CN110970467B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包括基板、数据链接线、电力链接线以及虚设图案。基板包括布置有像素的显示区域以及显示区域外侧的非显示区域。数据链接线位于非显示区域中以将信号传送至像素。电力链接线在非显示区域中与数据链接线以选定的距离间隔开，并且将电力传送到像素。虚设图案位于非显示区域中的数据链接线和电力链接线之间。

Description

显示装置
本申请要求2018年9月28日提交的韩国专利申请第10-2018-0116127号的优先权权益，其通过引用并入本文中用于全部目的，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本公开涉及一种具有弯曲部的显示装置。
背景技术
由于信息技术的发展，显示装置(即用户和信息之间的连接介质)的市场变得越来越大。因此，诸如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)的显示装置的使用增加。
在这些显示装置中，OLED显示装置具有低功耗，并且因为OLED显示装置是自发光装置，因此与需要背光的LCD相比可以制造得更薄。此外，OLED显示装置具有视角宽和响应速度快的优点。OLED显示装置的工艺技术已经发展达到大型屏幕批量生产技术水平，因此OLED显示装置的市场在与LCD竞争的同时扩张。
OLED显示装置的像素包括OLED，即自发光装置。OLED显示装置可以根据发光材料的类型、发光方法、发光结构、驱动方法等以各种方式划分。OLED显示装置可以根据其发光方法划分为荧光发光和磷光发光，并且可以根据其发光结构划分为顶部发光结构和底部发光结构。进一步，OLED显示装置可以根据其驱动方法划分为无源矩阵OLED(PMOLED)和有源矩阵OLED(AMOLED)。
近来进行了减小显示装置的边框区域的努力。边框区域是不实现输入图像的非显示区域。由于边框区域的面积的增加会降低美感和可视性，因此会带来问题。
发明内容
本公开提供一种具有改进的膜翘起现象(film lifting phenomenon)的显示装置。
在一个方面中，显示装置包括基板、数据链接线、电力链接线和虚设图案。基板包括布置有像素的显示区域以及显示区域外侧的非显示区域。数据链接线位于非显示区域中以将信号传送到像素。电力链接线在非显示区域中与数据链接线以选定的距离间隔开，并将电力传送到像素。虚设图案位于非显示区域中的数据链接线和电力链接线之间。
在另一个方面中，一种显示装置包括：基板，所述基板上具有显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，所述显示区域中布置有像素；多条数据链接线，布置在所述非显示区域处；电力链接线，在所述非显示区域处与所述多条数据链接线以选定的距离间隔开；以及多个虚设图案，位于所述多条数据链接线与所述电力链接线之间，其中，所述虚设图案不与所述多条数据链接线和所述电力链接线电连接。
附图说明
本公开包括附图包括以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施例并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是示意性示出根据本公开的实施例的显示装置的配置的平面图。
图2是示意性示出像素的结构的剖视图。
图3是示出根据本公开的实施例的显示装置的立体图。
图4是图3的AR区域的放大平面图。
图5是图4的沿线I－I’剖开的剖视图。
图6是图4的沿线II－II’剖开的剖视图。
图7是图4的沿线III－III’剖开的剖视图。
图8是用于示出放置有导电层的区域与未放置有导电层的区域中的膜翘起现象之间的比较的图。
图9是根据本公开的第一实施例的图3的AR区域的放大平面图。
图10是图9的沿线Ⅳ－Ⅳ’剖开的剖视图。
图11是根据本公开第二实施例的图3的AR区域的放大平面图。
图12是图11的沿线V－V’剖开的剖视图。
具体实施方式
在下文中，参照附图描述本公开的实施例。在整个说明书中，相同的附图标记基本上表示相同的元件。在以下描述中，如果认为与本公开相关的已知技术或元件的详细描述使本公开的要点不必要地模糊，则将其省略。在描述若干实施例时，相同的元件在本说明书的介绍部分处代表性地进行了描述，并且可以在其他的实施例中省略。
包括诸如第一和第二的序数的术语可以用来描述各种元件，但是元件不受这些术语限制。这些术语仅用于使一个元件与另一个元件区分开。
根据本公开实施例的显示装置可以实现为电致发光显示装置、LCD、电泳显示装置等，但不限于此。在下文中，为了便于描述，显示装置被示出为包括OLED的电致发光显示装置。
图1是示意性示出根据本公开的实施例的显示装置的配置的平面图。图2是示意性示出像素的结构的剖视图。
参照图1，根据本公开的实施例的显示装置可以包括显示面板10、数据驱动器、栅极驱动器、电源部PS以及时序控制器TC等。
显示面板10包括基板，在基板中限定了显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是实现输入图像的区域。非显示区域NDA是放置在显示区域DA外侧并且不实现输入图像的区域。
