CN109949701B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示设备，该显示设备在显示面板中具有模块区域。该显示设备包括：显示面板，其具有包括至少一个模块区域的有源区域以及位于有源区域外部的边框区域，其中像素阵列位于有源区域中的基板上，其中该至少一个模块区域形成为透光区域，其中该至少一个模块区域包括显示面板的基板，并且具有比除了该至少一个模块区域之外的有源区域的厚度小的厚度。

Description

显示设备
技术领域
本公开内容涉及显示设备。
背景技术
随着信息社会的发展，对各种形式的显示图像的显示设备的需求增加。例如，已经迅速开发了比笨重的阴极射线管(CRT)更薄、更轻、更大并且能够替代它们的平板显示器(FPD)。作为这样的FPD，已经开发和利用了各种FPD，例如液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)、电致发光显示器(EL)、场发射显示器(FED)和电泳显示器(ED)。
这样的显示设备包括：包括用于显示信息的显示元件的显示面板；用于驱动显示面板的驱动器；以及用于生成要提供给显示面板和驱动器的电力的电源。
这些显示设备可以根据使用环境或目的而具有各种设计，因此，除了传统的单个四边形形状之外具有自由形式部分(例如部分弯曲部分或凹口)的显示面板已经被广泛使用，因为他们引起了美感。
近年来，已经以模块形式引入了用于实现多媒体功能的各种元件，例如相机、扬声器和传感器。这些元件通常位于形成有显示面板的凹口(notch)的区域中，即，位于通过去除显示面板的边缘的一部分而形成的区域中。
然而，为了得到(secure)凹口部分，必须在横截面上完全切除显示面板的一部分，因此，必须使用额外的掩模来实现它。
发明内容
本公开内容的一个方面可以提供以下显示设备：在该显示设备中，允许光透过的模块区域被形成在显示面板的有源区域中，并且设置在模块区域中的各种模块(例如相机、扬声器，传感器等)不受显示设备的光或显示设备外部的光所影响。
根据本公开内容的一个方面，一种显示设备包括：显示面板，其包括具有至少一个模块区域的有源区域以及位于有源区域外部的边框区域；其中像素阵列位于有源区域中的基板上，其中所述至少一个模块区域形成为透光区域，其中所述至少一个模块区域包括显示面板的基板，并且具有比除了所述至少一个模块区域之外的有源区域的厚度小的厚度。
模块区域可以包括透光区域以及被定位成围绕透光区域的至少一个坝部。
所述至少一个坝部可以包括围绕透光区域的第一坝部，以及与第一坝部间隔开并且围绕第一坝部的第二坝部。
所述至少一个模块区域可以位于有源区域中，使得在围绕模块区域的向上、向下、向左和向右方向上的区域中的至少两个区域中显示信息。
模块区域的透光区域可以包括设置在显示面板的基板上的钝化层。
模块区域的除了透光区域之外的区域可以包括位于基板上的至少一个坝部，以及覆盖所述至少一个坝部的钝化层。
显示设备还包括：第一电源电极，其被配置为向有源区域的像素阵列提供第一电位；第二电源电极，其被配置为提供低于第一电位的第二电位，并且其被设置在边框区域中；以及第一电力线，其连接至第一电源电极并且延伸至有源区域以避开模块区域。
显示设备还包括在有源区域中的被配置为向像素阵列分别提供栅极信号和数据信号的栅极线和数据线，并且栅极线和数据线布置成避开模块区域。
显示设备还包括：另一第一电源电极，其被配置为向像素阵列提供第一电位，所述另一第一电源电极在所述第一电源电极所位于的边框区域的相对侧上位于边框区域中。
所述第一电源电极和所述另一第一电源电极的两端可以通过链接(line)电源线连接，所述链接电源线设置在有源区域的左侧和右侧上的边框区域中。
显示设备还包括栅极驱动器的移位寄存器，其设置在有源区域的两侧上的边框区域中，以生成要提供给像素阵列的栅极信号。
根据本公开内容的显示设备，可以在不使用单独掩模的情况下通过显示面板制造工艺在显示面板的有源区域中形成允许光透过的模块区域，由此可以避免复杂的制造工艺，并且可以减少制造时间和成本。
此外，由于至少一个坝部设置在模块区域中以围绕透光区域，因此设置在模块区域中的模块不受显示设备的光或外部光所影响，从而获得增强模块本身的功能的效果。
此外，模块区域的透光区域保留为基板、缓冲层和第二钝化膜的三层结构，并且当省略缓冲层时，模块区域的透光区域保留为仅有基板和第二钝化膜的双层结构，从而获得提高透光效率的效果。
附图说明
