CN104103674B - 一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 - Google Patents
一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104103674B CN104103674B CN201410379127.9A CN201410379127A CN104103674B CN 104103674 B CN104103674 B CN 104103674B CN 201410379127 A CN201410379127 A CN 201410379127A CN 104103674 B CN104103674 B CN 104103674B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- row
- row electrode
- base plate
- laid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 233
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 149
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 131
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 106
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 93
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 66
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 58
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 26
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 14
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- LLYXJBROWQDVMI-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-nitrotoluene Chemical compound CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1Cl LLYXJBROWQDVMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
- G09G3/3241—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror
- G09G3/325—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror the data current flowing through the driving transistor during a setting phase, e.g. by using a switch for connecting the driving transistor to the data driver
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种电容驱动电致发光显示器,包括显示器基板、敷设在所述显示器基板上的行电极和列电极,以及电连接在所述行电极和所述列电极之间的发光像素,所述发光像素具有电致发光器件、驱动电容器和充电开关,其中所述电致发光器件和所述驱动电容器并联后电连接到所述充电开关;所述行电极或所述列电极具有用于安装电致发光器件的出光窗口。同时,本发明还提供一种电容驱动电致发光显示器的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于电致发光显示器的驱动技术,尤其是涉及一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法。
背景技术
目前,电致发光显示器,例如有机发光二极管(OLED)显示器,常用的驱动方式包括passive matrix(PM)驱动模式与active matrix(AM)驱动模式两种。采用PM驱动模式的OLED显示器(即PMOLED)采用完全外置的驱动电路对显示屏上的像素进行逐行电压扫描:即像素以行为单位被依次交替点亮。在结构上,PMOLED面板由一组横向布置的电极(行电极)和一组纵向布置的电极(列电极)组成;其中,有机发光材料层夹在行电极和列电极之间(见图1A)。在图1A中,PMOLED显示屏(1000)由基板(1001)、列电极(1002)、有机层(1003)、和行电极(1004)组成。在一般情况下,基板1001由透明材料组成。列电极1002通常为正极、由透明的金属氧化物如氧化铟锡(ITO)组成。有机层1003通常含多层功能不同的有机材料,例如空穴注入(HI)层、空穴传导(HT)层、电子阻挡(EB)层、发光(EM)层、空穴阻挡(HB)层、电子传导(ET)层、电子注入(EI)层、等。所用有机材料既可以是聚合物材料也可以是小分子有机材料。在串列式OLED(tandem OLED)中,在相邻器件之间还含有电荷分离层(chargeseparation layer)。行电极1004通常为电源负极、为同一行像素所共用。像素的亮度由列电极的电压V1,V2,V3……Vm所决定(参见图1A)。行电极1004通常是厚度约为150纳米的铝电极。
在本申请中,所用术语“有机发光二极管”或“OLED”的含义包括聚合物OLED、小分子OLED、和“串列式OLED”(tandem OLED);术语“行电极”特指为同一条电极上所有像素所共用的电极,其中,行电极可以是电源的负极或正极;当涉及列电极电压数值的大小时,其含义应理解为电压绝对值的大小。
图1B展示了PMOLED扫描脉冲电压的波形图。在这种驱动模式下,每一行的像素在每一个扫描周期内被点亮一次;点亮时间反比于行电极的总数。由于点亮时间短,因此要求像素在点亮状态下的瞬间亮度极高、以求达到较高的表观亮度。例如,假设显示屏总共有n行、扫描电压脉冲为理想的矩形波、扫描频率为z赫兹的话,那么扫描周期(τ)为τ=1/z秒;在每一扫描周期内每行像素被点亮的时间Δt0约为
Δto=τ/n=1/(nz)秒 (1)
而像素熄灭的时间为:τ(n-1)/n秒。换句话说,像素点亮的时间只有1/n而熄灭的时间为(n-1)/n。假设面板的平均(表观)亮度为B0的话,那么像素在点亮瞬间的亮度(BP)应该为BP=B0×n。
可见,当n较大时像素在点亮瞬间的亮度BP将大大高于面板的表观亮度。由此带来的一系列负面效应包括缩短了器件的寿命、降低了器件的电光转换效率(大部分OLED在高亮度下效率会明显下降)、和由于驱动电流大导致了在电极上的电能损耗也随之增加。再之,由于OLED本身具有一定的电容量,当扫描频率较高时还会导致较大的充放电电流、从而进一步增加了驱动线路的负担和在电极上的能量损耗、降低了电能的利用率。
对于PMOLED显示器来说,由于OLED器件本身能达到的最高亮度有限和电极的电阻较高,其大小一般不超过100线。因此,PMOLED一般只能用在低分辨、小尺寸显示器(1英寸左右)。虽然近年由DialogSemiconductor公司发明的多行驱动(multi-line addressing)技术使PMOLED的性能得到了一定的提升——达到了240线、1/4VGA的水平——目前单个PMOLED的分辨率还很难做到高于四分之一VGA的水平。对于要求更高分辨率(例如1000线以上)的OLED显示器(如高分辨电视,HDTV),目前还无法直接使用PMOLED(除非把多个PMOLED拼接在一起)。
AM驱动模式采用内置的薄膜晶体管(TFT)驱动电路对每一个像素的亮度进行独立的控制,即每一个像素都由一个内置于显示器基板上独立的TFT电路所控制。像素的亮度由TFT控制电路所提供的电流决定(当驱动电流恒定时,由点亮时间决定)。图2A展示了AMOLED的结构示意图:图中,AMOLED显示器(2000)由基板(2001)、阳极(2002)和TFT驱动电路(2003)组成的像素阵列、有机层(2004)、和阴极(2005)组成。其中每个像素的阳极(2002)都电连接到相应的TFT驱动电路的输出端;阴极为公共电极。在“下出光”型AMOLED中,阳极通常为ITO而阴极常用铝或银。在“上出光”型AMOLED中,2002为高功函金属,而阴极2005为透明电极。
图2B展示了一个用于AMOLED显示器的TFT驱动电路的具体例子。在这个例子中,每个像素由四个TFT(T1,T2,T3,和T4)组成的电路所控制。其中,VDD为电源正极,GND为接地端(电源负极),Address line为驱动线,Data line为数据线。
AMOLED的优点是像素不需在很高亮度下工作、因而寿命和效率都较PMOLED的高、为目前大部分OLED显示器所采用。理论上AMOLED可用于高分辨、大屏幕显示器。可是在实际应用中由于所需的TFT数量庞大、TFT背板的生产过程过于复杂、成品率低和受材料的限制,目前能量产的AMOLED只有小屏(小于10英寸)。大、中尺寸(如电脑屏、电视等)的AMOLED因为TFT背板的成品率太低、成本太高、目前尚未见有量产成功的先例。其次,目前TFT驱动电路本身的功耗比较高。结果不仅降低了电能的利用率,当长时间使用时TFT电路产生的热量还会导致器件的温度升高从而影响了器件的使用寿命。
更多关于PMOLED和AMOLED显示器的构造以及驱动技术的细节可参阅美国专利US20060091794,US20070114522,US20070152923,US20100085280,US5952789,US7847763,US 20130257845,US20130235023,和欧洲专利EP2461311。
为了克服PMOLED不能驱动大屏和AMOLED生产成本过高的问题,第US2007/0001936A1号美国专利采用了与传统PM、AM驱动模式不同的电容驱动技术方案。然而,在第US2007/0001936A1号美国专利中,其所用电极和传统的PMOLED显示器中所用的电极基本上是一样的。因此,第US2007/0001936A1号美国专利虽然能够在一定程度上改善了现有PMOLED显示器的效率和性能,但是其仍然存在电极的导电能力差,从而无法在工业中实际应用。也就是说,第US2007/0001936A1号美国专利仍然存在由于电极的导电能力有限,从而不能从根本上解决PMOLED不能用于高分辨率的显示器和无法使的显示器的尺寸大型化等问题。同时,采用第US2007/0001936A1号美国专利所公开的电容驱动技术,还存在电路过于复杂、生产工艺复杂并成本过高等问题,以及还存在OLED显示器的面板厚度过厚的问题。
发明内容
为了解决上述现有技术中所存在的技术问题,本发明提供一种电容驱动电致发光显示器,包括显示器基板、敷设在所述显示器基板上的行电极和列电极,以及电连接在所述行电极和所述列电极之间的发光像素,其中:所述发光像素具有电致发光器件、驱动电容器和充电开关,其中所述电致发光器件和所述驱动电容器并联后电连接到所述充电开关;所述行电极或所述列电极具有用于安装电致发光器件的出光窗口。
优选地,所述发光像素还具有中置电极,其中所述电致发光器件和所述驱动电容器并列地电连接到所述中置电极一侧,所述中置电极的另一侧电连接到所述充电开关。
优选地,所述行电极或所述列电极被镶入所述显示器基板中。
优选地,所述发光像素还具有第一绝缘层和第二绝缘层,其中所述第一绝缘层将相邻的所述充电开关绝缘隔开,所述第二绝缘层分别将相邻的所述电致发光器件、所述驱动电容器、以及所述中置电极绝缘隔开。
优选地,所述显示器基板是透明的,所述电致发光器件通过所述出光窗口被设置在所述显示器基板上。
优选地,所述发光像素还具有第一绝缘层和第二绝缘层,其中所述第一绝缘层分别将相邻的所述行电极或所述列电极、以及所述驱动电容器绝缘隔开,所述第二绝缘层将相邻的所述充电开关、以及所述中置电极绝缘隔开。
优选地,所述第二绝缘层的材料与所述驱动电容器的材料相同。
优选地,所述电致发光器件具有透明电极和有机层,其中至少所述透明电极位于所述出光窗口中,并与所述行电极或所述列电极电连接。
优选地,所述透明电极通过遮蔽掩模沉积在所述有机层的表面和所述出光窗口处的所述行电极或所述列电极上。
优选地,所述电致发光器件具有透明电极和有机层,其中所述透明电极和所述有机层的一部分位于所述出光窗口中,并与所述行电极或所述列电极电连接。
优选地,所述透明电极通过沉积被镀在所述出光窗口处的所述显示器基板。
优选地,所述充电开关直接在所述行电极或所述列电极上生成。
优选地,所述充电开关为二极管。
优选地,所述中置电极是通过在所述充电开关上进行金属镀膜得到。
本发明还提供一种电容驱动电致发光显示器,包括显示器基板、敷设在所述显示器基板上的行电极和列电极,以及电连接在所述行电极和所述列电极之间的发光像素,其中:所述发光像素具有电致发光器件、驱动电容器、充电开关、中置电极和附加电极,其中所述驱动电容器的一端电连接到所述中置电极一侧,另一端电连接所述行电极或所述列电极一侧,所述电致发光器件的一端电连接所述行电极或所述列电极的另一侧,另一端通过所述附加电极电连接到所述中置电极上,以及所述中置电极的另一侧电连接到所述充电开关。
优选地,所述行电极或所述列电极被镶入所述显示器基板中。
优选地,所述发光像素还具有第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,其中所述第一绝缘层将相邻的所述充电开关绝缘隔开,所述第二绝缘层分别将相邻的所述驱动电容器以及所述中置电极绝缘隔开,所述第三绝缘层分别将相邻的所述行电极或所述列电极、以及所述电致发光器件绝缘隔开。
优选地,所述第二绝缘层的材料与所述驱动电容器的材料相同。
优选地,所述电致发光器件具有透明电极和有机层,其中所述透明电极电连接所述附加电极。
优选地,所述透明电极通过遮蔽掩模沉积在所述有机层的表面和所述附加电极的相应部分。
优选地,所述充电开关直接在所述行电极或所述列电极上生成。
优选地,所述充电开关为二极管。
优选地,所述中置电极是通过在所述充电开关上进行金属镀膜获得。
另一方面,本发明还提供一种电容驱动电致发光显示器的制造方法,包括:在显示器基板上敷设列电极;在所述显示器基板上的相应位置设置充电开关;在所述显示器基板上的相应位置设置驱动电容器;在所述显示器基板上的相应位置设置电致发光器件;在显示器基板上敷设行电极;其中,所述电致发光器件和所述驱动电容器并联后电连接到所述中置电极一侧,所述中置电极的另一侧电连接到所述充电开关。
优选地,所述制造方法还包括:在所述显示器基板上的相应位置设置中置电极。
优选地,在所述显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上的相应位置设置所述充电开关;对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设第二绝缘材料;在所述第二绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳所述驱动电容器的第一凹槽,其中所述第一凹槽中留有一定的第二绝缘材料;向所述第一凹槽中装入形成所述驱动电容器的材料;与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上与所述一定的第二绝缘材料相对应的位置刻蚀出光窗口,并去除所述一定的第二绝缘材料,形成第二凹槽;在所述第二凹槽中设置所述电致发光器件,使得所述电致发光器件电连接所述中置电极。