显示区域DA是放置了排列有多个像素P的像素阵列的区域。非显示区域NDA是设置了栅极驱动电路的移位寄存器SRa和SRb、各种链接线GL1～GLn和DL1～DLm、电源线VDL1、VDL2、VSL1和VSL2以及电源电极VDLa、VDLb、VSLa和VSLb的区域。
放置在显示区域DA中的像素阵列包括设置为彼此交叉的多条数据线D1～Dm和多条栅极线G1～Gn。像素P可以由多条数据线D1～Dm和栅极线G1～Gn的交叉结构限定，但不限于此。
每个像素P包括LED、用于控制流入LED的电流量的驱动薄膜晶体管(下文中称为“驱动TFT”)DT、以及用于设定驱动TFT DT的栅极-源极电压的编程单元SC。从电源部PS通过第一电源线VDL1和VDL2、第一电源电极VDLa和VDLb以及第一电力线VD1～VDM向像素阵列的像素P供应第一电力Vdd(或高电位电压)。从电源部PS通过第二电源线VSL1～VSL2和第二电源电极VSLa和VSLb向像素阵列的像素P供应第二电力Vss(或低电位电压)。
第一电力线VD1～VDm可以通过下部第一电源电极VDLa和上部第一电源电极VDLb在其两侧被供应第一电力Vdd，下部第一电源电极VDLa位于非显示区域NDA中附接有连接构件30的一侧上，上部第一电源电极VDLb位于非显示区域NDA中的相对侧上。下部第一电源电极VDLa和上部第一电源电极VDLb可以具有通过第一电源线VDL1和VDL2连接的两端。因此，具有如下效果：可以使由于根据设置在显示区域DA中的像素的位置导致RC(电阻、电容)增大引起的显示质量的劣化最小化，但本公开不限于此。
编程单元SC可以包括至少一个开关TFT和至少一个存储电容器。开关TFT响应于来自栅极线GL的扫描信号而导通，因此将来自数据线D1的数据电压施加于存储电容器的一个电极。驱动TFT DT通过基于在存储电容器中充入的电压量控制供应给LED的电流量，来控制LED的发光量。LED的发光量与供应到驱动TFT DT的电流量成正比。
构成像素的TFT可以以p型或n型实现。进一步，构成像素的TFT的半导体层可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物。LED包括阳极电极、阴极电极以及设置于阳极电极和阴极电极之间的发光结构。阳极连接到驱动TFT DT。发光结构包括发光层EML，并且可以具有设置在其一侧上的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)、以及设置在其另一侧上的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，发光层EML插入在它们之间。
数据驱动器具有安装在其上的数据IC SD，并且包括连接构件30，连接构件30的一侧连接到源极印刷电路板20的一端，连接构件30的另一侧附接到基板的非显示区域NDA。连接构件可以是膜上芯片(COF)或面板上芯片(COP)，但不限于此。
数据IC SD通过将从时序控制器TC接收的数字视频数据转换为模拟伽马补偿电压来产生数据电压。由数据IC SD输出的数据电压被供应给数据线D1～Dm。
GIP型栅极驱动器包括安装在源极印刷电路板20上的电平移位器LSa和LSb、以及形成在基板的非显示区域NDA中以接收由电平移位器LSa和LSb供应的信号的移位寄存器SRa和SRb。
电平移位器LSa和LSb被从时序控制器TC供应诸如起始脉冲ST、栅极移位时钟GLCK和闪烁信号FLK的信号，并且被从时序控制器TC供应诸如栅极高电压VGH和栅极低电压VGL的驱动电压。起始脉冲ST、栅极移位时钟GCLK和闪烁信号FLK是在大约0V和3.3V之间摆动的信号。栅极移位时钟GLCK1～n是具有给定相位差的n相时钟信号。栅极高电压VGH是在显示面板10的像素阵列中形成的TFT的阈值电压或更高电压，并且约为28V。栅极低电压VGL低于在显示面板10的像素阵列中形成的TFT的阈值电压，约为-5V。
电平移位器LSa和LSb的输出信号可以通过在放置数据IC SD的连接构件30中形成的线以及在基板中形成的玻上线的线(LOG)供应给移位寄存器SRa和SRb。移位寄存器SRa和SRb可以通过GIP工艺直接形成在基板的非显示区域NDA上。
移位寄存器SRa和SRb通过响应于栅极移位时钟信号GCLK1～GCLKn使从电平移位器LSa和LSb接收的起始脉冲VST移位，顺序地使栅极脉冲在栅极高电压VGH和栅极低电压VGL之间摆动。由移位寄存器SRa和SRb输出的栅极脉冲被顺序地供应给栅极线G1a～Gn和G1b～Gn。
时序控制器TC接收从主机系统(未示出)接收的诸如垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号或主时钟的时序信号，并且使数据IC SD和栅极驱动器的电平移位器LSa和LSb及移位寄存器SRa和SRb的操作时序同步。用于控制数据IC SD的数据时序控制信号可以包括源极采样时钟SSC、源极输出使能信号SOE等。用于控制栅极驱动器的电平移位器LSa和LSb及移位寄存器SRa和SRb的栅极时序控制信号可以包括栅极起始脉冲GSP、栅极移位时钟GSC、栅极输出使能信号GOE等。
