成在阴电极CE的右边缘部分中，并且右边缘线REL在列方向Y上延伸。
在列方向Y上延伸的补偿负电压线CL1至CLk可以被连接到在行方向X上延伸的顶边缘线TEL和底边缘线BEL。补偿负电压线CL1至CLk与边缘负电压线TEL和BEL之间的连接的示例实施例参考示出了部分区域PR的图3A、图3B、图4A、图4B、图5A和图5B来描述，并且信号和电压线的布局的示例实施例参考图6、图7、图8A、图8B、图9、图10A、图10B、图11A、图11B、图12A、图12B、图13、图14、图15A和15B来描述。
这样，根据示例实施例的显示器面板110可以使用补偿负电压线CL1至CLk有效地降低负电源电压ELVSS的电阻降，因而在不过度改变已建立的制造工艺的情况下降低功耗。
图2是示出了根据本发明示例实施例的显示器设备的框图。
图2所示的显示器设备100或显示器模块可以是包括通过电子和空穴的再结合而发光的发光二极管(LED)或有机发光二极管(OLED)的电致发光显示器设备。
显示器设备100可以包括具有多个像素单元PX的显示器面板110、扫描驱动器SDRV120、数据驱动器DDRV 130、发射控制驱动器EDRV 140、时序控制器TMC 150和电压提供电路VP 160。
如参考图1所述，显示器面板110可以包括阴电极CE、环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL、以及多条补偿负电压线CL1至CLk。阴电极CE被形成在阴极区CTHR中，使得阴电极CE覆盖整个有源区ACTR。环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL被形成在阴电极CE的环形边缘部分中，以驱动负电源电压ELVSS至阴电极CE。补偿负电压线CL1至CLk被连接到环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL，并且补偿负电压线CL1至CLk在列方向Y上延伸，并沿行方向X布置(例如重复布置或彼此隔开)。
像素单元PX可位于(或被设置在)行控制线(或扫描线)SL1至SLn、数据线DL1至DLm以及发射控制线EML1至EMLn的交叉区域(例如每个交叉部分)处。每个像素单元PX可以包括多个子像素。例如，每个像素单元PX可以包括沿行方向X布置的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。在这种情况下，图2中示出的数据线DL1至DLm中的每条可包括用于分别驱动R子像素、G子像素和B子像素的三条信号线。
像素单元PX可以从电压提供电路160接收正电源电压ELVDD、负电源电压ELVSS、初始化电压VINT等。扫描驱动器120可以以行为单位通过行控制线SL1至SLn将如图6所示的行控制信号GW、GI和GB提供到像素单元PX。数据驱动器130可以以列为单位通过数据线DL1至DLm将如图6所示的数据信号DATA提供到像素单元PX。发射控制驱动器140可以以行为单位通过发射控制线EML1至EMLn将如图6所示的发射控制信号EM提供到像素单元PX。
时序控制器150可以从外部设备接收并转换图像信号R、G、B，并将转换后的图像数据DR、DG、DB提供到数据驱动器130。另外，时序控制器150可以从外部设备接收垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK，并生成用于扫描驱动器120、数据驱动器130和发射控制驱动器140的控制信号。时序控制器150分别提供扫描驱动控制信号SCS到扫描驱动器120，提供数据驱动控制信号DCS到数据驱动器130，并提供发射驱动控制信号ECS到发射控制驱动器140。每个像素单元PX以基于通过数据线DL1至DLm提供的数据信号流过LED或OLED的驱动电流而发光。
图3A和图3B是示出了根据本发明一个实施例的边缘负电压线和补偿负电压线的示例连接的图。图3A示出了图1中的部分区域PR的俯视图，并且图3B示出了在图3A中的线A-A'处的剖视图。
参考图3A和图3B，顶边缘线TEL、底边缘线BEL、以及补偿负电压线CLi和CLj可以被形成在相同的金属层MLR中。尽管在图3A和图3B中未示出，图1中的左边缘线LEL和右边缘线REL可以被形成在相同的金属层MLR中。因此，环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL可以与补偿负电压线CL1至CLk一样被形成在金属层MLR中。
环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL以及补偿负电压线CL1至CLk可通过相同的制造工艺来图案化，以直接彼此连接。此外，环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL以及补偿负电压线CL1至CLk可以通过诸如通孔的垂直触点VC(例如沿与阴电极CE基本上垂直的方向延伸的触点)被连接到被形成在阴极层CLR中的阴电极CE。
图4A和图4B是示出了根据本发明一个实施例的边缘负电压线和补偿负电压线的另一示例连接的图。图4A示出了图1中的部分区域PR的俯视图，并且图4B示出了在图4A中的线A-A'处的剖视图。
参考图4A和图4B，顶边缘线TEL、底边缘线BEL与补偿负电压线CLi和CLj可以被分别形成在不同的金属层MLR1和MLR2中。尽管在图4A和图4B中未示出，图1中的左边缘线LEL和右边缘线REL可以与顶边缘线TEL和底边缘线BEL一起被形成在相同的金属层MLR1中。因此，环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL可以被形成在第一金属层MLR1中，并且补偿负电压线CL1至CLk可以被形成在位于第一金属层MLR1上方的第二金属层MLR2中。
