CN106711158A - 显示基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板。该显示基板包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的显示区和位于所述显示区外围的引线区；其中，所述引线区包括至少一个信号线和至少一个虚设线，所述虚设线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离大于所述信号线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。该虚设线沿着信号线设置，并且与信号线相比较，其表面距离衬底基板的距离更大，即其表面高度大于信号线的表面高度，当进行切割工艺时，高度在信号线之上的虚设线会优先被切割，从而对相邻的信号线进行保护。

Description

显示基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
平板显示近十年来得到了飞速的发展，受到了广泛的关注。因此，采用更加先进的制造技术，简化生产工艺，降低成本，提高产品良率，成为生产厂商在竞争中得以生存的重要保证。但是，在显示面板的生产制造过程中，切割工艺后的阵列基板外围区域中的信号线上方的彩膜基板会被切掉，使得阵列基板的外围区域露出以进行后续程序。外围区域中的信号线起到的是将驱动电路的信号传输给显示区，起到控制每行薄膜晶体管(TFT)开关开启关闭和每列像素充电的作用，但是如此重要的信号线往往只有钝化层作为保护层。
在切割工艺完成后还有较多的工艺流程和检查流程，实际生产过程中这些信号线往往面临被划伤或者刮断的问题，导致显示不良，影响产品良率。尤其是在外围区域中的信号线为双层走线时，由于使用源漏电极层形成的信号线相对于使用栅电极形成的信号线要高出例如220纳米，常常首先受到划伤的影响，加之源漏电极层形成的信号线的上层仅有一层钝化层覆盖，保护力较弱，因此源漏电极层形成的信号线更容易被划断，造成显示不良，影响产品良率。
发明内容
本公开至少一实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板以解决上述技术问题。在该显示基板的制备过程中，沿着其包括的信号线设置虚设线，且虚设线的高度大于信号线，如此例如在进行切割工艺时，可优先切割虚设线，从而对信号线进行保护。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的显示区和位于所述显示区外围的引线区；其中，所述引线区包括至少一个信号线和沿所述信号线平行设置的至少一个虚设线，所述虚设线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离大于所述信号线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。
例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述虚设线与所述信号线至少部分重叠设置，或者所述引线区包括多个信号线，所述虚设线设置于相邻的所述信号线之间。
例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述显示区包括设置于所述衬底基板上的栅电极层、有源层、源漏电极层和像素电极层中的至少一个。
例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述虚设线与所述有源层、所述像素电极层和所述源漏电极层中的至少一个同层且彼此绝缘。
例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述信号线包括与所述栅电极层同层设置并电连接的栅极信号线和与所述源漏电极层同层设置并电连接的数据信号线中的至少一个。
例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述数据信号线位于所述相邻的栅极信号线之间。
例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述信号线中的至少一个的至少一部分设置为具有至少两个分支走线，所述分支走线的两个端部之间分别相连且除所述端部之外的部分彼此间隔，所述虚设线中的至少一部分位于相邻的所述分支走线之间。
例如，本公开实施例提供的显示基板，还包括设置于所述虚设线和所述信号线之间的绝缘层。
本公开至少一实施例提供了一种显示面板，包括上述任一所述的显示基板。
本公开至少一实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区外围的引线区；在所述引线区中的衬底基板上依次形成至少一个信号线和至少一个虚设线；其中，所述虚设线沿着所述信号线形成，所述虚设线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离大于所述信号线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。