根据下面结合附图进行的详细描述将更清楚地理解本公开内容的上述及其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是示意性示出了根据本公开内容的实施方式的显示设备的框图；
图2是具体示出了图1中所示的显示面板的部分区域R1的平面图；以及
图3是沿着图2的线I-I'截取的截面图。
具体实施方式
将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式来实现，而不应当被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些方面以使得本公开内容将是透彻和完整的，并且将本公开内容的范围完全传达给本领域技术人员。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。
附图中公开的用于描述本公开内容的各个实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数目是示例性的，而不限于本公开内容中所示出的这些。贯穿说明书，相同的附图标记指代相同的元件。此外，在本公开内容的描述中，如果确定对已知相关技术的详细描述会不必要地模糊本公开内容的重点，则将省略该详细描述。当在本公开内容中使用术语“包括”、“具有”和“由…组成”等的情况下，只要未使用“仅”，就可以添加其他部分。
在对构造性元件进行分析时，虽然没有明确描述误差范围，但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部分被描述为“在…上”、“在…上方”、“在…下方”和“在该侧上”时，除非使用“紧接”或“直接”之外，否则一个或多个其他部分可以位于这两个部分之间。
应当理解，虽然术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不偏离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，以及类似地，第二元件可以被称为第一元件。
在本公开内容中，形成在显示面板的基板上的像素电路和栅极驱动器可以通过具有p型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构的薄膜晶体管(TFT)来实现，但是本公开内容的技术构思不限于此。TFT是包括栅极、源极和漏极的三电极元件。源极是向晶体管提供载流子的电极。在TFT中，载流子开始从源极流出。漏极是载流子通过其而离开TFT的电极。也就是说，在MOSFET中，载流子从源极流至漏极。在p型TFT(PMOS)的情况下，由于载流子是空穴，所以源极电压高于漏极电压，使得空穴可以从源极流至漏极。在p型TFT中，由于空穴从源极流至漏极，所以电流从源极流至漏极。应当注意，MOSFET的源极和漏极不是固定的。例如，MOSFET的源极和漏极可以根据所施加的电压而改变。因此，在本公开内容的实施方式的描述中，源极和漏极中的任何一个可以被称为第一电极，而源极和漏极中的另一个可以被称为第二电极。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此交互操作。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的实施方式的显示设备。贯穿说明书，相同的附图标记表示基本相同的元件。在以下描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述会不必要地模糊本公开内容的重点时，将省略该详细描述或者将提供简要描述。
在下文中，将参照图1和图2描述根据本公开内容的实施方式的显示设备。
图1是示出了根据本公开内容的实施方式的显示设备的框图。图2是示意性示出了图1中所示的显示面板的部分区域R1的平面图，包括模块区域的放大视图，以及图3是沿着图2中的线I-I'截取的截面图。
参照图1和图2，根据本公开内容的实施方式的显示设备可以包括显示面板10、数据驱动器、栅极驱动器、电源PS、定时控制器TC等。
显示面板10包括用于显示信息的有源区域AA和不显示信息的边框区域BA。
有源区域AA是显示输入图像并且布置有像素阵列的区域，在该像素阵列中以矩阵形式布置多个像素P。