环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL与补偿负电压线CL1至CLk可通过垂直触点VC1彼此连接。此外，环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL与补偿负电压线CL1至CLk可以通过垂直触点VC2连接到被形成在阴极层CLR中的阴电极CE。
图5A和图5B是示出了根据本发明一个实施例的边缘负电压线和补偿负电压线的又一示例连接的图。图5A示出了图1中的部分区域PR的俯视图，并且图5B示出了在图5A中的线A-A'处的剖视图。
参考图5A和图5B，顶边缘线TEL、底边缘线BEL与补偿负电压线CLi和CLj可以被分别形成在不同的金属层MLR1和MLR2中。尽管在图5A和图5B中未示出，图1中的左边缘线LEL和右边缘线REL可以与顶边缘线TEL和底边缘线BEL一起被形成在相同的金属层MLR2中。因此，环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL可以被形成在第二金属层MLR2中，并且补偿负电压线CL1至CLk可以被形成在位于第二金属层MLR2下方的第一金属层MLR1中。
环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL与补偿负电压线CL1至CLk可通过垂直触点VC1彼此连接。此外，环形边缘负电压线TEL、BEL、LEL和REL与补偿负电压线CL1至CLk可以通过垂直触点VC2连接到被形成在阴极层CLR中的阴电极CE。
图6是示出了根据本发明一个实施例的被包括在图2的显示器设备中的像素的示例的电路图。
参考图6，像素SPX可以是被包括在每个像素单元PX中的子像素。像素SPX可以包括通过第一、第二、第三、第四、第五和第六节点N1、N2、N3、N4、N5和N6连接的OLED、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器CST、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7。在示例实施例中，像素SPX可进一步包括二极管并联电容器(例如与OLED并联的电容器)CEL。在另一示例实施例中，二极管并联电容器CEL可以是由寄生电容(例如OLED的寄生电容)形成的电容器。
OLED可以基于驱动电流ID发光。OLED的阴极可以被连接到负电源电压ELVSS或接地电压，并且OLED的阳极可以被连接到第四节点N4。
第一晶体管TR1可以包括被连接到第五节点N5的栅电极、被连接到第二节点N2的源电极、以及被连接到第三节点N3的漏电极。第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。在示例实施例中，第一晶体管TR1可以在线性区中操作。在这种情况下，第一晶体管TR1可以基于栅电极和源电极之间的电压差产生驱动电流ID，并且像素的灰度(或灰度级)可以基于驱动电流ID的幅度来表示。在另一示例实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区中操作。在这种情况下，数字驱动可以被执行，使得灰度(或灰度级)通过每帧中向OLED提供驱动电流ID的时间的总和来表示。
第二晶体管TR2可包括接收扫描信号GW的栅电极、接收数据信号DATA的源电极、以及被连接到第二节点N2的漏电极。第二晶体管TR2可以在扫描信号GW的激活时间间隔期间将数据信号DATA传送到第一晶体管TR1的源电极。在这种情况下，第二晶体管TR2可以在线性区中操作。在另一实施例中，第二晶体管TR2在饱和区中操作。
第三晶体管TR3可包括接收扫描信号GW的栅电极、被连接到第五节点N5的源电极、以及被连接到第三节点N3的漏电极。第三晶体管TR3可以在扫描信号GW的激活时间间隔期间电连接第一晶体管TR1的栅电极和第一晶体管TR1的漏电极。换句话说，第三晶体管TR3可以在扫描信号GW的激活时间间隔期间形成第一晶体管TR1的二极管连接(或二极管连接第一晶体管TR1)。通过这样的二极管连接，利用第一晶体管TR1的相应阈值电压补偿的数据信号DATA可被提供给第一晶体管TR1的栅电极。这样的阈值电压补偿可减少或解决由于第一晶体管TR1的阈值电压的偏差而导致的驱动电流ID的不规则性的问题。
存储电容器CST可以被连接在第一节点N1与第五节点N5之间。存储电容器CST在扫描信号GW的去激活时间间隔期间维持第一晶体管TR1的栅电极上的电压电平。扫描信号GW的去激活时间间隔可以包括发射控制信号EM的激活时间间隔(例如与发射控制信号EM的激活时间间隔重叠)。通过第一晶体管TR1产生的驱动电流ID可以在发射控制信号EM的激活时间间隔期间被施加到OLED。
第四晶体管TR4可包括接收数据初始化信号GI的栅电极、被连接到第五节点N5的源电极、以及被连接到第六节点N6的漏电极。第四晶体管TR4可以在数据初始化信号GI的激活时间间隔期间提供初始化电压VINT到第一晶体管TR1的栅电极。换句话说，第四晶体管TR4可以在数据初始化信号GI的激活时间间隔期间利用初始化电压VINT初始化第一晶体管TR1的栅电极。在示例实施例中，初始化电压VINT的电压电平可以低于由存储电容器CST在前一帧中维持的数据信号DATA(例如先前存储的数据信号)的电压电平。初始化电压VINT可被施加到作为P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的第一晶体管TR1的栅电极。在另一示例实施例中，初始化电压VINT的电压电平可以高于由存储电容器CST在前一帧中维持的数据信号DATA的电压电平。初始化电压VINT可被施加到作为N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的第一晶体管TR1栅电极。