例如，在本公开实施例提供的制备方法中，形成的所述虚设线与所述信号线至少部分重叠，或者在所述引线区形成的信号线为多个，所述虚设线形成在相邻的所述信号线之间。
例如，本公开实施例提供的制备方法，还包括在所述显示区的所述衬底基板上形成栅电极层、有源层、源漏电极层和像素电极层中的至少一个。
例如，在本公开实施例提供的制备方法中，所述虚设线与所述有源层、所述像素电极层和所述源漏电极层中的至少一个同层且同时形成。
例如，本公开实施例提供的制备方法，其中，形成信号线的方法包括在形成所述栅电极层和所述源漏电极层中的至少一个的同时形成与所述栅电极层同层设置并电连接的栅极信号线和与所述源漏电极层同层设置并电连接的数据信号线中的至少一个。
例如，本公开实施例提供的制备方法，还包括在所述虚设线和所述信号线之间形成绝缘层。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种显示基板引线区的横截面结构示意图；
图2为另一种显示基板引线区的横截面结构示意图；
图3为本公开一实施例提供的一种显示基板引线区结构的俯视图；
图4为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区结构的俯视图；
图5为本公开一实施例提供的一种显示基板引线区的横截面结构示意图；
图6a为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区的横截面结构示意图；
图6b为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区的横截面结构示意图；
图7为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区的横截面结构示意图；
图8为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区的横截面结构示意图；
图9a～图9f为本公开实施例提供的一种显示基板引线区制备方法的过程图；
图10a～图10f为本公开实施例提供的另一种显示基板引线区制备方法的过程图；
图11为本公开一实施例提供的一种显示面板的局部横截面结构示意图。
附图标记：
1-显示基板；2-彩膜基板；3-显示区；4-外围区；5-引线区；6-封框胶；100-衬底基板；110-绝缘层；120-钝化层；200-信号线；210-栅极信号线；220-数据信号线；300-虚设线；310-第一虚设线；320-第二虚设线；330-第三虚设线；1000-电极层。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在显示基板的制备过程中，外围引线区域中信号线上方的彩膜基板玻璃会被切割掉，从而将外围引线区中的例如信号线等电路暴露出来。信号线可以起到控制显示面板中开关元件例如TFT的开关和像素电极充电等的作用。但是在切割工艺中，除了被切割掉的彩膜基板可能会掉落在引线区上之外，还例如会产生一些碎屑，而信号线上方通常只设置有钝化层，防护作用较弱，所以例如掉落的彩膜基板或碎屑等外物可能将信号线划伤或刮断，从而造成产品显示不良等问题。
图1为一种显示基板引线区的横截面结构示意图。如图1所示，信号线200可以为单层走线例如只包括栅极信号线210，其设置于衬底基板100上，信号线之上依次设置有绝缘层110和钝化层120，其中，栅极信号线210例如为在制备显示区中的薄膜晶体管开关的栅电极时同时通过构图工艺形成的。在图1中，A表示切割工艺进行方向，B-B表示切割工艺例如产生的碎屑的移动方向，因信号线200上只设置有强度不高的绝缘层110和钝化层120，碎屑可能会将信号线200划伤或者割断。
图2为另一种显示基板引线区的横截面结构示意图。如图2所示，信号线200可以为双层走线例如包括栅极信号线210和数据信号线220，其设置于衬底基板100上，信号线之上设置有绝缘层110和钝化层120，数据信号线220上设置有钝化层120，而且因为数据信号线220与栅极信号线210之间设置有绝缘层110，在衬底基板100上数据信号线220的高度例如通常会大于栅极信号线210的高度，例如可以高出220纳米左右，其中，栅极信号线210例如为在制备显示区中的薄膜晶体管开关的栅电极时同时通过构图工艺形成；数据信号线220例如为在制备显示区中的薄膜晶体管开关的源漏电极层时同时进行构图工艺形成。在图2中，A表示切割工艺进行方向，B-B表示切割工艺例如产生的碎屑的移动方向，信号线200上只设置有强度不高的绝缘层110和钝化层120，其中数据信号线220高于栅极信号线210而且其上甚至只设置有钝化层120，信号线200例如其中的数据信号线220更容易被划伤。