在图1中，移位寄存器SRa和SRb被示出为设置在显示区域DA外侧的两侧，因此栅极脉冲被供应给显示区域DA的两端的栅极线G1a～Gn和G1b～Gn，但是本公开不限于此。例如，移位寄存器可以仅设置在显示区域DA的一侧，使得栅极脉冲被供应给显示区域DA的一侧上的栅极线G1a～Gn和G1b～Gn。如果移位寄存器SRa和SRb设置在显示区域DA外侧的两侧，则具有相同的相位和振幅的栅极脉冲被供应给设置在像素阵列的同一水平线中的栅极线。
栅极驱动器被示出为GIP类型，但是不限于此。例如，栅极驱动器可以以连接构件类型设置并且接合到显示面板10的非显示区域NDA。
参照图2，具有单层结构或多层结构的缓冲层BUF可以放置在基板SUB上。基板SUB可以由具有给定柔性的材料制成。如果基板SUB由诸如聚酰亚胺的材料制成，则缓冲层BUF可以配置为由无机材料和有机材料中的任一种制成的单层，以防止发光元件在后续工艺中被从基板SUB排出的诸如碱金属离子的杂质损坏。相对于此，缓冲层BUF可以配置为由不同的无机材料制成的多层。进一步，缓冲层BUF可以配置为包括有机材料层和无机材料层的多层。无机材料层可以包括氧化硅(SiOx)膜和氮化硅(SiNx)膜中的任一种。有机材料可包括光学丙烯酸。
半导体层A可以放置在缓冲层BUF上。半导体层A可以包括源极区域SA和漏极区域DA，源极区域SA和漏极区域DA彼此间隔开，沟道区域CA插入源极区域SA和漏极区域DA之间。源极区域SA和漏极区域DA可以是导电的区域。可以使用非晶硅或从非晶硅结晶化的多晶硅来形成半导体层A。在一个实施例中，半导体层A可以由氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(InZnO)、氧化铟镓锌(InGaZnO)或氧化锌锡(ZnSnO)中的任一种制成。进一步，半导体层A可以由诸如部花青、酞菁、并五苯或噻吩聚合物的低分子或高分子有机物质制成。
覆盖半导体层A的栅极绝缘膜GI位于放置有半导体层A的缓冲层BUF上。栅极绝缘膜GI可以配置有由无机材料制成的单层或由不同的无机材料制成的多层。例如，栅极绝缘膜GI可以由氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或其双层制成。
TFT的栅极电极GE以及连接到栅极电极GE的栅极线(未示出)可以设置在栅极绝缘膜GI上，使得它们与半导体层A的沟道层CA的至少一部分区域重叠。栅极电极GE和栅极线可以是选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)和铜(Cu)或其合金组成的组中的任一种，并且可以配置有单层或多层。
层间绝缘膜INT可以放置在栅极绝缘膜GI上，其中，栅极电极GE和栅极线以覆盖层间绝缘膜INT和栅极绝缘膜GI的方式设置。层间绝缘膜INT可以配置为由无机材料制成的单层或者由不同的无机材料制成的多层。例如，层间绝缘膜INT可以配置有氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜。
TFT的源极电极SE和漏极电极DE以及数据线(未示出)可以放置在层间绝缘膜INT上。源极电极SE和漏极电极DE可以分别连接到半导体层的源极区域SA和漏极区域DA，源极区域SA和漏极区域DA经由穿过栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜INT的接触孔露出。源极电极SE、漏极电极DE以及数据线可以是选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)以及铜(Cu)或其合金组成的组中的任一种，并且可以配置有单层或多层。
第一钝化膜PAS1可以放置为覆盖源极电极SE、漏极电极DE以及数据线的。第一钝化膜PAS1可以配置为由无机材料制成的单层或由不同无机材料制成的多层。例如，第一钝化膜PAS1可以配置为氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或其双层。
平坦化膜PNL可以放置在第一钝化膜PAS1上。平坦化膜PNL起到在减小下部结构的台阶的同时保护下部结构的作用，并且可以配置为有机材料层。例如，平坦化膜PNL可以配置为光学丙烯酸层。
阳极电极ANO可以放置在平坦化膜PNL上。阳极电极ANO连接到漏极电极DE，漏极电极DE经由穿过平坦化膜PNL和第一钝化膜PAS1的接触孔而露出。阳极电极ANO可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)的透明导电材料制成。
具有开口的堤层BN可以形成在平坦化膜PNL上，阳极电极ANO经由该开口露出。堤层BN的开口可以是限定发光区域的区域。堤层BN可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯系树脂或聚丙烯酸酯的有机物质制成。间隔体SPC形成在堤层BN上。间隔体SPC起到防止用于制造随后的发光叠层LES的掩模与间隔体SPC下方的叠层接触的作用。使用半色调掩模，与堤层BN同时制造间隔体SPC。因此，间隔体SPC可以具有与堤层BN相同的材料，因此间隔体SPC和堤层BN形成一体。