在一个示例实施例中，数据初始化信号GI可以与超前一个水平时间的扫描信号GW相同。例如，数据初始化信号GI被施加到位于第n行中的像素，并且数据初始化信号GI可以与被施加到位于第(n-1)行中的像素的扫描信号GW基本相同。因此，被激活的数据初始化信号GI可以通过施加被激活的扫描信号GW到位于第(n-1)行中的像素而被施加到位于第n行中的像素。结果，当数据信号DATA被施加到位于第(n-1)行中的像素时，被包括在位于第n行中的像素中的第一晶体管TR1的栅电极可以被初始化为初始化电压VINT。
第五晶体管TR5可包括接收发射控制信号EM的栅电极、被连接到第一节点N1的源电极、以及被连接到第二节点N2的漏电极。第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的激活时间间隔期间提供正电源电压ELVDD到第二节点N2。此外，第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的去激活时间间隔期间将第二节点N2从正电源电压ELVDD断开。当第五晶体管TR5在发射控制信号EM的激活时间间隔期间提供正电源电压ELVDD到第二节点N2时，第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。此外，当第五晶体管TR5在发射控制信号EM的去激活时间间隔期间将第二节点N2从正电源电压ELVDD断开时，利用第一晶体管TR1的阈值电压补偿的数据信号DATA可被提供给第一晶体管TR1的栅电极。
第六晶体管TR6可包括接收发射控制信号EM的栅电极、被连接到第三节点N3的源电极、以及被连接到第四节点N4的漏电极。第六晶体管TR6可在发射控制信号EM的激活时间间隔期间提供由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID到OLED。在这种情况下，第六晶体管TR6可以在线性区中操作。在另一实施例中，第六晶体管TR6在饱和区中操作。第六晶体管TR6可在发射控制信号EM被去激活时将第一晶体管TR1从OLED断开，使得被施加到第一晶体管TR1的第二电极的补偿后的数据信号DATA被施加到第一晶体管TR1的栅电极。
第七晶体管TR7可包括接收二极管初始化信号GB的栅电极、被连接到第六节点N6的源电极、以及被连接到第四节点N4的漏电极。第七晶体管TR7可在二极管初始化信号GB的激活时间间隔期间提供初始化电压VINT到OLED的阳极。换句话说，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时间间隔期间利用初始化电压VINT初始化OLED的阳极。
在一些示例实施例中，二极管初始化信号GB可以与数据初始化信号GI相同。第一晶体管TR1的栅电极的初始化与OLED的阳极的初始化可以不互相影响，也就是说，它们可以是彼此独立的。因此，二极管初始化信号GB和数据初始化信号GI可以被组合为一个信号。
初始化电压VINT可以取决于二极管并联电容器CEL的特性，并且初始化电压VINT可被设置为足够低的电压。在示例实施例中，初始化电压VINT可以如图14所示被设置为负电源电压ELVSS。
图7是用于描述根据本发明一个实施例的被包括在图2的显示器设备中的显示器面板的垂直结构的剖视图。图7只示出了图6的像素SPX中的元件当中的第六晶体管TR6和OLED。
参考图7，显示器面板300可包括基板301、缓冲层305、有源图案310、栅绝缘层330、第六栅电极335、第一绝缘中间层340、被形成在金属层350中的连接图案351和352、第二绝缘中间层355、阳电极360、像素限定层365、有机发光层370和阴电极375。
缓冲层305被形成在基板301上，并且有源图案310可以被形成在缓冲层305上，其中基板301可以包括诸如玻璃、透明塑料、陶瓷等的绝缘材料。有源图案310可以通过溅射工艺、CVD工艺、印刷工艺、喷射工艺、真空沉积工艺、ALD工艺、溶胶-凝胶工艺、PECVD工艺等形成。有源图案310可以包括源区315和漏区320、以及位于第六栅电极335下方的沟道区325。
栅绝缘层330可被形成为覆盖有源图案310。栅绝缘层330可以通过CVD工艺、热氧化工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)工艺等形成。栅绝缘层330可以相对厚，以充分地覆盖有源图案310。
栅电极335可以被形成在栅绝缘层330上。栅电极335可通过溅射工艺、CVD工艺、印刷工艺、喷射工艺、真空沉积工艺、ALD工艺等形成。
有源图案310可以在栅电极335被形成之后由杂质掺杂。源区315和漏区320可以由杂质掺杂，并且位于栅电极335下方的沟道区325可以不被掺杂。结果，源区315和漏区320可充当导体，并且沟道区325可充当第六晶体管TR6的沟道。
第一绝缘中间层340可以被形成在栅绝缘层330上，以覆盖栅电极335。第一绝缘中间层340可以相对厚，以充分覆盖第六栅电极335。第一绝缘中间层340可具有基本上平的上表面。在一个示例实施例中，可在第一绝缘中间层340上执行平坦化工艺，以增强第一绝缘中间层340的平坦性。
第一绝缘中间层340可以被部分蚀刻，以形成部分暴露有源图案310的源区315和漏区320的接触孔。连接图案351和352可以通过填充接触孔被形成在金属层350中。
第二绝缘中间层355可以被形成在第一绝缘中间层340上，以覆盖连接图案351和352。第二绝缘中间层355可以相对厚，以充分覆盖连接图案351和352。第二绝缘中间层355可具有基本平坦的上表面。在一个示例实施例中，可在第二绝缘中间层355上执行平坦化工艺，以增强第二绝缘中间层355的平坦性。
第二绝缘中间层355可以被部分蚀刻，以形成部分暴露连接图案351的一部分的接触孔。阳电极360可以通过填充接触孔被形成在第二绝缘中间层355上。
像素限定层365可以被形成在第二绝缘中间层355上，以覆盖阳电极360。像素限定层365可以相对厚，以充分覆盖阳电极360。
像素限定层365可以被部分蚀刻，以形成暴露阳电极360的开口。有机发光层370可以被设置在开口中。有机发光层370可以被设置在由开口暴露的阳电极360上。