需要说明的是，在本公开所提及的内容中，高度是以衬底基板为参照物的，某一项的高度为其远离衬底基板的表面至衬底基板的垂直距离，并不等同于其本身厚度。以图2中所示的数据信号线220为例，其高度为其远离衬底基板100的表面至衬底基板100的垂直距离，在此情况下，其高度为绝缘层110的厚度与其本身厚度之和。
本公开的至少一个实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板以解决以上问题。该显示基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的显示区和位于显示区外围的引线区，其中，引线区包括至少一个信号线和沿信号线设置的至少一个虚设线，虚设线远离衬底基板的表面与衬底基板之间的距离大于信号线远离衬底基板的表面与衬底基板之间的距离，即例如等同于在衬底基板上虚设线的高度大于信号线的高度。在进行例如切割工艺过程中，因虚设线高度大于信号线的高度，并且其沿着信号线设置，所以切割过程中例如产生的碎屑优先切割虚设线，之后例如碎屑的动能被释放，不能对信号线构成破坏，从而对实现信号线的防护。
本公开的一实施例提供了一种显示基板，图3为本公开一实施例提供的一种显示基板引线区结构的俯视图。在本实施例中，例如，如图3所示，在该显示基板的引线区中，其包括至少一个信号线200(例如栅极信号线210)和沿信号线200设置的至少一个虚设线300。虚设线300例如可以设置于相邻的信号线200之间且其高度大于信号线200。此时，虚设线300会优先被切割。
沿信号线设置的虚设线不限于例如与信号线平行设置，例如其还可以为沿信号线分布并与信号线交叉设置的多线段，或者在信号线之上或相邻信号线之间多点分布的柱状结构等；虚设线也不限于为线段分布，例如还可以为连续的线或点状分布等。只要虚设线设置于信号线的临近处，并且其高度大于相邻的信号线并能够对与其相邻的信号线起到保护即可达到同样的技术效果。
例如，在本公开的实施例中，信号线中的至少一个的至少一部分设置为具有至少两个分支走线，该分支走线的两个端部之间分别相连且除端部之外的部分彼此间隔，虚设线中的至少一部分位于相邻的分支走线之间。示例性的，信号线的分支走线为两条，两条分支走线的两个端点(信号线分离为分支走线的分离点和分支走线合并为一条信号线的合并点)之间彼此相连，但是分支走线的除端点之外的其它部分彼此不相连例如两个分支走线之间存在间隔区域，虚设线的一部分设置在此间隔区域以对两个分支走线进行保护。
在本公开实施例提供的显示基板中，图4为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区结构的俯视图。例如，如图4所示，信号线200中至少一个的至少一部分具有至少两个分支走线。该具有分支走线的部分可以设置为回型结构，在回型结构处，信号线200为双走线，部分虚设线300设置于回型信号线200之中。例如，该回型结构可以设置于信号线200容易被切割的位置，例如在信号线200中回字型结构处的一个走线被切伤或切断后，另一个走线依然可以保持信号线200的连通。其中，在易被切割处，信号线200不限于如图4所示的设计为回字型结构，例如将该处的信号线200加宽，同时例如可以将部分虚设线300设置于被加宽的信号线200上，也可以取得相同的技术效果。
需要说明的是，例如以设置有分支走线的信号线的分支走线的数量为两个为例，该两个分支走线构成的例如回型结构的回型图案可以为方形或圆形等结构，只要该回型图案可以具有至少两个并列的走线以使得虚设线的一部分设置于回型走线的回型图案中间即可取得对该部分走线保护的技术效果。
需要说明的是，在本公开实施例提供的显示基板中，如图3和图4所示为本公开实施例中信号线和虚设线的设置方式，其中信号线为单层走线，即例如只有栅极信号线。但本领域技术人员需要理解的是，在其信号线例如为包括栅极信号线和数据信号线的双层走线的情况下，如图3和图4所对应实施例中的信号线和虚设线的设置方式也同样适用。
例如，在本公开提供的实施例中，显示区包括设置于衬底基板上的栅电极层、有源层、源漏电极层和像素电极层中的至少一个，显示区中的栅电极层、有源层、源漏电极层和像素电极层皆在衬底基板上通过构图工艺形成。
例如，在本公开实施例提供的显示基板中，虚设线与有源层、像素电极层和源漏电极层中的至少一个为同层且彼此绝缘。
例如，在本公开实施例的一个示例中，该信号线为单层走线，图5为本公开一实施例提供的一种显示基板引线区的横截面结构示意图。例如如图5所示，衬底基板100上依次设置有信号线200、虚设线300，其中该信号线200例如可以为栅极信号线210，栅极信号线210可在通过构图工艺形成栅电极的过程中同时形成。其中，虚设线300可以设置于相邻的信号线200之间，也可以设置于信号线200之上。
例如，在本示例中，如图5所示，虚设线300中的第一虚设线310可以与显示区中的有源层为同层且彼此绝缘的结构。例如，可以在衬底基板100上通过构图工艺制备有源层的同时形成第一虚设线310，第一虚设线310的材料例如可以与有源层相同。