边框区域BA是设置有栅极驱动器的移位寄存器(例如SRa和SRb)、各种链接信号线(例如DL1至DLm)和链接电源线(例如VDL1、VDL2)、电力线(例如VSL1和VSL2)、电源电极(例如VDLa和VDLb)等的区域。布置在有源区域AA中的像素阵列包括被布置成彼此交叉的多条数据线D1至Dm和多条栅极线G1至Gn，以及在交叉点以矩阵形式布置的像素P。
每个像素P包括发光二极管LED、驱动薄膜晶体管(在下文中被称为驱动TFT DT，其用于控制在LED中流动的电流的量)、以及用于设置驱动TFT DT的栅-源电压的编程部分SC。通过第一电力线VD1至VDm向像素阵列的像素提供来自电源PS的作为高电位电压的第一电压Vdd，并且通过第二电力线VSL1至VSL2向其提供作为低电位电压的第二电压Vss。
第一电力线VD1至VDm在两侧通过下电源电极VDLa和上电源电极VDLb而被提供有来自电源PS的第一电压Vdd，该下电源电极VDLa位于粘附有膜上芯片30的一侧的边框区域BA中，该上电源电极VDLb设置在相对的边框区域上。下电源电极VDLa和上电源电极VDLb的两端可以通过链接电源线VDL1和VDL2彼此连接。因此，可以使由于电阻电容(RC)的增加而导致的显示质量的劣化最小化，该电阻电容依据布置在有源区域AA中的像素的位置。
编程部分SC可以包括至少一个开关TFT和至少一个存储电容器。开关TFT响应于来自栅极线GL的扫描信号而导通，从而将来自数据线D1至Dm的数据电压施加至存储电容器的一个电极。驱动TFT DT根据在存储电容器中充电的电压的幅度来控制提供给发光二极管LED的电流量，以调节发光二极管LED的光强度。发光二极管LED的光强度与从驱动TFT DT提供的电流量成比例。
构成像素P的TFT可以被实现为p型或n型。此外，构成像素的TFT的半导体层可以包括非晶硅或多晶硅，或氧化物。LED包括阳极、阴极和介于阳极和阴极之间的发光结构。阳极连接至驱动TFT DT。发光结构包括发光层(EML)，并且空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)可以形成在发光层的一侧上，电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)可以设置在发光层EML的另一侧上。
数据驱动器包括在膜上芯片30中，在该膜上芯片30上安装有数据ICSD。膜上芯片30的一侧连接至源PCB 20的一端，而其另一侧粘附至显示面板10的边框区域BA。
数据IC SD将从定时控制器TC输入的数字视频数据转换成模拟伽马补偿电压，以生成数据电压。从数据IC SD输出的数据电压通过链接信号线DL1至DLn被提供给数据线D1至Dm。
栅极驱动器可以是安装有栅极IC的膜上芯片被设置在显示面板的一侧上的类型，或是栅极IC形成在显示面板上的GIP类型。在本公开内容中，将描述GIP型栅极驱动器作为示例。
GIP型栅极驱动器包括安装在源PCB 20上的电平移位器LSa和LSb，以及形成在显示面板10的边框区域BA中并且接收从电平移位器LSa和LSb提供的信号的移位寄存器SRa和SRb。
电平移位器LSa和LSb从定时控制器TC接收诸如起始脉冲ST、栅极移位时钟GCLK、闪烁信号FLK等的信号，并且接收诸如栅极高电压(VGH)、栅极低电压(VGL)等的驱动电压。起始脉冲ST、栅极移位时钟GCLK和闪烁信号FLK是在约0V和3.3V之间摆动的信号。栅极高电压VGH是等于或高于形成在显示面板10的TFT阵列中的TFT的阈值电压的电压，并且为约28V。栅极低电压VGL是低于形成在显示面板10的TFT阵列中的TFT的阈值电压的电压，并且为约-5V左右。
电平移位器(例如，LSa和LSb)对从定时控制器TC输入的起始脉冲ST和栅极移位时钟GCLK进行电平移位，以输出被移位至栅极高电压VGH和栅极低电压VGL的起始脉冲VST和栅极移位时钟GCLK1至GCLKn。栅极移位时钟GCLK1至GCLKn是具有预定相位差的n相时钟信号。因此，从电平移位器LSa和LSb输出的起始脉冲VST和栅极移位时钟GCLK1至GCLKn在栅极高电压VGH和栅极低电压VGL之间摆动。电平移位器LSa和LSb可以根据闪烁信号FLK降低栅极高电压，以降低液晶单元的反冲电压(kickback voltage)ΔVp，从而减少闪烁。
电平移位器LSa和LSb的输出信号可以通过形成在显示面板10的基板处的玻璃上直接布线(LOG)线路和以下线路而被提供给移位寄存器SRa和SRb：形成在数据IC SD所位于的膜上芯片30中的线路。移位寄存器SRa和SRb可以通过GIP工艺而被直接形成在显示面板10的边框区域BA上。