阴电极375可以被形成在像素限定层365和有机发光层370上。如参考图1所述，阴电极被形成为一个整体，以覆盖像素单元被形成在其中的整个有源区ACTR。
图8A和图8B是示出了根据示例实施例的电压线的布局的图。在图8A和图8B中示出了在行方向X上相邻的两个像素单元PXUi和PXUj。图8B是在图8A的线B-B'处的剖视图。在图8A和图8B中，除了电压线之外，示出了数据线21、22、23、24、25和26。
例如，如图8A和图8B所示，像素单元PXUi和PXUj可以分别包括红色子像素RSPi和RSPj、绿色子像素GSPi和GSPj、以及蓝色子像素BSPi和BSPj。每个像素单元中的R、G和B子像素的布置顺序可以改变。子像素RSPi、GSPi、BSPi、RSPj、GSPj和BSPj可以分别通过数据线21、22、23、24、25和26接收数据信号RDTi、GDTi、BDTi、RDTj、GDTj和BDTj。
参考图8A和图8B，电压线的布局LO1可包括多条补偿负电压线41、多条正电压线11、12、13、14和15、以及多条初始化电压线31。虽然在图8A和图8B中示出了一条补偿负电压线41和一条初始化电压线31，但与图8A和图8B的图案基本相同的图案在行方向X上和列方向Y上重复，因而多条补偿负电压线41和多条初始化电压线31可以被包括在显示器面板中。
正电压线11、12、13、14和15被形成在第一金属层MLR中，以提供正电源电压ELVDD到像素单元。正电压线11、12、13、14和15在列方向Y上延伸，并沿行方向X布置(例如重复布置或彼此隔开)。初始化电压线31被形成在第一金属层MLR中，以提供初始化电压VINT到像素单元。初始化电压线31在列方向Y上延伸，并沿行方向X布置(例如重复布置或彼此隔开)。
初始化线31可通过垂直触点VC被连接到线50，其中线50被形成在第一金属层MLR下方的导电层LR1中，并在行方向X上延伸。初始化电压VINT可以使用在行方向X上延伸的线50被均匀地提供到在行方向X上布置的子像素RSPi、GSPi、BSPi、RSPj、GSPj和BSPj。
如图8A和图8B所示，补偿负电压线41可通过与正电压线11、12、13、14和15以及初始化电压线31的制造工艺相同的制造工艺被形成在第一金属层MLR中。图8A和图8B示出了每两个像素单元PXUi和PXUj中布置有一条初始化电压线31和一条补偿负电压线41的示例实施例。
图9是用于描述阴电极中的电压分布的图。
当负电源电压ELVSS通过被形成在显示器面板的底部部分中的引线IL1和IL2而被提供时，负电源电压ELVSS的电阻降在阴电极CE的顶部中间部分中是最严重的。
在图9中，当没有实施补偿负电压线时，第一区域VDR1是电阻降最严重的区域，并且当实施了补偿负电压线时，第二区域VDR2是电阻降最严重的区域。作为示例，约-5V的负电源电压ELVSS已经被施加到具有10.5英寸宽方形扩展图形阵列(WQXGA)的分辨率的显示器面板。在常规结构中，约2.0V的电阻降已经出现在第一区域VDR1中，但在根据示例实施例的结构中，约1.3V的电阻降已经出现在第二区域VDR2中。
根据示例实施例的显示器面板和包括该显示器面板的显示器模块可使用补偿负电压线有效地降低负电源电压的电阻降，因而可以在不过度改变已经建立的制造工艺的情况下降低功耗。
图10A和图10B是示出了根据本发明另一示例实施例的电压线的布局的图。在图10A和图10B中示出了沿行方向X相邻的两个像素单元PXUi和PXUj。图10B是在图10A中的线B-B'处的剖视图。在图10A和图10B中，除了电压线之外，示出了数据线21、22、23、24、25和26。
例如，如图10A和图10B所示，像素单元PXUi和PXUj可以分别包括红色子像素RSPi和RSPj、绿色子像素GSPi和GSPj、以及蓝色子像素BSPi和BSPj。每个像素单元中的R、G和B子像素的布置顺序可以改变。子像素RSPi、GSPi、BSPi、RSPj、GSPj和BSPj可以分别通过数据线21、22、23、24、25和26接收数据信号RDTi、GDTi、BDTi、RDTj、GDTj和BDTj。
参考图10A和图10B，电压线的布局LO2可包括多条补偿负电压线61、62、63、64和65、多条正电压线11、12、13、14和15、以及多条初始化电压线31和32。与图10A和图10B的图案基本相同的图案在行方向X上和列方向Y上重复。
正电压线11、12、13、14和15被形成在第一金属层MLR中，以提供正电源电压ELVDD到像素单元。正电压线11、12、13、14和15在列方向Y上延伸，并沿行方向X布置(例如重复布置或彼此隔开)。初始化电压线31和32被形成在第一金属层MLR中，以提供初始化电压VINT到像素单元。初始化电压线31和32在列方向Y上延伸，并沿行方向X布置(例如重复布置或彼此隔开)。
初始化线31和32可以通过垂直触点VC1和VC2被连接到线50，其中线50被形成在第一金属层MLR下方的导电层LR1中，并在行方向X上延伸。初始化电压VINT可以使用在行方向X上延伸的线50被均匀地提供到在行方向X上布置的子像素RSPi、GSPi、BSPi、RSPj、GSPj和BSPj。
如图10A和图10B所示，补偿负电压线61、62、63、64和65可以通过与正电压线11、12、13、14和15以及初始化电压线31和32的制造工艺不同的制造工艺被形成在第一金属层MLR上方的导电层LR2中。导电层LR2可以是金属图案被形成在其中的第二金属层。图10A和图10B示出了每一个像素单元布置有一条初始化电压线和两条正电压线、补偿负电压线被形成在正电压线上方(例如重叠)因此每一个像素单元布置有两条补偿负电压线的示例实施例。
图11A和图11B是示出了根据本发明又一示例实施例的电压线的布局的图。与图10A和图10B的方面类似的方面的描述被省略。