例如，在本示例中，如图5所示，虚设线300中的第二虚设线310可以与显示区中的像素电极层为同层且彼此绝缘的结构。例如，可以在衬底基板100上通过构图工艺制备像素电极层的同时，同时形成第二虚设线320，第二虚设线320的材料例如可以与像素电极层相同。
例如，在本示例中，如图5所示，虚设线300中的第三虚设线310可以与显示区中的源漏电极层为同层且彼此绝缘的结构。例如，可以在衬底基板100上通过构图工艺制备源漏电极层的同时形成第三虚设线330，第三虚设线330的材料例如可以与源漏电极层相同。
需要说明的是，在本公开提供的所有实施例中，虚设线可以包括第一虚设线、第二虚设线和第三虚设线中的一种，也可以为其中任意的组合，只要可以使得虚设线的高度在信号线之上，即可起到保护信号线的技术效果。
例如，在本公开实施例的一个示例中，该信号线为双层走线，图6a为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区的横截面结构示意图。例如如图6a所示，衬底基板100上依次设置有信号线200、虚设线300，其中该信号线200例如可以包括栅极信号线210和数据信号线220，栅极信号线210可在通过构图工艺形成栅电极的过程中同时形成，数据信号线220可在通过构图工艺形成源漏电极层的过程中同时形成，因形成的顺序不同，数据信号线220通常形成在栅极信号线210之上，并且例如可以形成在相邻的栅极信号线210之间，并且其高度大于栅极信号线210。虚设线300例如可以设置于栅极信号线210之上，只要保证虚设线300的高度大于数据信号线220即可。
例如，在本示例中，如图6a所示，虚设线300中的第一虚设线310可以与显示区中的有源层为同层且彼此绝缘的结构。例如，可以在衬底基板100上通过构图工艺制备有源层的同时形成第一虚设线310，第一虚设线310的材料例如可以与有源层相同。
例如，在本示例中，如图6a所示，虚设线300中的第二虚设线310可以与显示区中的像素电极层为同层且彼此绝缘的结构。例如，可以在衬底基板100上通过构图工艺制备像素电极层的同时，同时形成第二虚设线320，第二虚设线320的材料例如可以与像素电极层相同。
例如，在本实施例提供的以上所有示例中，虚设线中的例如第一虚设线例如可以与显示区中的有源层材料相同。例如，形成该有源层的材料包括非晶硅、多晶硅、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)等金属氧化物等。
例如，在本实施例提供的以上所有示例中，虚设线中的例如第二虚设线例如可以与显示区中的像素电极相同，可以采用透明导电材料形成或金属材料形成，例如，形成该像素电极的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。
例如，在本实施例提供的以上所有示例中，虚设线中的例如第三虚设线或者数据信号线例如可以与显示区中的源漏电极层材料相同。例如，源漏电极层可以为金属材料，可以形成单层或多层结构，例如，形成为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构。
例如，在本实施例提供的以上所有示例中，如图5和图6a所示，显示基板还包括设置于衬底基板100和虚设线300之间的绝缘层110。例如，该绝缘层110可以为栅绝缘层，即在形成显示区薄膜晶体管的的栅绝缘层的过程中，在引线区的衬底基板100的栅极信号线210上也同时形成一层栅绝缘层。例如，形成栅绝缘层的材料可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)或其他适合的材料等。
例如，在本实施例提供的以上所有示例中，如图5和图6a所示，显示基板还可以包括设置于所述衬底基板100上的钝化层120，该钝化层120设置于信号线200以及虚设线300之上。例如，该钝化层120的制备材料可以包括氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等。
需要说明的是，虚设线的组成不限于上述实施例中所提及的组合方式，也可以由其它方式所替代，只要形成的虚设线具有一定的强度并且高度大于信号线，即可取得保护虚设线的技术效果。
例如，在本公开实施例提供的一个示例中，图6b为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区的横截面结构示意图。例如信号线为双层走线时，例如如图6b所示，设置有虚设线300和信号线100的衬底基板上设置一电极层1000，栅极信号线210上例如设置有第一虚设线210、第二虚设线320以及电极层1000，数据信号线220上例如设置有电极层1000。栅极信号线210处的电极层1000的高度大于数据信号线220处的电极层1000的高度。当有例如碎屑等外物作用在数据信号线220处的电极层1000上时，因电极层1000的表面比较光滑，外物会滑至旁边的更高的位置例如栅极信号线210处的电极层1000处，外物的动能例如划伤力在此释放，而不会对高层的数据信号线220造成伤害。