移位寄存器SRa和SRb通过根据栅极移位时钟GCLK1至GCLKn对从电平移位器LSa和LSb输入的起始脉冲VST进行移位，来依次移位在栅极高电压VGH和栅极低电压VGL之间摆动的栅极脉冲。从移位寄存器SRa和SRb输出的栅极脉冲被依次提供给栅极线G1至Gn。
定时控制器TC在接收到定时信号(诸如从主机系统(未示出)输入的垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和主时钟)时，将数据ICSD和包括LSa、LSb、SRa和SRb的栅极驱动器的操作定时进行同步。用于控制数据IC SD的数据定时控制信号可以包括源采样时钟(SSC)、源输出使能(SOE)信号等。用于控制包括LSa、LSb、SRa和SRb的栅极驱动器的栅极定时控制信号可以包括栅极起始脉冲(GSP)、栅极移位时钟(GSC)、栅极输出使能(GOE)信号等。
在图1中，示出了移位寄存器SRa和SRb被设置在有源区域AA的两侧在有源区域AA外部，以从有源区域AA的两端向栅极线G1至Gn提供栅极脉冲的配置。然而，本公开内容不限于此，并且移位寄存器可以仅设置在有源区域AA的一侧，以从有源区域AA的一侧向栅极线G1至Gn提供栅极脉冲。当移位寄存器SRa和SRb被设置在有源区域AA外部的两侧时，具有相同相位和相同幅度的栅极脉冲被提供给布置在像素阵列的相同水平线中的栅极线。
参照图2，本公开内容的显示面板10包括有源区域AA和有源区域AA外部的边框区域BA。
有源区域AA是布置有用于显示信息(诸如字符、图形、图片、照片和图像)的像素阵列的区域。有源区域AA可以包括至少一个模块区域MA，其位于与有源区域AA的拐角或有源区域AA的一侧相邻的区域中。
模块区域MA是设置有相机、扬声器、传感器等的区域，并且可以包括透光区域TA和设置成围绕透光区域TA的至少一个坝部(在图2的示例中为两个坝部DAM1和DAM2)。
在模块区域MA中，没有设置包括用于向像素阵列提供信号的栅极线G1至Gn和数据线D1至Dm的信号线、第一电力线VD1至VDm等。
模块区域MA可以设置在有源区域AA中的任何位置，并且根据其布置位置，在平面图上可以在模块区域MA的上侧、左侧、右侧和下侧中的至少一侧上显示信息。
边框区域BA是从有源区域AA的外部围绕有源区域AA的区域。用于生成要提供至有源区域AA的像素阵列的栅极脉冲的移位寄存器SRa和SRb、用于提供各种信号的信号线、以及用于提供各种类型的电力的电源线被设置在边框区域BA中。
在下文中，将参照图3描述根据本公开内容的显示设备的截面结构。图3示出了在模块区域MA的上侧、下侧、左侧和右侧上显示信息的示例，并且这是为了帮助理解本公开内容。因此，本公开内容不应被解释为限于图3和相关描述。
参照图3，具有单层结构或多层结构的缓冲层BUF可以设置在基板SUB上。基板SUB可以由柔性反射-透射材料形成。当基板SUB由诸如聚酰亚胺的材料形成时，缓冲层BUF可以由无机材料和有机材料中的任何一种形成，以防止由于诸如碱金属离子等的杂质而损坏发光器件，杂质在后续工艺中从基板SUB中流出。无机材料可以包括硅氧化物(SiO2)和硅氮化物(SiNx)中的任何一种，有机材料可以包括光丙烯(photoacryl)。
半导体层A在有源区域AA的每个像素处位于缓冲层BUF上。半导体层A包括源极区域SA和漏极区域DA，源极区域SA和漏极区域DA彼此间隔开，沟道区域CA介于其间。源极区域SA和漏极区域DA是导电区域。可以使用非晶硅或从非晶硅结晶的多晶硅来形成半导体层A。可替代地，半导体层A可以由氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(InZnO)、氧化铟镓锌(InGaZnO)和氧化锌锡(ZnSnO)中的任何一种形成。此外，半导体层A可以由低分子或高分子有机材料形成，例如份菁(merocyanine)、酞菁(phthalocyanine)、并五苯(pentacene)或噻吩聚合物(thiophenepolymer)。
栅极绝缘膜GI位于半导体层A所位于的缓冲层BUF上，以覆盖半导体层A。在模块区域MA中，不设置栅极绝缘膜GI。栅极绝缘膜GI可以由硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或其双层形成。
TFT的栅电极GE和连接至栅电极的栅极线(未示出)设置在有源区域AA中的栅极绝缘膜GI上，使得其至少部分区域与半导体层A的沟道层CA交叠。栅电极GE和栅极线可以由选自以下组中的任何一个形成：钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、或其合金，并且可以形成为单层或多层。