优选地,在所述显示器基板上敷设列电极或行电极;在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽的阵列;在所述第四凹槽中设置所述充电开关;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设第二绝缘材料;在所述第二绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳所述驱动电容器的第一凹槽,其中所述第一凹槽中留有一定的第二绝缘材料;向所述第一凹槽中装入形成所述驱动电容器的材料;与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上与所述一定的第二绝缘材料相对应的位置刻蚀出光窗口,并去除所述一定的第二绝缘材料,形成第二凹槽;在所述第二凹槽中设置所述电致发光器件,使得所述电致发光器件电连接所述中置电极。
优选地,在所述显示器基板上敷设列电极或行电极;在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽的阵列;在所述第四凹槽中设置所述充电开关;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料;在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出光窗口,并在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;在所述第二凹槽中设置所述电致发光器件,使得所述电致发光器件电连接所述中置电极。
优选地,在所述显示器基板上敷设列电极或行电极;在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽阵列;在所述第四凹槽中设置所述充电开关;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料,并在与所述中置电极相对应的位置刻蚀出所述驱动电容器的阵列;对已经刻蚀出所述驱动电容器的阵列的所述显示器基板用第二绝缘材料进行平整化处理;在经所述第二绝缘材料平整化处理后的所述显示器基板上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出光窗口,并在所述第二绝缘材料上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;在所述第二凹槽中设置所述电致发光器件,使得所述电致发光器件电连接所述中置电极。
优选地,在所述显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上的相应位置设置所述充电开关;对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料;在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出光窗口,并在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;在所述第二凹槽中设置所述电致发光器件,使得所述电致发光器件电连接所述中置电极。
优选地,在所述显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上的相应位置设置所述充电开关;对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料,并刻蚀出所述驱动电容器的阵列;对已经刻蚀出所述驱动电容器的阵列的所述显示器基板用第二绝缘材料进行平整化处理;在经所述第二绝缘材料平整化处理后的所述显示器基板上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出光窗口,并在所述第二绝缘材料上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;在所述第二凹槽中设置所述电致发光器件,使得所述电致发光器件电连接所述中置电极。
优选地,在所述显示器基板上刻蚀出容纳所述列电极或行电极的第三凹槽,然后在所述第三凹槽中填入电极材料,以形成所述列电极或行电极。
优选地,对由热塑性材料制成或表面含有一层热塑性材料的所述显示器基板进行加热处理,然后将所述列电极或行电极压入所述显示器基板的受热软化的表面。
优选地,在所述第二凹槽中沉积有机层,然后在所述有机层的顶部生成与所述出光窗口处的所述行电极或列电极部分电连接的透明电极,以形成所述电致发光器件,其中至少所述透明电极位于所述出光窗口中。
优选地,所述透明电极通过遮蔽掩模沉积在所述有机层的顶部和所述出光窗口处的所述行电极或列电极上。
优选地,所述充电开关直接在所述列电极或行电极上生成。
优选地,所述中置电极是通过在所述充电开关上进行金属镀膜获得。
本发明还进一步提供一种电容驱动电致发光显示器的制造方法,包括:在显示器基板上敷设列电极;在所述显示器基板上的相应位置设置充电开关;在所述显示器基板上的相应位置设置中置电极;在所述显示器基板上的相应位置设置驱动电容器;在所述显示器基板上的相应位置设置电致发光器件;在所述显示器基板上的相应位置设置附加电极;在显示器基板上敷设行电极;其中,所述电致发光器件和所述驱动电容器位于所述列电极或所述行电极的两侧,并且所述驱动电容器位于所述中置电极和所述列电极或所述行电极之间,所述附加电极电连接所述电致发光器件和所述中置电极,使得所述电致发光器件和所述驱动电容器并联地电连接。
优选地,在显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上的相应位置设置充电开关;对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;在所述充电开关上设置中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设第二绝缘材料;在所述第二绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳驱动电容器的第一凹槽;向所述第一凹槽中装入形成所述驱动电容器的材料;与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;通过所述通道敷设所述附加电极;在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
优选地,在显示器基板上敷设列电极或行电极;在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽的阵列;在所述第四凹槽中设置所述充电开关;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设第二绝缘材料;在所述第二绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳驱动电容器的第一凹槽;向所述第一凹槽中装入形成所述驱动电容器的材料;与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;通过所述通道敷设所述附加电极;在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
优选地,在显示器基板上敷设列电极或行电极;在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽的阵列;在所述第四凹槽中设置所述充电开关;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料;在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;通过所述通道敷设所述附加电极;在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
优选地,在显示器基板上敷设列电极或行电极;在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽的阵列;在所述第四凹槽中设置所述充电开关;在所述充电开关上设置所述中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料,并刻蚀出所述驱动电容器的阵列;对已经刻蚀出所述驱动电容器的阵列的所述显示器基板用第二绝缘材料进行平整化处理;在经所述第二绝缘材料平整化处理后的所述显示器基板上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;通过所述通道敷设所述附加电极;在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
优选地,在显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上的相应位置设置充电开关;对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;在所述充电开关上设置中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料;在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;通过所述通道敷设所述附加电极;在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
优选地,在显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上的相应位置设置充电开关;对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;在所述充电开关上设置中置电极;在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料,并刻蚀出所述驱动电容器的阵列;对已经刻蚀出所述驱动电容器的图案阵列的所述显示器基板用第二绝缘材料进行平整化处理;在经所述第二绝缘材料平整化处理后的所述显示器基板上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;在所述第三绝缘材料上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;通过所述通道敷设所述附加电极;在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
优选地,在所述显示器基板上刻蚀出容纳所述列电极或行电极的第三凹槽,然后在所述第三凹槽中填入电极材料,以形成所述列电极或行电极。
优选地,对由热塑性材料制成或表面含有一层热塑性材料的所述显示器基板进行加热处理,然后将所述列电极或行电极压入所述显示器基板的受热软化的表面。
优选地,在所述第二凹槽中沉积有机层,然后在所述有机层的顶部生成与所述附加电极电连接的透明电极,以形成所述电致发光器件。
优选地,所述透明电极通过遮蔽掩模沉积在所述有机层的顶部和所述附加电极上。
优选地,所述充电开关直接在所述列电极或行电极上生成。
优选地,所述中置电极是通过在所述充电开关上进行金属镀膜获得。
本发明还进一步提供一种电容驱动电致发光显示器的制造方法,包括:在透明的显示器基板上敷设列电极;直接在所述透明的显示器基板上设置电致发光器件;在所述透明的显示器基板上的相应位置设置驱动电容器;在所述透明的显示器基板上的相应位置设置充电开关;在所述透明的显示器基板上敷设行电极;其中,所述电致发光器件和所述驱动电容器并联后电连接到所述充电开关。
优选地,所述制造方法还包括:在所述透明的显示器基板上的相应位置设置中置电极;其中,所述电致发光器件和所述驱动电容器并列地电连接到所述中置电极一侧,所述中置电极的另一侧电连接到所述充电开关。
优选地,在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极对应的位置刻蚀出容纳所述驱动电容器的第一凹槽,其中所述第一凹槽中留有一定的第一绝缘材料;向所述第一凹槽中装入用于形成驱动电容器的材料;去除所述一定的第一绝缘材料,形成第二凹槽;在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;在所述电致发光器件和所述用于形成驱动电容器的材料上设置所述中置电极;在所述中置电极上设置所述充电开关;在设置了所述充电开关的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘材料,所述第二绝缘材料不覆盖所述充电开关;在与所述充电开关相应的位置敷设行电极或列电极。
优选地,在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设用于形成驱动电容器的材料,并对应于所述预定阵列刻蚀出所述驱动电容器的阵列;对已经刻蚀出所述驱动电容器的阵列的所述透明的显示器基板用第一绝缘层材料进行平整化处理;在已经用所述第一绝缘层材料平整化处理后的所述透明的显示器基板上与所述透明电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;在所述电致发光器件上设置面积大于所述电致发光器件的所述中置电极,使得所述中置电极覆盖所述电致发光器件和部分所述用于形成驱动电容器的材料;在已经敷设了所述中置电极的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘层材料;在敷设了所述第二绝缘层材料的所述透明的显示器基板上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出容纳充电开关的第三凹槽;在所述第三凹槽中设置所述充电开关;在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
优选地,在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设用于形成驱动电容器的材料;在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述透明电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;在所述电致发光器件上设置面积大于所述电致发光器件的所述中置电极,使得所述中置电极覆盖所述电致发光器件和部分所述用于形成驱动电容器的材料;在已经敷设了所述中置电极的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘层材料;在敷设了所述第二绝缘层材料的所述透明的显示器基板上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出容纳充电开关的第三凹槽;在所述第三凹槽中设置所述充电开关;在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