需要说明的是，电极层的设置不限于如图6b所示的信号线为双层走线的情况，当信号线为单层走线时，也可以设置电极层以对信号线进行防护；电极层还不限于在虚设线以及信号线上都设置，也可以只设置于数据信号线之上以对数据信号线进行保护；虚设线也不限于只包括第一虚设线和第二虚设线，其还可以包括第一虚设线、第二虚设线和第三虚设线中的任意一种或组合。
电极层例如可以采用透明导电材料形成或金属材料形成，例如，形成该像素电极的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等，其中例如氧化铟锡(ITO)的表面光滑，可以起到使外物例如碎屑滑动的作用。
例如，在本公开实施例中的一个示例中，例如信号线为单层走线的情况下，图7为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区结构的横截面结构示意图。例如如图7所示，虚设线300可以只包括一层第三虚设线330，第三虚设线330的结构与源漏电极层相同，具有一定的结构强度，可以对栅极信号线210进行保护。
虚设线不限于只有一种设置方式，例如可以设置于相邻信号线之间，也可以设置于信号线之上，还可以两种设置方式兼有。
例如，在本公开实施例中的一个示例中，例如信号线为双层走线的情况下，图8为本公开一实施例提供的另一种显示基板引线区结构的横截面结构示意图。例如如图8所示，虚设线300可以只包括一层第三虚设线330，例如第三虚设线330和数据信号线220的结构可以与源漏电极层相同，具有一定的结构强度，其中数据信号线220设置于相邻的栅极信号线210之间，第三虚设线330设置于栅极信号线210之上，第三虚设线330的高度在数据信号线220之上，并且栅极信号线210位于第三虚设线330之下，所以第三虚设线330的设置可以对信号线200进行保护。
在如图8所示的本示例中，虚设线300只包括第三虚设线330，与图6a所示示例的虚设线300的设置方式相比较，采用第三虚设线330代替第一虚设线310和第二虚设线320的设置，但是本领域技术人员可以理解的是，第三虚设线330也可以设置于如图6a所示示例中的第一虚设线310和第二虚设线320之上，使得虚设线300例如可以包括第一虚设线310、第二虚设线320和第三虚设线330的三层结构。
本公开的实施例还提供了一种显示基板的制备方法，该制备方法包括提供衬底基板，该衬底基板包括显示区和位于显示区外围的引线区；在引线区中的衬底基板上依次形成至少一个信号线和至少一个虚设线；其中，虚设线沿着信号线形成，虚设线远离衬底基板的表面高度大于信号线远离衬底基板的表面高度。
例如，本公开实施例提供的制备方法，还包括在显示区的衬底基板上形成栅电极层、有源层、源漏电极层和像素电极层中的至少一个。
例如，在本公开实施例提供的制备方法中，虚设线与有源层、像素电极层和源漏电极层中的至少一个或组合为同层或同时形成。
例如，本公开实施例提供的制备方法，还包括在形成栅电极层和源漏电极层中的至少一个的同时形成与栅电极层同层设置并电连接的栅极信号线和与源漏电极层同层设置并电连接的数据信号线中的至少一个。
例如，本公开实施例提供的制备方法，还包括在虚设线和信号线之间形成绝缘层。
例如，在本公开实施例提供的制备方法中，虚设线形成在信号线之上，或者虚设线形成在相邻的信号线之间。
在本公开实施例提供的显示基板中，在显示基板的引线区设置高度比信号线的高度大的虚设线，从而缓解或避免了信号线被划伤的问题。另外，虚设线可以与显示基板的其他层(例如薄膜晶体管中的各层结构)采用同一材料并在同一工艺步骤中形成，因此，也不会增加额外的工艺步骤。
该实施例的信号线可以为上述实施例中提供的单层走线或双层走线，为方便理解，本实施例分别提供此两种情况下显示基板的制备过程的示例。需要说明的是，示例中提供的虚设线仅为上述实施例中提供的多种虚设线组合方式中的其中一种，但是本领域技术人员需要理解的是，其它设置方式下的虚设线同样适用于示例中提供的制备方法。
需要说明的是，因为引线区中的例如信号线和虚设线等的结构与显示区中的薄膜晶体管的一些结构例如栅电极、有源层、像素电极层和源漏电极层等是同时形成的，所以在下述的制备过程中，虽未示出显示区中的相应薄膜晶体管的各结构制备过程，但是可以用薄膜晶体管各结构的形成过程来表述引线区中显示基板的制备过程。例如在衬底基板(或显示区)上形成栅电极层薄膜等同于在引线区的显示基板上也形成有栅电极层薄膜，对其经构图处理后形成栅电极(显示区中)和栅极信号线(引线区中)，但在该示例中仅表述引线区显示基板版制备过程，所以此形成过程仅表达为形成栅极信号线。
例如，本实施例中的一个示例提供信号线为单层走线情况下的显示基板的制备过程。参照图9a～9f，本示例中的显示基板的制备过程包括如下步骤。
如图9a所示，提供衬底基板100，并在所述衬底基板100上沉积一层栅电极层薄膜，通过对该栅电极层薄膜进行构图工艺处理以形成栅极信号线210，该栅极信号线210作为信号线200。