发光叠层LES和阴极电极CAT顺序地设置在经由堤层BN的发光区域露出的阳极电极ANO上，由此构成发光装置LED。发光叠层LES可以包括空穴相关层、发光层以及电子相关层。阴极电极CAT可以由具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)或银(Ag)或其合金制成。在本公开的一个实施例中，发光叠层LES已被示出为放置在阳极电极ANO上，并且阴极电极CAT已被示出为放置在发光叠层LES上，但是发光叠层LES可以放置在阴极电极CAT上，阳极电极ANO可以放置在发光叠层LES上。
第二钝化膜PAS2可以放置在阴极电极CAT上。第二钝化膜PAS2可以配置为由无机材料制成的单层或由不同的无机材料制成的多层。例如，第二钝化膜PAS2可以配置为氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或其双层。第二钝化膜PAS2可以放置在显示区域DA和非显示区域NDA中。
用于覆盖阴极电极CAT和堤层BN的封装膜ENC可以放置在第二钝化膜PAS2上。封装膜ENC起到防止外部湿气或氧气渗透到封装膜ENC内的发光叠层LES中的作用，并且可以配置为由有机物质层或无机层制成的单层、或者无机层和有机物层交替设置的多层结构。在本公开的一个实施例中，封装膜ENC已被示出为配置为由有机物质层制成的单层。封装膜ENC可以放置成覆盖显示区域DA的像素。
第三钝化膜PAS3放置在封装膜ENC上，以防止湿气或氧气渗透到封装膜ENC中。第三钝化膜PAS2可以放置在显示区域DA和非显示区域NDA中。
图3是示出根据本公开的实施例的显示装置的立体图。图4是图3的AR区域的放大平面图。图5是图4的沿线I－I’剖开的剖视图。图6是图4的沿线II－II’剖开的剖视图。图7是图4的沿线III－III’剖开的剖视图。图8是用于示出放置有导电层的区域与未放置有导电层的区域中的膜翘起现象之间的比较的图。
参照图3和图4，显示装置包括基板SUB和连接构件30。
基板SUB包括显示区域DA和非显示区域NDA。多个像素设置在显示区域DA中。像素以红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)或R、G、B和白色(W)方式布置在显示区域DA内以实现全部颜色。像素可以通过彼此交叉的栅极线和数据线划分，但是本公开不限于此。
非显示区域NDA包括焊盘部PA，接合到连接构件30的焊盘设置在焊盘部PA中，并且链接部LA和弯曲部BA被顺序地限定在显示区域DA和焊盘部PA之间。
连接构件30包括凸起(或端子)。连接构件30的凸起可以通过各向异性导电膜接合到焊盘部PA的各个焊盘。连接构件30可以是膜上芯片(COF)，在膜上芯片中驱动集成电路(IC)已安装在柔性膜上。进一步，连接构件30可以实现为玻上芯片(COG)类型，在玻上芯片类型中连接构件30通过COG工艺直接接合到基板上的焊盘。进一步，连接构件30可以是诸如柔性扁平电缆(FFC)或柔性印刷电路(FPC)的柔性构件。
通过连接构件30供应的驱动信号通过链接线LL和路由线经由焊盘部PA、弯曲部BA和链接部LA供应给显示区域DA的信号线。信号线包括设置在显示区域DA中的数据线(图1的D1～Dm)和电力线(图1中的VD1～VDm)。链接线LL包括电连接到数据线(图1的D1～Dm)的数据链接线DL、以及连接到电力线(图1的VD1～VDm)和/或电源线VDL1和VDL2的电力链接线VL。路由线包括连接数据链接线DL和数据焊盘(未示出)的数据路由线DRL、以及连接电力链接线VL和电力焊盘(未示出)的电力路由线VRL。
在显示装置中，需要充分地分配除实现输入图像的显示区域DA之外可以设置焊盘部PA、连接构件30等的空间。这样的空间对应于边框区域。边框区域被位于显示装置前面的用户识别，从而成为使美感和可视性变差的因素。
在根据本公开实施例的显示装置中，基板SUB的一侧上的边缘向后弯曲以具有给定的曲率。基板SUB弯曲，因此基板的截面具有曲面的区域可以被定义为弯曲部BA。
当基板SUB弯曲时，焊盘部PA可以放置成在显示区域DA的后方方向上与显示区域DA重叠。因此，可以使在显示装置的前面识别出的边框区域最小化。
为此，基板SUB可以由可弯曲且柔性的材料制成。例如，基板SUB可以由诸如聚酰亚胺(PI)的塑料材料制成。进一步，设置在弯曲部BA中的路由线DRL和VRL可以由具有柔性的材料制成。例如，路由线DRL和VRL可以由诸如金属纳米线、金属网或碳纳米管(CNT)的材料制成，但不限于此。
路由线DRL和VRL可以具有能够分散在基板弯曲时起作用的应力的形状。例如，路由线DRL和VRL可以在弯曲部BA中具有Z字形图案。或者，路由线DRL和VRL可以具有分别分支为多个图案DRL1和DRL2与多个图案VRL1和VRL2以防止在应力集中时发生开裂的形状。或者，通过考虑弯曲方向，路由线DRL和VRL可以形成为从应力朝向以预设角度倾斜的对角线方向起作用的方向延伸。