优选地,在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极对应的位置刻蚀出容纳所述驱动电容器的第一凹槽,其中所述第一凹槽中留有一定的第一绝缘材料;向所述第一凹槽中装入用于形成驱动电容器的材料;去除所述一定的第一绝缘材料,形成第二凹槽;在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;在所述电致发光器件和所述用于形成驱动电容器的材料上设置所述中置电极;在已经敷设了所述中置电极的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘层材料;在敷设了所述第二绝缘层材料的所述透明的显示器基板上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出容纳充电开关的第三凹槽;在所述第三凹槽中设置所述充电开关;在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
优选地,在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设用于形成驱动电容器的材料,并刻蚀出所述驱动电容器的阵列;对已经刻蚀出所述驱动电容器的阵列的所述透明的显示器基板用第一绝缘层材料进行平整化处理;在已经用所述第一绝缘层材料平整化处理后的所述透明的显示器基板上与所述透明电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;在所述电致发光器件上设置面积大于所述电致发光器件的所述中置电极,使得所述中置电极覆盖所述电致发光器件和部分所述用于形成驱动电容器的材料;在所述中置电极上设置所述充电开关;在设置了所述充电开关的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘材料,所述第二绝缘材料不覆盖所述充电开关;在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
优选地,在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设用于形成驱动电容器的材料;在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述透明电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;在所述电致发光器件上设置面积大于所述电致发光器件的所述中置电极,使得所述中置电极覆盖所述电致发光器件和部分所述用于形成驱动电容器的材料;在所述中置电极上设置所述充电开关;在设置了所述充电开关的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘材料,所述第二绝缘材料不覆盖所述充电开关;在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
优选地,在所述透明的显示器基板上通过镀膜的方法沉积纳米级的所述透明电极。
优选地,在所述出光窗口中沉积所述有机层,使得至少部分的所述有机层位于所述出光窗口中。
优选地,所述充电开关直接在所述中置电极上生成。
优选地,在所述电致发光器件上沉积一个比所述电致发光器件面积大的金属保护层,然后沉积一定厚度的金属,经光刻后得到所述中置电极。
优选地,所述第一凹槽的深度能够容纳多个串列的所述电致发光器件。
与传统的PMOLED和AMOLED相比,Cap-OLED具有以下优点:简化生产工艺,同时降低了生产成本;降低了OLED显示器的面板厚度;Cap-OLED的行、列电极具有很低的电阻,因而可以传输很大的电流而不会产生明显的热量;由于充电开关有效防止了电容器通过外电路(即行、列电极)放电,电能的利用率得到了大幅提高;由于驱动电容器大大延长了像素的点亮时间,像素的初始亮度要远低于一般PMOLED像素的瞬间亮度,因此Cap-OLED的使用寿命要远高于PMOLED;Cap-OLED可以用于高分辨、大尺寸显示屏。理论上Cap-OLED的电能利用率可以达到90%以上,不仅远高于PMOLED还明显高于AMOLED。目前AMOLED的电能利用率约为50%(TFT电路消耗了约50%的电能)。
附图说明
图1A为现有技术中的PMOLED结构示意图。
图1B为现有技术中的PMOLED扫描电压脉冲波形示意图。
图2A为现有技术中的AMOLED结构示意图。
图2B为现有技术中的AMOLED使用的TFT驱动线路图例子。
图3A为电容驱动OLED电路的结构示意图。
图3B为电容驱动OLED电路的另一结构示意图。
图3C为电容驱动OLED电路与PMOLED电路的“亮度-时间”变化关系曲线之对比图。
图3D为电容驱动OLED电路的“亮度-时间”变化关系曲线以及器件点亮时间延长量(Δt)之定义的图示说明。
图4为采用了“并列”式布局的电容驱动OLED显示器的结构示意图。
图5为将行电极“镶入”到基板里面的一个示例。
图6为设置了充电开关后的基板的一个示例。
图7为设置了中置电极后的基板的一个示例。
图8为组件4000的制造方法的一例。
图9为组件4000的制造方法的另一例。
图10为组件4000的制造方法的另一例。
图11为组件5000的制造方法的一例。
图12为“并列”式电容驱动OLED显示器的制造方法的一例。
图13A-13C为采用了“串列”式布局的电容驱动OLED显示器中单个像素的结构示意图。
图14为“串列”式电容驱动OLED显示器的制造方法一例。
图15为采用“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器中单个像素的结构示意图。
图16为“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器的制造方法一例。
图17为“并列”式电容驱动OLED显示器的制造方法的另一例。
图18为“串列”式电容驱动OLED显示器的制造方法另一例。
图19为“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器的制造方法另一例。
具体实施方式
本发明可以适用于所有电流驱动类型的电致发光显示器,例如有机发光二极管(OLED)显示器,有机发光三极管(OLET)显示器,和发光二极管(LED)显示器。
在本实施方式中,参照附图就电容驱动OLED(Cap-OLED)为例对电容驱动电致发光显示器进行说明。
电容驱动OLED采用类似于图1A所示的PMOLED的行、列电极布局,其中在每一个行、列电极的交汇点放置一个像素。其外驱动电路也采用类似于PMOLED的逐行扫描方式。但与PMOLED不同的是在每一个像素中加入了一个电容驱动组件来延长像素的点亮时间。这个像素组件包括驱动电容器、充电开关和OLED器件,上述驱动电容器与上述OLED器件并联后再电连接上述充电开关。其中,电容驱动组件的一端与行电极相连、另一端与列电极相连;当充电开关有控制端时,其控制端通常电连接到行电极上。
图3A为电容驱动OLED电路的结构示意图。如图3A所示,电容驱动OLED电路包括行电极3001、列电极3002、OLED器件3003、驱动电容器3004和充电开关3005,其中上述驱动电容器3004与上述OLED器件3003并联,上述充电开关3005一端与并联后的上述驱动电容器3004和上述OLED器件3003的一端电连接,使得上述充电开关3005与并联后的上述驱动电容器3004和上述OLED器件3003串联,上述充电开关3005的另一端连接上述行电极3001,并联后的上述驱动电容器3004和上述OLED器件3003的另一端与上述列电极3002电连接。
图3B为电容驱动OLED电路的另一结构示意图。如图3B所示,电容驱动OLED电路同样包括行电极3001、列电极3002、OLED器件3003、驱动电容器3004和充电开关3005,其中上述驱动电容器3004与上述OLED器件3003并联,上述充电开关3005一端与并联后的上述驱动电容器3004和上述OLED器件3003一端电连接,使得上述充电开关3005与并联后的上述驱动电容器3004和上述OLED器件3003串联,上述充电开关3005的另一端电连接上述列电极3002,并联后的上述驱动电容器3004和上述OLED器件3003的另一端与上述行电极3001电连接。
应该理解,本文所用术语“驱动电容器”的含义包括:(a)单个电容器,和(b)由多个电容器并联组成的电容器组;“充电开关”的含义包括:(a)任何有单向导电能力的电子元件、如二极管,(b)由多个电子元件组成的电子开关,和(c)电子控制的微型机械开关。
电容驱动OLED电路的基本工作原理是:在扫描脉冲到来的瞬间上述充电开关3005接通,并在给上述驱动电容器3004充电的同时点亮上述OLED器件3003;当扫描脉冲过后上述充电开关3005自动断开,上述驱动电容器3004通过上述OLED器件3003放电让其继续保持在点亮状态,直到上述驱动电容器3004两端的电压低于上述OLED器件的最低点亮电压(Von)。可见,上面所述电容驱动OLED电路在功能上是一个“储能-延时”电路。
在上述电容驱动模式中,假如把上述行电极3001定为公共电极并设为零电位参考点的话,那么像素的表观亮度由上述驱动电容器3004的容量和上述列电极3002所加的扫描脉冲电压峰值(即驱动电容器的充电电压)所决定。根据上述OLED器件3003的电光特性、可以适当调整上述驱动电容器3004的容量使像素在下一个扫描脉冲到来的前夕熄灭。这样由于点亮时间得到延长,上述OLED器件3003(像素)可以在较低的初始亮度下工作而获得较高的平均亮度,因而有效地延长了上述OLED器件3003的寿命和提高了上述OLED器件3003的电光转换效率。
以下通过与PMOLED的对比、对电容驱动OLED的工作原理作进一步说明。
在PM的驱动模式下,OLED器件在每一个扫描周期内的发光量(正比于表观亮度)由“亮度-时间”曲线下面包含的面积所决定——面积越大、发光量越大,因而表观亮度越大。对于一般PMOLED而言,在理想状态下(假设扫描脉冲为理想的矩形波、OLED的电光转换效率或量子产率为常数。下同)此面积L0等于扫描脉冲宽度Δt0和器件的瞬间亮度BP之积(参见图3C)。即,
L0=Δt0Bp=Δt0K·Ip=K·Q0 (2)
其中IP为在亮度BP时流过OLED的电流;K为器件的电光转换效率;Δt0×IP=Q0为流过OLED的电量。
对于电容驱动OLED而言,其“亮度-时间”曲线下的面积由两部分(L0+LC)组成(参照图3C)。前一项与PMOLED同,而后一项LC的大小则正比于电容器通过OLED放电的电量QC,即
LC=∫B(t)dt=K∫I(t)dt=KQC=KC×ΔV=KC(VP-Von) (3)
其中B(t)为电容器放电过程中OLED亮度随时间(t)的函数关系;I(t)为电容器放电过程中电流随时间变化的函数关系;C为电容器的电容量;Von为OLED的最低点亮电压;VP为扫描脉冲电压峰值(即电容器充电电压峰值)。为方便对比,在图3C中同时给出了一般PMOLED的“亮度-时间”变化关系曲线(如图3C中的上图)和电容驱动OLED的“亮度-时间”变化关系曲线(如图3C中的下图)。
由图3C和以上的分析可见,电容驱动的实际效果是让“亮度-时间”曲线下的面积(或表观亮度)在原来L0(相当于PMOLED像素的发光量)的基础上增加了LC的量。因此电容驱动的实际效果可以用表观亮度增加的倍数LC/L0来表示。从另一个角度看,假如把LC想象成为一个等面积、高度为BP、宽度为Δt(Δt=LC/BP)的矩形(参照图3D),那么电容驱动的实际效果等效于把原有PM驱动模式下的扫描脉冲宽度(Δt0)延长了Δt的量。换句话说电容驱动相对于PM驱动的优势也可以定量地用Δt与Δt0之比(Δt/Δt0=LC/L0)来表征:即Δt/Δt0的数值越大、电容驱动OLED相对于PMOLED的优势越为明显。
从(3)式和(2)式得:
上式中的C取决于电容器的尺寸、所用材料、和电容器的构造。VP和IP是互为依赖的函数关系,由OLED器件的电气特性所决定。Von对于同一类器件是个常数(取决于OLED器件的电气特性)。Δt0与扫描频率z和行电极的总数n成反比关系(见(1)式)。因此在其他参数不变的情况下,Δt0随行电极数n增加而减小(Δt0∝1/n);因而Δt/Δt0将随n增加而增加(Δt/Δt0∝n)。由此可见电容驱动OLED相对于PMOLED的优势随着屏幕尺寸大小增加和分辨率升高(n增大)而显得更加明显。换句话说Cap-OLED正好弥补了PMOLED不能用于大屏的不足。
实施方式(一)
以下阐述电容驱动电致发光显示器面板的结构。
电容驱动电致发光显示器包括显示器基板、敷设在显示器基板上的行电极和列电极、以及发光像素阵列,其中发光像素包括电致发光器件、驱动电容器、和充电开关。上述行电极、列电极、电致发光器件、驱动电容器和充电开关在电路中的连接顺序为:行(或列)电极─充电开关─并联的驱动电容器和电致发光器件─列(或行)电极(参照图3A、3B)。发光像素的表观亮度由行电极和列电极之间所加的扫描电压控制。由于驱动电容器和充电开关的存在,像素的点亮时间明显长于像素在没有驱动电容器和充电开关时的点亮时间。
以上所述充电开关有二个功能:第一,在扫描脉冲到来的瞬间、开关接通,外电路通过行电极和列电极对驱动电容器进行充电、同时点亮像素;当扫描脉冲过后,开关马上自动断开、防止电容器通过外电路放电——电容器因而被强迫通过OLED器件放电。
充电开关可以由任何具有单向导电能力的器件充当,例如由一个或多个整流二极管充当,由一个或多个二、三极管组成的电子开关电路充当,或由一个电子控制微型机械开关充当。
其中,所述电致发光器件可以是任何把电流转变为光的器件,例如LED,OLED,和OLET,等。
下面以OLED为例阐述电容驱动OLED显示器(Cap-OLED)的具体结构及其制造方法。但是,当发光器件为非OLED的其他电致发光器件时,只要把对应于OLED器件的部分作相应修改、显示器的其他组成部分和电容驱动OLED显示器的类似。
图4为采用了“并列”式布局的电容驱动OLED显示器的结构示意图。如图4a-c所示,电容驱动OLED显示器(Cap-OLED)7000包括:基板4001,行电极4002,充电开关5001(例如一个整流二极管),第一绝缘层(绝缘材料)5002,中置电极6001,驱动电容器的介电层7001(形成图3A和图3B中的驱动电容器3004),第二绝缘层(绝缘材料)7002,列电极7003,以及OLED器件7008。其中,上述充电开关5001对应于图3A和图3B中的充电开关3005,上述驱动电容器的介电层7001对应于图3A和图3B中的驱动电容器3004,上述OLED器件7008对应于图3A和图3B中的OLED器件3003。
图4a为上述电容驱动OLED显示器7000整体结构示意图。如图4a所示,在上述基板4001上按一定的间隔平行地设置有上述行电极4002和与上述行电极4002交叉的列电极7003。在上述行电极4002和上述列电极7003的交叉处设置有上述OLED器件7008。在上述行电极4002和上述列电极7003之间依次具有第一绝缘层5002和第二绝缘层7002。
图4b为图4a中的电容驱动OLED显示器7000按A-A线的截面示意图,图4c为图4a中的电容驱动OLED显示器7000按B-B线的截面示意图。如图4b和图4c所示,在上述基板4001上按一定的间隔平行地设置有上述行电极4002,上述行电极4002上与上述列电极交叉的相应位置设置有上述充电开关5001。在上述充电开关5001上设置有上述中置电极6001,并在上述中置电极6001上并列设置上述OLED器件7008和上述驱动电容器的介电层7001,使得在上述中置电极6001的作用下上述OLED器件7008和上述驱动电容器的介电层7001处于并联连接。其中,上述列电极7003在与上述行电极4002的交叉处的相应位置设置用于安放上述OLED器件7008的槽7004(参照图12),并且位于相邻的两个上述列电极7003与上述行电极4002的交叉处的上述充电开关5001、上述中置电极6001、上述驱动电容器的介电层7001和上述OLED器件7008之间分别由上述第一绝缘层5002和上述第二绝缘层7002隔开,并可以封装成由图3A或图3B所示的电路。