第一层间绝缘膜INI1和第二层间绝缘膜INI2依次设置在栅电极GE和栅极线所设置的栅极绝缘膜GI上，以覆盖它们。在模块区域MA中，没有设置第一层间绝缘膜INI1和第二层间绝缘膜INI2。第一层间绝缘膜INI1和第二层间绝缘膜INI2可以由硅氧化物膜(SiOx)或硅氮化物膜(SiNx)形成。可以省略第一层间绝缘膜INI1和第二层间绝缘膜INI2中的一个。
TFT的源电极SE和漏电极DE以及连接至源电极SE的数据线(未示出)设置在有源区域AA中的第二层间绝缘膜INI2上。源电极SE和漏电极DE分别连接至通过接触孔而露出的半导体层的源极区域SA和漏极区域DA，该接触孔穿透栅极绝缘膜GI以及第一层间绝缘膜INI1和第二层间绝缘膜INI2。在模块区域MA中，没有设置TFT的源电极SE和漏电极DE以及数据线。数据线被设置为绕过模块区域AA的左侧或右侧。
平坦化膜PLN可以位于覆盖源电极SE和漏电极DE的钝化膜上。在模块区域MA中，没有设置钝化膜和平坦化膜PLN。平坦化膜PLN用于保护下部结构同时缓和下部结构的台阶，并且可以由硅氧化物膜(SiOx)或硅氮化物膜(SiNx)形成。
在平坦化膜PLN上，阳极电极ANO设置在每个像素中。阳极电极ANO连接至通过穿透平坦化膜PLN的接触孔而露出的TFT的漏极电极DE。在模块区域MA中，没有设置阳极电极ANO。阳极电极ANO可以由透明导电材料形成，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)。
在平坦化膜PLN上，形成具有开口的堤层BN，该开口露出阳极电极ANO。堤层BN的开口是限定发光区域的区域。在模块区域MA的缓冲层BUF上，设置有由与堤层BN的材料相同的材料形成的至少一个坝部DAM1和DAM2，以限定透光区域TA。
发光叠层LES和阴极电极CAT依次布置在通过堤层BN的发射区域而露出的阳极电极ANO上。发光叠层LES可以按照空穴相关层、有机发光层和电子相关层的顺序，或者以相反的顺序形成在堤层BN的开口中的阳极电极ANO上。阴极电极CAT可以设置在平坦化膜PLN上，以覆盖有源区域AA的整个区域中的堤层BN和发光叠层LES。优选地，阴极电极CAT不位于模块区域MA中。阴极电极CAT可以由具有低的功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其合金形成。
第一钝化膜PAS1可以位于平坦化膜PLN上，以覆盖有源区域AA和边框区域BA中的阴极电极CAT和堤层BN。第一钝化膜PAS1不设置在模块区域MA中。
封装层ENC可以位于第一钝化膜PAS1上。封装膜ENC不位于模块区域MA中。封装层ENC可以用于使从外部到位于封装层ENC中的发光叠层LES的水分或氧气的渗透最小化，并且可以具有无机层和有机层交替布置的多层结构。
第二钝化膜PAS2位于封装层ENC以及模块区域MA的至少一个坝部DAM1和DAM2上，以保护封装层ENC以及坝部DAM1和DAM2。
偏振膜(未示出)可以位于第二钝化膜PAS2上，以减少外部光的影响，例如外部光被从显示面板的表面反射的表面反射，或行进至显示面板内部的外部光被显示面板内部的电极反射的电极反射。然而，偏振膜不位于模块区域MA中。
在与有源区域AA的模块区域MA对应的基板SUB的下表面上，可以布置难以集成到显示面板中的元件，例如相机模块、扬声器模块和传感器模块。
包括可以透射光的透光区域TA的模块区域MA是以下区域：从该区域去除了不透明材料(诸如包括栅极线和数据线的信号线、电力线、电极等)或者不具有良好透光性的绝缘材料。在图3的示例中，为了简化描述，示出了布置在位于图2所示的模块区域MA的两侧的像素上的TFT和发光二极管LED。
如上所述，根据本发明的实施方式的显示设备，由于即使不使用单独的掩模也能通过显示面板制造工艺在显示面板的有源区域AA中形成允许光透过的模块区域MA，因此可以避免复杂的制造工艺，并且可以减少制造时间和成本。
此外，由于至少一个坝部DAM1和DAM2设置在模块区域中以围绕透光区域TA，所以来自模块区域中所设置的模块的信号不受光影响，从而获得了增强模块本身的功能的效果。
此外，模块区域MA的透光区域TA保留为基板SUB、缓冲层BUF和第二钝化膜PAS2的三层结构，并且当省略缓冲层时，模块区域MA的透光区域TA保留为仅有基板SUB和第二钝化膜PAS2的双层结构，从而获得了提高透光效率的效果。