在本实施例中，构图工艺例如可以为光刻构图工艺，其例如可以包括：在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶层，使用掩膜板对光刻胶层进行曝光，对曝光的光刻胶层进行显影以得到光刻胶图案，使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻，然后可选地去除光刻胶图案。
如图9b所示，在形成有栅极信号线210的衬底基板上沉积一层绝缘层110。
如图9c所示，在绝缘层110上形成一层有源层薄膜，并对其进行构图工艺处理以形成第一虚设线310，该第一虚设线310例如可以形成于相邻的栅极信号线210之间。例如，该第一虚设线310还可以形成在栅极信号线210之上。
如图9d所示，在形成有第一虚设线310的衬底基板100上沉积一层像素电极层薄膜并对其进行构图工艺处理以形成第二虚设线320，该第二虚设线320位于第一虚设线310之上。
如图9e所示，在形成有第二虚设线320的衬底基板100上沉积一层源漏电极层薄膜并对其进行构图工艺处理以形成第三虚设线330，该第三虚设线330位于第二虚设线320之上。
如图9f所示，在形成有第三虚设线330的衬底基板100上沉积一层钝化层120。
例如，本实施例中的另一个示例提供信号线为双层走线情况下的显示基板的制备过程。参照图10a～10f，本示例中的显示基板的制备过程包括如下步骤。
如图10a所示，提供衬底基板100，并在所述衬底基板100上沉积一层栅电极层薄膜，通过对该栅电极层薄膜进行构图工艺处理以形成栅极信号线210，该栅极信号线210作为信号线200的其中一层走线。
如图9b所示，在形成有栅极信号线210的衬底基板上沉积一层绝缘层110。
如图9c所示，在绝缘层110上形成一层有源层薄膜，并对其进行构图工艺处理以形成第一虚设线310，该第一虚设线310例如可以形成在栅极信号线210之上。
如图9d所示，在形成有第一虚设线310的衬底基板100上沉积一层像素电极层薄膜并对其进行构图工艺处理以形成第二虚设线320，该第二虚设线320位于第一虚设线310之上。
如图9e所示，在形成有第二虚设线320的衬底基板100上沉积一层源漏电极层薄膜并对其进行构图工艺处理以形成数据信号线220，该数据信号线220例如可以位于相邻的栅极信号线210之间，该数据信号线220作为信号线200的其中另一层走线。
如图9f所示，在形成有第三虚设线330的衬底基板100上沉积一层钝化层120。
由以上两个示例可以看出，本实施例提供的显示基板的制备方法，其步骤与常规的显示基板制备过程相同，在不改变现有工艺流程的情况下并不会增加例如构图等工艺的步骤数量即可形成对信号线具有保护作用的虚设线。
需要说明的是，在本公开提供的实施例中，显示区的薄膜晶体管以底栅型结构为例进行解释，则虚设线中的各层形成顺序则参照底栅型薄膜晶体管中各层的制备顺序。但是薄膜晶体管的结构还可以例如为顶栅型结构，在此情况下，虚设线中的各层形成顺序则还可以参照底栅型薄膜晶体管中各层的制备顺序。即虚设线中的第一虚设线、第二虚设线和第三虚设线的叠置顺序不是固定的，其叠置层数也不是固定的，只要虚设线的高度大于信号线的高度即可取得保护信号线的技术效果。
本公开至少一实施例提供了一种显示面板，包括上述任一实施例中所述的显示基板。例如，该显示面板还包括与显示基板对盒设置的彩膜基板，其中，引线区位于衬底基板和彩膜基板之间，彩膜基板配置为切割后暴露出该引线区。
本公开的一实施例提供了一种显示面板，图11为本公开一实施例提供的一种显示面板的局部横截面结构示意图。例如如图11所示，显示面板包括显示基板1、彩膜基板2和将该显示基板1与彩膜基板2对盒设置的封框胶6，该显示基板1包括显示区3和外围区4，外围区4中包括引线区5以及其它周边区域，封框胶6设置在显示区3与外围区4之间。
在显示面板的制备工艺过程中，需要沿切割线A将彩膜基板2切割以暴露出引线区5。但是在切割过程中，彩膜基板2的被切割掉的部分易落在显示基板1上，并且在切割过程中也会产生很多碎屑，如此会很容易导致引线区5上的电路划伤，本实施例中的显示基板的引线区中设置有虚设线(图中未示出)，可以对其中的电路例如信号线等进行保护，以免因电路划伤导致的显示面板电路缺陷而导致的显示不良。
该显示面板的一个示例为液晶显示面板，包括显示基板和例如彩膜基板，二者彼此对置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。显示基板的每个像素单元的像素电极用于施加电场对液晶材料的旋转的程度进行控制从而进行显示操作。
该显示面板的另一个示例为有机发光二极管(OLED)显示面板，其中，显示基板上形成有机发光材料的叠层，每个像素单元的像素电极作为阳极或阴极用于驱动有机发光材料发光以进行显示操作。
该显示面板的再一个示例为电子纸显示面板，其中，显示基板上形成有电子墨水层，每个像素单元的像素电极作为用于施加驱动电子墨水中的带电微颗粒移动以进行显示操作的电压。
对于本公开，还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，包括：
衬底基板；
设置于所述衬底基板上的显示区和位于所述显示区外围的引线区；