由于电容驱动OLED显示器的分辨率和尺寸大小都远远高于一般的PMOLED,可以预见其驱动电流也远远高于PMOLED。因此,对行、列电极导电能力的要求也相应高于PMOLED。其中,由于行电极是公共电极、需要同时给同一行的所有像素供电(假设沿用行扫描的方式),因此行电极的电流又要高于列电极。为了减少在行电极上的损耗,需要增加行电极的厚度以减少行电极的电阻。计算表明,假如沿用铝材作为行电极的话,取决于OLED器件的效率、屏幕的大小和分辨率高低,行电极的厚度可能在很大范围内(100-103微米)变动。因为这一厚度远远高于OLED器件的正常厚度(100-200纳米),必要时可以采用把行电极“镶入”到基板里面的方式以获得一个平整的表面、以便于后续步骤能顺利进行。
图5为将行电极“镶入”到基板里面的一个示例。如图5所示,在组件4000中,行电极4002被“镶入”到基板4001里面,因而在组件4000的表面形成一个平整的平面。
图6为设置了充电开关后的基板的一个示例。如图6所示,在组件5000中,在上述组件4000上的相应的位置按阵列设置上述充电开关5001,其中相邻的两个上述充电开关5001之间填充有上述第一绝缘层5002。
图7为设置了中置电极后的基板的一个示例。如图7a所示,在组件6000中,在上述组件5000上的上述充电开关5001的相应的位置按阵列设置上述中置电极6001,其中上述中置电极6001的排列与上述充电开关5001的排列相一致。
图7b为图7a中的组件6000按A-A线的截面示意图。如图7b所示,上述基板4001设置有上述行电极4002,上述行电极4002的上表面与上述基板4001的上表面齐平。在上述行电极4002上设置上述充电开关5001,相邻的两个上述充电开关5001之间填充有上述第一绝缘层5002。优选地,上述充电开关5001的上表面与上述第一绝缘层5002的上表面齐平。在上述充电开关5001上设置上述中置电极6001。
如图4所示,在各中置电极6001上并列设置上述OLED器件7008和上述驱动电容器的介电层7001,在相邻的上述OLED器件7008和上述驱动电容器的介电层7001之间填充有上述第二绝缘层7002。优选地,上述驱动电容器的介电层7001的上表面与上述第二绝缘层7002的上表面齐平。在上述第二绝缘层7002、上述驱动电容器的介电层7001及上述OLED器件7008上设置上述列电极7003,其中上述OLED器件7008突出上述驱动电容器的介电层7001表面的部分位于上述列电极7003的上述槽7004中。
以下阐述电容驱动显示器的具体制造方法。
图8为组件4000的制造方法的一例。如图8所示,1)对基板4001进行处理,使得基板4001的表面平整;2)按一定的间隔平行地在具有平整表面的上述基板4001上刻蚀出容纳行电极的凹槽4003;3)然后在上述凹槽4003中填入构成行电极4002的电极材料优选地,上述电极材料为金属材料;4)对被填入上述电极材料的上述基板4001的表面进行平整化和抛光处理,获得组件4000。
图9为组件4000的制造方法的另一例。如图9所示,1)对基板4001进行处理,使得基板4001的表面平整;2)在具有平整表面的基板4001上进行金属镀膜4004;3)按一定的间隔平行地在上述金属镀膜4004上刻蚀出行电极4002;4)对已刻蚀出行电极4002的上述基板4001的表面进行平整化处理,优选地,用绝缘材料4005把上述行电极4002间的间隙填平,然后进行抛光处理以获得一个平整的表面,由此获得上述组件4000。
图10为组件4000的制造方法的另一例。对于由热塑性材料制成的基板4001或者表面含有一层热塑性材料的基板4001,可采用如图10所示的方法来制造组件4000。具体地,1)对基板4001的表面进行加热处理,至少使得基板4001表面的热塑性材料受热软化至能够将行电极4002压入该表面的程度;2)将行电极4002按一定的间隔平行地压入到受热软化后的基板4001的表面;3)冷却已压入行电极4002的基板4001的表面;4)对冷却后的已压入上述行电极4002的上述基板4001的表面进行平整化处理,以获得一个平整的表面,由此获得上述组件4000。
在上述实施方式中,上述行电极4002的选材视生产流程中所涉及的温度和显示器面板对导电能力要求的不同而选用适当的金属材料,例如铜、铝、铁、镍、钨、铬、金、铂等金属材料,或者是它们的合金。必要时还可以使用多层不同金属的组合来满足一些特殊的要求。例如可以在容易被氧化的金属电极表面镀上一层金或铂来防止电极表面被氧化而影响其导电能力。
充电开关3005可以直接在上述组件4000的表面上生成或者把已经在别处完成的充电开关3005“移植”到组件4000表面。以使用整流二级管作为充电开关3005为例,二极管可以通过标准的半导体生产工艺直接在上述组件4000的行电极4002表面生成或者把在单晶硅圆晶片上制成的二极管分割切片后黏贴在行电极4002表面上相应的部位,然后再重新对表面进行平整化处理,以获得组件5000。
图11为组件5000的制造方法的一例。如图11所示,1)在上述组件4000的行电极4002上安装充电开关5001阵列;2)对已安装有上述充电开关5001阵列的上述组件4000进行平整化处理,优选地,用绝缘材料5002(第一绝缘层)填充上述充电开关5001之间的间隙,以进行平整化处理,然后进行抛光处理后得到上述组件5000(参如图6所示)。
在上述实施方式中,也可以先在上述组件4000的行电极4002上用绝缘材料敷设第一绝缘层5002,在所述第一绝缘层5002上与上述行电极4002相对应的位置刻蚀出用于容纳上述充电开关5001的凹槽的阵列,然后在上述凹槽中设置上述充电开关5001,形成具有上述充电开关5001阵列的上述组件5000。
然后,在上述组件5000的上述充电开关5001阵列上安装相应的中置电极6001阵列,使得上述充电开关5001的下端与上述行电极4002相连,其上端电连接到与上述OLED器件3003和驱动电容器3004电连接的中置电极6001(参见图4和图7)。
优选地,上述中置电极6001可以使用半导体工业中常用的物理气相沉积法(PVD)进行金属镀膜,然后用光刻法(photolithography)刻蚀出所需图案。当精度要求不是太高时,也可以使用其他印刷法,例如丝网印刷法或通过遮蔽掩模(shadow mask)进行真空蒸镀(vacuum evaporation)得到。
优选地,上述中置电极6001的大小约等于像素的最大可用面积,其长、宽分别约等于或略大于行、列电极的宽度。图7展示了组件6000的3D效果图和像素位置的剖面图。
虽然在上述中置电极6001上方的驱动电容器3004和OLED器件3003在电路连接方式上是并联连接(参见图3A、3B),但在空间上可以采用“并列”(驱动电容器和OLED器件在同一个平面上)或“串列”(OLED器件位于驱动电容器上方)的布局。采用“并列”布局的优点是生产过程较为简单。其缺点是由于OLED器件和驱动电容器同在一个平面上,OLED器件的面积(即像素的有效发光面积)由于驱动电容器的存在而减小了。假设像素的最大可用面积为A(A约等于一条行电极和一条列电极之重叠区之面积),电容器的面积为AC,那么OLED的面积A0=A–AC<A(因为A=AC+A0)。因此相对于面积为A的OLED来说器件的发光量由于器件面积减小而相应减小。然而考虑到在Cap-OLED中OLED器件的透明电极可以做得很薄(详细的描述见后)因而器件的出光率相应得到提高、在一定程度上弥补了因为像素有效发光面积下降而导致的发光量减少。因此当OLED器件的电光转换效率和亮度都比较高时,可以采用“并列”式结构。
图12为“并列”式电容驱动OLED显示器的制造方法的一例。如图12所示,“并列”式电容驱动OLED显示器的制造方法主要包含以下步骤:
1)获取上述组件6000(组件6000的获取步骤如上所述,在此不再重复描述);
2)在所获得的上述组件6000上敷设第二绝缘层7002;
3)在上述第二绝缘层7002上与上述中置电极6001对应的位置刻蚀出容纳电容器介电材料7001(即用于形成驱动电容器的介电层)的“回”字形凹槽7005;其中,“回”字中央柱状的第二绝缘层7002部分为给OLED器件7008预留的空间,其将在后面的步骤中被去除;
4)在上述“回”字形凹槽7005中填入上述电容器介电材料7001;
5)敷设列电极7003,优选地,与上述中置电极6001阵列中的每一列中置电极6001相对应地敷设上述列电极7003,使得上述列电极7003按一定间隔平行地被敷设,同时使得上述列电极7003与上述行电极4002从平面来看相交;
6)刻蚀容纳OLED器件的凹槽7004,优选地,在“回”字中央柱状的第二绝缘层7002部分相对应的部分刻蚀容纳OLED器件的凹槽7004,通过刻蚀容纳OLED器件的凹槽7004将“回”字中央柱状的第二绝缘层7002部分完全去除;
7)在上述凹槽7004内沉积有机层7006(即OLED器件7008的主体部分),和在有机层7006的顶部生成与上述列电极7003电连接的透明电极7007,从而形成OLED器件7008。其中,透明电极7007要比凹槽7004稍大,以便保证透明电极7007能电连接到列电极7003上。
在上述实施方式中,上述电容器介电材料7001和第二绝缘层7002的生成可以根据材料的不同选用适当生产工艺。例如,对于陶瓷材料可以使用溅射(sputtering)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等工艺;对于聚合物类材料,则可以使用旋涂(spin coating)、括刀涂布(Doctor Blade Coating)、喷涂(Spray Coating)等方法。需要指出的是,上面生成上述电容器介电材料7001和第二绝缘层7002的顺序也可以颠倒过来:即先在上述中置电极6001上生成电容器的介电层7001,然后再敷设第二绝缘层7002对表面进行平整化处理。具体实施方法包括(但不限于)例如先用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)或ALD等方法把电介质7001沉积在组件6000的表面,然后再用光刻法刻蚀出所需驱动电容图案阵列;最后再用旋涂玻璃(spin-on glass)材料作为7002层进行平整化处理。
在上述实施方式中,在上述敷设列电极7003的步骤中可以先用溅射镀膜法进行金属镀膜,然后通过光刻法刻蚀出列电极线。
在上述实施方式中,上述刻蚀容纳OLED器件的凹槽7004的步骤还可进一步地分为两步:首先,在列电极7003上对应于OLED器件7008的部位刻蚀出通往介电/绝缘层的窗口或OLED器件7008在上述列电极7003上的出光口(即凹槽7004的上半部),然后再通过这个窗口去除下面剩余的7002部分。
在上述实施方式中,可以先在上述敷设列电极7003的步骤中用溅射镀膜法进行金属镀膜,然后进行刻蚀容纳OLED器件的凹槽7004的步骤,然后再通过光刻法刻蚀出列电极线。
在上述实施方式中,电容驱动OLED显示器的制造方法的最后一道生产工序为生成OLED器件7008,其中包括沉积有机层7006、生成透明电极7007和封装。由于这些工序与传统OLED显示器生产工序相同,在这里不加以细述。需要指出的是,本实施方式中有机层7006一般含多层功能各不相同的有机材料;OLED器件7008顶部的透明电极7007可采用任何透明导电材料,例如碳纳米管、石墨烯、金属氧化物透明电极,也可以使用很薄的金属膜,例如1-5纳米厚的金、银、铜、铝、镁、锂或者是它们的组合。
在上述实施方式中,由于在电容驱动OLED显示器中每个像素都有其独立的透明电极7007,通过每个透明电极7007的电流为单个像素所需的电流、通常很小(在微安培数量级)。因此,电容驱动OLED显示器中的透明电极7007可以允许有比较大的电阻。因此,透明电极7007的厚度可以远远小于传统OLED透明电极的100-200纳米。如果透明电极7007使用铝、银、或金等低电阻材料的话,所需厚度可以不超过一纳米。因此,本发明的透明电极7007的透光率要比一般AMOLED或PMOLED的透明电极要高。另外,出光率还可以通过对器件的几何型状进行优化和使用光学效应等方法进一步得到提高。所以,由于面积减小而导致的发光量下降可以部分地由出光效率的提高而得到补偿。
此外,由于在AMOLED中部分面积被TFT驱动线路所占用、其有效发光面积一般只有面板面积的50%-70%。在上述实施方式中,在综合考虑所有上述因素的效应后,在“并列”式电容驱动OLED显示器中,OLED器件7008的面积A0可以选在A/4到A/2之间。
在上述实施方式中,虽然在图4和图12中驱动电容器的介电层7001与OLED器件7008之间采用的是“回”字型布局,即OLED器件7008居中、驱动电容器的介电层7001在外包围着OLED器件7008。但本发明并不限于此,驱动电容器的介电层7001与OLED器件7008之间也可以采用“日”字型布局(驱动电容器的介电层7001与OLED器件7008一左一右设置)或“目”字型布局(OLED器件7008居中,驱动电容器的介电层7001分为一左一右两部分并分别布置在OLED器件7008的两边)。
在上述实施方式中,上述OLED器件7008的有机层7006的厚度与上述电容器介电材料7001的厚度基本上相同。
在上述实施方式中,电容驱动OLED显示器的分辨率和尺寸大小都远远高于一般的PMOLED,因此其驱动电流也远远高于PMOLED。因此,对行、列电极导电能力的要求也相应高于PMOLED。其中,由于行电极是公共电极、需要同时给同一行的所有像素供电(假设沿用行扫描的方式),因此行电极的电流又要高于列电极。为了减少在行电极上的损耗,需要增加电极的厚度以减少电极的电阻。假如沿用铝材作为行电极的话,取决于OLED器件的效率、屏幕的大小和分辨率高低,行电极的厚度可能在很大范围内(100-103微米)变动,而这一厚度远远高于OLED器件的正常厚度(100-200纳米),因此可以采用把行电极“镶入”到基板里面以获得一个平整的表面的方式来解决这个问题。
实施例:
在基板4001上用溅射镀膜法(sputtering)沉积行电极金属膜4004,然后在上述行电极金属膜4004上旋涂光阻材料(photoresist)。经过烘干、曝光、显影、和腐蚀等步骤刻蚀出行电极4002(参见图9)。这些步骤在本实施例中简称光刻法。然后,再用刮刀涂布法(Doctor Blade Coating)涂布一层旋涂玻璃材料(spin-on glass)(即绝缘材料4005)。用反应性离子腐蚀法(RIE)把落在行电极4002表面的旋涂玻璃材料去除后得到组件4000。
用等离子增强型化学气相沉积法(PECVD)或原子层沉积法(ALD)等方法在组件4000上依次沉积一层N-型半导体、一层P-型半导体、和一层金属保护层(例如50-100纳米的铬)。然后,通过光刻法把除充电开关5001所在位置以外的金属保护层和半导体材料去除、从而得到附着在行电极4002上的二极管(即充电开关5001,参见图11)阵列(在图11中,充电开关5001顶部的铬保护层没有标出)。随后再旋涂(或用刮刀涂布法)敷设一层旋涂玻璃材料(即第一绝缘层5002)、以填平二极管5001之间的空隙。最后,用RIE除去附在二极管5001保护层顶部的旋涂玻璃材料5002、得到组件5000。
在组件5000上用溅射镀膜法镀上一层高功函金属,例如100-200纳米的钨、镍、铬、金或其合金,然后用光刻法腐蚀出中置电极6001阵列(参见图7,组件6000)。