在某些实施例中，数据链接线DL和电力链接线VL以选定的间隙G间隔开。可以适当地选定间隙G的距离，以降低显示装置内的线或各元件之间的信号干扰，避免短路。还可以根据不同的生产设计来确定间隙G。例如，如上所述，分别从线DL和VL延伸的路由线DRL和VRL可以以Z字形图案或对角线图案形成。这种情况下，数据链接线DL和电力链接线VL以选定的间隙间隔开，以防止施加有不同的信号的线短路。为此，数据链接线DL和电力链接线VL以选定的间隙G间隔开，以确保用于形成上述图案的空间。在一些实施例中，可以在制造阶段预先确定间隙G。然而，在一个或多个实施例中，不一定预先确定间隙G，并且可以基于上述原因和其它原因来适当选定间隙G。例如，如果数据链接线DL与电力链接线VL之间的距离小，则数据链接线DL和电力链接线VL可能由于通过它们之间的寄生电容导致的电容耦合而相互电气影响。例如，当数据链接线DL中的数据电压改变时，电力可能变化。其结果是，由于流入像素的发光元件中的电流改变，所以亮度可能异常地改变。因此，为了排除数据链接线DL与电力链接线VL之间的电容耦合影响，数据链接线DL和电力链接线VL可以间隔开为具有足够的间隙G。
参照图5至图7，缓冲层BUF和栅极绝缘膜GI设置在基板SUB上。数据链接线DL设置在栅极绝缘膜GI上。数据链接线DL放置为对应于链接部LA。数据链接线DL从显示区域DA的数据线(图1的D1～Dm)延伸。
数据链接线DL可以在与栅极电极(图2的GE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的栅极电极(图2的GE)相同的材料制成。数据链接线DL可以放置在与数据线(图1的D1～Dm)不同的层中，以防止在与数据线(图1的D1～Dm)的延伸方向交叉的方向上延伸的其他信号线短路(。例如，数据线(图1的D1～Dm)和电源电极VDLa、VDLb、VSLa和VSLb可以形成在与显示区域DA内的晶体管的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的层上，数据线和电源电极设置为相互交叉。因此，为了防止在它们之间发生短路，数据线(图1的D1～Dm)可以通过设置在不同层中的数据链接线DL连接到数据路由线DRL。
数据路由线DRL放置在数据链接线DL上，层间绝缘膜INT插入数据路由线DRL与数据链接线DL之间。数据路由线DRL通过穿过层间绝缘膜INT的数据接触孔DCH连接到数据链接线DL。数据路由线DRL连接到链接部LA中的数据链接线DL。数据路由线沿弯曲部BA延伸并且连接到焊盘部PA的相应的焊盘。数据路由线DRL可以在与源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的材料制成。
可以去除设置在弯曲部BA上的绝缘膜。即，在弯曲部BA中形成开孔OH，开孔OH穿过层间绝缘膜INT和栅极绝缘膜GI中的一个或多个。如果开孔OH穿过层间绝缘膜INT和栅极绝缘膜GI，则数据路由线DRL可以放置在链接部LA中的层间绝缘膜INT上并且可以放置在弯曲部BA中的缓冲层BUF上。
在一些实施例中，开孔OH可以形成为进一步穿过缓冲层BUF，从而露出基板SUB。这种情况下，数据路由线DRL可以放置在链接部LA中的层间绝缘膜INT上，并且可以放置在弯曲部BA中的基板SUB上。可能优选的是，留下缓冲层BUF以阻挡湿气渗透穿过基板SUB。
本公开的实施例可以通过预先去除形成在弯曲部BA中的至少一个绝缘膜来控制弯曲部BA中的显示面板的总厚度，因此具有能够容易地使基板SUB弯曲的优点。
电力链接线VL放置在层间绝缘膜INT上。电力链接线VL根据链接部LA放置。电力链接线VL从电力线(图1的VD1～VDm)和/或电源线VDL1和VDL2延伸。电力链接线VL可以在与显示区域DA内的晶体管内的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相对应的层中由与源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的材料制成。
电力路由线VRL连接到层间绝缘膜INT上的电力链接线VL。电力路由线VRL可以是从电力链接线VL分支或延伸的一部分，与电力链接线VL成为一体。电力路由线VRL沿弯曲部BA延伸并且连接到焊盘部PA的相应的焊盘。
如上所述，可以去除设置在弯曲部BA上的绝缘膜。即，在弯曲部BA中形成开孔OH，开孔OH穿过层间绝缘膜INT和栅极绝缘膜GI中的一个或多个。如果开孔OH穿过层间绝缘膜INT和栅极绝缘膜GI，则电力路由线VRL可以放置在链接部LA中的层间绝缘膜INT上并且可以放置在弯曲部BA中的缓冲层BUF上。
在一些实施例中，开孔OH可以形成为进一步穿过缓冲层BUF，从而可以露出基板SUB。这种情况下，电源路由线VRL可以放置在链接部LA中的层间绝缘膜INT上，并且可以放置在弯曲部BA中的基板SUB上。