其中，所述引线区包括至少一个信号线和至少一个虚设线，所述虚设线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离大于所述信号线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述虚设线与所述信号线至少部分重叠设置，或者
所述引线区包括多个信号线，所述虚设线设置于相邻的所述信号线之间。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示区包括设置于所述衬底基板上的栅电极层、有源层、源漏电极层和像素电极层中的至少一个。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述虚设线与所述有源层、所述像素电极层和所述源漏电极层中的至少一个同层且彼此绝缘。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述信号线包括与所述栅电极层同层设置并电连接的栅极信号线和与所述源漏电极层同层设置并电连接的数据信号线中的至少一个。
6.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述数据信号线位于所述相邻的栅极信号线之间。
7.根据权利要求1所述显示基板，其中，所述信号线中的至少一个的至少一部分设置为具有至少两个分支走线，所述分支走线的两个端部之间分别相连且除所述端部之外的部分彼此间隔，所述虚设线中的至少一部分位于相邻的所述分支走线之间。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的显示基板，还包括设置于所述虚设线和所述信号线之间的绝缘层。
9.一种显示面板，包括如权利要求1-8中任一项所述的显示基板。
10.一种显示基板的制备方法，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区外围的引线区；
在所述引线区中的衬底基板上依次形成至少一个信号线和至少一个虚设线；
其中，所述虚设线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离大于所述信号线远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，形成的所述虚设线与所述信号线至少部分重叠，或者
在所述引线区形成的信号线为多个，所述虚设线形成在相邻的所述信号线之间。
12.根据权利要求10所述的制备方法，还包括在所述显示区的所述衬底基板上形成栅电极层、有源层、源漏电极层和像素电极层中的至少一个。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，所述虚设线与所述有源层、所述像素电极层和所述源漏电极层中的至少一个同层且同时形成。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其中，形成信号线的方法包括在形成所述栅电极层和所述源漏电极层中的至少一个的同时形成与所述栅电极层同层设置并电连接的栅极信号线和与所述源漏电极层同层设置并电连接的数据信号线中的至少一个。
15.根据权利要求10-14中任一项所述的制备方法，还包括在所述虚设线和所述信号线之间形成绝缘层。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107134465A (zh) * 2017-07-06 2017-09-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN108461393A (zh) * 2018-05-07 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN110970467A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 乐金显示有限公司 显示装置
CN111048572A (zh) * 2019-12-27 2020-04-21 固安翌光科技有限公司 一种oled发光面板
CN112289836A (zh) * 2020-10-26 2021-01-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112748613A (zh) * 2020-12-31 2021-05-04 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN115719748A (zh) * 2022-11-30 2023-02-28 惠科股份有限公司 显示面板以及显示装置
US11631352B2 (en) 2021-08-06 2023-04-18 Wuhan Tianma Microelectronics Co., Ltd. Display panel and display device