在组件6000上用PECVD法沉积200纳米二氧化硅(SiO2)(即第二绝缘层7002)。然后用光刻法在二氧化硅层7002对应于中置电极6001的部位刻蚀出容纳驱动电容介电层的“回”字形凹槽7005,即在“回”字形凹槽7005的中央留下的二氧化硅层7002材料是预留给OLED器件7008的有机层7006区域,对应于“回”字中央的“小口”部位。在并列式电容驱动OLED显示器中二氧化硅层7002的厚度与有机层7006的厚度应该大致相当。
接着用丝网印刷法或刮刀涂布法在“回”字形凹槽7005内填入浆状BaTiO3材料(即驱动电容的电介质7001)。稍加烘干后对表面进行抛光处理,随后烘干。
用溅射镀膜法沉积列电极金属膜(例如100纳米的铬),再通过光刻法生成列电极7003;随后再重复一次光刻步骤在列电极7003上对应于有机层7006的部位(也就是驱动电容中央对应于“回”字形“小口”的部位)刻蚀出OLED器件7008的出光窗口(即凹槽7004的上半部,参见图12);接着把下半部的SiO2部分通过化学方法去除,得到组件7000。
最后一步生成OLED器件7008的过程除了顶部的透明电极7007外、其他步骤与一般的“上出光”型OLED显示器完全相同。例如,对于小分子材料的话可以通过遮蔽掩模(shadowmask)用真空蒸镀法把有机材料沉积在为其预留的凹槽7004内;聚合物材料则可使用喷墨打印法。
OLED器件顶部的透明电极可通过另一个遮蔽掩模沉积在有机层7006表面和列电极7003的局部。OLED器件7008的透明电极7007的选材可根据所用OLED材料的性质而定。OLED器件7008的常用的阴极组合例如LiF/Al,Mg/Ag,Li/Al只要把厚度降低到足以透明,例如小于10纳米、小于5纳米、或1-2纳米,都可以在这里使用。
实施方式(二)
当需要增大OLED器件和驱动电容器的面积时、可以采用“串列”式结构,即OLED器件位于驱动电容器之上方。组件6000的获取和结构与实施方式(一)中的相同,在此不再重复描述。
图13A-13C为采用了“串列”式布局的电容驱动OLED显示器中单个像素的结构示意图。图13A所示的单个像素的结构是在生成OLED器件之前的立体结构图(组件8000),图13B所示的单个像素的结构是在生成OLED器件之后的沿行电极中线方向的剖面结构图(器件8100),图13C所示的单个像素的结构是在生成OLED器件之后的沿列电极中线方向的剖面结构图(器件8100)。
如图13A-13C所示,电容驱动OLED显示器包括:基板4001,行电极4002,充电开关5001(例如一个整流二极管),第一绝缘层5002,中置电极6001,驱动电容器的介电层8003(形成图3A和图3B中的驱动电容器3004),第二绝缘层8001,列电极8004,第三绝缘层(绝缘材料)8005,附加电极8008,有机层8009,以及透明电极8010(有机层8009和透明电极8010构成对应于图3A和图3B中的OLED器件3003)。
其中,上述行电极4002按一定的间隔平行地被设置在上述基板4001上,并且上述行电极4002“镶入”到上述基板4001里面,使得上述行电极4002上表面与上述基板4001的上表面齐平以获得一个平整的表面。在上述行电极4002上按一定的阵列设置上述充电开关5001,并且在上述充电开关5001之间填充有绝缘材料构成第一绝缘层5002(参照图6)。在上述充电开关5001上设置有上述中置电极6001,形成上述中置电极6001的阵列(参照图7),并分别在上述中置电极6001上设置上述驱动电容器的介电层8003,相邻的上述中置电极6001和相邻的上述驱动电容器的介电层8003之间均由第二绝缘层8001隔开。列电极8004按照上述驱动电容器的介电层8003所形成的阵列中与上述行电极4002的交叉列的位置被设置在上述驱动电容器的介电层8003上。在上述列电极8004上与上述驱动电容器的介电层8003相反一面并于其相对应的位置分别设置有由有机层8009和透明电极8010构成的OLED器件,其中各列电极8004之间和各OLED器件之间由第三绝缘层8005进行隔离。上述透明电极8010通过附加电极8008与上述中置电极6001电连接。
图14为“串列”式电容驱动OLED显示器的制造方法一例。如图14所示,“串列”式电容驱动OLED显示器的制造方法包含以下步骤:
1)获取上述组件6000(组件6000的获取步骤如上所述,在此不再重复描述);
2)在所获得的上述组件6000上敷设第二绝缘层8001;
3)在上述第二绝缘层8001上与上述中置电极6001对应的位置刻蚀出容纳电容器介电材料8003(即用于形成驱动电容器的介电层)的凹槽8002;
4)在上述凹槽8002中填入电容器介电材料8003;
5)敷设列电极8004,优选地,与上述中置电极6001阵列中的每一列中置电极6001相对应地敷设上述列电极8004,使得上述列电极8004按一定间隔平行地被敷设,同时使得上述列电极8004与上述行电极4002从平面来看相交;
6)敷设第三绝缘层8005,优选地,上述第三绝缘层8005覆盖组件设置有上述列电极8004一面的全部;
7)在上述第三绝缘层8005上刻蚀出容纳OLED器件3003的凹槽8006和让附加电极8008通往上述中置电极6001的通道8007,其中每一个像素周围有多个上述通道8007,优选地,在每一个像素相对两侧设置两条上述通道8007;
8)通过上述通道8007敷设与上述通道8007的数量相对应的附加电极8008;
9)在上述凹槽8006内沉积有机层8009和在上述有机层8009的顶部生成与上述附加电极8008电连接的透明电极8010,从而形成OLED器件3003。其中,上述透明电极8010要比凹槽8006稍大,以便保证透明电极8010能电连接到上述附加电极8008上。
在上面的步骤中,步骤1)至步骤4)中生成驱动电容器,其生产过程与“并列”式类似。步骤5)至步骤9)生成OLED器件3003。由于OLED器件3003位于上述列电极8004上方,上述有机层8009顶部的上述透明电极8010需要通过一个附加电极8008电连接到上述驱动电容器(电容器介电材料8003)低部的中置电极6001上。因此,在步骤6)敷设第三绝缘层8005后,需要在刻蚀容纳上述有机层8009的凹槽8006(步骤7))的同时刻蚀出通往中置电极6001的通道8007。步骤9)与一般OLED的生产过程相同,在这不再细述。另外,其他的相关处理与实施方式(一)相同。
在上述实施方式中,上述电容器介电材料8003和第二绝缘层8001的生成可以根据材料的不同选用适当生产工艺。例如,对于陶瓷材料可以使用溅射(sputtering)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等工艺;对于聚合物类材料,则可以使用旋涂(spin coating)、括刀涂布(Doctor Blade Coating)、喷涂(Spray Coating)等方法。需要指出的是,上面生成上述电容器介电材料8003和第二绝缘层8001的顺序也可以颠倒过来:即先在上述中置电极6001上生成电容器的介电层8003,然后再敷设第二绝缘层8001对表面进行平整化处理。具体实施方法包括(但不限于)例如先用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)或ALD等方法把电介质8003沉积在组件6000的表面,然后再用光刻法刻蚀出所需驱动电容图案阵列;最后再用旋涂玻璃(spin-on glass)材料作为8003层进行平整化处理。
实施方式(三)
虽然在以上的实施方式中使用“上出光型”的结构(显示器的正面为基板之上方),电容驱动电致发光显示器也可以采用“下出光”型(显示器正面为基板下方)的结构方式。
图15为采用“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器中单个像素的结构示意图。
在“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器中,各个像素按预定的阵列被设置。
如图15所示,电容驱动OLED显示器9000包括透明基板9001,列电极9003,第一绝缘层(绝缘材料)9005,驱动电容器的介电层9007(形成图3A和图3B中的驱动电容器3004),中置电极9010,充电开关9011(例如一个整流二极管),第二绝缘层(绝缘材料)9012,行电极9013,以及OLED器件9014(对应于图3A和图3B中的OLED器件3003)。其中,在上述基板9001上按一定的间隔平行地设置有上述列电极9003和与上述列电极9003交叉的列电极9013。在上述行电极9013和上述列电极9003的交叉处设置有上述OLED器件9014。
具体而言,如图15所示,上述OLED器件9014具有透明电极9002和OLED的有机层9009,其中透明电极9002可以直接设置在上述透明基板9001上,以及上述OLED器件9014在上述透明基板9001上按预定的阵列设置。上述OLED器件9014具有透明电极9002的一端嵌入到上述列电极9003中,使得上述列电极9003与上述OLED器件9014电连接。在上述列电极9003之上的上述OLED器件9014的OLED的有机层9009周围设置有上述驱动电容器的介电层9007。在上述列电极9003之间以及各像素的上述OLED器件9014之间和各像素的上述驱动电容器的介电层9007之间均设置有上述第一绝缘层9005。在上述驱动电容器的介电层9007和上述有机层9009上设置有上述中置电极9010,在上述中置电极9010之上设置上述充电开关9011。在上述充电开关9011之上设置上述行电极9013。其中,在各像素的上述中置电极9010之间和各像素的上述充电开关9011之间均设置有上述第二绝缘层9012。
上述电容驱动OLED显示器9000的各像素上的各部件可以被封装成如图3A或图3B所示的电路。
以下阐述采用“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器的具体制造方法。
图16为“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器的制造方法一例。如图16所示,“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器的制造方法包含以下步骤:1)在上述透明基板9001上按预定阵列敷设上述透明电极9002;
2)对应于上述透明电极9002在上述透明基板9001上的阵列中的列敷设上述列电极9003,并在上述列电极9003上对应于上述透明电极9002的位置刻蚀出OLED的出光窗口9004;
3)在刻蚀出上述出光窗口9004后的透明基板9001上敷设第一绝缘层9005,使得上述第一绝缘层9005覆盖上述列电极9003及其之间的空隙以及上述出光窗口9004;
4)在上述第一绝缘层9005上对应于上述列电极9003的位置围绕上述出光窗口9004的位置刻蚀出容纳上述驱动电容器的介电层9007的凹槽9006。其中,上述凹槽9006的大小与上述中置电极9010的尺寸相对应。优选地,上述凹槽9006和上述出光窗口9004均被上述中置电极9010所覆盖;
5)在上述凹槽9006中填入上述驱动电容器的介电材料9007,使得上述驱动电容器的介电材料9007位于上述列电极9003并与上述列电极9003接触;
6)通过除去残留在上述出光窗口9004的位置上的上述第一绝缘层9005,刻蚀出容纳OLED的有机层9009的凹槽9008;
7)在上述凹槽9008内沉积OLED的有机层9009,使得上述有机层9009沉积在上述透明电极9002上,以形成上述OLED器件9014;
8)在上述驱动电容器的介电层9007和上述有机层9009敷设中置电极9010。上述中置电极9010为上述OLED器件9014的阴极;
9)在上述中置电极9010上敷设充电开关9011;
10)在敷设上述充电开关9011后的上述透明基板9001上敷设上述第二绝缘层9012,在各像素的上述中置电极9010之间和各像素的上述充电开关9011之间均设置有上述第二绝缘层9012。其中,上述充电开关9011的上表面没有被上述第二绝缘层9012所覆盖;
11)对应于上述充电开关9011所形成的阵列中的行,在上述充电开关9011上敷设上述行电极9013。
在上述实施方式中,可以在透明基板9001上用溅射镀膜法(sputtering)沉积20纳米ITO(透明电极9002)和100纳米金属钨,然后通过两步光刻法分别刻蚀出列电极线9003和OLED的出光窗口9004。
在上述实施方式中,可以通过遮蔽掩模(shadow mask)用真空蒸镀法在凹槽9008内生成多个串列的OLED(tandem OLED)的有机层和阴极。其中,OLED的阴极可以选用常用的LiF/Al,Mg/Ag,Li/Al组合,但要求上述多个串列的OLED的总厚度应该与凹槽9008的深度相当。优选地,凹槽9008的深度可以容纳3-4个串列的OLED器件。
在上述实施方式中,可以用一个比OLED器件面积稍大的遮蔽掩模在阴极上部沉积一个金属保护层,例如100纳米的金属铝;然后用溅射法沉积300纳米的金属钨,光刻后得到中置电极9010。
在上述实施方式中,充电开关9011可以选用在硅园晶片上生产的二极管,经过切割分离后把二极管直接黏贴在中置电极上;然后再用旋涂玻璃对表面进行平整化处理,最后敷设行电极9013。充电开关9011也可以直接在上述中置电极的表面上生成。以使用整流二级管作为充电开关9011为例,二极管可以通过标准的半导体生产工艺直接在上述中置电极表面生成。
在上述实施方式中,透明电极9002的大小(长、宽)可以比列电极9003小,但必须保证透明电极9002比OLED的出光窗口9004大、以保证透明电极9002和列电极9003有足够的重叠区域。
在上述实施方式中,记载了先敷设第一绝缘层9005,然后再敷设驱动电容器的介电层9007。但本发明并不限于此,敷设第一绝缘层9005和敷设驱动电容器的介电层9007的顺序也可以颠倒过来,即先敷设驱动电容器的介电层9007,然后再敷设第一绝缘层9005。具体地,在已经在上述列电极9003上对应于上述透明电极9002的位置刻蚀出OLED的出光窗口9004的透明基板9001上敷设用于形成驱动电容器的驱动电容器的介电层材料9007,并刻蚀出所述驱动电容器的图案阵列,然后用第一绝缘层材料9005对已经刻蚀出所述驱动电容器的图案阵列的透明基板9001进行平整化处理,然后在已经用第一绝缘层材料9005平整化处理后的透明基板9001上与上述OLED的出光窗口9004相对应的位置刻蚀出容纳OLED的有机层9009的凹槽9008。
在上述实施方式中,由于凹槽9008的深度预计要比一般OLED有机层的厚度大,此结构适合于使用串列OLED(tandem OLED)的结构。
在上述实施方式中,记载了先敷设充电开关9011,然后敷设第二绝缘层9012。但本发明并不限于此,敷设充电开关9011和第二绝缘层9012的顺序也可以颠倒过来,即先敷设第二绝缘层9012、并在第二绝缘层9012上刻蚀出容纳充电开关9011的凹槽,然后再填入预先做好的充电开关9011。具体地,在已经敷设了上述中置电极9010的透明基板9001上敷设上述第二绝缘层9012,并在与上述中置电极9010相对应的位置刻蚀出容纳充电开关9011的凹槽,然后在上述凹槽中设置上述充电开关9011。
另外,上述实施方式的其他相关处理与实施方式(一)相同。
使用“下出光”型结构的一个优点是可以省去了OLED封装这一道工序。因为在从第8步开始的每一步都已经具备了封装OLED器件的功能。只要工艺选择合理,完成后的器件9000只需要涂布行电极的保护层即可。
在上述实施方式(一)~(三)中,上述行电极和上述列电极的位置可以互换。
应理解以上说明书中所描述的具体实施方式和实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等同形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