如果显示装置连续地暴露于在工艺中温度变化的环境，则在基板SUB和缓冲层BUF之间可能发生翘起现象。也就是说，基板SUB包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料，并且缓冲层BUF包括诸如SiNx或SiOx的无机材料，因此在它们的构成材料中它们具有不同的热特性(例如，热应变)。因此，如果显示装置暴露于温度变化环境，由于界面的接合被削弱，所以可能由于界面的分离而发生膜翘起现象。如果如上所述发生膜翘起现象，则因为可能在分离的基板SUB和缓冲层BUF之间形成引起装置劣化的湿气渗透路径，因此会带来问题。
在与弯曲部BA相邻的链接部LA中，膜翘起现象可能是有进一步问题的。也就是说，当基板SUB弯曲时，应力可能集中于与弯曲部BA相邻的链接部LA上。因此，由于在基板SUB与链接部LA中的具有削弱的接合的缓冲层BUF之间提供集中应力，因此可能频繁地发生膜翘起现象。
数据链接线DL和电力链接线VL由金属制成。因此，由于基板SUB与缓冲层BUF之间的热特性偏差可以通过金属来补偿，从而在设置有数据链接线DL和电力链接线VL的区域中可能不发生翘起现象。例如，数据链接线DL可以由钼(Mo)制成。钼(Mo)具有比SiO2(即构成缓冲层BUF的主要材料)更强的热应变。因此，如果显示装置在工艺期间暴露于温度变化的环境，则构成数据链接线DL的金属能够减小基板SUB和缓冲层BUF的热特性的偏差，这是因为其能够减小缓冲层BUF的热应变。参照图8，可以看出，在未放置有金属的区域中比在放置有金属的区域中更多地发生膜翘起。
如上所述，在与弯曲部BA相邻的链接部LA中，数据链接线DL和电力链接线VL以选定的距离间隔开。因此，相应的区域易受由于界面分离引起的膜翘起缺陷影响。
<第一实施例>
图9是根据本公开的第一实施例的图3的AR区域的放大平面图。图10是图9的沿线Ⅳ－Ⅳ’剖开的剖视图。
参照图9，根据本公开第一实施例的显示装置包括形成在数据链接线DL与电力链接线VL之间的虚设图案DM。虚设图案DM可以放置在链接部LA和/或弯曲部BA中，当基板SUB弯曲时应力可能集中在链接部LA和/或弯曲部BA上。虚设图案DM不连接到其他信号线，并且任何信号都不施加于虚设图案。也就是说，虚设图案DM浮置，使得特定信号不被施加于虚设图案。虚设图案DM由金属材料制成，并且补偿在工艺期间在温度变化环境中基板SUB和缓冲层BUF之间的热特性偏差。因此，本公开的第一实施例具有能够提供具有改进的膜翘起现象的显示装置的优点。
参照图10，缓冲层BUF和栅极绝缘膜GI设置在基板SUB上。数据链接线DL和电力链接线VL设置在栅极绝缘膜GI上。数据链接线DL放置在链接部LA中。数据链接线DL从显示区域DA的数据线(图1的D1-Dm)延伸。
数据链接线DL可以在与栅极电极(图2的GE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的栅极电极(图2的GE)相同的材料制成。
数据线(图1的D1～Dm)可以通过设置在不同层中的数据链接线DL连接到数据路由线DRL。数据路由线DRL放置在数据链接线DL上，层间绝缘膜INT插入数据路由线DRL和数据链接线DL之间。数据路由线DRL通过穿过层间绝缘膜INT的数据接触孔DCH连接到数据链接线DL。数据路由线DRL连接到链接部LA中的数据链接线DL。数据路由线沿弯曲部BA延伸并且连接到焊盘部PA的相应的焊盘。数据路由线DRL可以在与源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的材料制成。
电力链接线VL放置在层间绝缘膜INT上。电力链接线VL根据链接部LA放置。电力链接线VL从电力线(图1的VD1～VDm)和/或电源线VDL1和VDL2延伸。电力链接线VL可以在与源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的材料制成。
电力路由线VRL连接到层间绝缘膜INT上的电力链接线VL。电力路由线VRL可以是从电力链接线VL分支或延伸的一部分，与电力链接线VL成为一体。电力路由线VRL沿弯曲部BA延伸并且连接到焊盘部PA的相应的焊盘。
虚设图案DM可以放置在数据链接线DL和电力链接线VL之间。如图所示，虚设图案DM可以为多个，但是本公开不限于此。虚设图案DM可以在栅极电极(图2的GE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的栅极电极(图2的GE)相同的材料制成。也就是说，虚设图案DM可以在与数据链接线DL相对应的层中由与数据链接线DL相同的材料制成。
虽然未示出，但是虚设图案DM可以在与源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的材料制成。也就是说，虚设图案DM可以在数据路由线DRL和电力路由线VRL相对应的层中由与数据路由线DRL和电力路由线VRL相同的材料制成。
<第二实施例>
图11是根据本公开的第二实施例的图3的AR区域的放大平面图。图12是图11的沿线V－V’剖开的剖视图。