参考图11A和图11B，电压线的布局LO3可包括多条补偿负电压线71和72、多条正电压线11、12、13、14和15、以及多条初始化电压线31和32。与图11A和图11B的图案相同的图案沿行方向X和列方向Y重复。
如图11A和图11B所示，补偿负电压线71和72可以通过与正电压线11、12、13、14和15以及初始化电压线31和32的制造工艺不同的制造工艺被形成在第一金属层MLR上方的导电层LR2中。导电层LR2可以是金属图案被形成在其中的第二金属层。图11A和图11B示出了每一个像素单元布置有一条初始化电压线和两条正电压线、补偿负电压线被形成在初始化电压线上方(例如重叠)因此每个像素单元布置有一条补偿负电压线的示例实施例。
图12A和图12B是示出了根据本发明又一示例实施例的电压线的布局的图。
参考图12A和图12B，电压线的布局LO4可包括多条补偿负电压线81、82、83、84、85、86和87、多条正电压线11、12、13、14和15、以及多条初始化电压线31和32。与图12A和图12B的图案相同的图案沿行方向X并沿列方向Y重复。
如图12A和图12B所示，补偿负电压线81、82、83、84、85、86和87可以通过与正电压线11、12、13、14和15以及初始化电压线31和32的制造工艺不同的制造工艺被形成在第一金属层MLR上方的导电层LR2中。导电层LR2可以是金属图案被形成在其中的第二金属层。图12A和图12B示出了每一个像素单元布置有一条初始化电压线和两条正电压线、补偿负电压线被形成在初始化电压线和正电压线上方(例如重叠)因此每一个像素单元布置有三条补偿负电压线的示例实施例。
图13是示出了根据又一示例实施例的电压线的布局的剖视图。
参考图13，电压线的布局LO5可包括多条补偿负电压线91和92、多条正电压线11、12、13、14和15、以及多条初始化电压线31和32。与图13的图案相同的图案沿行方向X并沿列方向Y重复。
如图13所示，补偿负电压线91和92可以通过与正电压线11、12、13、14和15以及初始化电压线31和32的制造工艺不同的制造工艺被形成在第一金属层MLR上方的阳极层ALR中。分别包括在子像素RSPi、GSPi、BSPi、RSPj、GSPj和BSPj中的阳电极AE1至AE6被形成在阳极层ALR中。补偿负电压线91和92可以使用阳极层ALR中的空部分来形成。
图14是示出了根据本发明一个实施例的被包括在图2的显示器设备中的像素的示例的电路图。
参考图14，像素SPX可以是被包括在每个像素单元PX中的子像素。像素SPX可以包括通过第一、第二、第三、第四、第五和第六节点N1、N2、N3、N4、N5、N6连接的OLED、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器CST、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7。在示例实施例中，像素SPX可进一步包括二极管并联电容器CEL。在另一示例实施例中，二极管并联电容器(例如与OLED并联的电容器)CEL可以是由寄生电容(例如OLED的寄生电容)形成的电容器。
OLED可以基于驱动电流ID发光。OLED的阴极可以被连接到负电源电压ELVSS或接地电压，并且OLED的阳极可以被连接到第四节点N4。
第一晶体管TR1可以包括被连接到第五节点N5的栅电极、被连接到第二节点N2的源电极、以及被连接到第三节点N3的漏电极。第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。在示例实施例中，第一晶体管TR1可以在线性区中操作。在这种情况下，第一晶体管TR1可以基于栅电极和源电极之间的电压差产生驱动电流ID，并且像素的灰度(或灰度级)可以基于驱动电流ID的幅度来表示。在另一示例实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区中操作。在这种情况下，数字驱动可以被执行，使得灰度(或灰度级)通过每帧中向OLED提供驱动电流ID的时间的总和来表示。
第二晶体管TR2可包括接收扫描信号GW的栅电极、接收数据信号DATA的源电极、以及被连接到第二节点N2的漏电极。第二晶体管TR2可以在扫描信号GW的激活时间间隔期间将数据信号DATA传送到第一晶体管TR1的源电极。在这种情况下，第二晶体管TR2可以在线性区中操作。在另一实施例中，第二晶体管TR2在饱和区中操作。
第三晶体管TR3可包括接收扫描信号GW的栅电极、被连接到第五节点N5的源电极、以及被连接到第三节点N3的漏电极。第三晶体管TR3可以在扫描信号GW的激活时间间隔期间电连接第一晶体管TR1的栅电极和第一晶体管TR1的漏电极。换句话说，第三晶体管TR3可以在扫描信号GW的激活时间间隔期间形成第一晶体管TR1的二极管连接(或二极管连接第一晶体管TR1)。通过这样的二极管连接，利用第一晶体管TR1的相应阈值电压补偿的数据信号DATA可被提供给第一晶体管TR1的栅电极。这样的阈值电压补偿可减少或解决由于第一晶体管TR1的阈值电压的偏差而导致的驱动电流ID的不规则性的问题。
存储电容器CST可以被连接在第一节点N1与第五节点N5之间。存储电容器CST在扫描信号GW的去激活时间间隔期间维持第一晶体管TR1的栅电极上的电压电平。扫描信号GW的去激活时间间隔可以包括发射控制信号EM的激活时间间隔(例如与发射控制信号EM的激活时间间隔重叠)。通过第一晶体管TR1产生的驱动电流ID可以在发射控制信号EM的激活时间间隔期间被施加到OLED。
第四晶体管TR4可包括接收数据初始化信号GI的栅电极、被连接到第五节点N5的源电极、以及被连接到第六节点N6的漏电极。第四晶体管TR4可以在数据初始化信号GI的激活时间间隔期间提供与上述初始化电压VINT对应的负电源电压ELVSS到第一晶体管TR1的栅电极。换句话说，第四晶体管TR4可以在数据初始化信号GI的激活时间间隔期间利用负电源电压ELVSS初始化第一晶体管TR1的栅电极。