例如,在上述实施方式(一)中,上述第二绝缘层7002和电容器介电材料7001为同一种材料,从而简化制造的步骤,进一步降低生产成本。由此,如图17所示,“并列”式电容驱动OLED显示器的制造方法可以包括:
1)获取上述组件6000(组件6000的获取步骤如上所述,在此不再重复描述);
2)在所获得的上述组件6000上敷设电容器介电材料7001;
3)在上述电容器介电材料7001上敷设列电极7003,优选地,与上述中置电极6001阵列中的每一列中置电极6001相对应地敷设上述列电极7003,使得上述列电极7003按一定间隔平行地被敷设,同时使得上述列电极7003与上述行电极4002从平面来看相交;
4)刻蚀容纳OLED器件的凹槽7004,优选地,在对应上述电容器介电材料7001基本上位于中间部分刻蚀容纳OLED器件的凹槽7004,所刻蚀出的容纳OLED器件的凹槽7004贯穿上述列电极7003和上述电容器介电材料7001;
5)在上述凹槽7004内沉积有机层7006(即OLED器件7008的主体部分),和在机层7006的顶部生成与上述列电极7003电连接的透明电极7007,从而形成OLED器件7008。其中,透明电极7007要比凹槽7004稍大,以便保证透明电极7007能电连接到列电极7003上。
在上述实施方式(二)中,上述第二绝缘层8001和电容器介电材料8003为同一种材料,从而简化制造的步骤,进一步降低生产成本。由此,如图18所示,“串列”式电容驱动OLED显示器的制造方法可以包括:
1)获取上述组件6000(组件6000的获取步骤如上所述,在此不再重复描述);
2)在所获得的上述组件6000上敷设电容器介电材料8003;
3)在上述电容器介电材料8003上敷设列电极8004,优选地,与上述中置电极6001阵列中的每一列中置电极6001相对应地敷设上述列电极8004,使得上述列电极8004按一定间隔平行地被敷设,同时使得上述列电极8004与上述行电极4002从平面来看相交;
4)敷设第三绝缘层8005,优选地,上述第三绝缘层8005覆盖组件设置有上述列电极8004一面的全部;
5)在上述第三绝缘层8005上刻蚀出容纳OLED器件3003的凹槽8006和让附加电极8008通往上述中置电极6001的通道8007,其中每一个像素周围有多个上述通道8007,优选地,在每一个像素相对两侧设置两条上述通道8007;
6)通过上述通道8007敷设与上述通道8007的数量相对应的附加电极8008;
7)在上述凹槽8006内沉积有机层8009和在上述有机层8009的顶部生成与上述附加电极8008电连接的透明电极8010,从而形成OLED器件3003。其中,上述透明电极8010要比凹槽8006稍大,以便保证透明电极8010能电连接到上述附加电极8008上。
在上述实施方式(三)中,上述第一绝缘层9005和电容器介电材料9007为同一种材料,从而简化制造的步骤,进一步降低生产成本。由此,如图19所示,“下出光”型“并列”式布局的电容驱动OLED显示器的制造方法包含以下步骤:
1)在上述透明基板9001上按预定阵列敷设上述透明电极9002;
2)对应于上述透明电极9002在上述透明基板9001上的阵列中的列敷设上述列电极9003,并在上述列电极9003上对应于上述透明电极9002的位置刻蚀出OLED的出光窗口9004;
3)在刻蚀出上述出光窗口9004后的透明基板9001上敷设电容器介电材料9007,使得上述电容器介电材料9007覆盖上述列电极9003及其之间的空隙以及上述出光窗口9004;
4)在上述电容器介电材料9007上对应于上述列电极9003的位置围绕上述出光窗口9004的位置刻蚀出容纳OLED器件9014的有机层9009的凹槽9008;
5)在上述凹槽9008内沉积OLED的有机层9009,使得上述有机层9009沉积在上述透明电极9002上,以形成上述OLED器件9014;
6)在上述驱动电容器的介电层9007和上述有机层9009敷设中置电极9010。上述中置电极9010为上述OLED器件9014的阴极;
7)在上述中置电极9010上敷设充电开关9011;
8)在敷设上述充电开关9011后的上述透明基板9001上敷设上述第二绝缘层9012,在各像素的上述中置电极9010之间和各像素的上述充电开关9011之间均设置有上述第二绝缘层9012。其中,上述充电开关9011的上表面没有被上述第二绝缘层9012所覆盖;
9)对应于上述充电开关9011所形成的阵列中的行,在上述充电开关9011上敷设上述行电极9013。
Claims (50)
1.一种电容驱动电致发光显示器,包括显示器基板、敷设在所述显示器基板上的行电极和列电极,以及电连接在所述行电极和所述列电极之间的发光像素,其特征在于:所述显示器基板是透明的,所述发光像素具有电致发光器件、驱动电容器和充电开关,其中所述电致发光器件和所述驱动电容器并联后电连接到所述充电开关;所述行电极或所述列电极具有用于安装电致发光器件的出光窗口,所述电致发光器件通过所述出光窗口被设置在所述显示器基板上,所述电致发光器件具有透明电极和有机层,其中至少所述透明电极位于所述出光窗口中,并与所述行电极或所述列电极电连接。
2.根据权利要求1所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述发光像素还具有中置电极,其中所述电致发光器件和所述驱动电容器并列地电连接到所述中置电极一侧,所述中置电极的另一侧电连接到所述充电开关。
3.根据权利要求1所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述行电极或所述列电极被镶嵌入所述显示器基板中。
4.根据权利要求2所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述发光像素还具有第一绝缘层和第二绝缘层,其中所述第一绝缘层将相邻的所述充电开关绝缘隔开,所述第二绝缘层分别将相邻的所述电致发光器件、所述驱动电容器、以及所述中置中极绝缘隔开。
5.根据权利要求2所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述发光像素还具有第一绝缘层和第二绝缘层,其中所述第一绝缘层分别将相邻的所述行电极或所述列电极、以及所述驱动电容器绝缘隔开,所述第二绝缘层将相邻的所述充电开关、以及所述中置电极绝缘隔开。
6.根据权利要求4或5所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述第二绝缘层的材料与所述驱动电容器的材料相同。
7.根据权利要求6所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述透明电极通过遮蔽掩模沉积在所述有机层的表面和所述出光窗口处的所述行电极或所述列电极上。
8.根据权利要求1或5所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述电致发光器件具有透明电极和有机层,其中所述透明电极和所述有机层的一部分位于所述出光窗口中,并与所述行电极或所述列电极电连接。
9.根据权利要求8所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述透明电极通过沉积被镀在所述出光窗口处的所述显示器基板。
10.根据权利要求1~4任意一项所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述充电开关直接在所述行电极或所述列电极上生成。
11.根据权利要求10所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述充电开关为二极管。
12.根据权利要求2或4所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述中置电极是通过在所述充电开关上进行金属镀膜得到。
13.一种电容驱动电致发光显示器,包括显示器基板、敷设在所述显示器基板上的行电极和列电极,以及电连接在所述行电极和所述列电极之间的发光像素,其特征在于:
所述发光像素具有电致发光器件、驱动电容器、充电开关、中置电极和附加电极,其中所述驱动电容器的一端电连接到所述中置电极一侧,另一端电连接所述行电极或所述列电极一侧,所述电致发光器件的一端电连接所述行电极或所述列电极的另一侧,另一端通过所述附加电极电连接到所述中置电极上,以及所述中置电极的另一侧电连接到所述充电开关。
14.根据权利要求13所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述行电极或所述列电极被镶入所述显示器基板中。
15.根据权利要求14所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述发光像素还具有第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,其中所述第一绝缘层将相邻的所述充电开关绝缘隔开,所述第二绝缘层分别将相邻的所述驱动电容器以及所述中置电极绝缘隔开,所述第三绝缘层分别将相邻的所述行电极或所述列电极、以及所述电致发光器件绝缘隔开。
16.根据权利要求15所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述第二绝缘层的材料与所述驱动电容器的材料相同。
17.根据权利要求13~16任意一项所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述电致发光器件具有透明电极和有机层,其中所述透明电极电连接所述附加电极。
18.根据权利要求17所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述透明电极通过遮蔽掩模沉积在所述有机层的表面和所述附加电极的相应部分。
19.根据权利要求13~16任意一项所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述充电开关直接在所述行电极或所述列电极上生成。
20.根据权利要求19所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述充电开关为二极管。
21.根据权利要求13~16任意一项所述的电容驱动电致发光显示器,其特征在于:所述中置电极是通过在所述充电开关上进行金属镀膜获得。
22.一种电容驱动电致发光显示器的制造方法,包括:
在透明的显示器基板上敷设电致发光器件的透明电极;
在所述透明电极上敷设列电极,并在所述列电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;
在刻蚀出所述出光窗口的透明的显示器基板上敷设第一绝缘层,使得所述第一绝缘层覆盖所述列电极及其之间的空隙以及所述出光窗口;
在所述第一绝缘层上对应于所述列电极的位置围绕上述出光窗口的位置刻蚀容纳所述驱动电容器的介电层的第一凹槽;
在所述第一凹槽中填入所述驱动电容器的介电材料,使得所述驱动电容器的介电材料位于所述第一凹槽并与所述列电极接触;
通过除去残留在所述出光窗口位置上的所述第一绝缘层,刻蚀出容纳有机层的第二凹槽;
在所述第二凹槽内沉积有机层,使得所述有机层沉积在所述透明电极上;
在所述驱动电容器的介电层和所述有机层敷设中置电极;
在所述中置电极上敷设充电开关;
在敷设所述充电开关后的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘层,在各像素的所述中置电极之间和各像素的所述充电开关之间均设置有所述第二绝缘层;
对应于所述充电开关所形成的阵列中的行,在所述充电开关上敷设行电极。
23.根据权利要求22所述的制造方法,其特征在于:
对由热塑性材料制成或表面含有一层热塑性材料的所述显示器基板进行加热处理,然后将所述列电极或行电极压入所述显示器基板的受热软化的表面。
24.根据权利要求22所述的制造方法,其特征在于:所述中置电极是通过在所述充电开关上进行金属镀膜获得。
25.一种电容驱动电致发光显示器的制造方法,包括:
在显示器基板上敷设列电极;
在显示器基板上敷设行电极;
在所述行电极或所述列电极上设置充电开关;
在所述充电开关上设置中置电极;
在所述中置电极上设置驱动电容器;
在所述中置电极上设置电致发光器件;
在所述中置电极上设置附加电极;
其中,所述电致发光器件和所述驱动电容器位于所述列电极或所述行电极的两侧,并且所述驱动电容器位于所述中置电极和所述列电极或所述行电极之间,所述附加电极电连接所述电致发光器件和所述中置电极,使得所述电致发光器件和所述驱动电容器并联地电连接。
26.根据权利要求25所述的制造方法,其特征在于:
在显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上的相应位置设置充电开关;
对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;
在所述充电开关上设置中置电极;
在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设第二绝缘材料;
在所述第二绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳驱动电容器的第一凹槽;
向所述第一凹槽中装入形成所述驱动电容器的材料;
与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;
在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;
在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;
通过所述通道敷设所述附加电极;
在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
27.根据权利要求25所述的制造方法,其特征在于:
在显示器基板上敷设列电极或行电极;
在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;
在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽的阵列;
在所述第四凹槽中设置所述充电开关;
在所述充电开关上设置所述中置电极;
在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设第二绝缘材料;
在所述第二绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳驱动电容器的第一凹槽;
向所述第一凹槽中装入形成所述驱动电容器的材料;
与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;
在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;
在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;
通过所述通道敷设所述附加电极;
在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
28.根据权利要求25所述的制造方法,其特征在于:
在显示器基板上敷设列电极或行电极;
在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;
在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽的阵列;