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102449200B1 (ko) * 2017-07-04 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 클럭 배선을 포함하는 표시 장치
KR20210005352A (ko) * 2019-07-03 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220047460A (ko) * 2020-10-08 2022-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1445594A (zh) * 2002-03-20 2003-10-01 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示板及其制造方法
US20050139841A1 (en) * 2003-12-30 2005-06-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
CN104834143A (zh) * 2015-06-03 2015-08-12 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202600314U (zh) 2012-05-25 2012-12-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1445594A (zh) * 2002-03-20 2003-10-01 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示板及其制造方法
US20050139841A1 (en) * 2003-12-30 2005-06-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
CN104834143A (zh) * 2015-06-03 2015-08-12 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107134465B (zh) * 2017-07-06 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107134465A (zh) * 2017-07-06 2017-09-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN108461393A (zh) * 2018-05-07 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN108461393B (zh) * 2018-05-07 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN110970467A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 乐金显示有限公司 显示装置
CN110970467B (zh) * 2018-09-28 2023-10-24 乐金显示有限公司 显示装置
CN111048572A (zh) * 2019-12-27 2020-04-21 固安翌光科技有限公司 一种oled发光面板
CN112289836A (zh) * 2020-10-26 2021-01-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112748613A (zh) * 2020-12-31 2021-05-04 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN112748613B (zh) * 2020-12-31 2022-07-26 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示基板、显示面板及显示装置
US11631352B2 (en) 2021-08-06 2023-04-18 Wuhan Tianma Microelectronics Co., Ltd. Display panel and display device
CN115719748A (zh) * 2022-11-30 2023-02-28 惠科股份有限公司 显示面板以及显示装置
CN115719748B (zh) * 2022-11-30 2023-11-03 惠科股份有限公司 显示面板以及显示装置

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