在一个示例实施例中，数据初始化信号GI可以与超前一个水平时间的扫描信号GW相同。例如，数据初始化信号GI被施加到位于第n行中的像素，并且数据初始化信号GI可以与被施加到位于第(n-1)行中的像素的扫描信号GW基本相同。因此，被激活的数据初始化信号GI可以通过施加被激活的扫描信号GW到位于第(n-1)行中的像素而被施加到位于第n行中的像素。结果，当数据信号DATA被施加到位于第(n-1)行中的像素时，被包括在位于第n行中的像素中的第一晶体管TR1的栅电极可以被初始化为初始化电压VINT。
第五晶体管TR5可包括接收发射控制信号EM的栅电极、被连接到第一节点N1的源电极、以及被连接到第二节点N2的漏电极。第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的激活时间间隔期间提供正电源电压ELVDD到第二节点N2。此外，第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的去激活时间间隔期间将第二节点N2从正电源电压ELVDD断开。当第五晶体管TR5在发射控制信号EM的激活时间间隔期间提供正电源电压ELVDD到第二节点N2时，第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。此外，当第五晶体管TR5在发射控制信号EM的去激活时间间隔期间将第二节点N2从正电源电压ELVDD断开时，利用第一晶体管TR1的阈值电压补偿的数据信号DATA可被提供给第一晶体管TR1的栅电极。
第六晶体管TR6可包括接收发射控制信号EM的栅电极、被连接到第三节点N3的源电极、以及被连接到第四节点N4的漏电极。第六晶体管TR6可在发射控制信号EM的激活时间间隔期间提供由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID到OLED。在这种情况下，第六晶体管TR6可以在线性区中操作。在另一实施例中，第六晶体管TR6在饱和区中操作。第六晶体管TR6可在发射控制信号EM被去激活时将第一晶体管TR1从OLED断开，使得被施加到第一晶体管TR1的第二电极的补偿后的数据信号DATA被施加到第一晶体管TR1的栅电极。
第七晶体管TR7可包括接收二极管初始化信号GB的栅电极、被连接到第六节点N6的源电极、以及被连接到第四节点N4的漏电极。第七晶体管TR7可在二极管初始化信号GB的激活时间间隔期间提供负电源电压ELVSS到OLED的阳极。换句话说，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时间间隔期间利用负电源电压ELVSS初始化OLED的阳极。
在一些示例实施例中，二极管初始化信号GB可以与数据初始化信号GI相同。第一晶体管TR1的栅电极的初始化与OLED的阳极的初始化可以不互相影响，也就是说，它们可以是彼此独立的。因此，二极管初始化信号GB和数据初始化信号GI可以被组合为一个信号。另外，初始化电压VINT可以被负电源电压ELVSS代替，以简化制造工艺并提高生产效率。
图15A和图15B是示出了根据本发明又一示例实施例的电压线的布局的图。在图15A和图15B中示出了在行方向X上相邻的两个像素单元PXUi和PXUj。图15B是在图15A中的线B-B'处的剖视图。在图15A和图15B中，除了电压线之外，示出了数据线21、22、23、24、25和26。
例如，如图15A和图15B所示，像素单元PXUi和PXUj可以分别包括红色子像素RSPi和RSPj、绿色子像素GSPi和GSPj、以及蓝色子像素BSPi和BSPj。每个像素单元中的R、G和B子像素的布置顺序可以改变。子像素RSPi、GSPi、BSPi、RSPj、GSPj和BSPj可以分别通过数据线21、22、23、24、25和26接收数据信号RDTi、GDTi、BDTi、RDTj、GDTj和BDTj。
参考图15A和图15B，电压线的布局LO6可包括多条正电压线11、12、13、14和15、以及多条初始化电压线46和47。与图15A和图15B的图案相同的图案沿行方向X并沿列方向Y重复。
正电压线11、12、13、14和15被形成在第一金属层MLR中，以提供正电源电压ELVDD到像素单元。正电压线11、12、13、14和15沿列方向Y延伸，并沿行方向X布置(例如重复布置或彼此隔开)。初始化电压线46和47被形成在第一金属层MLR中，以提供作为上述初始化电压VINT的负电源电压ELVSS到像素单元。初始化电压线46和47在列方向Y上延伸，并沿行方向X布置(例如重复布置或彼此隔开)。
初始化电压线46和47可以通过垂直触点VC1和VC2被连接到线50，其中线50被形成在第一金属层MLR下方的导电层LR1中，并沿行方向X延伸。初始化电压VINT，例如负电源电压ELVSS，可以使用在行方向X上延伸的线50被均匀地提供到在行方向X上布置的子像素RSPi、GSPi、BSPi、RSPj、GSPj和BSPj。
如图15A和图15B所示，初始化电压VINT可以等于负电源电压ELVSS，并且初始化电压线46和47可以如参考图3A、图3B、图4A、图4B、图5A和图5B描述的那样被连接到环形边缘负电压线，使得初始化电压线46和47可代替补偿负电压线。
图16是示出了根据本发明示例实施例的移动设备的框图。
参考图16，移动设备700包括芯片上系统710以及多个功能模块740、750、760和770。移动设备700可以进一步包括存储器设备720、贮存设备730和电力管理集成电路(PMIC)780。
芯片上系统710控制移动设备700的全部操作。芯片上系统710可以控制存储器设备720、贮存设备730以及功能模块740、750、760和770。例如，芯片上系统710可以是应用处理器(AP)。芯片上系统710可包括CPU核712和电力管理(PM)系统714。