在所述第四凹槽中设置所述充电开关;
在所述充电开关上设置所述中置电极;
在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料;
在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;
在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;
在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;
通过所述通道敷设所述附加电极;
在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
29.根据权利要求25所述的制造方法,其特征在于:
在显示器基板上敷设列电极或行电极;
在已经敷设了所述列电极或行电极的所述显示器基板上敷设第一绝缘材料;
在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极相对应的位置刻蚀出用于容纳所述充电开关的第四凹槽的阵列;
在所述第四凹槽中设置所述充电开关;
在所述充电开关上设置所述中置电极;
在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料,并刻蚀出所述驱动电容器的阵列;
对已经刻蚀出所述驱动电容器的阵列的显示器基板用第二绝缘材料进行平整化处理;
在经所述第二绝缘材料平整化处理后的所述显示器基板上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;
在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;
在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;
通过所述通道敷设所述附加电极;
在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
30.根据权利要求25所述的制造方法,其特征在于:
在显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上的相应位置设置充电开关;
对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;
在所述充电开关上设置中置电极;
在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料;
在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;
在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;
在所述第三绝缘材料上与所述中置电极对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;
通过所述通道敷设所述附加电极;
在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
31.根据权利要求25所述的制造方法,其特征在于:
在显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上的相应位置设置充电开关;
对已经设置了所述充电开关的所述显示器基板用第一绝缘材料进行平整化处理;
在所述充电开关上设置中置电极;
在设置了所述中置电极的所述显示器基板上敷设用于形成驱动电容器的材料,并刻蚀出所述驱动电容器的阵列;
对已经刻蚀出所述驱动电容器的图案阵列的所述显示器基板用第二绝缘材料进行平整化处理;
在经所述第二绝缘材料平整化处理后的所述显示器基板上与所述中置电极相对应地敷设行电极或列电极;
在所述行电极或列电极上敷设第三绝缘材料;
在所述第三绝缘材料上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出容纳电致发光器件的第二凹槽和让附加电极通往所述中置电极的通道;
通过所述通道敷设所述附加电极;
在所述第二凹槽中设置分别与所述附加电极和所述行电极或列电极电连接的所述电致发光器件。
32.根据权利要求25所述的制造方法,其特征在于:
在所述显示器基板上刻蚀出容纳所述列电极或行电极的第三凹槽,然后在所述第三凹槽中填入电极材料,以形成所述列电极或行电极。
33.根据权利要求25所述的制造方法,其特征在于:
对由热塑性材料制成或表面含有一层热塑性材料的所述显示器基板进行加热处理,然后将所述列电极或行电极压入所述显示器基板的受热软化的表面。
34.根据权利要求26-31任意一项所述的制造方法,其特征在于:在所述第二凹槽中沉积有机层,然后在所述有机层的顶部生成与所述附加电极电连接的透明电极,以形成所述电致发光器件。
35.根据权利要求34所述的制造方法,其特征在于:所述透明电极通过遮蔽掩模沉积在所述有机层的顶部和所述附加电极上。
36.根据权利要求25~33任意一项所述的制造方法,其特征在于:所述充电开关直接在所述列电极或行电极上生成。
37.根据权利要求25~33任意一项所述的制造方法,其特征在于:所述中置电极是通过在所述充电开关上进行金属镀膜获得。
38.一种电容驱动电致发光显示器的制造方法,包括:
在透明的显示器基板上敷设列电极;
直接在所述透明的显示器基板上设置电致发光器件,使所述电致发光器件与所述列电极电连接;
在所述列电极上设置驱动电容器;
在所述驱动电容器上设置充电开关;
在所述充电开关上敷设行电极;
其中,所述电致发光器件和所述驱动电容器并联后电连接到所述充电开关。
39.根据权利要求38所述的制造方法,还包括:在所述透明的显示器基板上设置中置电极;
其中,所述电致发光器件和所述驱动电容器并列地电连接到所述中置电极一侧,所述中置电极的另一侧电连接到所述充电开关。
40.根据权利要求39所述的制造方法,其特征在于:
在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;
按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;
在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设第一绝缘材料;
在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极对应的位置刻蚀出容纳所述驱动电容器的第一凹槽,其中第一凹槽中留有一定的第一绝缘材料;
向所述第一凹槽中装入用于形成驱动电容器的材料;
去除所述一定的第一绝缘材料,形成第二凹槽;
在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;
在所述电致发光器件和所述用于形成驱动电容器件材料上设置所述中置电极;
在所述中置电极上设置所述充电开关;
在设置了所述充电开关的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘材料,所述第二绝缘材料不覆盖所述充电开关;
在与所述充电开关相应的位置敷设行电极或列电极。
41.根据权利要求39所述的制造方法,其特征在于:
在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;
按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;
在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设用于形成驱动电容器的材料,并对应于所述预定阵列刻蚀出所述驱动电容器的阵列;
对已经刻蚀出所述驱动电容器的阵列的所述透明的显示器基板用第一绝缘层材料进行平整化处理;
在已经用所述第一绝缘层材料平整化处理后的所述透明的显示器基板上与所述透明电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;
在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;
在所述电致发光器件上设置面积大于所述电致发光器件的所述中置电极,使得所述中置电极覆盖所述电致发光器件和部分所述用于形成驱动电容器的材料;
在已经敷设了所述中置电极的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘层材料;
在敷设了所述第二绝缘层材料的所述透明的显示器基板上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出容纳充电开关的第三凹槽;
在所述第三凹槽中设置所述充电开关;
在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
42.根据权利要求39所述的制造方法,其特征在于:
在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;
按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;
在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设用于形成驱动电容器的材料;
在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述透明电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;
在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;
在所述电致发光器件上设置面积大于所述电致发光器件的所述中置电极,使得所述中置电极覆盖所述电致发光器件和部分所述用于形成驱动电容器的材料;
在已经敷设了所述中置电极的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘层材料;
在敷设了所述第二绝缘层材料的所述透明的显示器基板上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出容纳充电开关的第三凹槽;
在所述第三凹槽中设置所述充电开关;
在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
43.根据权利要求39所述的制造方法,其特征在于:
在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;
按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;
在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设第一绝缘材料;
在所述第一绝缘材料上与所述列电极或行电极对应的位置刻蚀出容纳所述驱动电容器的第一凹槽,其中所述第一凹槽中留有一定的第一绝缘材料;
向所述第一凹槽中装入用于形成驱动电容器的材料;
去除所述一定的第一绝缘材料,形成第二凹槽;
在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;
在所述电致发光器件和所述用于形成驱动电容器的材料上设置所述中置电极;
在已经敷设了所述中置电极的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘层材料;
在敷设了所述第二绝缘层材料的所述透明的显示器基板上与所述中置电极相对应的位置刻蚀出容纳充电开关的第三凹槽;
在所述第三凹槽中设置所述充电开关;
在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
44.根据权利要求39所述的制造方法,其特征在于:
在所述透明的显示器基板上按预定阵列敷设透明电极;
按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;
在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设用于形成驱动电容器的材料,并刻蚀出所述驱动电容器的阵列;
对已经刻蚀出所述驱动电容器的阵列的所述透明的显示器基板用第一绝缘层材料进行平整化处理;
在已经用所述第一绝缘层材料平整化处理后的所述透明的显示器基板上与所述透明电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;
在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;
在所述电致发光器件上设置面积大于所述电致发光器件的所述中置电极,使得所述中置电极覆盖所述电致发光器件和所述用于形成驱动电容器的材料;
在所述中置电极上设置所述充电开关;
在设置了所述充电开关的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘材料,所述第二绝缘材料不覆盖所述充电开关;
在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
45.根据权利要求39所述的制造方法,其特征在于:
在所述透明的显示器基板上按照预定阵列敷设透明电极;
按照所述预定阵列在所述透明的显示器基板上敷设列电极或行电极;
在所述列电极或行电极上对应于所述透明电极的位置刻蚀出光窗口;
在已经刻蚀出所述出光窗口的所述列电极或行电极上敷设用于形成驱动电容器的材料;
在所述用于形成驱动电容器的材料上与所述透明电极相对应的位置刻蚀出第二凹槽;
在所述第二凹槽中设置有机层使其与所述透明电极一起形成所述电致发光器件;
在所述电致发光器件上设置面积大于所述电致发光器件的所述中置电极,使得所述中置电极覆盖所述电致发光器件和部分所述用于形成驱动电容器的材料;
在所述中置电极上设置所述充电开关;
在设置了所述充电开关的所述透明的显示器基板上敷设第二绝缘材料,所述第二绝缘材料不覆盖所述充电开关;
在与所述充电开关相对应的位置敷设行电极或列电极。
46.根据权利要求40~45任意一项所述的制造方法,其特征在于:
在所述透明的显示器基板上通过镀膜的方法沉积纳米级的所述透明电极。
47.根据权利要求40~45任意一项所述的制造方法,其特征在于:
在所述出光窗口中沉积所述有机层,使得至少部分的所述有机层位于所述出光窗口中。
48.根据权利要求39~45任意一项所述的制造方法,其特征在于:所述充电开关直接在所述中置电极上生成。
49.根据权利要求39~45任意一项所述的制造方法,其特征在于:在所述电致发光器件上沉积一个比所述电致发光器件面积大的金属保护层,然后沉积一定厚度的金属,经光刻后得到所述中置电极。
50.根据权利要求40或43所述的制造方法,其特征在于:所述第一凹槽的深度能够容纳多个串列的所述电致发光器件。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410379127.9A CN104103674B (zh) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | 一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 |
US15/501,708 US10186564B2 (en) | 2014-08-04 | 2015-08-03 | Capacitor-driven electroluminescent display and method of manufacturing the same |