参照图11，根据本公开第二实施例的显示装置包括形成在数据链接线DL和电力链接线VL之间的虚设图案DM。虚设图案DM可以放置在链接部LA和/或弯曲部BA中，当基板SUB弯曲时应力可能集中在链接部LA和/或弯曲部BA上。虚设图案DM未连接到其他信号线，并且任何信号都不被施加于虚设图案。也就是说，虚设图案DM浮置，使得特定信号不被施加于虚设图案DM。虚设图案DM由金属材料制成，并且补偿在工艺期间在温度变化环境中基板SUB和缓冲层BUF之间的热特性偏差。因此，本公开的第二实施例具有能够提供具有改进的膜翘起现象的显示装置的优点。
根据本公开的第二实施例的虚设图案DM的结构与相邻的数据链接线DL和数据路由线DR的连接结构(或层叠结构)相同。也就是说，本公开的第二实施例具有能够提供具有增强的设计稳定性的显示装置的优点，因为其可以通过将虚设图案DM的结构形成为具有与相邻的数据连接结构相同的结构来确保设计均匀性。
进一步，为了进一步改善设计稳定性，可以进一步形成与电力链接线VL重叠的辅助虚设图案ADM。辅助虚设图案ADM和电力链接线VL的连接结构可以与数据连接结构和虚设图案结构相同。
参照图12，缓冲层BUF和栅极绝缘膜GI设置在基板SUB上方。数据链接线DL和电力链接线VL设置在栅极绝缘膜GI上。数据链接线DL放置在链接部LA中。数据链接线DL从显示区域DA的数据线(图1的D1～Dm)延伸。
数据链接线DL可以在与栅极电极(图2的GE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的栅极电极(图2的GE)相同的材料制成。
数据线(图1的D1～Dm)可以通过设置在不同层中的数据链接线DL连接到数据路由线DRL。数据路由线DRL放置在数据链接线DL上，层间绝缘膜INT插入数据路由线DRL和数据链接线DL之间。数据路由线DRL通过穿过层间绝缘膜INT的数据接触孔DCH连接到数据链接线DL。数据路由线DRL连接到链接部LA中的数据链接线DL。数据路由线沿弯曲部BA延伸并且连接到焊盘部PA的相应的焊盘。数据路由线DRL可以在与源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的材料制成。
电力链接线VL放置在层间绝缘膜INT上。电力链接线VL依据链接部LA放置。电力链接线VL从电力线(图1的VD1～VDm)和/或电源线VDL1和VDL2延伸。电力链接线VL可以在与源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的材料制成。
电力路由线VRL连接到层间绝缘膜INT上的电力链接线VL。电力路由线VRL可以是从电力链接线VL分支或延伸的一部分，与电力链接线VL成为一体。电力路由线VRL沿着弯曲部BA延伸并且连接到焊盘部PA的相应的焊盘。
虚设图案DM可以放置在数据链接线DL和电力链接线VL之间。如图所示，虚设图案DM可以为多个，但不限于此。
虚设图案DM的结构可以与相邻的数据链接线DL和数据路由线DRL的连接结构相同。虚设图案DM可以包括第一虚设图案DM1和第二虚设图案DM2。
第一虚设图案DM1可以在与栅极电极(图2的GE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的栅极电极(图2的GE)相同的材料制成。也就是说，第一虚设图案DM1可以在与数据链接线DL相对应的层中由与数据链接线DL相同的材料制成。第二虚设图案DM2可以在与源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的源极电极/漏极电极(图2的SE和DE)相同的材料制成。也就是说，第二虚设图案DM2可以在与数据路由线DRL和电力路由线VRL相对应的层中由与数据路由线DRL和电力路由线VRL相同的材料制成。第一虚设图案DM1和第二虚设图案DM2可以通过虚设接触孔DH连接，虚设接触孔DH穿过插入第一虚设图案DM1和第二虚设图案DM2之间的层间绝缘膜INT。
进一步，根据本公开的第二实施例的显示装置可以进一步包括辅助虚设图案ADM。辅助虚设图案ADM放置为与电力链接线VL重叠并且电连接到电力链接线VL，并且可以被供电。辅助虚设图案ADM和电力链接线VL的连接结构可以与相邻的数据链接线DL和数据路由线DRL的连接结构、以及相邻的虚设图案DM的结构相同。
辅助虚设图案ADM可以在与栅极电极(图2的GE)相对应的层中由与显示区域DA内的晶体管的栅极电极(图2的GE)相同的材料制成。也就是说，辅助虚设图案ADM可以在与数据链接线DL和第一虚设图案DM1相对应的层中由与数据链接线DL和第一虚设图案DM1相同的材料制成。
辅助虚设图案ADM和电力链接线VL可以通过辅助虚设接触孔ADH连接，辅助虚设接触孔ADH穿过插入辅助虚设图案ADM和电力链接线VL之间的层间绝缘膜INT。与浮置的虚设图案DM不同，辅助虚设图案ADM电连接到电力链接线VL并且被供电。
本领域技术人员将理解的是，可以在不背离本公开的技术精神的情况下，通过上述内容以各种方式改变和变更本公开。因此，本公开的技术范围不限于说明书的详细说明中描述的内容，而应该由权利要求确定。

Claims (14)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括布置有像素的显示区域以及所述显示区域外侧的非显示区域；