存储器设备720和贮存设备730可以存储用于移动设备700的操作的数据。存储器设备720可对应于诸如动态随机存取存储器(DRAM)设备、静态随机存取存储器(SRAM)设备、移动DRAM等的易失性半导体存储器设备。另外，贮存设备730可以对应于诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)设备、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)设备、闪存存储器设备、相变随机存取存储器(PRAM)设备、电阻随机存取存储器(RRAM)设备、纳米浮栅存储器(NFGM)设备、聚合物随机存取存储器(PoRAM)设备、磁随机存取存储器(MRAM)设备、铁电随机存取存储器(FRAM)设备等的非易失性半导体存储器设备。在一些实施例中，贮存设备730可以对应于固态驱动(SSD)设备、硬盘驱动(HDD)设备、CD-ROM设备等。
功能模块740、750、760和770执行移动设备700的各种功能。例如，移动设备700可以包括：执行通信功能的通信模块740(例如码分多址(CDMA)模块、长期演进(LTE)模块、射频(RF)模块、超宽带(UWB)模块、无线局域网(WLAN)模块、全球微波接入互操作性(WiMAX)模块等)、执行相机功能的相机模块750、执行显示功能的显示器模块760、执行触摸检测功能的触摸面板模块770等。在一些实施例中，移动设备700进一步包括全球定位系统(GPS)模块、麦克风(MIC)模块、扬声器模块、陀螺仪模块等。但是，移动设备700中的功能模块740、750、760和770的类型或种类不限于此。
PMIC 780可以分别提供驱动电压到芯片上系统710、存储器设备720以及功能模块740、750、760和770。
根据示例实施例，显示器模块760包括显示器面板，并且显示器面板包括阴电极、环形边缘负电压线和多条补偿负电压线。阴电极被形成在阴极区中，使得阴电极可以覆盖多个像素单元被形成在其中的整个有源区。环形边缘负电压线被形成在阴电极的环形边缘部分中，以驱动负电源电压到阴电极。补偿负电压线被连接到环形边缘负电压线。补偿负电压线在列方向上延伸，并沿行方向布置(例如重复布置或彼此隔开)。
图17是示出了根据示例实施例的采用示例接口的移动设备的框图。
参考图17，移动设备800可包括芯片上系统802以及多个接口811、812、813、814、815、816、817、818、819、820、821、822和823。根据示例实施例，移动设备800可以是移动电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数字相机、音乐播放器、便携式游戏机、导航系统等。
芯片上系统802控制移动设备800的全部操作。芯片上系统802可以是应用处理器(AP)。芯片上系统802可包括CPU核804和电力管理(PM)系统806。
芯片上系统802可以通过多个接口811、812、813、814、815、816、817、818、819、820、821、822和823中的每个与多个外围设备中的每个通信。例如，多个接口811、812、813、814、815、816、817、818、819、820、821、822和823中的每个可以传输至少一个控制信号到多个外围设备中的每个，该控制信号从具体化在每个电力域中的多个应用处理器(AP)中的对应AP输出。
例如，芯片上系统802可通过每个显示器接口811和812控制每个显示器设备的电力状态和操作状态。显示器设备可以是液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器、有机发光二极管(OLED)显示器或有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器。
芯片上系统802可通过摄像机接口813控制摄像机的电力状态和操作状态，通过电视接口814控制电视模块的电力状态和操作状态，并通过图像传感器接口815控制相机模块或图像传感器模块的电力状态和操作状态。
芯片上系统802可通过GPS接口816控制GPS模块的电力状态和操作状态，通过超宽带(UWB)接口817控制UWB模块的电力状态和操作状态，并通过USB驱动接口818控制USB驱动的电力状态和操作状态。
芯片上系统802可以通过动态随机存取存储器(DRAM)接口819控制DRAM的电力状态和操作状态，通过例如闪存存储器接口的非易失性存储器接口820控制例如闪存存储器的非易失性存储器设备的电力状态和操作状态，通过音频接口821控制音频模块的电力状态和操作状态，通过多格式编解码器(MFC)接口822控制MFC的电力状态，并通过MP3播放器接口823控制MP3播放器的电力状态。这里，模块或接口可以被具体化在硬件或软件中。
图18是示出了根据本发明示例实施例的便携式终端的框图。
参考图18，便携式终端1000包括图像处理块1100、无线收发块1200、音频处理块1300、图像文件生成单元1400、存储器设备1500、用户接口1600、应用处理器1700和电力管理集成电路(PMIC)1800。
图像处理块1100包括透镜1110、图像传感器1120、图像处理器1130和显示器模块1140。无线收发块1200包括天线1210、收发器1220和调制解调器1230。音频处理块1300包括音频处理器1310、麦克风1320和扬声器1330。
根据示例实施例，显示器模块1140包括显示器面板，并且显示器面板包括阴电极、环形边缘负电压线和多条补偿负电压线。阴电极被形成在阴极区中，使得阴电极可以覆盖多个像素单元被形成在其中的整个有源区。环形边缘负电压线被形成在阴电极的环形边缘部分中，以驱动负电源电压到阴电极。补偿负电压线被连接到环形边缘负电压线。补偿负电压线在列方向上延伸，并沿行方向布置(例如重复布置或彼此隔开)。
便携式终端1000可包括各种半导体器件。应用处理器1700展现低功耗和高性能。随着制造工艺已经变得十分精细，应用处理器1700具有多个核。应用处理器1700可以包括CPU核1702和电力管理(PM)系统1704。