此外，由于模块区域MA可以位于有源区域AA中的任何期望位置处，并且除了模块区域MA之外的所有剩余有源区域可以用作显示区域，因此可以获得增加设计自由度的效果。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不偏离本公开内容的精神或范围的情况下，可以在本公开内容中进行各种修改和变化。在本公开内容所示的示例中，已经描述了电致发光显示设备，但是本公开内容不限于此，并且可以应用于各种平板显示设备，例如液晶显示设备(LCD)、等离子显示面板(PDP)、场发射显示设备(FED)和电泳显示设备(ED)。因此，本公开内容的技术范围不应限于本发明的详细描述中所描述的内容，而应由权利要求限定。

Claims (12)

1.一种显示设备，包括：
显示面板，其包括具有至少一个模块区域的有源区域以及位于所述有源区域外部的边框区域，
其中，像素阵列位于所述有源区域中的基板上，
其中，所述至少一个模块区域包括所述显示面板的所述基板，并且具有比除了所述至少一个模块区域之外的所述有源区域的厚度小的厚度，以及
其中，所述至少一个模块区域中的每一个包括透光区域以及被定位成围绕所述透光区域的至少一个坝部，使得设置在所述模块区域中的模块不受所述显示设备的光或外部光所影响。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述至少一个坝部包括围绕所述透光区域的第一坝部，以及与所述第一坝部间隔开并且围绕所述第一坝部的第二坝部。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述至少一个模块区域中的每一个位于所述有源区域中，使得在围绕所述模块区域的向上、向下、向左和向右方向上的区域中的至少两个区域中显示信息。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述至少一个模块区域的透光区域包括设置在所述显示面板的所述基板上的钝化层。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述至少一个模块区域的除了所述透光区域之外的区域包括位于所述基板上的至少一个坝部，以及覆盖所述至少一个坝部的所述钝化层。
6.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
第一电源电极，其被配置为向所述有源区域的所述像素阵列提供第一电位；
第二电源电极，其被配置为提供低于所述第一电位的第二电位，并且其被设置在所述边框区域中；以及
第一电力线，其连接至所述第一电源电极并且延伸至所述有源区域，以避开所述模块区域。
7.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
在所述有源区域中的被配置为向所述像素阵列分别提供栅极信号和数据信号的栅极线和数据线，并且所述栅极线和所述数据线被设置为避开所述模块区域。
8.根据权利要求6所述的显示设备，还包括：
另一第一电源电极，其被配置为向所述像素阵列提供第一电位，所述另一第一电源电极在所述第一电源电极所位于的所述边框区域的相对侧上位于所述边框区域中。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，
所述第一电源电极和所述另一第一电源电极的两端通过链接电源线连接，所述链接电源线设置在所述有源区域的左侧和右侧上的边框区域中。
10.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
栅极驱动器的移位寄存器，其设置在所述有源区域的两侧上的边框区域中，以生成要提供给所述像素阵列的栅极信号。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素阵列包括多个像素，每个像素包括薄膜晶体管、发光二极管、以及具有开口的堤层，所述开口露出所述发光二极管的阳极电极，以及
其中，所述坝部由与所述堤层的材料相同的材料形成，并且在所述坝部上没有所述发光二极管的任何材料。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述坝部的高度与所述堤层的高度相同。
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