数据链接线，所述数据链接线位于所述非显示区域中并将信号传送到所述像素；
电力链接线，所述电力链接线在所述非显示区域中与所述数据链接线以选定的距离间隔开，并将电力传送到所述像素；以及
虚设图案，所述虚设图案位于所述非显示区域中的所述数据链接线和所述电力链接线之间，
其中，所述显示装置还包括数据路由线，
其中，所述数据链接线和所述数据路由线通过数据接触孔而连接，所述数据接触孔穿过介于所述数据链接线和所述数据路由线之间的至少一个绝缘层，
其中，所述虚设图案包括：
第一虚设图案，所述第一虚设图案在与所述数据链接线相对应的层处包括与所述数据链接线相同的材料；以及
第二虚设图案，所述第二虚设图案在与所述数据路由线相对应的层处包括与所述数据路由线相同的材料，
其中，所述第一虚设图案和所述第二虚设图案通过虚设接触孔而连接，所述虚设接触孔穿过所述绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述虚设图案包括金属材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述虚设图案浮置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
焊盘，所述焊盘设置在所述非显示区域中，
其中，所述数据路由线在所述非显示区域中连接所述数据链接线和相对应的所述焊盘。
5.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：辅助虚设图案，所述辅助虚设图案在与所述数据链接线和所述虚设图案相对应的层处与所述电力链接线重叠，并且所述辅助虚设图案包括与所述数据链接线和所述虚设图案相同的材料，
其中，所述辅助虚设图案通过辅助虚设接触孔电连接到所述电力链接线，所述辅助虚设接触孔穿过所述绝缘层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述虚设图案浮置，并且
所述辅助虚设图案由所述电力链接线供电。
7.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括从所述电力链接线延伸的电力路由线，
其中，所述非显示区域包括：
链接部，所述数据链接线和所述电力链接线设置在所述链接部中，并且连接所述数据链接线和所述数据路由线的数据接触孔位于所述链接部中；
弯曲部，所述数据路由线和所述电力路由线沿着所述弯曲部延伸；以及
焊盘部，所述焊盘设置在所述焊盘部中，并且
其中，所述基板被配置为在所述弯曲部处朝向所述显示装置的背部弯曲。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述虚设图案位于所述链接部处。
9.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括开孔，所述开孔穿过介于所述数据路由线或所述电力路由线和所述基板之间的绝缘层中的至少一个，并且所述开孔设置在所述弯曲部中。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述数据路由线和所述电力路由线中的至少一条在所述弯曲部中具有Z字形的平面形状。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述数据路由线或所述电力路由线中的至少一条在所述弯曲部中具有分支为多个图案的形状。
12.一种显示装置，包括：
基板，所述基板上具有显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，所述显示区域中布置有像素；
多条数据链接线，布置在所述非显示区域处；
电力链接线，在所述非显示区域处与所述多条数据链接线以选定的距离间隔开；以及
多个虚设图案，位于所述多条数据链接线与所述电力链接线之间，其中，所述虚设图案不与所述多条数据链接线和所述电力链接线电连接，
其中，所述多个虚设图案的每一个包括位于第一层处的第一虚设图案和位于第二层处的第二虚设图案，所述第二层设置在所述第一层上，
其中，所述第一虚设图案由与所述多条数据链接线相同材料形成，并且所述多条数据链接线布置在所述第一层处，
其中，所述显示装置进一步包括多条数据路由线，所述多条数据路由线布置在所述非显示区域处，所述多条数据路由线的每一条连接到所述多条数据链接线的各一条数据链接线，
其中，所述第二虚设图案由与所述多条数据路由线相同材料形成，并且所述多条数据路由线布置在所述第二层处。
13.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：
多个辅助虚设图案，所述辅助虚设图案电连接到所述电力链接线并且与所述电力链接线重叠。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述辅助虚设图案由与所述多条数据链接线相同材料形成。
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