PMIC 1800可分别提供驱动电压到图像处理块1100、无线收发块1200、音频处理块1300、图像文件生成单元1400、存储器设备1500、用户接口1600和应用处理器1700。
以上描述的实施例可被应用于各种设备和系统，诸如移动电话、智能电话、平板电脑、膝上型电脑、个人数字助理PDA、便携式多媒体播放器PMP、数字电视、数字相机、便携式游戏控制台、音乐播放器、摄像机、视频播放器、导航系统等。
以上是示例实施例的例示，而不被解释为其限制。尽管已经描述了一些示例实施例，本领域技术人员将容易理解，可以在示例实施例中进行许多修改，而实质性不脱离本发明构思的新颖性教导和优点。因此，所有这些修改都意在被包括在如权利要求所限定的本发明构思的范围内。因此，要理解的是，前述是各种示例实施例的例示，而不被解释为限于所公开的具体示例实施例，并且对所公开的示例实施例的修改以及其它示例实施例都意在被包括在所附权利要求及其等同方案的范围内。

Claims (20)

1.一种显示器面板，包括：
被形成在所述显示器面板的阴极区中的阴电极，所述阴电极完全覆盖所述显示器面板的有源区；
以列和行位于所述显示器面板的所述有源区中的多个像素单元；
具有闭环的形状并且被形成在所述阴电极的边缘部分中的边缘负电压线，所述边缘负电压线被配置为供应负电源电压到所述阴电极；
被连接到所述边缘负电压线的多条补偿负电压线，所述补偿负电压线沿所述显示器面板的列方向延伸并沿所述显示器面板的行方向布置；和
被形成在第一金属层中以向所述像素单元提供初始化电压的多条初始化电压线，所述初始化电压线沿所述列方向延伸并沿所述行方向布置，
其中所述多条初始化电压线通过垂直触点连接到被形成在所述第一金属层下方的导电层中并在所述行方向上延伸的线。
2.根据权利要求1所述的显示器面板，进一步包括：
被形成在所述第一金属层中并被配置为提供正电源电压到所述像素单元的多条正电压线，所述正电压线沿所述列方向延伸并沿所述行方向布置。
3.根据权利要求2所述的显示器面板，其中所述补偿负电压线通过与所述正电压线和所述初始化电压线的制造工艺相同的制造工艺被形成在所述第一金属层中。
4.根据权利要求3所述的显示器面板，其中所述初始化电压线包括每两列像素单元的一条初始化电压线，并且
其中所述补偿负电压线包括每两列像素单元的一条补偿负电压线。
5.根据权利要求2所述的显示器面板，其中所述补偿负电压线通过与所述正电压线和所述初始化电压线的制造工艺不同的制造工艺被形成在所述第一金属层上方的第二金属层中。
6.根据权利要求5所述的显示器面板，其中所述补偿负电压线包括每列像素单元的两条补偿负电压线，并且
其中所述初始化电压线包括每列像素单元的一条初始化电压线。
7.根据权利要求6所述的显示器面板，其中所述补偿负电压线中的每条在所述正电压线中的对应正电压线的上方，使得每一列像素单元布置有两条补偿负电压线。
8.根据权利要求5所述的显示器面板，其中所述补偿负电压线中的每条在所述初始化电压线中的对应初始化电压线的上方，使得每一列像素单元布置有一条补偿负电压线。
9.根据权利要求5所述的显示器面板，其中所述补偿负电压线中的每条在所述正电压线中的对应正电压线和所述初始化电压线中的每条的上方，使得每一列像素单元布置有三条补偿负电压线。
10.根据权利要求2所述的显示器面板，其中所述补偿负电压线通过与所述正电压线和所述初始化电压线的制造工艺不同的制造工艺被形成在所述第一金属层上方的阳极层中，所述阳极层中形成有所述像素单元中的发光二极管的阳电极。
11.根据权利要求2所述的显示器面板，其中所述边缘负电压线和所述补偿负电压线被形成在相同的金属层中。
12.根据权利要求11所述的显示器面板，其中所述边缘负电压线和所述补偿负电压线通过相同的制造工艺被图案化，并被直接彼此连接。
13.根据权利要求2所述的显示器面板，其中所述边缘负电压线和所述补偿负电压线被形成在不同的金属层中。
14.根据权利要求13所述的显示器面板，其中所述边缘负电压线和所述补偿负电压线通过多个垂直触点被彼此连接。
15.根据权利要求2所述的显示器面板，其中所述边缘负电压线包括：
沿所述阴电极的顶边缘部分的顶边缘线，所述顶边缘线沿所述行方向延伸；
沿所述阴电极的底边缘部分的底边缘线，所述底边缘线沿所述行方向延伸；
沿所述阴电极的左边缘部分的左边缘线，所述左边缘线沿所述列方向延伸；和
沿所述阴电极的右边缘部分的右边缘线，所述右边缘线沿所述列方向延伸。
16.根据权利要求15所述的显示器面板，其中沿所述列方向延伸的所述补偿负电压线被连接到沿所述行方向延伸的所述顶边缘线和所述底边缘线。
17.一种显示器面板，包括：
被形成在所述显示器面板的阴极区中的阴电极，所述阴电极完全覆盖所述显示器面板的有源区；
以列和行位于所述显示器面板的所述有源区中的多个像素单元；
具有闭环的形状并且被形成在所述阴电极的边缘部分中的边缘负电压线，所述边缘负电压线被配置为供应负电源电压到所述阴电极；
被连接到所述边缘负电压线的多条补偿负电压线，所述补偿负电压线沿所述显示器面板的列方向延伸并沿所述显示器面板的行方向布置；以及
被形成在第一金属层中并被配置为提供正电源电压到所述像素单元的多条正电压线，所述正电压线沿所述列方向延伸并沿所述行方向布置，所述正电压线通过与所述补偿负电压线相同的制造工艺形成，
其中所述补偿负电压线被进一步配置为供应初始化电压到所述像素单元，所述初始化电压具有等于所述负电源电压的电压，并且
其中所述多条补偿负电压线通过垂直触点连接到被形成在所述第一金属层下方的导电层中并在所述行方向上延伸的线。
18.根据权利要求17所述的显示器面板，其中所述补偿负电压线中的每条被联接到所述列中对应一列的像素单元。
19.一种显示器模块，包括：
根据权利要求1或权利要求17所述的显示器面板；和
被配置为驱动所述显示器面板的驱动电路。
20.一种移动设备，包括：
应用处理器；
根据权利要求1或权利要求17所述的显示器面板；和
被配置为由所述应用处理器控制以驱动所述显示器面板的驱动电路。
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