PCT/CN2015/000553 WO2016019699A1 (zh) | 2014-08-04 | 2015-08-03 | 一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410379127.9A CN104103674B (zh) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | 一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104103674A CN104103674A (zh) | 2014-10-15 |
CN104103674B true CN104103674B (zh) | 2017-04-12 |
Family
ID=51671665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410379127.9A Active CN104103674B (zh) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | 一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10186564B2 (zh) |
CN (1) | CN104103674B (zh) |
WO (1) | WO2016019699A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104103674B (zh) * | 2014-08-04 | 2017-04-12 | 石益坚 | 一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 |
CN107562290A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-09 | 南昌欧菲生物识别技术有限公司 | 电子设备 |
US10964869B2 (en) | 2017-07-28 | 2021-03-30 | Lg Chem, Ltd. | Transparent light emitting element display |
JP6793999B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2020-12-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 透明発光素子ディスプレイ |
US11094869B2 (en) * | 2018-01-15 | 2021-08-17 | Lg Chem, Ltd. | Transparent light emitting device display |
US11798501B2 (en) * | 2020-08-25 | 2023-10-24 | Google Llc | Power monitoring for correcting ambient temperature measurement by electronic devices |
CN112151697B (zh) * | 2020-09-28 | 2023-06-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 制作显示背板的方法、显示背板和显示装置 |
CN113409721B (zh) * | 2021-04-21 | 2022-08-12 | 福州大学 | 一种发光器件电场驱动调制装置 |
CN113376912B (zh) * | 2021-08-12 | 2021-12-17 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5949076A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Fujitsu Ltd | 固体撮像装置 |
US5337172A (en) * | 1991-03-26 | 1994-08-09 | Thomson-Csf | Liquid crystal matrix control employing doped semiconductor pixel electrode surrounded by undoped channel region |
US6307324B1 (en) * | 1997-03-27 | 2001-10-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display apparatus using electroluminescence elements |
JP2002353392A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
CN1384523A (zh) * | 2001-05-04 | 2002-12-11 | 三星Sdi株式会社 | 用于等离子体显示屏的板及其制造法和具有该板的显示屏 |
US6593687B1 (en) * | 1999-07-20 | 2003-07-15 | Sri International | Cavity-emission electroluminescent device and method for forming the device |
CN101115354A (zh) * | 2006-07-25 | 2008-01-30 | 相互股份有限公司 | 模造电路板及其制造方法 |
CN103531721A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 叠层有机发光二极管器件和显示装置 |
CN103733374A (zh) * | 2011-08-12 | 2014-04-16 | 思研(Sri)国际顾问与咨询公司 | 无源矩阵有机发光二极管 |
CN103945644A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-07-23 | 张伯平 | 齐平线路板及其制作方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7079092B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-07-18 | Barco Nv | Organic light-emitting diode (OLED) pre-charge circuit for use in a common anode large-screen display |
US20070001936A1 (en) * | 2003-08-19 | 2007-01-04 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Display device and method of forming and driving the same |
CN100411222C (zh) * | 2004-02-16 | 2008-08-13 | 东元激光科技股份有限公司 | 有机发光显示面板的制造方法及结构 |
TW200746022A (en) * | 2006-04-19 | 2007-12-16 | Ignis Innovation Inc | Stable driving scheme for active matrix displays |
JP4905420B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2012-03-28 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の駆動方法及び製造方法、並びに電子機器 |
US20140204067A1 (en) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | Apple Inc. | Pixel Circuits and Driving Schemes for Active Matrix Organic Light Emitting Diodes |
CN104103674B (zh) * | 2014-08-04 | 2017-04-12 | 石益坚 | 一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 |
KR102272230B1 (ko) * | 2014-10-29 | 2021-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 음의 전원 전압을 보상하기 위한 디스플레이 패널, 이를 포함하는 디스플레이 모듈 및 모바일 장치 |
-
2014
- 2014-08-04 CN CN201410379127.9A patent/CN104103674B/zh active Active
-
2015
- 2015-08-03 WO PCT/CN2015/000553 patent/WO2016019699A1/zh active Application Filing
- 2015-08-03 US US15/501,708 patent/US10186564B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5949076A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Fujitsu Ltd | 固体撮像装置 |
US5337172A (en) * | 1991-03-26 | 1994-08-09 | Thomson-Csf | Liquid crystal matrix control employing doped semiconductor pixel electrode surrounded by undoped channel region |
US6307324B1 (en) * | 1997-03-27 | 2001-10-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display apparatus using electroluminescence elements |
US6593687B1 (en) * | 1999-07-20 | 2003-07-15 | Sri International | Cavity-emission electroluminescent device and method for forming the device |
CN1384523A (zh) * | 2001-05-04 | 2002-12-11 | 三星Sdi株式会社 | 用于等离子体显示屏的板及其制造法和具有该板的显示屏 |
JP2002353392A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
CN101115354A (zh) * | 2006-07-25 | 2008-01-30 | 相互股份有限公司 | 模造电路板及其制造方法 |
CN103733374A (zh) * | 2011-08-12 | 2014-04-16 | 思研(Sri)国际顾问与咨询公司 | 无源矩阵有机发光二极管 |
CN103531721A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 叠层有机发光二极管器件和显示装置 |
CN103945644A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-07-23 | 张伯平 | 齐平线路板及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170229531A1 (en) | 2017-08-10 |
WO2016019699A1 (zh) | 2016-02-11 |
US10186564B2 (en) | 2019-01-22 |
CN104103674A (zh) | 2014-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104103674B (zh) | 一种电容驱动电致发光显示器及其制造方法 | |
CN100557846C (zh) | 电致发光器件及其制造 | |
CN107006096B (zh) | 发光元件、显示面板、显示装置、发光元件的制造方法 | |
CN104517995B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN106328676B (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
CN104752637B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN203242671U (zh) | 具有改善的发光质量的有机发光装置 | |
CN104752439B (zh) | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法 | |
CN103219469B (zh) | 发光组件 | |
CN101752402B (zh) | 顶部发光型有机电致发光显示设备及其制造方法 | |
CN102117824B (zh) | 有机发光显示设备及其制造方法 | |
CN109994534A (zh) | Oled显示面板的外围电路结构及oled显示面板 | |
JP2004111369A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
CN104078486A (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
CN106206673A (zh) | Amoled显示装置 | |
CN105590953A (zh) | 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
CN101887867A (zh) | 有机发光二极管显示器的制造方法 | |
KR20130068714A (ko) | 발광효율이 향상된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
CN101188887A (zh) | 有机el显示装置 | |
CN107369779A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
CN104851906B (zh) | 显示基板及其制作方法和驱动方法以及显示装置 | |
CN109216420A (zh) | 有机发光显示面板及其制造方法 | |
CN104466021B (zh) | Amoled器件结构及其制造方法 | |
CN102376895B (zh) | Oled照明基板及其制造方法 | |
CN105474427B (zh) | 有机发光器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |